JPH05105522A - 窒化ケイ素系焼結体 - Google Patents
窒化ケイ素系焼結体Info
- Publication number
- JPH05105522A JPH05105522A JP3272636A JP27263691A JPH05105522A JP H05105522 A JPH05105522 A JP H05105522A JP 3272636 A JP3272636 A JP 3272636A JP 27263691 A JP27263691 A JP 27263691A JP H05105522 A JPH05105522 A JP H05105522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- sintered body
- sintered compact
- crystal grains
- sialon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特に常温において優れた機械的強度を有し、
生産性、コスト面において有利な窒化ケイ素焼結体を提
供することを目的とする。 【構成】 Ｘ線回折により実質的に固定される窒化ケイ
素系結晶相として、β−窒化ケイ素（β’−サイアロン
を含む）からなる窒化ケイ素焼結体であって、焼結体中
の任意の２次元断面に観察される平均長軸粒径が２．０
〜５．０μｍの柱状型の窒化ケイ素結晶粒の占める割合
が面積率で５％以上３０％以下であり、残部が平均粒径
１．０μｍ以下の六角状もしくは粒状の窒化ケイ素結晶
粒および粒界相よりなることを特徴とする。
生産性、コスト面において有利な窒化ケイ素焼結体を提
供することを目的とする。 【構成】 Ｘ線回折により実質的に固定される窒化ケイ
素系結晶相として、β−窒化ケイ素（β’−サイアロン
を含む）からなる窒化ケイ素焼結体であって、焼結体中
の任意の２次元断面に観察される平均長軸粒径が２．０
〜５．０μｍの柱状型の窒化ケイ素結晶粒の占める割合
が面積率で５％以上３０％以下であり、残部が平均粒径
１．０μｍ以下の六角状もしくは粒状の窒化ケイ素結晶
粒および粒界相よりなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はとくに常温において優れ
た機械的強度を有し、生産性、コスト面において有利な
窒化ケイ素系焼結体に関する。
た機械的強度を有し、生産性、コスト面において有利な
窒化ケイ素系焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、窒化ケイ素系材料の強度向上を目
的として、焼結方法、焼結助剤、含有結晶相の限定など
様々な研究開発が行われてきた。焼結助剤に関しては、
主たる助剤としてＹ2Ｏ3を用いたＳｉ3Ｎ4−Ａｌ2Ｏ3−
Ｙ2Ｏ3系の窒化ケイ素系焼結体が特公昭４９−２１０９
１号、特公昭４８−３８４４８号に開示されている。こ
れらはその特許明細書中に示されているように、β型窒
化ケイ素の結晶粒が焼結体中で繊維状組織を形成し、こ
れがマトリックス中に分散することから強度、靭性を向
上しうるものと考えられている。すなわちこれは、β型
窒化ケイ素の結晶形が六方晶でありＣ軸方向に結晶が異
方性成長をすることを積極的に利用したものであり、と
くに特公昭４８−３８４４８号や窯業協会誌、９４巻、
ｐｐ９６、１９８６に示されているように、繊維状のβ
−窒化ケイ素結晶粒がＣ軸方向に１０数μｍ以上に成長
している場合がある。しかしながら、本技術において
は、やはりこの粒成長が異常成長や気孔の発生をまね
き、強度劣化をまねく可能性がある。一方、結晶粒径に
注目し強度の向上を目的とした開示は、特開昭６３−１
５６０７０や特開昭６３−１５９２５９があるがいずれ
もその結晶粒径の限定幅が広く、実質的な強度の向上に
効果のある作用が明確でないと考えられる。以上で述べ
てきた手法では、いずれも得られる焼結体の強度が、例
えばＪＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した３点曲げ強度で１０
０ｋｇ／ｍｍ2前後が中心であり、様々な窒化ケイ素系
材料の応用を考えた場合、必ずしも十分な特性が得られ
ていない。
