JPH0558737A - 窒化ケイ素系焼結体 - Google Patents
窒化ケイ素系焼結体Info
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- JPH0558737A JPH0558737A JP3221603A JP22160391A JPH0558737A JP H0558737 A JPH0558737 A JP H0558737A JP 3221603 A JP3221603 A JP 3221603A JP 22160391 A JP22160391 A JP 22160391A JP H0558737 A JPH0558737 A JP H0558737A
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- sintered body
- sialon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特に常温において優れた機械的強度を有し、
生産性、コスト面において優れた窒化ケイ素系焼結体を
提供することを目的とする。 【構成】 α−窒化ケイ素とβ´−サイアロンからなる
窒化ケイ素焼結体であって、α−窒化ケイ素の平均結晶
粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、短軸
方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．５μｍ以下、０．５
μｍ以下であることを特徴とするものである。
生産性、コスト面において優れた窒化ケイ素系焼結体を
提供することを目的とする。 【構成】 α−窒化ケイ素とβ´−サイアロンからなる
窒化ケイ素焼結体であって、α−窒化ケイ素の平均結晶
粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、短軸
方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．５μｍ以下、０．５
μｍ以下であることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はとくに常温において優れ
た機械的強度を有し、生産性、コスト面において優れた
窒化ケイ素系焼結体に関する。
た機械的強度を有し、生産性、コスト面において優れた
窒化ケイ素系焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、窒化ケイ素系材料の強度向上を目
的として、焼結方法、焼結助剤、含有結晶相の限定など
様々な研究開発が行われてきた。たとえば、焼結法に関
しては、ホットプレス焼結法では、Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．
Ｓｏｃ．Ｂｕｌｌ．，５２（１９７３）ｐｐ５６０で〜
１００ｋｇ／ｍｍ2（曲げ強度）が実現されており、ま
たガラスカプセルによる熱間静水圧プレス法（ＨＩＰ
法）等も開発されている。こうした手法では焼結体の強
度特性の面では優れた特性が得られているものの、生産
性、コストの面で優れた手法とは言えない。一方、こう
した問題に対して、ガス圧焼結法（例えば、三友、粉体
と工業、１２巻、１２号、ｐｐ２７、１９８９）がある
が、本方法では最終の焼結体の緻密化をβ−窒化ケイ素
結晶の粒成長に伴うため、粗大結晶粒の析出による強度
劣化をまねく可能性が高いことに加え、一般には、１０
気圧以上のＮ2ガス圧をかけ焼結を実施するため、ホッ
トプレス法やＨＩＰ法と同様に焼結設備が大型となり、
特性面、生産面で十分優れた手法とは言えない。他方、
焼結助剤に関しては、主たる助剤としてＹ2Ｏ3を用いた
Ｓｉ3Ｎ4−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3系の窒化ケイ素系焼結体が
特公昭４９−２１０９１号、特公昭４８−３８４４８号
に開示されている。これらは、該特許明細書中に示され
ているように、β型窒化ケイ素の結晶粒が焼結体中で繊
維状組織を形成し、これがマトリックス中に分散するこ
とから強度、靭性を向上しうるものと考えられている。
すなわちこれは、β型窒化ケイ素の結晶形が六方晶であ
りＣ軸方向に結晶が異方性成長をすることを積極的に利
用したものであり、とくに特公昭４８−３８４４８号や
窯業協会誌、９４巻、ｐｐ９６、１９８６に示されるよ
うに、繊維状のβ−窒化ケイ素結晶粒がＣ軸方向に１０
数μｍ以上に成長している場合がある。しかしながら、
本技術においては、やはりこの粒成長が異常成長や気孔
の発生をまねき、強度劣化をまねく可能性があり、また
