JPS62150751A - ポリフエニレンスルフイド樹脂封止電子部品 - Google Patents
ポリフエニレンスルフイド樹脂封止電子部品Info
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- JPS62150751A JPS62150751A JP60290419A JP29041985A JPS62150751A JP S62150751 A JPS62150751 A JP S62150751A JP 60290419 A JP60290419 A JP 60290419A JP 29041985 A JP29041985 A JP 29041985A JP S62150751 A JPS62150751 A JP S62150751A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はポリフェニレンスルフィド樹脂で被覆または封
止された樹脂封止電子部品に関し、更に詳しくは、水溶
性の電解質成分含有間の低減されたポリフェニレンスル
フィド樹脂で被覆または封止された樹脂封止電子部品に
関する。
止された樹脂封止電子部品に関し、更に詳しくは、水溶
性の電解質成分含有間の低減されたポリフェニレンスル
フィド樹脂で被覆または封止された樹脂封止電子部品に
関する。
〈従来の技術〉
電子部品封止用樹脂として、従来の熱硬化性樹脂に代り
、材料収率、成形速度に特徴を有する熱可塑性樹脂が注
目され、特にポリフェニレンスルワイド樹脂により電子
部品を封止することは、特開昭52−149348@公
報でよく知られている。更に、ポリフェニレンスルフィ
ド樹脂中に含有される水溶性電解質成分に起因する電子
部品の電極や配線の腐蝕による断線、洩れ電流の増大等
の故障を低減させる目的では、水溶性の電解質成分含有
量が1100pI)以下のポリフェニレンスルフィドを
用いて封止された電子部品が特開昭55−156342
号公報に開示されている。
、材料収率、成形速度に特徴を有する熱可塑性樹脂が注
目され、特にポリフェニレンスルワイド樹脂により電子
部品を封止することは、特開昭52−149348@公
報でよく知られている。更に、ポリフェニレンスルフィ
ド樹脂中に含有される水溶性電解質成分に起因する電子
部品の電極や配線の腐蝕による断線、洩れ電流の増大等
の故障を低減させる目的では、水溶性の電解質成分含有
量が1100pI)以下のポリフェニレンスルフィドを
用いて封止された電子部品が特開昭55−156342
号公報に開示されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
前記特開昭55−156342号公報で開示されている
樹脂封止電子部品においては、用いられるポリフェニレ
ンスルフィド樹脂中の水溶性電解質成分含有量を低減さ
せる方法として、120’C以下の熱水で洗浄すること
が提案されているが、この方法においては、水溶性電解
質成分の低減に多大の時間を要するという欠点がおる。
樹脂封止電子部品においては、用いられるポリフェニレ
ンスルフィド樹脂中の水溶性電解質成分含有量を低減さ
せる方法として、120’C以下の熱水で洗浄すること
が提案されているが、この方法においては、水溶性電解
質成分の低減に多大の時間を要するという欠点がおる。
そこで、本発明者らは、ポリフェニレンスルフィド中の
水溶性の電解質成分含有量を短時間で効率的に低減させ
ることを目的として12意検討を行い、ポリフェニレン
スルフィドをアルカリ土類金属塩水溶液で処理したのち
、熱水で洗浄することにより水溶性の電解質成分含有量
、特に該用途で問題となるナトリウムイオン、塩素イオ
ン含有量が極めて短時間で低減されることを見出し、本
発明に到達した。
水溶性の電解質成分含有量を短時間で効率的に低減させ
ることを目的として12意検討を行い、ポリフェニレン
スルフィドをアルカリ土類金属塩水溶液で処理したのち
、熱水で洗浄することにより水溶性の電解質成分含有量
、特に該用途で問題となるナトリウムイオン、塩素イオ
ン含有量が極めて短時間で低減されることを見出し、本
