JPS63268740A - 電子部品封止用ポリアリ−レンスルフイド樹脂 - Google Patents
電子部品封止用ポリアリ−レンスルフイド樹脂Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は電子部品の封止用の樹脂に関するものであり、
さらに詳しくは特定の溶媒中で重合したイオン性不純物
の少ない電子部品の封止用ポリアリーレンスルフィド樹
脂に関するものである。
さらに詳しくは特定の溶媒中で重合したイオン性不純物
の少ない電子部品の封止用ポリアリーレンスルフィド樹
脂に関するものである。
〈従来の技術〉
電子部品の樹脂封止としてはエポキシ等の熱硬化性樹脂
が主として用いられているが、近年、耐熱性に優れ、成
形速度が比斂的速いポリアリーレンスルフィドが提案さ
れ、実際に工業的に使用されてきている(例えば特公昭
56−2790号公報、特開昭57−17153号公報
等〉。
が主として用いられているが、近年、耐熱性に優れ、成
形速度が比斂的速いポリアリーレンスルフィドが提案さ
れ、実際に工業的に使用されてきている(例えば特公昭
56−2790号公報、特開昭57−17153号公報
等〉。
ポリアリーレンスルフィドの重合溶媒としては−i的に
N−メチル−2−ピロリドンが用いられているが、N−
メチル−2−ピロリドンを重合溶媒として使用した場合
に得られポリアリーレンスルフィドは、ポリマ中の電解
成分、特に電子部品の樹脂封止用途で問題となるナトリ
ウムイオン、塩素イオン含有量が極めて多い。これらの
イオン性不純物は、電子部品、特にリードフレーム゛や
ボンデングワイヤーなどの金属線を腐蝕させたり、吸湿
の点で問題となる。
N−メチル−2−ピロリドンが用いられているが、N−
メチル−2−ピロリドンを重合溶媒として使用した場合
に得られポリアリーレンスルフィドは、ポリマ中の電解
成分、特に電子部品の樹脂封止用途で問題となるナトリ
ウムイオン、塩素イオン含有量が極めて多い。これらの
イオン性不純物は、電子部品、特にリードフレーム゛や
ボンデングワイヤーなどの金属線を腐蝕させたり、吸湿
の点で問題となる。
その為これらのイオン性不純物を除去する為に、熱水で
経返して抽出を行なったポリフェニレンスルフィド樹脂
で電子部品を封止したり(特開昭55−156342号
公報)、極性溶媒中で加熱して精製したイオン性不純物
の少ないポリアリーレンスルフィドを用いて電子部品を
封止すること(特開昭59−219331)が提案され
ている。
経返して抽出を行なったポリフェニレンスルフィド樹脂
で電子部品を封止したり(特開昭55−156342号
公報)、極性溶媒中で加熱して精製したイオン性不純物
の少ないポリアリーレンスルフィドを用いて電子部品を
封止すること(特開昭59−219331)が提案され
ている。
一方、特開昭55−54330号公報、特開昭58−1
52020号公報等にはポリアリーレンスルフィドの重
合溶媒として1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン
を用いることが開示されている。
52020号公報等にはポリアリーレンスルフィドの重
合溶媒として1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン
を用いることが開示されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら重合溶媒としてトメチル−2−ピロリドン
を使用して製造したポリアリーレンスルフィドから前記
した種々の方法でイオン性不純物を除去したポリアリー
レンスルフィド樹脂を電子部品の封止用に用いる場合、
その製造過程が繁雑になるという欠点を有している。
を使用して製造したポリアリーレンスルフィドから前記
した種々の方法でイオン性不純物を除去したポリアリー
レンスルフィド樹脂を電子部品の封止用に用いる場合、
その製造過程が繁雑になるという欠点を有している。
よって本発明は製造工程が簡易で、イオン性不純物が少
なく、電子部品の樹脂封止に適したポリアリーレンスル
フィドを提供することを課題とする。
なく、電子部品の樹脂封止に適したポリアリーレンスル
フィドを提供することを課題とする。
く問題点を解決するための手段〉