本方法での焼結助剤だけを用いた焼結体では、焼結温度
を１７００〜１９００℃に上昇させなければ、緻密化が
十分図れず、大気圧付近のＮ2ガス圧焼結では、窒化ケ
イ素の昇華分解が生じ、安定した焼結体を得られない場
合がある。このため同じく、焼結体特性と生産性両面で
十分優れているとは言えない。一方、以上で述べてきた
手法では、いずれも得られる焼結体の強度が、例えばＪ
ＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した３点曲げ強度でせいぜい１
００ｋｇ／ｍｍ2前後であり、様々な窒化ケイ素系材料
の応用を考えた場合、必ずしも十分な特性が得られてい
ない。
的として、焼結方法、焼結助剤、含有結晶相の限定など
様々な研究開発が行われてきた。たとえば、焼結法に関
しては、ホットプレス焼結法では、Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．
Ｓｏｃ．Ｂｕｌｌ．，５２（１９７３）ｐｐ５６０で〜
１００ｋｇ／ｍｍ2（曲げ強度）が実現されており、ま
たガラスカプセルによる熱間静水圧プレス法（ＨＩＰ
法）等も開発されている。こうした手法では焼結体の強
度特性の面では優れた特性が得られているものの、生産
性、コストの面で優れた手法とは言えない。一方、こう
した問題に対して、ガス圧焼結法（例えば、三友、粉体
と工業、１２巻、１２号、ｐｐ２７、１９８９）がある
が、本方法では最終の焼結体の緻密化をβ−窒化ケイ素
結晶の粒成長に伴うため、粗大結晶粒の析出による強度
劣化をまねく可能性が高いことに加え、一般には、１０
気圧以上のＮ2ガス圧をかけ焼結を実施するため、ホッ
トプレス法やＨＩＰ法と同様に焼結設備が大型となり、
特性面、生産面で十分優れた手法とは言えない。他方、
焼結助剤に関しては、主たる助剤としてＹ2Ｏ3を用いた
Ｓｉ3Ｎ4−Ａｌ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3系の窒化ケイ素系焼結体が
特公昭４９−２１０９１号、特公昭４８−３８４４８号
に開示されている。これらは、該特許明細書中に示され
ているように、β型窒化ケイ素の結晶粒が焼結体中で繊
維状組織を形成し、これがマトリックス中に分散するこ
とから強度、靭性を向上しうるものと考えられている。
すなわちこれは、β型窒化ケイ素の結晶形が六方晶であ
りＣ軸方向に結晶が異方性成長をすることを積極的に利
用したものであり、とくに特公昭４８−３８４４８号や
窯業協会誌、９４巻、ｐｐ９６、１９８６に示されるよ
うに、繊維状のβ−窒化ケイ素結晶粒がＣ軸方向に１０
数μｍ以上に成長している場合がある。しかしながら、
本技術においては、やはりこの粒成長が異常成長や気孔
の発生をまねき、強度劣化をまねく可能性があり、また
本方法での焼結助剤だけを用いた焼結体では、焼結温度
を１７００〜１９００℃に上昇させなければ、緻密化が
十分図れず、大気圧付近のＮ2ガス圧焼結では、窒化ケ
イ素の昇華分解が生じ、安定した焼結体を得られない場
合がある。このため同じく、焼結体特性と生産性両面で
十分優れているとは言えない。一方、以上で述べてきた
手法では、いずれも得られる焼結体の強度が、例えばＪ
ＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した３点曲げ強度でせいぜい１
００ｋｇ／ｍｍ2前後であり、様々な窒化ケイ素系材料
の応用を考えた場合、必ずしも十分な特性が得られてい
ない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした従来技術にお
ける生産性と焼結体の機械的特性の両立を満足させる手
法を提供するのが本発明の課題である。
ける生産性と焼結体の機械的特性の両立を満足させる手
法を提供するのが本発明の課題である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、α−窒化ケイ
素とβ´−サイアロンからなり、α−窒化ケイ素の平均
結晶粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、
短軸方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．５μｍ以下、
０．５μｍ以下であることを特徴とする窒化ケイ素焼結
体が、ＪＩＳＲ−１６０１に準拠した３点曲げ強度が容
易に１３０ｋｇ／ｍｍ2以上の特性を有する知見を得た
ものである。本発明の焼結体が優れた強度特性を得る効
果は、微粒で等軸晶のα−窒化ケイ素と微粒で柱状化し
たβ´−サイアロンの両方の結晶相を複合させることに
より、従来の柱状化したβ´−サイアロン（β−窒化ケ