発明に到達した。
く問題点を解決するための手段〉
すなわち、本発明はアルカリ土類金属塩水溶液による処
理を施したのち、熱水により洗浄されたポリフェニレン
スルフィド樹脂で被覆または封止されたことを特徴とす
るポリフェニレンスルフィド樹脂封止電子部品を提供す
るものである。
理を施したのち、熱水により洗浄されたポリフェニレン
スルフィド樹脂で被覆または封止されたことを特徴とす
るポリフェニレンスルフィド樹脂封止電子部品を提供す
るものである。
本発明で用いるポリフェニレンスルフィド(以下PPS
と略する)とは、構造式+@−3→で示される繰返し単
位を70モル以上、より好ましくは90モル%以上を含
む重合体であり、上記繰返し単位が70モル%未満では
耐熱性が損なわれるため好ましくない。
と略する)とは、構造式+@−3→で示される繰返し単
位を70モル以上、より好ましくは90モル%以上を含
む重合体であり、上記繰返し単位が70モル%未満では
耐熱性が損なわれるため好ましくない。
PPSは一般に、特公昭45−3368号公報で代表さ
れる製造法により得られる比較的分子量の小さい重合体
と特公昭52−12240号公報で代表される製造法に
より得られる本質的に線状で比較的高分子量の重合体等
がおり、前記特公昭45−3368号公報記載の方法で
得られた重合体においては、重合後酸素雰囲気下におい
て加熱することにより、あるいは過酸化物等の架]n剤
を添加して加熱することにより高重合度化して用いるこ
とも可能であり、本発明においてはいかなる方法により
得られたPPSを用いることも可能である。
れる製造法により得られる比較的分子量の小さい重合体
と特公昭52−12240号公報で代表される製造法に
より得られる本質的に線状で比較的高分子量の重合体等
がおり、前記特公昭45−3368号公報記載の方法で
得られた重合体においては、重合後酸素雰囲気下におい
て加熱することにより、あるいは過酸化物等の架]n剤
を添加して加熱することにより高重合度化して用いるこ
とも可能であり、本発明においてはいかなる方法により
得られたPPSを用いることも可能である。
また、PPSはその繰返し単位り30モル%未満を下記
の構造式を有する繰返し単位等で構成することが可能で
ある。
の構造式を有する繰返し単位等で構成することが可能で
ある。
し目3
本発明で用いられるPPSの溶融粘度は、電子素子を破
損することなく成形することが可能であれば特に制限は
ないが、特にトランジスタ、IC等ボンディングワイヤ
を有する素子を封止する場合は素子の破損を回避するた
め溶融粘度の低いものが好ましく用いられる。
損することなく成形することが可能であれば特に制限は
ないが、特にトランジスタ、IC等ボンディングワイヤ
を有する素子を封止する場合は素子の破損を回避するた
め溶融粘度の低いものが好ましく用いられる。
また、本発明で用いられるPPSには、本発明の目的を
損なわない範囲で酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、結晶核
剤、紫外線防止剤、銅害防止剤、着色剤、離型剤などの
通常の添加剤を添加することができ、更にPPSの架橋
度を制御する目的で、過酸化剤等の架橋促進剤、または
特開昭58−202045、特開昭58−202046
@公報等に記載されているジアルキル錫カルボキシレー
ト、アミノトリアゾール等の架橋防止剤を配合すること
も可能である。
損なわない範囲で酸化防止剤、熱安定剤、滑剤、結晶核
剤、紫外線防止剤、銅害防止剤、着色剤、離型剤などの
通常の添加剤を添加することができ、更にPPSの架橋
度を制御する目的で、過酸化剤等の架橋促進剤、または
特開昭58−202045、特開昭58−202046
@公報等に記載されているジアルキル錫カルボキシレー
ト、アミノトリアゾール等の架橋防止剤を配合すること
も可能である。
更に本発明で用いられるPPSには、封止された電子部
品の寸法安定性、機械特性あるいは熱伝導性等の改善の
目的で、溶融シリカ、結晶性シリカ、珪酸カルシウム、
硫酸カルシウム、タルク、ガラス繊維、ガラスピーズ等
