JPS61214452A - 樹脂封止電子部品 - Google Patents
樹脂封止電子部品Info
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- JPS61214452A JPS61214452A JP60054276A JP5427685A JPS61214452A JP S61214452 A JPS61214452 A JP S61214452A JP 60054276 A JP60054276 A JP 60054276A JP 5427685 A JP5427685 A JP 5427685A JP S61214452 A JPS61214452 A JP S61214452A
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- Japan
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- pps
- sealed
- acid
- water
- polyphenylene sulfide
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポリフェニレンスルファイド樹脂テ被覆または
封止された樹脂封止電子部品をこ関し、更に詳しくは、
水溶性の′ば解質成分含有量の低減されたポリフェニレ
ンスルフィド樹脂で被覆または封止された樹脂封止電子
部品ｔこ関する。′〔従来の技術〕 電子部品対土用樹脂として、従来の熱硬化性樹脂をこ代
り材料収率、成形速度に特徴を有する熱可塑性樹脂が注
目され、特にポリフェニレンスルフィド樹脂により電子
部品を封止することは、特開昭５２−１４９３１３号公
報等でよく知られている。更に、ポリフェニレンスルフ
ィド樹脂中をこ含有される水溶性電解質成分に起因する
電子部品の電極や配線の腐ａｔこよる断線、漏れ電流の
増大等の故障を低減させる目的では、水溶性の電解質成
分含有量がＩ ＯＯｐｐｍ以下のポリフェニレンスルフ
ィトを用いて封止された電子部品が特開昭５５−１５６
４５４２号公報をこ開示されている。
封止された樹脂封止電子部品をこ関し、更に詳しくは、
水溶性の′ば解質成分含有量の低減されたポリフェニレ
ンスルフィド樹脂で被覆または封止された樹脂封止電子
部品ｔこ関する。′〔従来の技術〕 電子部品対土用樹脂として、従来の熱硬化性樹脂をこ代
り材料収率、成形速度に特徴を有する熱可塑性樹脂が注
目され、特にポリフェニレンスルフィド樹脂により電子
部品を封止することは、特開昭５２−１４９３１３号公
報等でよく知られている。更に、ポリフェニレンスルフ
ィド樹脂中をこ含有される水溶性電解質成分に起因する
電子部品の電極や配線の腐ａｔこよる断線、漏れ電流の
増大等の故障を低減させる目的では、水溶性の電解質成
分含有量がＩ ＯＯｐｐｍ以下のポリフェニレンスルフ
ィトを用いて封止された電子部品が特開昭５５−１５６
４５４２号公報をこ開示されている。
前記特開昭５５−１５６３４２号公報で開示されている
樹脂封止電子部品ｔこＳいては、用いラレるポリフェニ
レンスルフィド樹脂中の水溶性電解質成分含有量を低減
させる方法として、１２０℃以下の熱水で洗浄すること
が提案されているが、この方法をこおいては、水溶性シ
解質成分の低減に多大の時間を要するという欠点がある
。
樹脂封止電子部品ｔこＳいては、用いラレるポリフェニ
レンスルフィド樹脂中の水溶性電解質成分含有量を低減
させる方法として、１２０℃以下の熱水で洗浄すること
が提案されているが、この方法をこおいては、水溶性シ
解質成分の低減に多大の時間を要するという欠点がある
。
そこで、本発明者らは、ポリフェニレンスルフィド中の
水溶性の電解質成分含有量を短時間で効率的に低減させ
ることを目的として鋭意検Ｉｔ ヲ行１．％ 、ポリフ
ェニレンスルフィド１こ酸処理を施すことをこより特異
