JPH0255263A - 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 - Google Patents
窒化珪素質焼結体及びその製造方法Info
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- JPH0255263A JPH0255263A JP63206382A JP20638288A JPH0255263A JP H0255263 A JPH0255263 A JP H0255263A JP 63206382 A JP63206382 A JP 63206382A JP 20638288 A JP20638288 A JP 20638288A JP H0255263 A JPH0255263 A JP H0255263A
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000003921 particle size analysis Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 208000010392 Bone Fractures Diseases 0.000 description 1
- 206010017076 Fracture Diseases 0.000 description 1
- 208000013201 Stress fracture Diseases 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- -1 carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012761 high-performance material Substances 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
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- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/593—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering
- C04B35/5935—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering obtained by gas pressure sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はエンジニアリングセラミックスの分野より詳細
にはセラミックロータ、セラミックバルブ等の自動車エ
ンジン部材、ベアリングボール等の摺動部材など、構造
材料として利用される高密度、高靭性、高強度窒化珪素
焼結体及びその製造方法に関する。
にはセラミックロータ、セラミックバルブ等の自動車エ
ンジン部材、ベアリングボール等の摺動部材など、構造
材料として利用される高密度、高靭性、高強度窒化珪素
焼結体及びその製造方法に関する。
〈従来の技術〉
近時高温ガスタービン、ディーゼルエンジン、MHD発
電など高温で運転される機器の摺動部材や、構造材料と
して高温下で充分な強度を有し、化学的に安定で熱衝撃
性にも強い材料の一つとして窒化珪素質(SfJt)セ
ラミックが注目されている。
電など高温で運転される機器の摺動部材や、構造材料と
して高温下で充分な強度を有し、化学的に安定で熱衝撃
性にも強い材料の一つとして窒化珪素質(SfJt)セ
ラミックが注目されている。
一般に窒化珪素質セラミックは、5i3Na粉末が難焼
結性であることから、通常はY2O3、A120ff、
MgO等の焼結助剤を添加して焼成して得られた緻密な
焼結体である。これらの焼結助剤の中でもYzO,又は
MgOを用いた場合に5iJ4粒子がアスペクト比の高
い柱状晶となった組織を有する焼結体が得られ、緻密化
した焼結体はその柱状粒子がからみ合った組織により、
高強度、高靭性を期待できるものとして例えば特開昭6
0−137873の如き提案がある。
結性であることから、通常はY2O3、A120ff、
MgO等の焼結助剤を添加して焼成して得られた緻密な
焼結体である。これらの焼結助剤の中でもYzO,又は
MgOを用いた場合に5iJ4粒子がアスペクト比の高
い柱状晶となった組織を有する焼結体が得られ、緻密化
した焼結体はその柱状粒子がからみ合った組織により、
高強度、高靭性を期待できるものとして例えば特開昭6
0−137873の如き提案がある。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし上記従来の窒化珪素焼結体は、機械構造用部品と
して用いるには強度、靭性の点で未だ不十分であり、加
えて近年においては硬度の向上も望まれている。
して用いるには強度、靭性の点で未だ不十分であり、加
えて近年においては硬度の向上も望まれている。
本発明は上記課題を解決することを目的とするものであ
る。
る。
〈課題を解決するための手段〉
本発明の概要はm S+J480〜94重量%Mg成分
をMgO換算で2〜10重量%、Y成分をY2O3換算
で2〜10重量%含有した焼結体であって、5iJ4粒
子は短径1μm以下のもの90%以上にして、Si、N
、のα相が5〜40%存在し、かつ相対密度が98%以
上である窒化珪素質焼結体。
をMgO換算で2〜10重量%、Y成分をY2O3換算
で2〜10重量%含有した焼結体であって、5iJ4粒
子は短径1μm以下のもの90%以上にして、Si、N
、のα相が5〜40%存在し、かつ相対密度が98%以
上である窒化珪素質焼結体。
(2) 平均粒径1μm以下でα相を80%以上含有
する5iJL粉末を80〜94重量%、Mg化合物を?
IgO換算で2〜10重量%、Y化合物をYzOz換算
で2〜10重量%配合し、成形した後1600℃以下に
て1atm以上20atm以下の窒素又は不活性ガス雰
囲気中(ただし窒素分圧1atm以上)で相対密度85
%以上になるように一次焼結を行い、1400℃〜16
00℃ にて300a Lm以上の窒素又は不活性ガス
雰囲気中 (ただし窒素分圧1stm以上)で二次焼結
する窒化珪素質焼結体の製造方法である。
する5iJL粉末を80〜94重量%、Mg化合物を?