の無機充填剤を配合することが好ましく、これら充填剤
中の水溶性電解質成分含有量も小さいことが望ましい。
品の寸法安定性、機械特性あるいは熱伝導性等の改善の
目的で、溶融シリカ、結晶性シリカ、珪酸カルシウム、
硫酸カルシウム、タルク、ガラス繊維、ガラスピーズ等
の無機充填剤を配合することが好ましく、これら充填剤
中の水溶性電解質成分含有量も小さいことが望ましい。
これら充填剤は2種以上を併用することも可能であり、
必要によりシラン系およびチタン系のカップリング剤で
予備処理して使用することができる。また、これらカッ
プリング剤は封止樹脂と電子素子との密着性を改善する
目的で、PPSに直接配合することも可能である。
必要によりシラン系およびチタン系のカップリング剤で
予備処理して使用することができる。また、これらカッ
プリング剤は封止樹脂と電子素子との密着性を改善する
目的で、PPSに直接配合することも可能である。
本発明で用いるアルカリ土類金属塩は水溶性のものであ
れば特に制限はなく、例えば、酢酸カルシウム、塩化カ
ルシウム、酢酸マグネシウム、塩化マグネシウム、塩化
リチウム等が挙げられ、中でも酢酸カルシウム、塩化カ
ルシウム、酢酸マグネシウムなどがより好ましく用いら
れる。
れば特に制限はなく、例えば、酢酸カルシウム、塩化カ
ルシウム、酢酸マグネシウム、塩化マグネシウム、塩化
リチウム等が挙げられ、中でも酢酸カルシウム、塩化カ
ルシウム、酢酸マグネシウムなどがより好ましく用いら
れる。
アルカリ土類金属塩水溶液による処理(以下塩処理と略
する)の方法は、アルカリ土類金属塩水溶液にPPSを
浸漬せしめ適宜攪拌または加熱する方法が例示される。
する)の方法は、アルカリ土類金属塩水溶液にPPSを
浸漬せしめ適宜攪拌または加熱する方法が例示される。
例えば、酢酸カルシウムを用いる場合、PPSと5倍量
の0.1%の酢酸力 ゛ルシウム−水和塩の水溶液をオ
ートクレーブに仕込み、170’Cで30分間保持する
ことにより充分な効果が得られる。
の0.1%の酢酸力 ゛ルシウム−水和塩の水溶液をオ
ートクレーブに仕込み、170’Cで30分間保持する
ことにより充分な効果が得られる。
引続き行う熱水による洗浄の効率を更に改善する必要が
あれば、塩処理接、残留している塩等を物理的に除去す
るため水または温水で数回洗浄しておくとよい。
あれば、塩処理接、残留している塩等を物理的に除去す
るため水または温水で数回洗浄しておくとよい。
引続き行う熱水による洗浄において、PPS中に塩の形
で存在する水溶性電解質成分の物理的除去の効率、加水
分解可能な電解質成分を有するポリマ末端等の化学的変
性の効率などの点で熱水の温度は高い方が好ましい。熱
水の温度は好ましくは100’C以上、より好ましくは
150°C以上、特に170’C以上が好ましい。
で存在する水溶性電解質成分の物理的除去の効率、加水
分解可能な電解質成分を有するポリマ末端等の化学的変
性の効率などの点で熱水の温度は高い方が好ましい。熱
水の温度は好ましくは100’C以上、より好ましくは
150°C以上、特に170’C以上が好ましい。
洗浄に使用する水は蒸溜水あるいは脱イオン水などの水
溶性の電解質成分含有量の少ないものが好ましく、水の
電気伝導度が1μS / cm以下、より好ましくは0
.5μS / cm以下のものが用いられる。
溶性の電解質成分含有量の少ないものが好ましく、水の
電気伝導度が1μS / cm以下、より好ましくは0
.5μS / cm以下のものが用いられる。
熱水による洗浄操作は、通常、所定回の水に所定量のP
PSを投入し、圧力容器中で加熱、潰拌することにより
行われる。PPSと水との割合は、水の多い方が好まし
いが通常水1flに対し、PP32009以下の浴比が
選択される。また洗浄の雰囲気は不活性雰囲気とする必
要はなく、PPS末端の好ましい化学変性のためには酸
素雰囲気下で洗浄を行うことが望ましい。
PSを投入し、圧力容器中で加熱、潰拌することにより
行われる。PPSと水との割合は、水の多い方が好まし
いが通常水1flに対し、PP32009以下の浴比が
選択される。また洗浄の雰囲気は不活性雰囲気とする必
