JPH0245560A - 電子部品封止用組成物および樹脂封止電子部品 - Google Patents

電子部品封止用組成物および樹脂封止電子部品

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JPH0245560A
JPH0245560A JP19559088A JP19559088A JPH0245560A JP H0245560 A JPH0245560 A JP H0245560A JP 19559088 A JP19559088 A JP 19559088A JP 19559088 A JP19559088 A JP 19559088A JP H0245560 A JPH0245560 A JP H0245560A
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英夫 松岡
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はポリフェニレンスルフィド樹脂を必須成分とす
る電子部品封止用組成物およびポリフェニレンスルフィ
ド樹脂で被覆または封止された樹脂封止電子部品に関し
、さらに詳しくは、有機溶媒洗浄を必須とする処理によ
り、水溶性の電解質含有量の低減されたポリフェニレン
スルフィド樹脂を必須成分とする電子部品封止用組成物
および有機溶媒洗浄を必須とする処理により、水溶性の
電解質成分含有量の低減されたポリフェニレンスルフィ
ド樹脂で被覆または封止された樹脂封止電子部品に関す
る。
〈従来の技術〉 電子部品封止用樹脂として、従来の熱硬化性樹脂に代わ
り材料収率、成形速度に特徴を有する熱可塑性面性が注
目され、特にポリフェニレンスルフィド樹脂により電子
部品を封止することは、特開閉52−14938号公報
などでよく知られている。さらに、ポリフェニレンスル
フィド樹脂中に含有される水溶性電解質成分に起因する
電子部品の電極や、配線の腐蝕による漏れ電流の増大な
どの故障を低減させる目的では、水溶性の電解質成分含
有量が1100pp以下のポリフェニレンスルフィドを
用いて封止された電子部品が特開昭55−156342
号公報に開示されている。
また、ポリフェニレンスルフィド樹脂中のオリゴマを除
去する目的で、−膜成形用高粘度PPSを有機溶媒洗浄
することも知られている。(例えば特開昭62−148
567号公報、特開昭62151462号公報)。
〈発明が解決しようとする課題〉 前記特開昭55−156342号公報で開示されている
樹脂封止電子部品においては、用いられるポリフェニレ
ンスルフィド樹脂中の水溶性電解質成分含有量を低減さ
せる方法として、120℃以下の熱水で洗浄することが
提案されているが、この方法においては、水溶性電解質
成分の低減に多大の時間を要するという欠点がある。
そこで、本発明は、ポリフェニレンスルフィド中の水溶
性の電解質成分含有量を短時間で効率的に低減させるこ
とを課題とする。
く課題を解決するための手段〉 本発明者らは」−記課題を解決すべく鋭意検討を行なっ
た結果、封止用に適した低粘度ポリフェニレンスルフィ
ドに、従来高粘度ポリフェニレンスルフィドの脱オリゴ
マ化に公知であった、有機溶媒による洗浄を施すことよ
り、特異的に水溶性の電解質成分含有量、特に該用途で
問題となる、ナトリウム・イオン、塩素イオン含有量が
極めて短時間で低減されることおよび酸処理と組合わせ
るとさらに効果が大きいことを見出し本発明に到達した
すなわち、本発明は、(1)300℃、剪断速度500
秒−1における溶融粘度が290ポイズ以下であり、有
機溶媒により洗浄されたポリフェニレンスルフィド樹脂
を必須成分とする電子部品封止用組成物、(2)有機溶
媒による洗浄および酸処理を施されたポリフェニレンス
ルフィドVA脂を必須成分とする電子部品封止用組成物
、(3)上記(2)において、ポリフェニレンスルフィ
ド樹脂が溶融粘度290ポイズ以下(300℃、剪断速
度500秒−1)のポリフェニレンスルフィド樹脂であ
る電子部品封止用組成物、(4)300℃、剪断速度5
00秒−1における溶融粘度が290ポイズ以下であり