的に水溶性の電解質成分含有量、特ｔこ該用途で問題と
なる、ナトリウム・イオン、塩素イオン含有量が極めて
短時間で低減されることを見出し本発明に到達した。
水溶性の電解質成分含有量を短時間で効率的に低減させ
ることを目的として鋭意検Ｉｔ ヲ行１．％ 、ポリフ
ェニレンスルフィド１こ酸処理を施すことをこより特異
的に水溶性の電解質成分含有量、特ｔこ該用途で問題と
なる、ナトリウム・イオン、塩素イオン含有量が極めて
短時間で低減されることを見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明は、酸処理を施されたボリフエニレン
ス〃フィト樹脂で被覆または封止されたことを特徴とす
る樹脂封止電子部品を提供するものである。
ス〃フィト樹脂で被覆または封止されたことを特徴とす
る樹脂封止電子部品を提供するものである。
本発明で用いるポリフェニレンスルフィド（以下ＰＰＳ
と略称する）とは、 を７０モル％以上、より好ましくは９０モμ％以上を含
む重合体であり、上記繰返し単位が７０モル％未満では
耐熱性が損なわｎるため好ましくない。
と略称する）とは、 を７０モル％以上、より好ましくは９０モμ％以上を含
む重合体であり、上記繰返し単位が７０モル％未満では
耐熱性が損なわｎるため好ましくない。
ｐｐｓは一般ｔこ、特公昭４５−５５６８号公報で代表
される製造法により得られる比較的分子量の小さい重・
片体と特公昭５２−１２２４０号公報で代表される製造
法により得られる本質的１こ線状で比較的分子量の重合
体等があり、前記の重合体においては、重合後酸素雰囲
気下に８いて加熱することにより、あるいは過酸化物等
の架橋剤を添加して加熱することにより高重合度化して
用いることも可能であり、本発明においてはいかなる方
法をこより得られたｐｐｓを用いることも可能である。
される製造法により得られる比較的分子量の小さい重・
片体と特公昭５２−１２２４０号公報で代表される製造
法により得られる本質的１こ線状で比較的分子量の重合
体等があり、前記の重合体においては、重合後酸素雰囲
気下に８いて加熱することにより、あるいは過酸化物等
の架橋剤を添加して加熱することにより高重合度化して
用いることも可能であり、本発明においてはいかなる方
法をこより得られたｐｐｓを用いることも可能である。
また、ｐｐｓはその繰返し単位の５０モル％未満を下記
の構造式を有する繰返し単位等で構成することが可能で
ある。
の構造式を有する繰返し単位等で構成することが可能で
ある。
本発明で用いられるｐｐｓの溶融粘度は、電子素子を破
損することなく成形することが可能であれば特に制限は
ないが、特に、トランジスタ、ＩＣ等ボンディングワイ
ヤを有する素子を封止する場合は素子の破損を回避する
ため溶融粘度の低いものが好ましく用いられる。
損することなく成形することが可能であれば特に制限は
ないが、特に、トランジスタ、ＩＣ等ボンディングワイ
ヤを有する素子を封止する場合は素子の破損を回避する
ため溶融粘度の低いものが好ましく用いられる。
また本発明で用いられるｐｐｓｔこは、酸化防止剤、熱
安定剤、滑剤、結晶核剤、紫外線防止剤、銅害防止剤、
着色剤、離型剤などの通常の添加剤を添加することがで
き、更に、ｐｐｓの架橋度を制御する目的で、過酸化剤
等の架橋促進剤、または特開昭５８−２０４０４５．特
開昭５８−２０４０４６号公報等に記載されているジア
ルキμ錫ジカルボキシレート、アミノトリアシーμ等の
架橋防止剤を配合することも可能である。
安定剤、滑剤、結晶核剤、紫外線防止剤、銅害防止剤、
着色剤、離型剤などの通常の添加剤を添加することがで
き、更に、ｐｐｓの架橋度を制御する目的で、過酸化剤
等の架橋促進剤、または特開昭５８−２０４０４５．特
開昭５８−２０４０４６号公報等に記載されているジア
ルキμ錫ジカルボキシレート、アミノトリアシーμ等の
架橋防止剤を配合することも可能である。
更會こ、本発明で用いられるｐｐｓｔこは、封止された