的として、焼結方法、焼結助剤、含有結晶相の限定など
様々な研究開発が行われてきた。焼結助剤に関しては、
主たる助剤としてＹ2Ｏ3を用いたＳｉ3Ｎ4−Ａｌ2Ｏ3−
Ｙ2Ｏ3系の窒化ケイ素系焼結体が特公昭４９−２１０９
１号、特公昭４８−３８４４８号に開示されている。こ
れらはその特許明細書中に示されているように、β型窒
化ケイ素の結晶粒が焼結体中で繊維状組織を形成し、こ
れがマトリックス中に分散することから強度、靭性を向
上しうるものと考えられている。すなわちこれは、β型
窒化ケイ素の結晶形が六方晶でありＣ軸方向に結晶が異
方性成長をすることを積極的に利用したものであり、と
くに特公昭４８−３８４４８号や窯業協会誌、９４巻、
ｐｐ９６、１９８６に示されているように、繊維状のβ
−窒化ケイ素結晶粒がＣ軸方向に１０数μｍ以上に成長
している場合がある。しかしながら、本技術において
は、やはりこの粒成長が異常成長や気孔の発生をまね
き、強度劣化をまねく可能性がある。一方、結晶粒径に
注目し強度の向上を目的とした開示は、特開昭６３−１
５６０７０や特開昭６３−１５９２５９があるがいずれ
もその結晶粒径の限定幅が広く、実質的な強度の向上に
効果のある作用が明確でないと考えられる。以上で述べ
てきた手法では、いずれも得られる焼結体の強度が、例
えばＪＩＳ−Ｒ１６０１に準拠した３点曲げ強度で１０
０ｋｇ／ｍｍ2前後が中心であり、様々な窒化ケイ素系
材料の応用を考えた場合、必ずしも十分な特性が得られ
ていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術におけ
る焼結体の問題点である機械的特性を満足させることが
本発明の課題である。
る焼結体の問題点である機械的特性を満足させることが
本発明の課題である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線回折によ
り実質的に固定される窒化ケイ素系結晶相として、β−
窒化ケイ素（β’−サイアロンを含む）からなる窒化ケ
イ素焼結体であって、焼結体中の任意の２次元断面に観
察される平均長軸粒径が２．０〜５．０μｍの柱状型の
窒化ケイ素結晶粒の占める割合が面積率で５％以上３０
％以下であり、残部が平均粒径１．０μｍ以下の六角状
もしくは粒状の窒化ケイ素結晶粒および粒界相よりなる
窒化ケイ素結晶粒および粒界相よりなることを特徴とす
る窒化ケイ素系焼結体である。このものはＪＩＳＲ１６
０１に準拠した３点曲げ強度が容易に１３０ｋｇ／ｍｍ
2以上の焼結体が得ることが可能となった。本発明の焼
結体が優れた強度特性を得る効果は、微粒で柱状化した
β−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含む）結晶粒と微
粒で等軸に近いβ−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含
む）結晶粒を複合させることにより従来の顕著に柱状化
したβ−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含む）結晶相
のみで構成された焼結体に比較し、ヤング率、硬度が向
上する。これは材料の変形抵抗を示す物性値であり、セ
ラミック材料のような脆性材料では、この値を向上させ
ることが広義では材料の強度向上につながるためであ
る。さらに脆性材料の破壊の基本概念であるＧｒｉｆｆ
ｉｔｈの理論に従えば、焼結体の破壊強度σｆは次式で
与えられる。
り実質的に固定される窒化ケイ素系結晶相として、β−
窒化ケイ素（β’−サイアロンを含む）からなる窒化ケ
イ素焼結体であって、焼結体中の任意の２次元断面に観
察される平均長軸粒径が２．０〜５．０μｍの柱状型の
窒化ケイ素結晶粒の占める割合が面積率で５％以上３０
％以下であり、残部が平均粒径１．０μｍ以下の六角状
もしくは粒状の窒化ケイ素結晶粒および粒界相よりなる
窒化ケイ素結晶粒および粒界相よりなることを特徴とす
る窒化ケイ素系焼結体である。このものはＪＩＳＲ１６
０１に準拠した３点曲げ強度が容易に１３０ｋｇ／ｍｍ
2以上の焼結体が得ることが可能となった。本発明の焼
結体が優れた強度特性を得る効果は、微粒で柱状化した