、有機溶媒により洗浄されたポリフェニレンスルフィド
樹脂で被覆または封止された樹脂封止電子部品および(
5)有機溶媒による洗浄および酸処理を施されたポリフ
ェニレンスルフィド樹脂で被覆または封止された樹脂封
止電子部品である。
本発明で使用するポリフェニレンスルフィドわれるため
カナましくない。
PPSは一般に、特公昭45−3368号公報で代表さ
れる製造法により得られる比較的分子量の小さい重合体
と、特公昭52−12240号公報で代表される製造法
により得られる本質的に線状で比較的高分子量の重合体
等があり、前記特公昭45−3368号公報記載の方法
で得られた重合体においては、重合後、酸素雰囲気下に
おいて加熱することにより、あるいは過酸化物等の架橋
剤を添加して加熱することにより高重合度化して用いる
ことも可能であり、本発明においてはいかなる方法によ
り得られなPPSを用いることも可能である。
また、PPSはその繰返し単位の30モル%未満を下記
の構造式を有する繰返し単位等で構成することが可能で
ある。
で示される繰返し単位を70モル%以上、より好ましく
は90モル%以上を含む重合体であり、上記繰返し単位
が70モル%未満では耐熱性が損な本発明で用いられる
PPSの溶融粘度は、電子素子を破損することなく成形
するために低粘度である必要がある0通常、290ポイ
ズ以下(300℃、剪断速度500秒−′)のPPSが
用いられる。特にトランジスタ、ICなどボンデングワ
イヤを有する素子を封止する場合は素子の破損を回避す
るために溶融粘度の低いものが好ましく用いられる。
また、本発明で用いるPPSには、本発明の効果を損な
わない範囲で、酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、結晶核剤
、紫外線防止剤、銅害防止剤、着色剤、離型剤等の通常
の添加剤を添加することができ、更に、PPSの架橋度
を制御する目的で、過酸化剤等の架橋促進剤、または特
開昭58−204045号公報、特開昭58−2040
46号公報などに記載されているジアルキル錫ジカルボ
キシレート、アミノトリアゾールなどの架橋促進剤を配
合することら可能である。
本発明において、PPSを有機溶媒による洗浄あるいは
有機溶媒による洗浄および酸処理をすることが必須であ
り、両者を組合わせる場合、有機溶媒による洗浄と酸処
理の順序は特に制限はない。
本発明でPPSの洗浄に用いる有機溶媒は、PPSを分
解する作用を有しないものでなければ特に制限はなく、
例えばN−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセlルアミド、1゜3−ジメチルイミダゾリ
ジノン、ヘキサメチルホスホラスアミド、ピペラジノン
類などの含窒素極性溶媒、ジメチルスルホキシド、ジメ
チルスルホン、スルホランなどのスルホキシド・スルホ
ン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケ
トン、アセトフェノンなどのケトン系溶媒、ジエチルエ
ーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロフランなどのエーテル系溶媒、クロロホルム、塩化メ
チレン、トリクロロエチレン、2塩化エチレン、パーク
ロルエチレン、モノクロルエタン、ジクロルエタン、テ
トラクロルエタン、パークロルエタン、クロルベンゼン
などのハロゲン系溶媒、メタノール、エタノール、プロ
パツール、ブタノール、ペンタノール、エチレンクリコ
ール、プロピレングリコール、フェノール、クレゾール
、ポリエチレングリコール、ポリプロピレンクリコール
などのアルコール・フェノール系溶媒、ベンゼン、トル
エン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒などが挙げ
られる。これらの有機溶媒のうちでも、N−メチルピロ
リドン、アセトン、ジメチルホルムアミド、クロロホル
ムなどの使用が特に好ましい。また、これらの有機溶媒
は、1種または2種以上の混合で使用される。
有機溶媒による洗浄の方法としては、有機溶媒中にPP