要はなく、PPS末端の好ましい化学変性のためには酸
素雰囲気下で洗浄を行うことが望ましい。
更に洗浄操作を終えたPPSは、残留している塩等を物
理的に除去するため温水で数回洗浄するのが好ましい。
理的に除去するため温水で数回洗浄するのが好ましい。
これら洗浄操作を数回繰返すことにより、より顕著な効
果を得ることも可能である。
果を得ることも可能である。
本発明で塩処理、熱水による洗浄に供するPPSは粉粒
体であることが好ましく、特に微細な粉体であることが
塩処理、洗浄の効率上好ましい。
体であることが好ましく、特に微細な粉体であることが
塩処理、洗浄の効率上好ましい。
通常公知の方法で製造されるPPSは粉粒体の形で得ら
れるため、これらをペレタイズ等することなく用いて塩
処理、洗浄することが好ましく、特に水溶性電解質成分
含有量を極めて小さな値とすることが要求される場合は
、分板あるいは粉砕して用いることも可能である。
れるため、これらをペレタイズ等することなく用いて塩
処理、洗浄することが好ましく、特に水溶性電解質成分
含有量を極めて小さな値とすることが要求される場合は
、分板あるいは粉砕して用いることも可能である。
か(して得られた、水溶性の電解質成分が低減されたP
PSは、必要により充填剤とトライブレンドしてそのま
ま、あるいはペレタイズしたのち成形に供される。
PSは、必要により充填剤とトライブレンドしてそのま
ま、あるいはペレタイズしたのち成形に供される。
本発明の電子部品は、通常電子部品の概念で考えられる
ものであれば特に制限はないが、例えば、コンデンサー
、抵抗器、集積回路(IC)、トランジスター、ダイオ
ード、トライオード、サイリスター、コイル、バリスタ
ー、コネクター、変換器、マイクロスイッチなどおよび
これらの複合部品が挙げられる。
ものであれば特に制限はないが、例えば、コンデンサー
、抵抗器、集積回路(IC)、トランジスター、ダイオ
ード、トライオード、サイリスター、コイル、バリスタ
ー、コネクター、変換器、マイクロスイッチなどおよび
これらの複合部品が挙げられる。
本発明におけるPPSによる被覆または封止方法にも特
に制限はなく、金型中に電子素子を固定しておき射出成
形あるいはトランスファー成形で成形する方法、あるい
はあらかじめフィルム状に成形しであるPPSを用いて
、加熱、加圧下に封包する方法等が挙げられる。
に制限はなく、金型中に電子素子を固定しておき射出成
形あるいはトランスファー成形で成形する方法、あるい
はあらかじめフィルム状に成形しであるPPSを用いて
、加熱、加圧下に封包する方法等が挙げられる。
更に、本発明の樹脂封止成形品は、成形後過酸化水素水
等の過酸化物で処理すること、あるいはPPSの融点以
下の温度で熱処理することにより、架橋度または結晶化
度を増大させ、機械特性等を改善することが可能である
。
等の過酸化物で処理すること、あるいはPPSの融点以
下の温度で熱処理することにより、架橋度または結晶化
度を増大させ、機械特性等を改善することが可能である
。
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
〈実施例〉
参考例1 (PPSの重合)
オートクレーブに30%水硫化ナトリウム水溶液9.3
4に!j(水硫化ナトリウム50モル〉、50%水酸化
ナトリウム4.0OK!j(水酸化ナトリウム50モル
)およびN−メチル−2−ピロリドン(以下NMPと略
称する>16Kyを仕込み、隈拌しながら徐々に205
°Cまで昇温し、水7.9に9を含む留出水8.29を
除去した。残留混合物に1,4−ジクロルベンゼン7.
50匈(ぢ1゜0モル)およびN M P 4 Kgを
加え、230’Cで2時間、ざらに260’Cで1時間
加熱した。
4に!j(水硫化ナトリウム50モル〉、50%水酸化
ナトリウム4.0OK!j(水酸化ナトリウム50モル
)およびN−メチル−2−ピロリドン(以下NMPと略
称する>16Kyを仕込み、隈拌しながら徐々に205
°Cまで昇温し、水7.9に9を含む留出水8.29を
除去した。残留混合物に1,4−ジクロルベンゼン7.