イ素を含む）結晶相のみで構成された焼結体に比較し、
ヤング率、硬度が向上する。これは材料の変形抵抗を示
す物性値でありセラミック材料のような脆性材料では、
この値を向上させることが広義では材料の強度向上につ
ながるためである。さらに脆性材料の破壊の基本概念で
あるＧｒｉｆｆｉｔｈの理論に従えば、焼結体の破壊強
度σfは次式で与えられる。
素とβ´−サイアロンからなり、α−窒化ケイ素の平均
結晶粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、
短軸方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．５μｍ以下、
０．５μｍ以下であることを特徴とする窒化ケイ素焼結
体が、ＪＩＳＲ−１６０１に準拠した３点曲げ強度が容
易に１３０ｋｇ／ｍｍ2以上の特性を有する知見を得た
ものである。本発明の焼結体が優れた強度特性を得る効
果は、微粒で等軸晶のα−窒化ケイ素と微粒で柱状化し
たβ´−サイアロンの両方の結晶相を複合させることに
より、従来の柱状化したβ´−サイアロン（β−窒化ケ
イ素を含む）結晶相のみで構成された焼結体に比較し、
ヤング率、硬度が向上する。これは材料の変形抵抗を示
す物性値でありセラミック材料のような脆性材料では、
この値を向上させることが広義では材料の強度向上につ
ながるためである。さらに脆性材料の破壊の基本概念で
あるＧｒｉｆｆｉｔｈの理論に従えば、焼結体の破壊強
度σfは次式で与えられる。
【０００５】σf＝Ｅ・γｓ／４ａ、Ｅ；ヤング率、γ
ｓ；破壊の表面エネルギー、ａ；先在亀裂長さ ここでγｓは粒界相の組成と厚みに依存すると考えられ
るため、とくに厚みの点で結晶粒の存在密度を向上させ
る結晶粒の微粒化と結晶相の複合化は有利である。また
本式に従えば、破壊強度を向上させるためにはＥの増大
とａの減少が重要である。ａの値は工程上不可避な欠陥
寸法を排除すれば、結晶粒径に依存するため、微細結晶
粒で充填性を向上させた本発明はＥ、γｓの点で強度向
上に有効である。
ｓ；破壊の表面エネルギー、ａ；先在亀裂長さ ここでγｓは粒界相の組成と厚みに依存すると考えられ
るため、とくに厚みの点で結晶粒の存在密度を向上させ
る結晶粒の微粒化と結晶相の複合化は有利である。また
本式に従えば、破壊強度を向上させるためにはＥの増大
とａの減少が重要である。ａの値は工程上不可避な欠陥
寸法を排除すれば、結晶粒径に依存するため、微細結晶
粒で充填性を向上させた本発明はＥ、γｓの点で強度向
上に有効である。
【０００６】こうしたα型窒化珪素と柱状化したβ型窒
化珪素の両方の結晶相を複合させる考え方は、例えば特
開昭６１−９１０６５号や特開平２−４４０６６号に開
示されているが、いずれもα´−サイアロン（一般式Ｍ
X（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16、Ｍ：Ｍｇ，Ｃａ，Ｌ
ｉ及び希土類元素）とβ´−サイアロン（β型窒化ケイ
素を含む）との結晶相の組合せであり、組成的にはＳｉ
3Ｎ4−ＡｌＮ−ＭＯ（Ｍ；ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣａＯ等）
の３成分系が主であり、その範囲もＡｌＮとＭＯの添加
比がモル％で１：９の限定された範囲で、α´−サイア
ロンとβ´−サイアロン（β−窒化ケイ素を含む）の複
合した結晶相を生成させることにより強度等の機械的特
性の向上を示したものであり、またその実施例でも明ら
かなように各焼結体の強度特性が曲げ強度で１００ｋｇ
／ｍｍ2を安定して越える焼結体製法はいずれもホット
プレス法によるものであり、工業的に安定して高い強度
特性を得るまでに至っていない。また、これらの焼結体
はα´−サイアロンとβ´−サイアロン（β−窒化ケイ
素を含む）の間の熱膨張係数の差が大きく、これが原因
となり焼結体中に引張の残留応力を発生させ、強度劣化
を招く可能性がある。本発明はこうした条件の限定がな
く工業的に安定して高強度な焼結体を提供することにあ
る。
化珪素の両方の結晶相を複合させる考え方は、例えば特
開昭６１−９１０６５号や特開平２−４４０６６号に開
示されているが、いずれもα´−サイアロン（一般式Ｍ
X（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16、Ｍ：Ｍｇ，Ｃａ，Ｌ
ｉ及び希土類元素）とβ´−サイアロン（β型窒化ケイ
素を含む）との結晶相の組合せであり、組成的にはＳｉ
3Ｎ4−ＡｌＮ−ＭＯ（Ｍ；ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣａＯ等）
の３成分系が主であり、その範囲もＡｌＮとＭＯの添加