Sを浸漬ぜしめる等の方法があり、必要により適宜撹拌
または加熱することも可能である。
また、有tR溶媒による洗浄の時期についてはPpsの
重合後なら特に制限はなく、重合後、後処理/乾燥を終
えたPPSを有機溶媒洗浄に供することも可能であるし
、重合後の重合溶媒で湿潤状態のPPSをそのまま有機
溶媒洗浄することも可能であり、さらにはPPS重合終
了後の反応混合物を洗浄用有a溶媒中に投入あるいは反
応混合物中に洗浄用有fi溶媒を添加して洗浄すること
も可能である。
有機溶媒でPPSを洗浄する際の洗浄温度については特
に制限はなく、常温〜300°C程度の任意の温度が泗
択できる。洗浄温度が高くなる程洗浄効率が高くなる傾
向があるが、通常は常温〜150°Cの洗浄温度で十分
効果が得られる。
圧力容器中で、有機溶媒の沸点以上の温度で加圧下に洗
浄することも可能である。また、洗浄時間についても特
に制限はない、洗浄条件にもよるが、バッチ式洗浄の場
合、通常5分間以上洗浄することにより、十分な効果が
得られる。また連続式で洗浄することも可能である。
重合により生成したPPSを有i溶媒で洗浄するのみで
十分であるが一本発明の効果をさらに発揮させるために
、水洗浄または温水洗浄と組合わせるのが好ましい、ま
た、N−メチルピロリドンなどの高沸点水溶性有機溶媒
を用いた場合は、有機溶媒洗浄後、水または温水で洗浄
することにより、残存有機溶媒の除去が容易に行なえて
好ましい。これらの洗浄に用いる水は蒸溜水、脱イオン
水であることが好ましい。
本発明でPPSの酸処理に用いる酸は、PPsを分解す
る作用を有しないものであれば特に制限はなく、塩酸、
硫酸、酢酸、リン酸、珪酸、炭酸、プロピル酸などがあ
げられ、中でも塩酸、酢酸がより好ましく用いられ得る
が、硝酸のようなPPSを分解、劣化させるものは好ま
しくない。酸処理の方法は、酸または酸の水溶液にPP
sを浸漬せしめるなどの方法があり、必要により適宜撹
拌または加熱することも可能であり、塩酸を用いる場合
、pH2の水溶液中に約30分間浸漬せしめることによ
り十分な効果が得られる。さらに酸処理後、残留してい
る酸、塩などを物理的に除去するため水または温水で数
回洗浄することが好よじい。
PPSを有機溶媒洗浄または有機溶媒洗浄および酸処理
することにより本発明の効果は十分に発揮されるが、さ
らに熱水洗浄と組み合わせるとよりよい効果が得られて
好ましい。
熱水洗浄は熱水の温度が高いほど、PPS中に酸、塩な
どの形で存在する水溶性電解質成分の物理的除去の効率
が優れ、さらに加水分解可能な電解質成分を有するポリ
マ末端などの化学的変性の効率も優れ好ましい。熱水の
温度は好ましくは】00°C以上、より好ましくは15
0°C以上、さらに好ましくは170°C以上が選択さ
れる。
洗浄に使用する水は蒸溜水あるいは、脱イオン水などの
水溶性の電解質成分含有量の少ないものが好ましく、水
の電気伝導度が1μs / an以下、より好ましくは
0.5μs / am以下のものが用いられる。
洗浄操作は、通常所定量の水に所定量のPPSを投入し
、圧力容器中で加熱、撹拌することにより行われる。p
psと水との割合は、水の多いほうが好ましいが通常水
1.9に対し、PP3200g以下の浴比が選択される
。また洗浄の雰囲気は不活性雰囲気とする必要はなく、
PPS末端の好ましい化学変性のためには酸素雰囲気下
で洗浄を行なうことが望ましい。
さらに洗浄操作を終えたPPSは、残留している塩など
を物理的に除去するため温水で数回洗浄するのが好まし
い。
本発明で酸処理に供するPPSは粉粒体であることが好
ましく、特にi細な粉体であることが酸処理の効率上好
ましい0通常公知の方法で製造されるPPSは粉粒体の
形で得られるため、これらをペレタイズすることなく用
いて酸処理を行なうのが好ましく、特に水溶性の電解質
成分含有量を極めて小さな値とすることが要求される場
合は、分級あるいは粉砕して用いることも可能である。
さらに本発明においては有機溶媒による洗浄または有機
溶媒による洗浄および酸処理を施されたPPSを必須成
分として封止された電子部品の寸法安定性、機械特性あ
るいは熱伝導性・iなどの改善の目的で、溶融シリカ、