そこで本発明者らは、上記の課題を解決すべく検討した
結果、1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを重合
溶媒として用いて製造したポリアリーレンスルフィドは
イオン性不純物が極めて少なく、電子部品の樹脂封止に
適していることを見出し本発明に到達した。
結果、1.3−ジメチル−2−イミダゾリジノンを重合
溶媒として用いて製造したポリアリーレンスルフィドは
イオン性不純物が極めて少なく、電子部品の樹脂封止に
適していることを見出し本発明に到達した。
すなわち本発明は芳香族ポリハロゲン化合物と、スルフ
ィド化剤として硫化アルカリ金属または水硫化アルカリ
金属および水酸化アルカリ金属とを1.3−ジメチル−
2−イミダゾリジノンを含む溶媒中で重合反応させて製
造した電子部品封止用ポリアリーレンスルフィド樹脂を
提供するものである。
ィド化剤として硫化アルカリ金属または水硫化アルカリ
金属および水酸化アルカリ金属とを1.3−ジメチル−
2−イミダゾリジノンを含む溶媒中で重合反応させて製
造した電子部品封止用ポリアリーレンスルフィド樹脂を
提供するものである。
本発明における重要な特徴は重合溶媒として1゜3−ジ
メチル−2−イミダゾリジノン(以下DMIと称する)
を用いて重合したポリアリーレンスルフィドを電子部品
封止用樹脂に用いることである。
メチル−2−イミダゾリジノン(以下DMIと称する)
を用いて重合したポリアリーレンスルフィドを電子部品
封止用樹脂に用いることである。
本発明のポリアリーレンスルフィドの製造に使用される
芳香族ポリハロゲン化合物は、−a式Ar(X)n (
ここでArは芳香族基、Xはハロゲン基を示し、nは2
以上の整数を示ず)で表わされる化合物であり、さらに
本発明の重合に不活性な各種置換基で置換されていても
よい。
芳香族ポリハロゲン化合物は、−a式Ar(X)n (
ここでArは芳香族基、Xはハロゲン基を示し、nは2
以上の整数を示ず)で表わされる化合物であり、さらに
本発明の重合に不活性な各種置換基で置換されていても
よい。
具体例として、例えば、1.3−ジクロルベンゼン、1
.4−ジクロルベンゼン、1.3−ジブロムベンゼン、
1.4−ジブロムベンゼン、1,2.4−)ジクロルベ
ンゼン、4,4°−ジクロルあるいはジブロムジフェニ
ルチオエーテル等のジ又はトリハロゲン化芳香族および
その誘導体、ジクロルジフェニルスルホン、ジクロルベ
ンゾフェノン、ジクロルビフェニル、2.5−ジクロル
トルエン、2,5−ジクロル−叶キシレン、1−エチル
−4−イソプロピル−2,5−ジブロムベンゼン等及び
その誘導体が挙げられる。これらの芳香族ポリハロゲン
化合物は1種または2種以上の混合物で使用される。
.4−ジクロルベンゼン、1.3−ジブロムベンゼン、
1.4−ジブロムベンゼン、1,2.4−)ジクロルベ
ンゼン、4,4°−ジクロルあるいはジブロムジフェニ
ルチオエーテル等のジ又はトリハロゲン化芳香族および
その誘導体、ジクロルジフェニルスルホン、ジクロルベ
ンゾフェノン、ジクロルビフェニル、2.5−ジクロル
トルエン、2,5−ジクロル−叶キシレン、1−エチル
−4−イソプロピル−2,5−ジブロムベンゼン等及び
その誘導体が挙げられる。これらの芳香族ポリハロゲン
化合物は1種または2種以上の混合物で使用される。
本発明のポリアリーレンスルフィド製造に使用されるス
ルフィド化剤である硫化アルカリ金属は−ffi式M2
S(ここでMはアルカリ金属を示す)で表わされ、具体
例としてリチウムスルフィド、ナトリウムスルフィド、
カリウムスルフィド、ルビジウムスルフィド、セシウム
スルフィドが挙げられる。これらの硫化アルカリ金属は
1種または2種以上の混合物で使用される。アルカリ金
R2ルフィドは水和物もしくは水性混合物の形で好まし
く用いられる。
ルフィド化剤である硫化アルカリ金属は−ffi式M2
S(ここでMはアルカリ金属を示す)で表わされ、具体
例としてリチウムスルフィド、ナトリウムスルフィド、
カリウムスルフィド、ルビジウムスルフィド、セシウム
スルフィドが挙げられる。これらの硫化アルカリ金属は
1種または2種以上の混合物で使用される。アルカリ金
R2ルフィドは水和物もしくは水性混合物の形で好まし
く用いられる。