成子部品の寸法安定性、機械特性あるいは熱伝導特性等
の改善の目的で、溶融シリカ、結晶性シリカ、工ｉ酸力
μシウム、硫酸力ＩＶＶウム、りμり、ガラス繊維、ガ
ラスピーズ等の無機充填材を間合することが好ましく、
これら充填剤中の水溶性電解質成分含有量も小さい二と
が滋ましい。これら充填材は２種以上を併用することも
可能であり、必要１こよりシラン系８よびチタン系のカ
ップリング剤で予備処理して使用することができる。ま
た、これらカップリング剤は封止樹脂と電子素子との警
部性を改善する目的で、ｐｐｓに直接配合することも可
能である。
成子部品の寸法安定性、機械特性あるいは熱伝導特性等
の改善の目的で、溶融シリカ、結晶性シリカ、工ｉ酸力
μシウム、硫酸力ＩＶＶウム、りμり、ガラス繊維、ガ
ラスピーズ等の無機充填材を間合することが好ましく、
これら充填剤中の水溶性電解質成分含有量も小さい二と
が滋ましい。これら充填材は２種以上を併用することも
可能であり、必要１こよりシラン系８よびチタン系のカ
ップリング剤で予備処理して使用することができる。ま
た、これらカップリング剤は封止樹脂と電子素子との警
部性を改善する目的で、ｐｐｓに直接配合することも可
能である。
本発明でｐｐｓの酸処理ｔこ用いる酸は、ｐｐｓを分解
する作用を有しないものであｎば特に制限はなく、塩酸
、硫酸、酢酸、りん威、工り威、戻酸、プロピ／Ｌ’酸
等が挙げられ、なかでも塩酸、酢酸等がより好ましく用
いられ得るが、硝酸のょうな１）１）Ｓを分解、劣化さ
せるものは好ましくない。酸処理の方法は、酸または酸
の水溶液にｐｐｓを浸漬せしめる等や方法があり、必要
により適宜攪拌または加熱することも可能であり、塩酸
を用いる場合、ｐＨ２の水浴液中に約５０分間浸漬せし
めることにより十分な効果が得られる。更に酸処理後、
残留している酸、塩等を物理的ｔこ除去するため水また
は温水で数回洗浄することが好ましい。
する作用を有しないものであｎば特に制限はなく、塩酸
、硫酸、酢酸、りん威、工り威、戻酸、プロピ／Ｌ’酸
等が挙げられ、なかでも塩酸、酢酸等がより好ましく用
いられ得るが、硝酸のょうな１）１）Ｓを分解、劣化さ
せるものは好ましくない。酸処理の方法は、酸または酸
の水溶液にｐｐｓを浸漬せしめる等や方法があり、必要
により適宜攪拌または加熱することも可能であり、塩酸
を用いる場合、ｐＨ２の水浴液中に約５０分間浸漬せし
めることにより十分な効果が得られる。更に酸処理後、
残留している酸、塩等を物理的ｔこ除去するため水また
は温水で数回洗浄することが好ましい。
本発明で酸処ｊ！ｌｌに供するｐｐｓは粉粒体であるこ
とが好ましく、特ｃｆＩＬｍな粉体であることが酸処理
の効率上好ましい。通常公知の方法で製造されるｐｐｓ
は粉粒体の形で得られるため、これらをペレタイズ等す
ることなく用いて酸処理を行うのが好ましく、特に水溶
性の電解質成分含有量を極めて小さな値とすることが要
求される場合は、分級あるいは粉砕して用いることも可
能である。
とが好ましく、特ｃｆＩＬｍな粉体であることが酸処理
の効率上好ましい。通常公知の方法で製造されるｐｐｓ
は粉粒体の形で得られるため、これらをペレタイズ等す
ることなく用いて酸処理を行うのが好ましく、特に水溶
性の電解質成分含有量を極めて小さな値とすることが要
求される場合は、分級あるいは粉砕して用いることも可
能である。
かくして得られた水溶性の電解質成分含有量が低減され
たｐｐｓは、必要ｔこより充填剤とトライブレンドして
、そのまま、あるいは混線ペレタイズしたのち成形ｔこ
供される。
たｐｐｓは、必要ｔこより充填剤とトライブレンドして
、そのまま、あるいは混線ペレタイズしたのち成形ｔこ
供される。
本発明の成子部品は、通常電子部品の概念で考えられる
ものであれば特ｔこ制限はないが、例えば、コンデンサ
ー、抵抗器、集積回路（ＸＣ）、トランジスター、ダイ
オード、トライオード、サイリスター、コイ〃、バリス
ター、コネクター、変換器、マイクロスイッチ等Ｓよび