結晶製シリカ、珪酸カルシウム、VA酸カルシウム、マ
イカ、タルク、ガラス繊維、ガラスピーズなどの無機充
填剤を配合することが好ましく、これら充填剤中の水溶
性電解質成分含有型も小さいことが望ましい、これら充
填剤は2種以−Fを併用することも可能であり、必要に
よりシラン系およびチタン系のカップリンク剤で予01
1処理して使用することができる。また、これらカップ
リング剤で予OW処理して供することができる。また、
これらカップリング剤は封止樹脂と電子素子との密着性
を改善する目的で、PPSに直接配合することも可能で
ある。
本発明の組成物の調製手段は特に制限はないが、PPS
と無機充填剤とをPPSの融点以上の温度で、押出機内
で溶融混練後ペレタイズする方法が代表的である。
本発明の電子部品は、通常電子部品の概念で考えられる
ものであれば特に制限はないが、例えば、コンデンサー
、抵抗器、集積回路(IC)、トランジスター−ダイオ
ード、トライオード、サイリスター、コイル、バリスタ
ー、コネクター、変換器、マイクロスイッチなどおよび
これらの複合部品が挙げられる。
本発明におけるPPSによる被覆または封止方法にも特
に制限はなく、金型中に電子素子を固定しておき射出成
形あるいはトランスファー成形で成形する方法、あるい
は、あらかじめフィルム状に成形しであるPPSを用い
て、加熱、加圧下に封包する方法等が挙げられる。
さらに、本発明の樹脂封止電子部品は、成形後過酸化水
素水などの過酸化物で処理すること、あるいはPPSの
融点以下の温度で熱処理することにより、架橋度または
結晶化度を増大させ、機械特性などを改善することが可
能である。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
〈実施例〉 参考例1 (PPSの重合) オートクレーブに30%水硫化ナトリウム水溶諦4.6
7kz(水硫化す1〜リウム25モル)、30%水酸化
ナトリウム2.001qr(水酸化ナトリウム25モル
)およびN−メチル−2−ピルリドン(以下NMPと略
する)81qrを仕込み、撹拌しながら徐々に205°
Cまで昇温し、水3.si+2を含む留出水4.11を
除去した。残留混合物に1゜4−ジクロルベンゼン3.
75kg(25,5モル)およびN M P 2 kt
rを加え230℃で2時間、さらに260℃で1時間加
熱した。
反応生成物を、水で2回、70°Cの温水で5回洗浄し
、80°Cで24時間減圧乾燥して、以下の実施例に使
用した。
なお、得られた粉末状PPSの量は約2.5kirあり
、78融粘度は70ポイズ(300°C剪断速度500
秒−1であった。また、乾燥した粉末20gと100.
c cのイオン交換水を耐圧容器に封入して、160 
’Cで20時間保持した抽出液について測定したナトリ
ウムおよび塩素含有量はPPSの重量基準で、それぞれ
724ppm、755ppmであり、抽出液の電気伝導
度は523μs / anであった。
実施例1 参考例1で得られた粉末約2鯖を100°Cに加熱した
NMP20’J中に投入し、約30分間撹拌した後、濾
過し、続いて約90゛Cのイオン交換水で洗浄しな。
次に上記で得られた湿潤状態のPPSとイオン交換水と
をオート・クレープに仕込み、常圧で密閉した後、撹拌
しつつ180℃に昇温し、約2時間保温した後冷却した
。オートクレーブから内容物を収り出し濾過し、さらに
P液のpHが7となるまで室温のイオン交換水で洗浄し
な後120℃で24時間減圧乾燥して粉末状とした。
得られたPPSについて参考例1と全く同様の方法で抽
出操作を行ない、水溶性ナトリウム、塩素含有量および
抽出液の電気伝導度を測定したところ、第1表に記載の
通りであった。
引き続き、粉末状PPSとシランカツプリング剤〈トー
レ・シリコーン(株)製AY43−031)で処理(対
溶融シリカ1重1%)した落融シリカ(来夏セラミック
ス(株)’JGR−80)とを40対60の重量比でト
ライブレンドし、310℃に設定しである30Iulφ
の2軸スクリユ一押出機に供給し、溶融混練してペレッ
ト化した。
次に、このペレットを320℃に設定したスクリューイ
ンライン型射出成形機に供給し、160〜180°Cの