50匈(ぢ1゜0モル)およびN M P 4 Kgを
加え、230’Cで2時間、ざらに260’Cで1時間
加熱した。
反応生成物を、水で2回、70’Cの温水で5回洗浄し
、湿潤状態のまま以下の実施例に使用した。
、湿潤状態のまま以下の実施例に使用した。
なお、得られたPPSの量は乾燥状態で約5Kgに相当
し、一部を120’Cで24時間減圧乾燥して1qだ粉
末について測定した溶融粘度は、40ポアズ(320°
C1剪断速度1000秒−1)であった。また、同様に
乾燥した粉末209と100CCのイオン交換水および
湿潤剤(片山化学(株)製トリトンX−100)0.0
2ccとを耐圧容器に封入して、120’Cで20時間
保持した抽出液について測定したナトリウムおよび塩素
含有量はPPSの重量基準で、それぞt’L235pp
m 、303ppmであり、抽出液の電気伝導度は33
8μS/cmであった。
し、一部を120’Cで24時間減圧乾燥して1qだ粉
末について測定した溶融粘度は、40ポアズ(320°
C1剪断速度1000秒−1)であった。また、同様に
乾燥した粉末209と100CCのイオン交換水および
湿潤剤(片山化学(株)製トリトンX−100)0.0
2ccとを耐圧容器に封入して、120’Cで20時間
保持した抽出液について測定したナトリウムおよび塩素
含有量はPPSの重量基準で、それぞt’L235pp
m 、303ppmであり、抽出液の電気伝導度は33
8μS/cmであった。
実施例1
参考例1で得られた湿潤状態のPPS約1 Ky(約5
0%の水を含む)と0.1%の酢酸カルシウム−水和塩
水溶液5.l!とをオートクレーブに仕込み、170℃
に昇温したのち、30分間保持し、冷却ののち内容物を
取りだし濾過し、更に濾液の1)Hが7となるまで室温
のイオン交換水で洗浄した。
0%の水を含む)と0.1%の酢酸カルシウム−水和塩
水溶液5.l!とをオートクレーブに仕込み、170℃
に昇温したのち、30分間保持し、冷却ののち内容物を
取りだし濾過し、更に濾液の1)Hが7となるまで室温
のイオン交換水で洗浄した。
この湿潤状態のPPSとイオン交換水とをオート・クレ
ープに仕込み、常圧で密閉したのち、攪拌しつつ180
’Cに昇温し、約2時間保温したのち冷却した。オート
・クレープから内容物を取り出し濾過し、更に濾液のl
)Hが7となるまで室温のイオン交換水で洗浄したのち
120°Cで24時間減圧乾燥して粉末状とした。
ープに仕込み、常圧で密閉したのち、攪拌しつつ180
’Cに昇温し、約2時間保温したのち冷却した。オート
・クレープから内容物を取り出し濾過し、更に濾液のl
)Hが7となるまで室温のイオン交換水で洗浄したのち
120°Cで24時間減圧乾燥して粉末状とした。
塩処理後、水洗浄後のPPSを120’Cで24時間減
圧乾燥して粉末状としたもの、および、更に熱水洗浄を
して粉末状としたものについて参考例1と全く同様の方
法で抽出操作を行い評価した水溶性ナトリウム、塩素含
有量および抽出液の電気伝導度は第1表に記載のとおり
であった。
圧乾燥して粉末状としたもの、および、更に熱水洗浄を
して粉末状としたものについて参考例1と全く同様の方
法で抽出操作を行い評価した水溶性ナトリウム、塩素含
有量および抽出液の電気伝導度は第1表に記載のとおり
であった。
引続き、熱水洗浄後の粉末状のPPSと溶融シリカ(東
芝セラミックス(株)IGR−80>とをI・ガラス繊
維(日本電気硝子(株)製TN101)とを35対50
対15の重量比でトライブレンドし、310℃に設定し
である30mφの2軸スクリユ一押出機に供給し、溶融
混練したのち、ペレタイズした。
芝セラミックス(株)IGR−80>とをI・ガラス繊
維(日本電気硝子(株)製TN101)とを35対50
対15の重量比でトライブレンドし、310℃に設定し
である30mφの2軸スクリユ一押出機に供給し、溶融
混練したのち、ペレタイズした。
次にこのペレットを320℃に設定したスクリューイン
ライン型射出成形機に供給し、リード線を取りつけたP
型MOSトランジスタ素子(ソース・ドレイン間最大定
格電圧20V、Lきい値電圧3.5v)をインサートし
、160〜170℃の温度に設定しである金型を用い、
射出圧力40〜70KI/cIIiで封止成形を行った
。
ライン型射出成形機に供給し、リード線を取りつけたP
型MOSトランジスタ素子(ソース・ドレイン間最大定
格電圧20V、Lきい値電圧3.5v)をインサートし
、160〜170℃の温度に設定しである金型を用い、
射出圧力40〜70KI/cIIiで封止成形を行った
。
得られたPPS封止トランジスタを121℃、2気圧の
加圧水蒸気中に24時間放置した後、(以下PCT後と
略する)ソース・ドレイン間に12Vの電圧を印加して
リーク電流を測定したところ第1表に記載の結果が得ら
れた。
加圧水蒸気中に24時間放置した後、(以下PCT後と
略する)ソース・ドレイン間に12Vの電圧を印加して
リーク電流を測定したところ第1表に記載の結果が得ら
れた。
実施例2
実施例1で酢酸カルシウムを用いた代りに酢酸マグネシ
ウムを用いたことのほかは実施例1と全く同様の方法で
PPS封止トランジスタを得た。
ウムを用いたことのほかは実施例1と全く同様の方法で
PPS封止トランジスタを得た。
評価結果は第1表に記載の通りであった。
実施例3
実施例1で酢酸カルシウムを用いた代りに塩化カルシウ
ムを用いたことのほかは実施例1と全く同様の方法でP
PS封止トランジスタを得た。評価結果は第1表に記載
の通りであった。
ムを用いたことのほかは実施例1と全く同様の方法でP
PS封止トランジスタを得た。評価結果は第1表に記載
の通りであった。
比較例1
実施例1でPPSに塩処理を行わず、熱水処理の温度を
120℃としたことのほかは、実施例1と全く同様の方
法でPPS封止トランジスタを得た。評価結果は第1表
に記載の通りであった。
120℃としたことのほかは、実施例1と全く同様の方
法でPPS封止トランジスタを得た。評価結果は第1表
に記載の通りであった。
実施例4