これらの複合部品が挙げられる。
ものであれば特ｔこ制限はないが、例えば、コンデンサ
ー、抵抗器、集積回路（ＸＣ）、トランジスター、ダイ
オード、トライオード、サイリスター、コイ〃、バリス
ター、コネクター、変換器、マイクロスイッチ等Ｓよび
これらの複合部品が挙げられる。
本発明におけるＰＰＳ ｐこよる被覆または封止方法に
も特に制限はな（、金型中１０成子素子を固定してＳき
射出成形あるいはトランスファー成形で成形する方法、
あるいは、あらかじめフィルム状１こ成形Ｌｌ’？ある
ｐｐｓを用いて、加熱、加圧下に封包する方法等が挙げ
ら６る。
も特に制限はな（、金型中１０成子素子を固定してＳき
射出成形あるいはトランスファー成形で成形する方法、
あるいは、あらかじめフィルム状１こ成形Ｌｌ’？ある
ｐｐｓを用いて、加熱、加圧下に封包する方法等が挙げ
ら６る。
更ｉｎ１本発明の樹脂封止成子部品は、成形後過酸化水
巣水等の過酸化物で処理すること、あるいはｐｐｓの融
点以下の温度で藺処理することにより、架橋度または結
晶化度を増大させ、−減時性等を改善することが可能で
ある。
巣水等の過酸化物で処理すること、あるいはｐｐｓの融
点以下の温度で藺処理することにより、架橋度または結
晶化度を増大させ、−減時性等を改善することが可能で
ある。
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
参考例１ （ｐｐｓの瀘合フ
オートクレープをこ３０９６水硫化ナトリウム水ｆＩ液
４．６７ ｋｇ （水硫化ナトリウム２５モル〕、５０
％水酸化ナトリウム２．［ｌＯｋｇ（水酸化ナトリウム
２５モノｖ）ＳよびＮ−メチ）ｖ−２−ピロリドン（以
下ＮＩＡＰと略称する）８■を仕込み、攪拌しながら徐
々に２０５℃まで昇温し、水１８ｋｇを含む留出水４．
１１を除去した。残留混合物に１．４−ジクＣ２／Ｌ／
ベンゼン五７５ｋｇ（２５，５モ／Ｉ／］およびＮＭＰ
２ ｋｇを加え２３０℃で２時間さらに２６０℃で１
時間加熱した。
４．６７ ｋｇ （水硫化ナトリウム２５モル〕、５０
％水酸化ナトリウム２．［ｌＯｋｇ（水酸化ナトリウム
２５モノｖ）ＳよびＮ−メチ）ｖ−２−ピロリドン（以
下ＮＩＡＰと略称する）８■を仕込み、攪拌しながら徐
々に２０５℃まで昇温し、水１８ｋｇを含む留出水４．
１１を除去した。残留混合物に１．４−ジクＣ２／Ｌ／
ベンゼン五７５ｋｇ（２５，５モ／Ｉ／］およびＮＭＰ
２ ｋｇを加え２３０℃で２時間さらに２６０℃で１
時間加熱した。
反応生成物を、水で２回、７０℃の温水で５回洗浄し、
湿潤状態のまま以下の実施例に使用した。
湿潤状態のまま以下の実施例に使用した。
な３、得られたｐｐｓの量は乾燥状態で約２．５■ｔこ
相当し、一部を１２０℃で２４詩間減圧乾燥して得た粉
末について測定した溶融粘度は４０ポアズ（３２０℃、
剪断速度１０００秒″］でめった。また、同様に乾燥し
た粉末２０ｇと１００（のイオン交換水およびｄｒｌｌ
ｌ剤（片山化学（株）製トリトンＸ −１００） Ｉｌ
ｏ ２Ｃｔ＝トを耐圧容醋に封入して、１２０℃で２０
時間保持した抽出液について測定した、ナトリウムおよ
び塩素含有量は、ｐｐｓの重量基準で、それぞれ、２２
４ ｐｐｍ 、 ５１６ ｐｐｍ テｆｉ：＋Ｑ、
抽出液の４気伝導度は５５７μＳ／ｃｍであった。
相当し、一部を１２０℃で２４詩間減圧乾燥して得た粉
末について測定した溶融粘度は４０ポアズ（３２０℃、
剪断速度１０００秒″］でめった。また、同様に乾燥し
た粉末２０ｇと１００（のイオン交換水およびｄｒｌｌ
ｌ剤（片山化学（株）製トリトンＸ −１００） Ｉｌ
ｏ ２Ｃｔ＝トを耐圧容醋に封入して、１２０℃で２０
時間保持した抽出液について測定した、ナトリウムおよ
び塩素含有量は、ｐｐｓの重量基準で、それぞれ、２２
４ ｐｐｍ 、 ５１６ ｐｐｍ テｆｉ：＋Ｑ、
抽出液の４気伝導度は５５７μＳ／ｃｍであった。
実施例１
参考例１で得られた湿潤状態のｐＰｓを室温に保持しで