IgO換算で2〜10重量%、Y化合物をYzOz換算
で2〜10重量%配合し、成形した後1600℃以下に
て1atm以上20atm以下の窒素又は不活性ガス雰
囲気中(ただし窒素分圧1atm以上)で相対密度85
%以上になるように一次焼結を行い、1400℃〜16
00℃ にて300a Lm以上の窒素又は不活性ガス
雰囲気中 (ただし窒素分圧1stm以上)で二次焼結
する窒化珪素質焼結体の製造方法である。
〈作用〉
以下本発明について更に詳細に述べる。
本発明は前記したような焼結体であって、緻密化された
ことにより強度と靭性、及び硬度の機械的特性に優れた
窒化珪素を開発し、併せてか\る焼結体を得るために前
記方法により組織の制御を行ないながら緻密化を達成す
る方法を提供するものである。
ことにより強度と靭性、及び硬度の機械的特性に優れた
窒化珪素を開発し、併せてか\る焼結体を得るために前
記方法により組織の制御を行ないながら緻密化を達成す
る方法を提供するものである。
焼結助剤;窒化珪素の焼結において、Y2O3、Mg。
は共晶による融点降下の作用により、焼結を促進する液
相が低温で生成することによってなされるものと考えら
れる。窒化珪素は焼結中にα型からβ型に相転移し、か
つ粒子の形状も粒状から柱状に変化する。
相が低温で生成することによってなされるものと考えら
れる。窒化珪素は焼結中にα型からβ型に相転移し、か
つ粒子の形状も粒状から柱状に変化する。
従って当初はα型の窒化珪素を用いてもアスペクト比の
高い柱状粒子(β型)の生成がなされるものが好ましく
、焼結助剤とし前記Y20.及びMgOを組合せること
によりこのアスペクト比の高い柱状粒子の生成を促進す
ることができる。
高い柱状粒子(β型)の生成がなされるものが好ましく
、焼結助剤とし前記Y20.及びMgOを組合せること
によりこのアスペクト比の高い柱状粒子の生成を促進す
ることができる。
而して焼結温度を制御してα相の量を5〜40%残留さ
せることにより、焼結体がα相の粒状粒子とβ相の柱状
粒子の複合組織となり、β粒子の粒0長が抑制され非常
に微細な組織となる。このため更に強度が向上し、α相
が残留するため高硬度である。又、α相が5%未満であ
ると硬度が低下し、40%を超えると柱状β粒子が減少
するため靭性が低下するとともに強度も低下する。
せることにより、焼結体がα相の粒状粒子とβ相の柱状
粒子の複合組織となり、β粒子の粒0長が抑制され非常
に微細な組織となる。このため更に強度が向上し、α相
が残留するため高硬度である。又、α相が5%未満であ
ると硬度が低下し、40%を超えると柱状β粒子が減少
するため靭性が低下するとともに強度も低下する。
本発明における組成について述べれば、5iJ480〜
94重量%、Mg成分(MgO換算)2〜1O重量%、
Y成分(Y20換算)2〜10重量%とじたのはSi3
N、が94重量%を越えた場合又はMgOが2重量%未
満、Y2O3が2重量%未満では焼結性が低下するため
、低温焼成によりS t y N 4のα相を残留させ
た緻密な焼結体が得られない。又、逆に5iJ4が80
重量%未満又はMgO,YzO:+カッれぞれ10重量
%を越えると、焼結助剤の量が過剰となり、焼結過程で
助剤として発現する効果が減少し、緻密化が困難となり
、更に窒化珪素が木来有する特性が発現しない。
94重量%、Mg成分(MgO換算)2〜1O重量%、
Y成分(Y20換算)2〜10重量%とじたのはSi3
N、が94重量%を越えた場合又はMgOが2重量%未
満、Y2O3が2重量%未満では焼結性が低下するため
、低温焼成によりS t y N 4のα相を残留させ
た緻密な焼結体が得られない。又、逆に5iJ4が80
重量%未満又はMgO,YzO:+カッれぞれ10重量
%を越えると、焼結助剤の量が過剰となり、焼結過程で
助剤として発現する効果が減少し、緻密化が困難となり
、更に窒化珪素が木来有する特性が発現しない。
又相対密度が98%以−にであると強度が優れた焼結体
が得られるが、98%未満では気孔が破壊起源となるた
め強度が低下する。
が得られるが、98%未満では気孔が破壊起源となるた
め強度が低下する。
次にSi3N4粒子の短径が1μm以下であるものを9
0%以上としたのは、前述のように粒成長を抑制した微
細組織を有することにより高強度の焼結体が得られるた
めであり、もしも5iJn粒子の短径が1μm以下のも
のを90%未満とするときは、粒成長を抑制する効果が
不十分で微細組織が得られず強度が不十分となるためで