比がモル％で１：９の限定された範囲で、α´−サイア
ロンとβ´−サイアロン（β−窒化ケイ素を含む）の複
合した結晶相を生成させることにより強度等の機械的特
性の向上を示したものであり、またその実施例でも明ら
かなように各焼結体の強度特性が曲げ強度で１００ｋｇ
／ｍｍ2を安定して越える焼結体製法はいずれもホット
プレス法によるものであり、工業的に安定して高い強度
特性を得るまでに至っていない。また、これらの焼結体
はα´−サイアロンとβ´−サイアロン（β−窒化ケイ
素を含む）の間の熱膨張係数の差が大きく、これが原因
となり焼結体中に引張の残留応力を発生させ、強度劣化
を招く可能性がある。本発明はこうした条件の限定がな
く工業的に安定して高強度な焼結体を提供することにあ
る。
【０００７】本発明の焼結体を得るためには、焼結助剤
は窒化珪素表面に存在するＳｉＯ2とできるだけ低温で
液相を生成する助剤、例えばＭｇＯ、ＣｅＯ2、Ｃａ
Ｏ、Ｌａ2Ｏ3を用い焼結温度を１６５０℃以下で焼結す
ることが望ましい。この低温焼結のため異常粒成長に伴
う焼結体の特性劣化を阻止できる。さらには、窒化ケイ
素は大気圧のＮ2雰囲気下では１７００℃以上の温度域
で昇華分解するため、加圧Ｎ2雰囲気下で焼結する必要
があり、設備面でバッチ式焼結炉を用いていた。しか
し、この様な低温での焼結が可能となると焼結方法はプ
ッシャー式あるいはベルト式等の開放型連続焼結炉によ
り、同時に生産性の優れた焼結が可能となる。この詳細
な説明を加えると、一般に強度特性に優れた窒化ケイ素
系材料の焼結法としては、いわゆるバッチ式焼結炉によ
るガス圧焼結が主であるが、この方式では炉内の温度分
布のばらつきやロット間の条件ばらつき等が必ず生じる
ために、量産部品等の用途のセラミック材料を安定して
供給する製法としては十分とは言えない。この点からも
本発明はその生産性を同時に向上させた点で工業的に重
要である。
は窒化珪素表面に存在するＳｉＯ2とできるだけ低温で
液相を生成する助剤、例えばＭｇＯ、ＣｅＯ2、Ｃａ
Ｏ、Ｌａ2Ｏ3を用い焼結温度を１６５０℃以下で焼結す
ることが望ましい。この低温焼結のため異常粒成長に伴
う焼結体の特性劣化を阻止できる。さらには、窒化ケイ
素は大気圧のＮ2雰囲気下では１７００℃以上の温度域
で昇華分解するため、加圧Ｎ2雰囲気下で焼結する必要
があり、設備面でバッチ式焼結炉を用いていた。しか
し、この様な低温での焼結が可能となると焼結方法はプ
ッシャー式あるいはベルト式等の開放型連続焼結炉によ
り、同時に生産性の優れた焼結が可能となる。この詳細
な説明を加えると、一般に強度特性に優れた窒化ケイ素
系材料の焼結法としては、いわゆるバッチ式焼結炉によ
るガス圧焼結が主であるが、この方式では炉内の温度分
布のばらつきやロット間の条件ばらつき等が必ず生じる
ために、量産部品等の用途のセラミック材料を安定して
供給する製法としては十分とは言えない。この点からも
本発明はその生産性を同時に向上させた点で工業的に重
要である。
【０００８】さらに本発明の効果を顕著にするために
は、焼結体中のα−窒化ケイ素とβ´−サイアロンの結
晶相の析出比がＸ線回析によるピーク強度比で、０％＜
α−窒化ケイ素≦３０％、７０％≦β´−窒化ケイ素＜
１００％であることが好ましい。このα−窒化ケイ素の
析出比が３０％を越えて高α−Ｓｉ3Ｎ4側へずれるとβ
´−サイアロン柱状晶組織の効果が減少し、結晶相の複
合化の効果が十分現れず強度向上の効果が十分ではな
い。
は、焼結体中のα−窒化ケイ素とβ´−サイアロンの結
晶相の析出比がＸ線回析によるピーク強度比で、０％＜
α−窒化ケイ素≦３０％、７０％≦β´−窒化ケイ素＜
１００％であることが好ましい。このα−窒化ケイ素の
析出比が３０％を越えて高α−Ｓｉ3Ｎ4側へずれるとβ
´−サイアロン柱状晶組織の効果が減少し、結晶相の複
合化の効果が十分現れず強度向上の効果が十分ではな
い。
【０００９】また、この組成範囲で焼結体中のβ´−サ
イアロン（一般式 Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）のＺ値を０
＜Ｚ＜１．０の範囲にして粒界相を制御すると高強度が
安定する。
イアロン（一般式 Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）のＺ値を０
＜Ｚ＜１．０の範囲にして粒界相を制御すると高強度が
安定する。
【００１０】
【実施例】平均粒径０．４μｍ、α結晶化率９６％、酸
素量１．４重量％の窒化ケイ素原料粉末および、平均粒
径０．８μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．５μｍの
Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＭｇＯの各粉末をエタノー
ル中、１００時間、ナイロン製ボールミルにて湿式混合
したのち、乾燥して得られた混合粉末を３０００ｋｇ／
ｃｍ2でＣＩＰ成形し、この成形体をＮ2ガス１気圧中で
〜１６５０℃で５〜１０時間１次焼結した。得られた焼
結体を〜１６５０℃、１００気圧Ｎ2ガス雰囲気中で１
時間、２次焼結した。この焼結体よりＪＩＳＲ１６０１
に準拠した３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ相当の抗折試験片
を切り出し、＃８００ダイアモンド砥石により研削加工
仕上げした後、引張面については＃３０００のダイアモ
ンドペーストによりラッピング仕上げ加工した後、ＪＩ
ＳＲ１６０１に準拠して３点曲げ強度を１５本ずつ実施
した。表１中には平均結晶粒径、結晶相の比率、及び曲
げ強度を示した。
素量１．４重量％の窒化ケイ素原料粉末および、平均粒
径０．８μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．５μｍの
Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＭｇＯの各粉末をエタノー
ル中、１００時間、ナイロン製ボールミルにて湿式混合
したのち、乾燥して得られた混合粉末を３０００ｋｇ／
ｃｍ2でＣＩＰ成形し、この成形体をＮ2ガス１気圧中で
〜１６５０℃で５〜１０時間１次焼結した。得られた焼
結体を〜１６５０℃、１００気圧Ｎ2ガス雰囲気中で１
時間、２次焼結した。この焼結体よりＪＩＳＲ１６０１
に準拠した３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ相当の抗折試験片
を切り出し、＃８００ダイアモンド砥石により研削加工
仕上げした後、引張面については＃３０００のダイアモ
ンドペーストによりラッピング仕上げ加工した後、ＪＩ
ＳＲ１６０１に準拠して３点曲げ強度を１５本ずつ実施
した。表１中には平均結晶粒径、結晶相の比率、及び曲
げ強度を示した。
【００１１】尚、結晶相の比率に関しては図１、図２に
示すＸ線回折法により求めた各結晶相のピーク高さ比よ
り算出した。
示すＸ線回折法により求めた各結晶相のピーク高さ比よ
り算出した。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、特に常温において優れ
た機械的強度を有し、しかも、生産性とコスト面におい
て優れた窒化ケイ素系焼結体を得ることができる。
た機械的強度を有し、しかも、生産性とコスト面におい
て優れた窒化ケイ素系焼結体を得ることができる。
【図１】実施例７における焼結体のＸ線回折図である。
【図２】比較例Ｎo.１６における焼結体のＸ線回折図で
ある。
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 晃 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 α−窒化ケイ素とβ´−サイアロンから
なる窒化ケイ素焼結体であって、α−窒化ケイ素の平均
結晶粒径が０．５μｍ以下、β´−サイアロンの長軸、
短軸方向の平均結晶粒径がそれぞれ２．５μｍ以下、
０．５μｍ以下であることを特徴とする窒化ケイ素系焼
結体。 - 【請求項２】 焼結体中のα−窒化ケイ素とβ´−サイ
アロンの結晶相はＸ線回折によるピーク強度比が０％＜
α−窒化ケイ素≦３０％、７０％≦β´−サイアロン＜
１００％である請求項１記載の窒化ケイ素系焼結体。 - 【請求項３】 焼結体中のβ´−サイアロン（一般式
Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）は０＜Ｚ＜１．０の範囲にある
請求項１記載の窒化ケイ素系焼結体。 - 【請求項４】 焼結体中のα−窒化ケイ素はＸ線回折に
よる格子定数測定でＣ軸値が５．６２３であることを特
徴とする請求項１記載の窒化ケイ素焼結体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221603A JP2539968B2 (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 窒化ケイ素系焼結体 |
| US07/825,989 US5204297A (en) | 1991-05-22 | 1992-01-27 | Silicon nitride sintered body and process for producing the same |