あるｐＨ２の塩酸に３０分間浸漬せしめたのち、−過し
、更に、−液のｐＨが７となるまで室温のイオン交換水
で洗浄したのち１２０℃で２４時間減圧乾燥して粉末状
とした。
あるｐＨ２の塩酸に３０分間浸漬せしめたのち、−過し
、更に、−液のｐＨが７となるまで室温のイオン交換水
で洗浄したのち１２０℃で２４時間減圧乾燥して粉末状
とした。
この粉末状のｐｐｓ ｔこついて参考例と全く同様の方
法で抽出操作を行い評価゛した水溶性すｌ−Ｕラム、塩
素含有量はｐｐｓの重量基準でそれぞれＩ ＋ ｐｐｒ
ｎ、 ７ ｐｐｍであり、抽出液の１１１気伝導度は２
５μＳ／ｃ１１であった。
法で抽出操作を行い評価゛した水溶性すｌ−Ｕラム、塩
素含有量はｐｐｓの重量基準でそれぞれＩ ＋ ｐｐｒ
ｎ、 ７ ｐｐｍであり、抽出液の１１１気伝導度は２
５μＳ／ｃ１１であった。
この粉末状のｐｐｓと溶融シソ力（東芝セラミック（株
〕ｆｉＧＲ−８０）とを５ａ対７ｏの重量比でトライブ
レンドし、５１０℃に設定しである４０藺φのスクリュ
ー押出機に供給し、溶融混練にストランド状で引き収り
、ストランド・カッターでペレタイズした。
〕ｆｉＧＲ−８０）とを５ａ対７ｏの重量比でトライブ
レンドし、５１０℃に設定しである４０藺φのスクリュ
ー押出機に供給し、溶融混練にストランド状で引き収り
、ストランド・カッターでペレタイズした。
次に、このペレットを５２０ ℃＄こ設定したスクリュ
ーインライン型射出成形機に供給し、リード線を取りつ
けたＰ型ＭＯ９）ランジスタ素子（ソース・ドレイン間
最大定格電圧２０Ｖ。
ーインライン型射出成形機に供給し、リード線を取りつ
けたＰ型ＭＯ９）ランジスタ素子（ソース・ドレイン間
最大定格電圧２０Ｖ。
しきい値−環１圧−１５ｖ）をインサートし、１６０〜
１７０℃の温度に設定しである金型を用い。
１７０℃の温度に設定しである金型を用い。
射出圧力４０〜７０ｋｇ／ｃＩ１２で封止成形を行った
。
。
得られたｐｐｓ封止トランジスタを１２１℃、２気圧の
加圧水蒸気中に２４時間放置した後、（以下Ｐ ＣＴ
改と略記するノソース・ドレイン間に＋２Ｖの嵯圧を印
加してリーク電流を測定したところ５μＡであった。
加圧水蒸気中に２４時間放置した後、（以下Ｐ ＣＴ
改と略記するノソース・ドレイン間に＋２Ｖの嵯圧を印
加してリーク電流を測定したところ５μＡであった。
実施例２
実施例１で、参考例１の湿潤状態のＰｒＳをｐＨ２の塩
酸で処理した代りに、ｐｉ（２の酢酸で処理したことの
ほかは、実施例１と全（同様の方法で、混轢、射出成形
を行い、ｐｐｓ封止トランジスタを得た。
酸で処理した代りに、ｐｉ（２の酢酸で処理したことの
ほかは、実施例１と全（同様の方法で、混轢、射出成形
を行い、ｐｐｓ封止トランジスタを得た。
酢酸処理後のｐｐｓについて、実施例言と全く同様の方
法で評価した水溶性ナトリウム、塩素の含有量はそれぞ
れ１５ ｐｐｍ、８ ｐｐｍであり、抽出液の電気伝導
度は５０μ９１０１であった。
法で評価した水溶性ナトリウム、塩素の含有量はそれぞ
れ１５ ｐｐｍ、８ ｐｐｍであり、抽出液の電気伝導
度は５０μ９１０１であった。
更に、実施例１と同様の方法で評価したＰＣＴ後のソー
ス・ドレイン間のリーク電流は７μＡであった。
ス・ドレイン間のリーク電流は７μＡであった。
比較例１
実施例１で、ｐｐｓをｐＨ２の塩酸で処理した代りに、
湿潤状態のｐｐｓ約２−（約５０％の水を含むンとイオ
ン交換水６Ｋｇとをオート・クレープに仕込み、常圧で
密閉したのち攪拌しつつ１２０℃に昇温し約２時間保温
したのち冷却することにより′洗浄したことのほかは、
実施例１と全く同様の方法でｐｐｓ封止トランジスタを
得た。洗浄処理後のｐｐｓの水溶性のナトリウム、ｍ累
含有量は、それぞれ、１６５ｐｐｍ、１２１１ｍであり
、封止トランジスタのＰＣＴ後のソース・ドレイン間の
リーク成流は１２００μＡであった。
湿潤状態のｐｐｓ約２−（約５０％の水を含むンとイオ