温度に設定しである金型に、第1図の電子部品の概略図
に示すアルミ回路を蒸着したシリコーンチ・ツブをイン
サートし、射出圧力50〜100 kg f / cm
で封止成形を行ない、16ピンDIP型ICを得た。
なお、第1図は電子部品の概略図であり、アイランド(
17)上にアルミ回路(19,20)を蒸着したシリコ
ーンチップ(18)と外部リード(1〜16)から構成
されており、外部リード36及び11−14間がボンデ
ィング・ワイヤ(3a、6a、lla、14a)により
、アルミ回路と接続され導通した状態となっている。
得られたPPS封止DIR型ICの外部リード3−11
間(1図)にDC20Vのバイアス電圧を印加し、12
1°C52気圧の加圧水蒸気中に100時間放置した後
、アルミ回路の腐蝕による断線数を測定し不良品率を調
べたところ第1表に記載の通りであった。
実施例2 実施例1で参考例1で得られたPPS粉末の有機溶媒洗
浄に100°CのNMPを使用した代わりに、常温のア
セトンを用いたことの他は、実施例1と全く同様の方法
でPPS封止DIR型ICを得た。評価結果は、第1表
に記載の通りであった。
実施例3 参考例1と全く同様に重合操作を行ない、反応混合物を
得た。この反応混合物から生成したPPSを単離し、7
0℃の温水で4回洗浄した後、100℃に加熱したN、
N−ジメチルホルムアミド(以tlk D M Fと略
する)320.11に投入し、約30分間撹拌し、濾過
する操作を2回繰返し、続いて24時間真空乾燥して粉
末状PPS約2 kgを得た。
このようにして得られたPPS粉末を実施例1のPPS
粉末の代わりに用いたことのほかは、実施例1と全く同
様の方法でPPS封止DIP型ICを得た。
評価結果は第1表に記載の通りであった。
実施例4 参考例1で得られた粉末的2 kgを100°Cに加熱
したNMP2OQ中に投入し、約30分間撹拌した後、
濾過し、続いて約90℃のイオン交換水で洗浄した。
次に上記で得られた湿潤状態のPPSを室温に保持しで
あるpl−12の塩酸に30分間浸漬せしめた後、濾過
し、さらにP液のP Hが7となるまで室温のイオン交
換水で洗浄した。この湿潤状態のPPSとイオン交換水
とをオート・クレープに仕込み、常圧で密閉した後、撹
拌しつつ180°Cに昇温し、約2時間保温した後冷却
した。オート・クレープから内容物を取り出しと過し、
さらにP液のpHが7となるまで室温のイオン交換水で
洗浄した後120°Cで24時間減圧乾燥して粉末状と
した。
このようにして得られたPPS粉末を実施例1のPPS
粉末の代わりに用いたことの他は、実施例1と全く同様
の方法でPPS封止DIR型ICを得た。評価結果は第
1表に記載の通りであった。
実施例5 実施例4で酸処理にpH2の塩酸を用いた代わりにpH
2の酢酸で処理したことのほかは、実施例4と全く同様
の方法でPPS封止DIR型ICを得た。
評価結果は第1表に記載の通りであった。
実施例6 実施例4で有機溶媒洗浄に、100″CのNMPを使用
した代わりに、常温のアセI・ンを用いたことの他は、
実施例4と全く同様の方法でPPS封止DIR型ICを
得た。評価結果は第1表に記載の通りであった。
実施例7 実施例4でNMP洗浄に続いて塩酸処理の順序で行なわ
ず、塩酸処理に続いてNMP洗浄の順序で行なったこと
の他は実施例4と全く同様の方法でPPS封止DIR型
ICを得た。評価結果は第1表に記載の通りであった。
実施例8 実施例4で有機溶媒洗浄に100°CのNMPを使用し
た代わりに参考例1と全く同様に重合操作を行ない、得
られた反応混合物をNMP2OQ中に投入し、約30分
間撹拌後、濾過して生成PPSを単離し、70°Cの温
水で5回洗浄したことのほかは、実施例4と全く同様の
方法でPPS封止DIR型ICを得た。評価結果は第1
表に記載の通りであった。
実施例9.10 実施例4と同様の方法で有機溶媒洗浄および酸処理を行
なったPPS粉末、溶融シリカおよびガラス繊維(日本
電気硝子(株)製TN−103)とを第1表に記載の割
合で実施例4と同様の方法で、溶融混練、封止成形を行
ない、PPS封止DIR型ICを得た。評価結果は第1
表に記載の通りであった。