実施例1で参考例1で得られたPPSを用いた代りに、
溶融粘度100ポアズのPPS (米国フィリップス・
ペトロリアム社製“ライドン″■−1)を用い、射出成
形力を70〜110KI/criとしたことのほかは、
実施例1と全く同様の方法でPPS封止トランジスタを
得た。評価結果は第1表に記載の通りであった。
溶融粘度100ポアズのPPS (米国フィリップス・
ペトロリアム社製“ライドン″■−1)を用い、射出成
形力を70〜110KI/criとしたことのほかは、
実施例1と全く同様の方法でPPS封止トランジスタを
得た。評価結果は第1表に記載の通りであった。
なお、ここで用いたPPS”ライドン”V−1について
、参考例1と全く同様の方法で評価した水溶性ナトリウ
ム、塩素含有量はそれぞれ263ppm 、353pp
mであり、抽出液の電気伝導度は389μS / cm
であった。
、参考例1と全く同様の方法で評価した水溶性ナトリウ
ム、塩素含有量はそれぞれ263ppm 、353pp
mであり、抽出液の電気伝導度は389μS / cm
であった。
表1の結果からも明らかなように塩処理したポリフェニ
レンスルフィド樹脂封止電子部品はPCT後の洩れ電流
を測定したPCT後のリーク電流の値が極めて小さい。
レンスルフィド樹脂封止電子部品はPCT後の洩れ電流
を測定したPCT後のリーク電流の値が極めて小さい。
〈発明の効果〉
本発明により、樹脂中の水溶性の電解質含有成分量が極
めて少なく、耐湿性に代表される信頼性が極めてすぐれ
たポリフェニレンスルフィド樹脂封止電子部品が得られ
るようになった。
めて少なく、耐湿性に代表される信頼性が極めてすぐれ
たポリフェニレンスルフィド樹脂封止電子部品が得られ
るようになった。
Claims (1)
- アルカリ土類金属塩水溶液による処理を施したのち、
熱水により洗浄されたポリフェニレンスルフィド樹脂で
被覆または封止されたことを特徴とするポリフェニレン
スルフィド樹脂封止電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60290419A JPS62150751A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ポリフエニレンスルフイド樹脂封止電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60290419A JPS62150751A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ポリフエニレンスルフイド樹脂封止電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62150751A true JPS62150751A (ja) | 1987-07-04 |
Family
ID=17755783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60290419A Pending JPS62150751A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ポリフエニレンスルフイド樹脂封止電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62150751A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4840986A (en) * | 1987-03-06 | 1989-06-20 | Tosoh Corporation And Toso Susteel Co., Ltd. | Process for producing a polyarylene sulfide |
JPH0374433A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-29 | Phillips Petroleum Co | ポリ(アリ―レンスルフィド)組成物の製造方法 |
US7533395B2 (en) | 2003-10-20 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Disk apparatus |
WO2021073301A1 (zh) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 浙江新和成特种材料有限公司 | 一种聚苯硫醚浆料连续洗涤工艺 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP60290419A patent/JPS62150751A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4840986A (en) * | 1987-03-06 | 1989-06-20 | Tosoh Corporation And Toso Susteel Co., Ltd. | Process for producing a polyarylene sulfide |
JPH0374433A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-29 | Phillips Petroleum Co | ポリ(アリ―レンスルフィド)組成物の製造方法 |
US7533395B2 (en) | 2003-10-20 | 2009-05-12 | Panasonic Corporation | Disk apparatus |
WO2021073301A1 (zh) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 浙江新和成特种材料有限公司 | 一种聚苯硫醚浆料连续洗涤工艺 |
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