ン交換水６Ｋｇとをオート・クレープに仕込み、常圧で
密閉したのち攪拌しつつ１２０℃に昇温し約２時間保温
したのち冷却することにより′洗浄したことのほかは、
実施例１と全く同様の方法でｐｐｓ封止トランジスタを
得た。洗浄処理後のｐｐｓの水溶性のナトリウム、ｍ累
含有量は、それぞれ、１６５ｐｐｍ、１２１１ｍであり
、封止トランジスタのＰＣＴ後のソース・ドレイン間の
リーク成流は１２００μＡであった。
実施例３
実施例１で、参考例１で得られたｐｐｓを用いた代りを
こ、溶融粘度１００ポアズのＰＰ５Ｃ米国フイリッグヌ
・ペトロリアム社製＋１ライドンＩｖ−１）を用い、射
出成形圧力を７０〜１１０Ｑ！ ／ Ｃ１ｌ ”とした
ことのほかは、実施例１と全く同様の方法でｐｐｓ封止
トランジスタを得た。実施例１と同様の方法で評価した
酸処理後のｐｐｓの水溶性のナトリウム、塩素含有量は
、それぞれ、１７ ｐｐｍ、Ｉ Ｉ ｐｐｍ、抽出液の
４．気伝導度は３２μｓ／ｌｖｒであり、ｐｃ Ｔ＠の
トランジスタのソース・ドレイン間のリーク成流は１０
μＡであった。
こ、溶融粘度１００ポアズのＰＰ５Ｃ米国フイリッグヌ
・ペトロリアム社製＋１ライドンＩｖ−１）を用い、射
出成形圧力を７０〜１１０Ｑ！ ／ Ｃ１ｌ ”とした
ことのほかは、実施例１と全く同様の方法でｐｐｓ封止
トランジスタを得た。実施例１と同様の方法で評価した
酸処理後のｐｐｓの水溶性のナトリウム、塩素含有量は
、それぞれ、１７ ｐｐｍ、Ｉ Ｉ ｐｐｍ、抽出液の
４．気伝導度は３２μｓ／ｌｖｒであり、ｐｃ Ｔ＠の
トランジスタのソース・ドレイン間のリーク成流は１０
μＡであった。
なおここで用いたＰＰ５ＩＩライドンＩＩ ｖ−１につ
いて、参考例１と全く同様の方法で評価した水溶性ナト
リウム、塩素含有量はそｎぞれ２６５ ｐｐｍ％３５３
ｐｐｍであり、抽出液の電気伝導度は６８９μＳ／ａ
であった。
いて、参考例１と全く同様の方法で評価した水溶性ナト
リウム、塩素含有量はそｎぞれ２６５ ｐｐｍ％３５３
ｐｐｍであり、抽出液の電気伝導度は６８９μＳ／ａ
であった。
本発明のｐｐｓ樹脂封止電子部品は、封止樹脂中の水溶
性の電解質成分含有量が極めて少く、耐湿性をこ代表さ
れる言頼性が極め−Ｃすぐれる。
性の電解質成分含有量が極めて少く、耐湿性をこ代表さ
れる言頼性が極め−Ｃすぐれる。
Claims (1)
- 酸処理を施されたポリフエニレンスルフイド樹脂で被覆
または封止されたことを特徴とする樹脂封止電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054276A JPS61214452A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 樹脂封止電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60054276A JPS61214452A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 樹脂封止電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61214452A true JPS61214452A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=12966047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60054276A Pending JPS61214452A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 樹脂封止電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61214452A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0649356A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-02-22 | Toray Ind Inc | ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物 |
| JPH08157719A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-18 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物 |
| JP2003096298A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Toray Ind Inc | ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物およびコンデンサー用部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58152019A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-09-09 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 淡色ポリフエニレンスルフイド、その製造及び熱可塑性ポリカ−ボネ−ト及び／または熱可塑性ポリエステルとそれとの混合物 |
| JPS59219331A (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-10 | Dainippon Ink & Chem Inc | ポリフエニレンスルフイドの精製法 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60054276A patent/JPS61214452A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58152019A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-09-09 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 淡色ポリフエニレンスルフイド、その製造及び熱可塑性ポリカ−ボネ−ト及び／または熱可塑性ポリエステルとそれとの混合物 |
| JPS59219331A (ja) * | 1983-05-27 | 1984-12-10 | Dainippon Ink & Chem Inc | ポリフエニレンスルフイドの精製法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0649356A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-02-22 | Toray Ind Inc | ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物 |
| JPH08157719A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-18 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物 |
| JP2003096298A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Toray Ind Inc | ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物およびコンデンサー用部品 |
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