ある。
0%以上としたのは、前述のように粒成長を抑制した微
細組織を有することにより高強度の焼結体が得られるた
めであり、もしも5iJn粒子の短径が1μm以下のも
のを90%未満とするときは、粒成長を抑制する効果が
不十分で微細組織が得られず強度が不十分となるためで
ある。
本発明による前記焼結体は室温強度120 kg/x*
”以上、破壊靭性値6MN/m””以上、ビッカース硬
度1500 kg / 11”以上の高強度、高特性材
料が得られる。
”以上、破壊靭性値6MN/m””以上、ビッカース硬
度1500 kg / 11”以上の高強度、高特性材
料が得られる。
次に本発明の方法は上記の焼結体を得るための方法で、
原料としてのSi、3Na粉末のα率を80%以上とし
たのは、β相が20%を越えると焼結によるα相からβ
相への転移の際に既存β粒子が核となり転移が容易に進
行し、β化が完了してしまうためα相の残存する緻密焼
結体を得るのが困難であるためである。
原料としてのSi、3Na粉末のα率を80%以上とし
たのは、β相が20%を越えると焼結によるα相からβ
相への転移の際に既存β粒子が核となり転移が容易に進
行し、β化が完了してしまうためα相の残存する緻密焼
結体を得るのが困難であるためである。
またSi:+L粉末の平均粒径を1μm以下とした理由
は、1μmを越えると焼結性が低下するだけでなく、焼
結体中に異常粒成長した5rJa粒子が発現し易くなり
、強度を低下させるためである。
は、1μmを越えると焼結性が低下するだけでなく、焼
結体中に異常粒成長した5rJa粒子が発現し易くなり
、強度を低下させるためである。
又、5iJ4粉末は不純物3%以下の高純度粉末が好ま
しい。
しい。
Mg化合物粉末及びY化合物粉末は特に酸化物さらには
製造過程において酸化物に変化し得るもの例えば炭酸塩
等の塩類、水酸化物が好ましく、かつ又、その化合物の
純度は99%以上であることが好ましい。
製造過程において酸化物に変化し得るもの例えば炭酸塩
等の塩類、水酸化物が好ましく、かつ又、その化合物の
純度は99%以上であることが好ましい。
上記の5iJ4粉末を80〜94重量%、Mg化合物を
MgO換算で2〜10重量%、好ましくは3〜8重量%
、Y化合物をY、0.換算で2〜10重量%好ましくは
3〜8重量%配合する。
MgO換算で2〜10重量%、好ましくは3〜8重量%
、Y化合物をY、0.換算で2〜10重量%好ましくは
3〜8重量%配合する。
配合粉末の成形は金型ブレス、静水圧プレス等種々の方
法で行い得る。成形体の焼結は低圧(20atm以下)
で行なう一次焼結と高圧(300atm以上)で行なう
二次焼結の二段階焼結により行なう、なお加圧はいずれ
も窒素又は不活性ガス雰囲気にして、−次焼結は160
0℃以下の温度で、1atm以上20atm以下(好ま
しくはlQatm以下)の窒素又は不活性ガス雰囲気中
で行なわれるが、Si3N4の分解を抑制するためにN
2分圧が1atm以上必要である。雰囲気圧力が20a
tmを越えると一次焼結体の外部が緻密化しても内部に
低密度部が残留し易く、二次焼結時に内部の緻密化が不
可能(閉気孔が残留)となる。
法で行い得る。成形体の焼結は低圧(20atm以下)
で行なう一次焼結と高圧(300atm以上)で行なう
二次焼結の二段階焼結により行なう、なお加圧はいずれ
も窒素又は不活性ガス雰囲気にして、−次焼結は160
0℃以下の温度で、1atm以上20atm以下(好ま
しくはlQatm以下)の窒素又は不活性ガス雰囲気中
で行なわれるが、Si3N4の分解を抑制するためにN
2分圧が1atm以上必要である。雰囲気圧力が20a
tmを越えると一次焼結体の外部が緻密化しても内部に
低密度部が残留し易く、二次焼結時に内部の緻密化が不
可能(閉気孔が残留)となる。
一次焼結温度を1600℃以下とするのは、温度が低い
程α相が多く残留するが、1600℃を越えるとβ相へ
の転移が速く進行し、又粒成長が生じ組織が粗大化する
ため目的とする焼結体が得られなくなる。−次焼結では
相対密度85%以上あれば良い。二次焼結は一次焼結の
みでは緻密な焼結体が得難いために行なう。この二次焼
結は300a tm以上の不活性ガス雰囲気中(窒素ガ
ス分圧1atm以上)で行なわなければならない。これ
は雰囲気ガスの高圧による圧縮作用に基づき、常圧或い
は低圧焼結では緻密化しない組成についても高密度焼結
体が得られるためである。
程α相が多く残留するが、1600℃を越えるとβ相へ