本発明で使用される水硫化アルカリ金属としては、例え
ば水硫化リチウム、水硫化ナトリウムおよび水硫化カリ
ウムなどのアルカリ金属の水硫化物が挙げられる。そし
てこれらの水硫化アルカリ金属は1種または2種以上の
混合物で使用される。
ば水硫化リチウム、水硫化ナトリウムおよび水硫化カリ
ウムなどのアルカリ金属の水硫化物が挙げられる。そし
てこれらの水硫化アルカリ金属は1種または2種以上の
混合物で使用される。
工業的には容易に入手できる水硫化ナトリウムが有利で
ある。好ましくは水硫化ナトリウムは2水和物又は水性
混合物として用いられる。
ある。好ましくは水硫化ナトリウムは2水和物又は水性
混合物として用いられる。
水酸化アルカリ金属としては水酸化リチウム、水酸化ナ
トリウムおよび水酸化カリウムが挙げられる。これらの
水酸化アルカリ金属は1柾または2種以上の混合物で使
用される。
トリウムおよび水酸化カリウムが挙げられる。これらの
水酸化アルカリ金属は1柾または2種以上の混合物で使
用される。
本発明のスルフィド化剤としては、上述の硫化アルカリ
金属または水硫化アルカリ金属/水酸化アルカリ金属が
使用されるが、これらを併用することも可能であり、ま
た、硫化アルカリ金属に水酸化アルカリ金属を併用する
ことも可能である。
金属または水硫化アルカリ金属/水酸化アルカリ金属が
使用されるが、これらを併用することも可能であり、ま
た、硫化アルカリ金属に水酸化アルカリ金属を併用する
ことも可能である。
本発明のポリアリーレンスルフィドの重合触媒としては
、DMIの使用が必須であるが、70%以下、好ましく
は60%以下の範囲であれば他の溶媒をDMIと併用す
ることは可能であり、本発明の範囲に含まれる。
、DMIの使用が必須であるが、70%以下、好ましく
は60%以下の範囲であれば他の溶媒をDMIと併用す
ることは可能であり、本発明の範囲に含まれる。
上記DMIとともに用い得る他の溶媒としては、アミド
類、ラクタム類、スルホン類等がある。具体例としては
、N−メチル−2−ピロリドンの他にジメチルアセトア
ミド、テトラメチル尿素、N、N’−エチレンジピロリ
ドン、カプロラクタム、N−エチルカプロラクタム、ス
ルホラン、ピロリドン、ヘキサメチルホスホルアミド、
低分子量ポリアミド等が挙げることができる。
類、ラクタム類、スルホン類等がある。具体例としては
、N−メチル−2−ピロリドンの他にジメチルアセトア
ミド、テトラメチル尿素、N、N’−エチレンジピロリ
ドン、カプロラクタム、N−エチルカプロラクタム、ス
ルホラン、ピロリドン、ヘキサメチルホスホルアミド、
低分子量ポリアミド等が挙げることができる。
DMIと他の溶媒を併用する場合で比較的重合度の高い
ポリアリーレンスルフィドを得るために、N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルアセトアミドまたはへキサメ
チルホスホルアミドを好ましく用いることができる。
ポリアリーレンスルフィドを得るために、N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルアセトアミドまたはへキサメ
チルホスホルアミドを好ましく用いることができる。
本発明のポリアリーレンスルフィドは上記、芳香族ポリ
ハロゲン化合物と硫化アルカリ金属または水硫化アルカ
リ金属/水酸化アルカリ金属とをDMIを必須とする溶
媒中で180℃以上、好ましくは200°C以上の温度
条件下で反応させることにより得ることができる。また
、高重合度化物を得る目的でカルボン酸金属塩などの触
媒の存在下に反応させることも可能である。さらに反応
生成ポリアリーレンスルフィドをそのまま使用すること
も可能であるし、酸素存在雰囲気下に加熱することによ
り、あるいは過酸化物などの架橋剤を添加して加熱する
ことにより高重合度化して用いることも可能である。
ハロゲン化合物と硫化アルカリ金属または水硫化アルカ
リ金属/水酸化アルカリ金属とをDMIを必須とする溶
媒中で180℃以上、好ましくは200°C以上の温度
条件下で反応させることにより得ることができる。また
、高重合度化物を得る目的でカルボン酸金属塩などの触
媒の存在下に反応させることも可能である。さらに反応
生成ポリアリーレンスルフィドをそのまま使用すること