β−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含む）結晶粒と微
粒で等軸に近いβ−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含
む）結晶粒を複合させることにより従来の顕著に柱状化
したβ−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含む）結晶相
のみで構成された焼結体に比較し、ヤング率、硬度が向
上する。これは材料の変形抵抗を示す物性値であり、セ
ラミック材料のような脆性材料では、この値を向上させ
ることが広義では材料の強度向上につながるためであ
る。さらに脆性材料の破壊の基本概念であるＧｒｉｆｆ
ｉｔｈの理論に従えば、焼結体の破壊強度σｆは次式で
与えられる。
【０００５】σｆ＝Ｅ・γｓ／４ａ、Ｅ；ヤング率、γ
ｓ；破壊の表面エネルギー、ａ；先在亀裂長さ ここでγｓは粒界相の組成と厚みに依存すると考えられ
るため、とくに厚みの点で結晶粒の存在密度を向上させ
る結晶粒の微粒化と結晶相の複合化は有利である。また
本式に従えば、破壊強度を向上させるためにはＥの増大
とａの減少が重要である。ａの値は工程上不可避な欠陥
寸法を排除すれば、結晶粒径に依存するため、微細結晶
粒で充填性を向上させた本発明はＥ、γｓの点で強度向
上に有効である。
ｓ；破壊の表面エネルギー、ａ；先在亀裂長さ ここでγｓは粒界相の組成と厚みに依存すると考えられ
るため、とくに厚みの点で結晶粒の存在密度を向上させ
る結晶粒の微粒化と結晶相の複合化は有利である。また
本式に従えば、破壊強度を向上させるためにはＥの増大
とａの減少が重要である。ａの値は工程上不可避な欠陥
寸法を排除すれば、結晶粒径に依存するため、微細結晶
粒で充填性を向上させた本発明はＥ、γｓの点で強度向
上に有効である。
【０００６】こうした等軸状の窒化ケイ素と柱状化した
窒化珪素の両方の結晶相を複合させる考え方は、例えば
特開昭６１−９１０６５号や特開平２−４４０６６号に
開示されているが、いずれもα’−サイアロン（一般式
ＭX（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16 Ｍ：Ｍｇ、Ｃａ、
Ｌｉ及び希土類元素）とβ’−サイアロン（β型窒化ケ
イ素を含む）との結晶相の組合せであり、組成的にはＳ
ｉ3Ｎ4−ＡｌＮ−ＭＯ（Ｍ；ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣａＯ
等）の３成分系が主であり、その範囲もＡｌＮとＭＯの
添加比がモル％で１：９の限定された範囲で、α’−サ
イアロンとβ’−サイアロン（β−窒化ケイ素を含む）
の複合した結晶相を生成させることにより強度等の機械
的特性の向上を示したものであり、またその実施例でも
明らかなように各焼結体の強度特性が曲げ強度で１００
ｋｇ／ｍｍ2を安定して越える焼結体製法はいずれもホ
ットプレス法によるものであり、工業的に安定して高い
強度特性を得るまでに至っていない。また、これらの焼
結体はα’−サイアロンとβ’−サイアロン（β−窒化
ケイ素を含む）の間の熱膨張係数の差が大きく、これが
原因となり焼結体中に引張の残留応力を発生させ、強度
劣化を招く可能性がある。本発明はこうした条件の限定
がなく工業的に安定して高強度な焼結体を提供すること
ができる。
窒化珪素の両方の結晶相を複合させる考え方は、例えば
特開昭６１−９１０６５号や特開平２−４４０６６号に
開示されているが、いずれもα’−サイアロン（一般式
ＭX（Ｓｉ，Ａｌ）12（Ｏ，Ｎ）16 Ｍ：Ｍｇ、Ｃａ、
Ｌｉ及び希土類元素）とβ’−サイアロン（β型窒化ケ
イ素を含む）との結晶相の組合せであり、組成的にはＳ
ｉ3Ｎ4−ＡｌＮ−ＭＯ（Ｍ；ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣａＯ
等）の３成分系が主であり、その範囲もＡｌＮとＭＯの
添加比がモル％で１：９の限定された範囲で、α’−サ
イアロンとβ’−サイアロン（β−窒化ケイ素を含む）
の複合した結晶相を生成させることにより強度等の機械
的特性の向上を示したものであり、またその実施例でも
明らかなように各焼結体の強度特性が曲げ強度で１００
ｋｇ／ｍｍ2を安定して越える焼結体製法はいずれもホ