の転移が速く進行し、又粒成長が生じ組織が粗大化する
ため目的とする焼結体が得られなくなる。−次焼結では
相対密度85%以上あれば良い。二次焼結は一次焼結の
みでは緻密な焼結体が得難いために行なう。この二次焼
結は300a tm以上の不活性ガス雰囲気中(窒素ガ
ス分圧1atm以上)で行なわなければならない。これ
は雰囲気ガスの高圧による圧縮作用に基づき、常圧或い
は低圧焼結では緻密化しない組成についても高密度焼結
体が得られるためである。
焼結温度を1400℃〜1600℃(好ましくは145
0℃〜1550°CとしたのはSi3N4の粒成長を抑
制し、α相を残存させるためである。
0℃〜1550°CとしたのはSi3N4の粒成長を抑
制し、α相を残存させるためである。
〈実施例〉
実施例1
平均粒径0.7μm、α率90%、純度98%の5iJ
4粉末に、平均粒径1.um、純度99%のMgO及び
平均粒径3μm、純度99%のYZO3粉末を表1に示
す割合で配合した。乾燥した配合粉末を2ton/co
d”の圧力で静水圧プレス成形し50X50×20龍の
成形体試料を得た。この成形体を表1に示した条件で2
時間−次焼結を行なった後、さらに加圧雰囲気中で2時
間二次焼結し焼結体を得た。
4粉末に、平均粒径1.um、純度99%のMgO及び
平均粒径3μm、純度99%のYZO3粉末を表1に示
す割合で配合した。乾燥した配合粉末を2ton/co
d”の圧力で静水圧プレス成形し50X50×20龍の
成形体試料を得た。この成形体を表1に示した条件で2
時間−次焼結を行なった後、さらに加圧雰囲気中で2時
間二次焼結し焼結体を得た。
次に得られた焼結体の各特性を以下の方法によって測定
、算出し結果を表1に示す。
、算出し結果を表1に示す。
(1)相対密度:アルキメデス法
(2)強度: JIS−R1601
(3)破壊靭性値: Indentation Mic
rofracture法、荷重30 kg f (4)ビッカース硬度:荷重30kgf、 15se
c(5) α相含有率(%):X線回折により表1か
ら明らかなように実施例の焼結体は相対密度98%以上
、室温強度120 kg / 鶴”以上、破壊靭性(l
I6MN/m3″以上、硬度1500 kg / vx
”以上であり、高密度・高強度・高靭性・高硬度であ
って常温特性に優れたものである。
rofracture法、荷重30 kg f (4)ビッカース硬度:荷重30kgf、 15se
c(5) α相含有率(%):X線回折により表1か
ら明らかなように実施例の焼結体は相対密度98%以上
、室温強度120 kg / 鶴”以上、破壊靭性(l
I6MN/m3″以上、硬度1500 kg / vx
”以上であり、高密度・高強度・高靭性・高硬度であ
って常温特性に優れたものである。
これに対して比較例の焼結体についてはいずれも各特性
について実施例のものよりはるかに劣る。
について実施例のものよりはるかに劣る。
比較例8.9は一次又は二次焼結温度を高くしても十分
緻密化せず、α相は残存せず、靭性は6MN/m3/Z
以上であるが、強゛度・硬度は低い。
緻密化せず、α相は残存せず、靭性は6MN/m3/Z
以上であるが、強゛度・硬度は低い。
10.11.12はα相は残存しているものの強度・靭
性・硬度は共に低い。
性・硬度は共に低い。
実施例2
次に実施例1と同様の方法で、5i3Na92重量%、
Mg04重量%の組成について一次焼結をNN21st
中1550℃、2時間の条件で行い、二次焼結を表2に
示すように温度を変えて行い、得られた焼結体の特性と
Si、N4粒子の粒径解析結果を表2に示す。
Mg04重量%の組成について一次焼結をNN21st
中1550℃、2時間の条件で行い、二次焼結を表2に
示すように温度を変えて行い、得られた焼結体の特性と
Si、N4粒子の粒径解析結果を表2に示す。
Si、N4粒子の粒径解析は焼結体を鏡面研磨しSEM
により観察して行った。5i3L粒子の量は面積占を率
である。
により観察して行った。5i3L粒子の量は面積占を率
である。
表2から明らかなように二次焼結温度が高いとα相含有
率は減少し、粒成長により5iJa粒子の短径が1tt
mを越えるものが増加し、これに伴い強度、硬度は低下
する。
率は減少し、粒成長により5iJa粒子の短径が1tt
mを越えるものが増加し、これに伴い強度、硬度は低下
する。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明の焼結体は、アスペクト比の