も可能であるし、酸素存在雰囲気下に加熱することによ
り、あるいは過酸化物などの架橋剤を添加して加熱する
ことにより高重合度化して用いることも可能である。
本発明で得られるポリアリーレンスルフィドの溶融粘度
は、電子素子を破損することなく成形することが可能で
あれば特に制限はないが、特にトランジスタ、IC等ボ
ンディングワイヤを宥する素子を封止する場合は素子の
破損を回避するため溶融粘度の低いものが好ましく用い
られる。
は、電子素子を破損することなく成形することが可能で
あれば特に制限はないが、特にトランジスタ、IC等ボ
ンディングワイヤを宥する素子を封止する場合は素子の
破損を回避するため溶融粘度の低いものが好ましく用い
られる。
また本発明で用いられるポリアリーレンスルフィドは酸
化防止剤、熱安定剤、滑剤、結晶核剤、紫外線防止剤、
銅害防止剤、着色剤、離型剤などの通常の添加剤を添加
することができ、更にポリアリーレンスルフィドの架橋
度を制御する目的で、過酸化物等の架橋促進剤、または
特開昭58−204045、特開昭58−204046
号公報等に記載されているジアルキル錫ジカルボキシレ
ート、アミノトリアゾール等の架橋防止剤を配合するこ
とも可能である。
化防止剤、熱安定剤、滑剤、結晶核剤、紫外線防止剤、
銅害防止剤、着色剤、離型剤などの通常の添加剤を添加
することができ、更にポリアリーレンスルフィドの架橋
度を制御する目的で、過酸化物等の架橋促進剤、または
特開昭58−204045、特開昭58−204046
号公報等に記載されているジアルキル錫ジカルボキシレ
ート、アミノトリアゾール等の架橋防止剤を配合するこ
とも可能である。
このようにして得られるポリアリーレンスルフィドを本
発明の電子部品封止用として使用するに際し、用途によ
り充填材なしで、あるいは充填材を添加して使用される
。
発明の電子部品封止用として使用するに際し、用途によ
り充填材なしで、あるいは充填材を添加して使用される
。
充填材を添加する際の添加量は使用する充填材の種類、
また、素子の社類等により異なるが、通常ポリアリーレ
ンスルフィド100重量部に対して、10〜400重量
部が好ましい。このような充填材の例として、溶融シリ
カ、結晶性シリカ、ケイ酸カルシウム、タルク、ガラス
繊維、ガラスピーズ、ガラス粉末、硫酸カルシウム、炭
酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸カリウム
、アルミナ粉末、酸化チタン、酸化鉄、クレイ、マイカ
、ワラステナイト、セラミックス繊維等が挙げられる。
また、素子の社類等により異なるが、通常ポリアリーレ
ンスルフィド100重量部に対して、10〜400重量
部が好ましい。このような充填材の例として、溶融シリ
カ、結晶性シリカ、ケイ酸カルシウム、タルク、ガラス
繊維、ガラスピーズ、ガラス粉末、硫酸カルシウム、炭
酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸カリウム
、アルミナ粉末、酸化チタン、酸化鉄、クレイ、マイカ
、ワラステナイト、セラミックス繊維等が挙げられる。
これらの充填材は1柾類または2種類以上の混合物で用
いることができる。これらの充填材を配合する場合は、
本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂100重量部に
対して強度向上、熱膨張係数低減等の充填材配合の効果
を期すため1C重量部以上、流動性、成形性の点から4
00重量部以下で用いるのが好ましい。
いることができる。これらの充填材を配合する場合は、
本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂100重量部に
対して強度向上、熱膨張係数低減等の充填材配合の効果
を期すため1C重量部以上、流動性、成形性の点から4
00重量部以下で用いるのが好ましい。
本発明の電子封止材料のポリアリーレンスルフィド樹脂
に充填材を配合する場合、充填材と樹脂との密着性を改
善するためや、吸湿性を改善するために、充填材をシラ
ンカップリング剤、チタンカップリング剤などで処理し
たものを用いることも、あるいはこれらのカップリング
剤をポリアリーレンスルフィド樹脂に直接配合すること