ットプレス法によるものであり、工業的に安定して高い
強度特性を得るまでに至っていない。また、これらの焼
結体はα’−サイアロンとβ’−サイアロン（β−窒化
ケイ素を含む）の間の熱膨張係数の差が大きく、これが
原因となり焼結体中に引張の残留応力を発生させ、強度
劣化を招く可能性がある。本発明はこうした条件の限定
がなく工業的に安定して高強度な焼結体を提供すること
ができる。
【０００７】本発明の焼結体を得るためには、焼結助剤
は窒化珪素表面に依存するＳｉＯ2とできるだけ低温で
液相を生成する助剤、例えばＭｇＯ、ＣｅＯ2、Ｃａ
Ｏ、Ｌａ2Ｏ3を用い焼結温度を１６５０℃以下で焼結す
ることが望ましい。この低温焼結のため異常粒成長に伴
う焼結体の特性劣化を阻止できる。さらには、窒化ケイ
素は大気圧のＮ2雰囲気下では１７００℃以上の温度域
で昇華分解するため、加圧Ｎ2雰囲気下で焼結する必要
があり、設備面でバッチ式焼結炉を用いていた。しか
し、この様な低温での焼結が可能となると焼結方法はプ
ッシャー式あるいはベルト式等の開放型連続焼結炉によ
り、同時に生産性の優れた焼結が可能となる。この詳細
な説明を加えると、一般に強度特性に優れた窒化ケイ素
系材料の焼結法としては、いわゆるバッチ式焼結炉によ
るガス圧焼結が主であるが、この方式では炉内の温度分
布のばらつきやロット間の条件ばらつき等が必ず生じる
ために、量産部品等の用途のセラミック材料を安定して
供給する製法としては十分とは言えない。この点からも
本発明はその生産性を同時に向上させた点で工業的に重
要である。
は窒化珪素表面に依存するＳｉＯ2とできるだけ低温で
液相を生成する助剤、例えばＭｇＯ、ＣｅＯ2、Ｃａ
Ｏ、Ｌａ2Ｏ3を用い焼結温度を１６５０℃以下で焼結す
ることが望ましい。この低温焼結のため異常粒成長に伴
う焼結体の特性劣化を阻止できる。さらには、窒化ケイ
素は大気圧のＮ2雰囲気下では１７００℃以上の温度域
で昇華分解するため、加圧Ｎ2雰囲気下で焼結する必要
があり、設備面でバッチ式焼結炉を用いていた。しか
し、この様な低温での焼結が可能となると焼結方法はプ
ッシャー式あるいはベルト式等の開放型連続焼結炉によ
り、同時に生産性の優れた焼結が可能となる。この詳細
な説明を加えると、一般に強度特性に優れた窒化ケイ素
系材料の焼結法としては、いわゆるバッチ式焼結炉によ
るガス圧焼結が主であるが、この方式では炉内の温度分
布のばらつきやロット間の条件ばらつき等が必ず生じる
ために、量産部品等の用途のセラミック材料を安定して
供給する製法としては十分とは言えない。この点からも
本発明はその生産性を同時に向上させた点で工業的に重
要である。
【０００８】さらに本発明の効果を顕著にするために
は、焼結体中の任意の２次元断面に観察される平均長軸
粒径が２．０〜５．０μｍの柱状型の窒化ケイ素結晶粒
の占める割合が面積率で５％以上３０％以下であり、残
部が平均粒径１．０μｍ以下の六角状もしくは粒状の窒
化ケイ素結晶粒および粒界相から構成されることが重要
である。柱状型の窒化ケイ素結晶粒の平均粒径が２．０
μｍ未満であると、該結晶粒が分散することによる焼結
体強度向上の効果が十分ではなく、また５．０μｍを越
えると該結晶粒が粗大粒として作用するとともに、結晶
粒の充填密度の低下をまねき、やはり焼結体強度の劣化
につながる。一方、等軸状（六角状もしくは粒状）の窒
化ケイ素結晶粒の平均粒径が１．０μｍを越えると結晶
粒の充填密度の低下をまねき焼結体の強度劣化につなが
る。さらにこの柱状型と等軸型の結晶粒の複合割合は種
々の割合について焼結体強度の評価を実施した結果、柱
状型の窒化ケイ素結晶粒の占める割合が面積率で５％以
上３０％以下が好ましいとの知見を得たものである。更
に、柱状型の窒化ケイ素結晶粒の短軸方向の平均結晶粒
径は該結晶粒の分散効果を十分向上させるためには０．
５μｍ以下がのぞましい。また、β’−サイアロン（一
般式Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）のＺ値を０＜Ｚ＜１．０の
範囲にして結晶相を制御すると高強度が安定する。すな
わちＺ値が１．０を越えると十分発達した柱状型の窒化
ケイ素結晶相が析出しないためである。
は、焼結体中の任意の２次元断面に観察される平均長軸