高いβ相の柱状粒子とα相の粒状粒子との微細な複合組
織を有し、高強度、高靭性、例えば室温曲げ強度120
kg / n ”以上、破壊靭性値6FIN7m372
以上、ビ゛ソカース硬度1500kg/ yn2以上
のものが得られ、かつその製造方法は組織(微構造)の
制御を行ないながら緻密化を達成することにより強度靭
性、硬変の優れた窒化珪素焼結体を容易に製造すること
ができる。
高いβ相の柱状粒子とα相の粒状粒子との微細な複合組
織を有し、高強度、高靭性、例えば室温曲げ強度120
kg / n ”以上、破壊靭性値6FIN7m372
以上、ビ゛ソカース硬度1500kg/ yn2以上
のものが得られ、かつその製造方法は組織(微構造)の
制御を行ないながら緻密化を達成することにより強度靭
性、硬変の優れた窒化珪素焼結体を容易に製造すること
ができる。
Claims (2)
- (1)窒化珪素(Si_3N_4)80〜94重量%、
Mg成分をMgO換算で2〜10重量%、Y成分をY_
2O_3換算で2〜10重量%含有する窒化珪素質焼結
体において、Si_3N_4粒子は短径1μm以下のも
のが90%以上で、Si_3N_4のα相が5〜40%
存在し、かつ相対密度が98%以上であることを特徴と
する窒化珪素質焼結体 - (2)平均粒径1μm以下で、α相を80%以上含有す
るSi_3N_4粉末を80〜94重量%、Mg化合物
をMgO換算で2〜10重量%、Y化合物をY_2O_
3換算で2〜10重量%配合し、成形した後、1600
℃以下にて1atm以上20atm以下の窒素又は不活
性ガス雰囲気中(ただし窒素分圧1atm以上)で相対
密度85%以上になるように一次焼結を行い、1400
℃〜1600℃にて300atm以上の窒素又は不活性
ガス雰囲気中(ただし窒素分圧1atm以上)で二次焼
結することを特徴とする窒化珪素質焼結体の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63206382A JP2524201B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
US07/393,726 US5045513A (en) | 1988-08-22 | 1989-08-15 | Sintered body of silicon nitride and its manufacture |
DE3927083A DE3927083A1 (de) | 1988-08-22 | 1989-08-17 | Sinterkoerper aus siliziumnitrid und seine herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63206382A JP2524201B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0255263A true JPH0255263A (ja) | 1990-02-23 |
JP2524201B2 JP2524201B2 (ja) | 1996-08-14 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63206382A Expired - Fee Related JP2524201B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5045513A (ja) |
JP (1) | JP2524201B2 (ja) |
DE (1) | DE3927083A1 (ja) |
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1988
- 1988-08-22 JP JP63206382A patent/JP2524201B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-08-15 US US07/393,726 patent/US5045513A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-17 DE DE3927083A patent/DE3927083A1/de active Granted
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