| CA002060241A CA2060241C (en) | 1991-05-22 | 1992-01-29 | Silicon nitride sintered body and process for producing the same |
| EP92101525A EP0514622B1 (en) | 1991-05-22 | 1992-01-30 | Silicon nitride sintered body and process for producing the same |
| DE69201910T DE69201910T2 (de) | 1991-05-22 | 1992-01-30 | Siliciumnitrid-Sinterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| US07/957,506 US5275772A (en) | 1991-05-22 | 1992-10-05 | Silicon nitride sintered body and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221603A JP2539968B2 (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0558737A true JPH0558737A (ja) | 1993-03-09 |
| JP2539968B2 JP2539968B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=16769350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3221603A Expired - Lifetime JP2539968B2 (ja) | 1991-05-22 | 1991-09-02 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2539968B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI579255B (zh) * | 2010-10-25 | 2017-04-21 | Ngk Insulators Ltd | A ceramic material, a laminated body, a member for a semiconductor manufacturing apparatus, and a sputtering ring target member |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0222173A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-25 | Nippon Tungsten Co Ltd | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
| JPH0255263A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
| JPH03141163A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP3221603A patent/JP2539968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| JPH0222173A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-25 | Nippon Tungsten Co Ltd | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
| JPH0255263A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| TWI579255B (zh) * | 2010-10-25 | 2017-04-21 | Ngk Insulators Ltd | A ceramic material, a laminated body, a member for a semiconductor manufacturing apparatus, and a sputtering ring target member |
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| JP2539968B2 (ja) | 1996-10-02 |
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