粒径が２．０〜５．０μｍの柱状型の窒化ケイ素結晶粒
の占める割合が面積率で５％以上３０％以下であり、残
部が平均粒径１．０μｍ以下の六角状もしくは粒状の窒
化ケイ素結晶粒および粒界相から構成されることが重要
である。柱状型の窒化ケイ素結晶粒の平均粒径が２．０
μｍ未満であると、該結晶粒が分散することによる焼結
体強度向上の効果が十分ではなく、また５．０μｍを越
えると該結晶粒が粗大粒として作用するとともに、結晶
粒の充填密度の低下をまねき、やはり焼結体強度の劣化
につながる。一方、等軸状（六角状もしくは粒状）の窒
化ケイ素結晶粒の平均粒径が１．０μｍを越えると結晶
粒の充填密度の低下をまねき焼結体の強度劣化につなが
る。さらにこの柱状型と等軸型の結晶粒の複合割合は種
々の割合について焼結体強度の評価を実施した結果、柱
状型の窒化ケイ素結晶粒の占める割合が面積率で５％以
上３０％以下が好ましいとの知見を得たものである。更
に、柱状型の窒化ケイ素結晶粒の短軸方向の平均結晶粒
径は該結晶粒の分散効果を十分向上させるためには０．
５μｍ以下がのぞましい。また、β’−サイアロン（一
般式Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）のＺ値を０＜Ｚ＜１．０の
範囲にして結晶相を制御すると高強度が安定する。すな
わちＺ値が１．０を越えると十分発達した柱状型の窒化
ケイ素結晶相が析出しないためである。
【０００９】
【実施例】平均粒径０．４μｍ、α結晶化率９６％、酸
素量１．４重量％の窒化ケイ素原料粉末および、平均粒
径０．８μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．３μｍの
Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＭｇＯの各粉末をエタノー
ル中、１００時間、ナイロン製ボールミルにて湿式混合
したのち、乾燥して得られた混合粉末を３０００ｋｇ／
ｃｍ2でＣＩＰ成形し、この成形体をＮ2ガス１気圧中で
〜１７５０℃で５〜１０時間１次焼結した。得られた焼
結体を〜１７００℃、１０００気圧Ｎ2ガス雰囲気中で
１時間、２次焼結した。この焼結体よりＪＩＳＲ１６０
１に準拠した３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ相当の抗折試験
片を切り出し、＃８００ダイヤモンド砥石により切削加
工仕上げした後、引張面については＃３０００のダイヤ
モンドペーストによりラッピング仕上げ加工した後、Ｊ
ＩＳＲ１６０１に準拠して３点曲げ強度を１５本ずつ実
施した。表１中には平均結晶粒径、及び曲げ強度を示し
た。さらにβ−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含む）
結晶相のＺ値について、Ｘ線回折法により求めた結果も
同表中に示す。
素量１．４重量％の窒化ケイ素原料粉末および、平均粒
径０．８μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、０．３μｍの
Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＭｇＯの各粉末をエタノー
ル中、１００時間、ナイロン製ボールミルにて湿式混合
したのち、乾燥して得られた混合粉末を３０００ｋｇ／
ｃｍ2でＣＩＰ成形し、この成形体をＮ2ガス１気圧中で
〜１７５０℃で５〜１０時間１次焼結した。得られた焼
結体を〜１７００℃、１０００気圧Ｎ2ガス雰囲気中で
１時間、２次焼結した。この焼結体よりＪＩＳＲ１６０
１に準拠した３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ相当の抗折試験
片を切り出し、＃８００ダイヤモンド砥石により切削加
工仕上げした後、引張面については＃３０００のダイヤ
モンドペーストによりラッピング仕上げ加工した後、Ｊ
ＩＳＲ１６０１に準拠して３点曲げ強度を１５本ずつ実
施した。表１中には平均結晶粒径、及び曲げ強度を示し
た。さらにβ−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含む）
結晶相のＺ値について、Ｘ線回折法により求めた結果も