比較例1 実施例1でppsに有機溶媒洗浄および酸処理を行なわ
ず、参考例1で得られたPPS粉末をそのまま用いたこ
との曲は、実施(IAlと全く同様の方法でPPS封止
DIR型ICを得た。評価結果は第1表に記載の通りで
あった。
比較例2 参考例1と全く同様に重合操作を行ない、反応混合物を
得た。この反応混合物から生成PPSを単離し、水で2
回、70℃の温水で5回洗浄した後、湿潤状態のPPS
とイオン交換水とをオート・クレープに仕込み、常圧で
密閉した後、撹拌しつつ180°Cに昇温し、約2時間
保温した後冷却した。オートクレーブから内容物を収り
出し濾過し、室温のイオン交換水で洗浄した後120°
Cで24時間減圧乾燥して粉末状としな。
このようにして得られたPPS粉末を実施例1のPPS
粉末の代わりに用いたことの他は、実施例1と全く同様
の方法でPPS封止DIR型ICを得た。評価結果は第
1表に記載の通りであった。
比較例3 参考例1と全く同様に1T[合操作を行ない一反応混合
物を得な、この反応混合物から生成PPSを単離し、水
で2回、70°Cの温水で5回洗浄した後、湿潤状態の
PPSを室温に保持しであるPH2の塩酸に30分間浸
漬せしめた後、濾過し、さらに、炉液のPHが7となる
まで120°Cで24時間減圧乾燥して粉末状とした。
このようにして得られたPPS粉末を実施例1のPPS
粉末の代わりに用いたことのほかは、実施例1と全く同
様の方法でPPS封止DIP型ICを得た。評価結果は
第1表に記載の通りであった。
比較例4 比較例2と同様の方法で得られたPPS粉末、溶融シリ
カおよびガラス繊維とを第1表に記載の割合で実施例1
と同様の方法で溶融混練、封止成形を行ない、PPS封
止DIR型ICを得た。評価結果は第1表に記載の通り
であった。
比較例5 比較例3と同様の方法で得られたPPS粉末、溶融シリ
カおよびガラス繊維とを、第1表に記載の割合で実施例
1と同様の方法で溶融混練、封止成形を行ない、PPS
封止DIR型ICを得た。
評価結果は第1表に記載の通りであった。
比較例6 実施例1で得られなPPS粉末を230℃で3時間空気
雰囲気中でキユアリングを行なった。得られたPPS粉
末の溶融粘度は350ポイズ(300″C1剪断速度5
00秒−′)であった、引き続き、実施例1と同様の方
法でPPS封止DIR型ICを得たが、インサート素子
の金線に断線が発生した。
〈発明の効果〉 本発明の電子部品封止用ポリフェニレンスルフィド組成
物およびPPS樹脂封止電子部品は、封止樹脂中の水溶
性の電解質成分含有量が極めて少なく、耐湿性に代表さ
れる信頼性が極めて優れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の各実施例で使用したアルミ回路を蒸着
させたシリコーンチップの概略図である。 図面の浄書(内容に変更なし) 第1図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)300℃、剪断速度500秒^−^1における溶
    融粘度が290ポイズ以下であり、有機溶媒により洗浄
    されたポリフェニレンスルフィド樹脂を必須成分とする
    電子部品封止用組成物。
  2. (2)有機溶媒による洗浄および酸処理を施されたポリ
    フェニレンスルフィド樹脂を必須成分とする電子部品封
    止用組成物。
  3. (3)ポリフェニレンスルフィド樹脂が溶融粘度290
    ポイズ以下(300℃、剪断速度500秒^−^1)の
    ポリフェニレンスルフィド樹脂である請求項(2)の電
    子部品封止用組成物。
  4. (4)300℃、剪断速度500秒^−^1における溶
    融粘度が290ポイズ以下であり、有機溶媒により洗浄
    されたポリフェニレンスルフィド樹脂で被覆または封止
    された樹脂封止電子部品。
  5. (5)有機溶媒による洗浄および酸処理を施されたポリ
    フェニレンスルフィド樹脂で被覆または封止された樹脂
    封止電子部品。
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