も可能である。
に充填材を配合する場合、充填材と樹脂との密着性を改
善するためや、吸湿性を改善するために、充填材をシラ
ンカップリング剤、チタンカップリング剤などで処理し
たものを用いることも、あるいはこれらのカップリング
剤をポリアリーレンスルフィド樹脂に直接配合すること
も可能である。
本発明の電子部品封止用のポリアリーレンスルフィド樹
脂に充填材等を配合する場合の配合方法について特に制
限はないが、通常溶融混練方法が用いられる。例えば、
ポリアリーレンスルフィド樹脂、充填材等の各成分をト
ライブレンドした後、・押出機で溶融混練しペレタイズ
する方法、あるいは各成分を押出機の別々の供給口から
供給して溶融混練ペレタイズする方法、あるいはこれら
を組合わせた方法により配合することができる。
脂に充填材等を配合する場合の配合方法について特に制
限はないが、通常溶融混練方法が用いられる。例えば、
ポリアリーレンスルフィド樹脂、充填材等の各成分をト
ライブレンドした後、・押出機で溶融混練しペレタイズ
する方法、あるいは各成分を押出機の別々の供給口から
供給して溶融混練ペレタイズする方法、あるいはこれら
を組合わせた方法により配合することができる。
本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂で封止される電
子部品は、通常の電子部品の概念で考えられるものであ
れば特に制限はないが、例えば、コンデンサー、抵抗器
、集積回路(IC)、)ランシスター、ダイオード、ト
ライオード、サイリスター、コイル、バリスター、コネ
クター、変換器、マイクロスイッチ等およびこれらの複
合部品か挙げられる。
子部品は、通常の電子部品の概念で考えられるものであ
れば特に制限はないが、例えば、コンデンサー、抵抗器
、集積回路(IC)、)ランシスター、ダイオード、ト
ライオード、サイリスター、コイル、バリスター、コネ
クター、変換器、マイクロスイッチ等およびこれらの複
合部品か挙げられる。
本発明におけるポリアリーレンスルフィドによる被覆ま
たは封止方法にも特に制限はなく、金型中に電子素子を
固定しておき射出成形あるいはトランスファー成形で成
形する方法、あるいはあらかじめフィルム状に成形しで
あるポリアリーレンスルフィドを用いて、加熱、加圧下
に封包する方法等が挙げられる。
たは封止方法にも特に制限はなく、金型中に電子素子を
固定しておき射出成形あるいはトランスファー成形で成
形する方法、あるいはあらかじめフィルム状に成形しで
あるポリアリーレンスルフィドを用いて、加熱、加圧下
に封包する方法等が挙げられる。
さらに、本発明の電子部品樹脂封土用ポリアリーレンス
ルフィドで成形後過酸化水素水等の過酸化物で処理する
こと、あるいはポリアリーレンスルフィドの融点以下の
温度で熱処理することにより、架橋度または結晶化度を
増大させ、機械特性等を改善することが可能である。
ルフィドで成形後過酸化水素水等の過酸化物で処理する
こと、あるいはポリアリーレンスルフィドの融点以下の
温度で熱処理することにより、架橋度または結晶化度を
増大させ、機械特性等を改善することが可能である。
〈実施例〉
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
なお、実施例中で用いた%、部は特に断らない限り、各
々重量%および重量部を示す。
々重量%および重量部を示す。
実施例1
(ポリアリーレンスルフィド(以下PPSと称する)の
重合) オートクリープに30%水硫化ナトリウム水溶液4.6
7kg(水硫化ナトリウム25モル)、50%水酸化ナ
トリウム2.00kg (水酸化ナトリウム25モル)
およびDMI8ktを仕込み、撹はんしなから徐々l/
手205℃まで昇温し、水3.8kgを含む留出水4.
11を除去した。残留混合物に1.4−ジクロルベンゼ
ン3、75kg (25,5モル)およびDMI2kg
を加え230℃で2時間、さらに260℃で1時間加熱
した。
重合) オートクリープに30%水硫化ナトリウム水溶液4.6
7kg(水硫化ナトリウム25モル)、50%水酸化ナ
トリウム2.00kg (水酸化ナトリウム25モル)
およびDMI8ktを仕込み、撹はんしなから徐々l/
手205℃まで昇温し、水3.8kgを含む留出水4.