同表中に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【発明の効果】本発明の窒化ケイ素焼結体は、特に常温
において優れた機械的強度を有し、生産性、コスト面に
おいて有利なものである。
において優れた機械的強度を有し、生産性、コスト面に
おいて有利なものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 晃 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｘ線回折により実質的に固定される窒化
ケイ素系結晶相として、β−窒化ケイ素（β’−サイア
ロンを含む）からなる窒化ケイ素焼結体であって、焼結
体中の任意の２次元断面に観察される平均長軸粒径が、
２．０〜５．０μｍの柱状型の窒化ケイ素結晶粒の占め
る割合が面積率で５％以上３０％以下であり、残部が平
均粒径１．０ｍ以下の六角状もしくは粒状の窒化ケイ素
結晶粒および粒界相よりなることを特徴とする窒化ケイ
素系焼結体。 - 【請求項２】 β−窒化ケイ素（β’−サイアロンを含
む）の短軸方向の平均結晶粒径が０．５μｍ以下である
請求項１記載の窒化ケイ素系焼結体。 - 【請求項３】 焼結体中のβ’−サイアロン（一般式：
Ｓｉ6-ZＡｌZＯZＮ8-Z）は０＜Ｚ＜１．０の範囲にある
請求項１記載の窒化ケイ素系焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272636A JPH05105522A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272636A JPH05105522A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05105522A true JPH05105522A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17516688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3272636A Pending JPH05105522A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 窒化ケイ素系焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05105522A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10150621B2 (en) * | 2015-07-29 | 2018-12-11 | Schenck Process S.R.O. | Device for protecting the conveyor belt of a tube conveyor against volumetric overloading |
| JP2019114782A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 京セラ株式会社 | セラミック板、半導体装置および半導体モジュール |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP3272636A patent/JPH05105522A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10150621B2 (en) * | 2015-07-29 | 2018-12-11 | Schenck Process S.R.O. | Device for protecting the conveyor belt of a tube conveyor against volumetric overloading |
| JP2019114782A (ja) * | 2017-12-21 | 2019-07-11 | 京セラ株式会社 | セラミック板、半導体装置および半導体モジュール |
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