11を除去した。残留混合物に1.4−ジクロルベンゼ
ン3、75kg (25,5モル)およびDMI2kg
を加え230℃で2時間、さらに260℃で1時間加熱
した。
反応生成物を、水で2回、70℃の温水で5回洗浄し、
120℃で24時間減圧乾燥した。
120℃で24時間減圧乾燥した。
なお、得られたPPSの量は乾燥状態で約2.5眩に相
当し、その粉末について測定した溶融粘度は40ポアズ
(320℃、せん断速度1000秒−1)であった。ま
た、粉末2Ofと100ccのイオン交換水および湿潤
剤(片山化学(株)製トリトンx−ioo)o。
当し、その粉末について測定した溶融粘度は40ポアズ
(320℃、せん断速度1000秒−1)であった。ま
た、粉末2Ofと100ccのイオン交換水および湿潤
剤(片山化学(株)製トリトンx−ioo)o。
02ccとを耐圧容器に封入して、120℃で20時間
保持した抽出液について測定したナトリウムおよび塩素
含有量はPPSの重量基準で、それぞれ8.4ppm、
6.3ppmであり、抽出液の電気伝導度は10.6μ
S/Qllであった。
保持した抽出液について測定したナトリウムおよび塩素
含有量はPPSの重量基準で、それぞれ8.4ppm、
6.3ppmであり、抽出液の電気伝導度は10.6μ
S/Qllであった。
(ポリアリーレンスルフィドの封止)
引続き、粉末状のポリアリーレンスルフィドと溶融シリ
カ(東芝セラミック(株)製GR−80)とを30対7
0の重量比でトライブレンドし、310℃に設定しであ
る40mmφのスクリュー押出機に供給し、溶融混練し
てストランド状で引き取り、ストランド・カッターでペ
レタイズした。
カ(東芝セラミック(株)製GR−80)とを30対7
0の重量比でトライブレンドし、310℃に設定しであ
る40mmφのスクリュー押出機に供給し、溶融混練し
てストランド状で引き取り、ストランド・カッターでペ
レタイズした。
次にこのペレットを320℃に設定したスクリューイン
ライン型射出成形機に供給し、リード線を取りつけたP
型MO8)ランシスター子(ソース・ドレイン間最大定
格電圧20V、しきい値3.5V)をインサートし、1
60〜170℃の温度に設定しである金型を用い、射出
圧力40〜70kg/cJで封止成形を行なった。
ライン型射出成形機に供給し、リード線を取りつけたP
型MO8)ランシスター子(ソース・ドレイン間最大定
格電圧20V、しきい値3.5V)をインサートし、1
60〜170℃の温度に設定しである金型を用い、射出
圧力40〜70kg/cJで封止成形を行なった。
得られたポリアリーレンスルフィド封止トランジスタを
121℃、2気圧の加圧水蒸気中に24時間放置した後
、(以下PCT後と略記する)ソース・ドレイン間に1
2Vの電圧を印加してリーク電流を測定したところ第1
表に記載の結果が得られた。
121℃、2気圧の加圧水蒸気中に24時間放置した後
、(以下PCT後と略記する)ソース・ドレイン間に1
2Vの電圧を印加してリーク電流を測定したところ第1
表に記載の結果が得られた。
実施例2
実施例1で仕込みに用いたDMIhgをDMI4kgに
変更したことのほかは実施例1と全く同様の方法でPP
Sを得た。
変更したことのほかは実施例1と全く同様の方法でPP
Sを得た。
得られたPPSについて、実施例1と同様に抽出操作お
よび評価を行ない、第1表に記載の結果が得られた。
よび評価を行ない、第1表に記載の結果が得られた。
また得られたJ)I)Sを用いて実施例1と同様の方法
でPPS封止トランジスタを得、評価を行なった結果を
第1表に示した。
でPPS封止トランジスタを得、評価を行なった結果を
第1表に示した。
実施例3
実施例1で重合の仕込みに用いたDMI8kgをDMI
6kgおよびジメチルアセトアミド2kgに代えた他は
、実施例1と全く同様の重合操作および後処理操作を行
なってPPSを得た。得られたPPSについて、実施例
1と同様に抽出操作および評価を行ない、第1表に記載
の結果を得た。
6kgおよびジメチルアセトアミド2kgに代えた他は
、実施例1と全く同様の重合操作および後処理操作を行
なってPPSを得た。得られたPPSについて、実施例
1と同様に抽出操作および評価を行ない、第1表に記載
の結果を得た。
また得られたPPSを用いて実施例1と同様の方法でP
PS封止トランジスタを得、評価を行なった結果を第1
表に示した。
PS封止トランジスタを得、評価を行なった結果を第1
表に示した。
実施例4
1.4−ジクロルベンゼン3.75kgの代わりに1,
4−ジクロルベンゼン3.67kg (24,99モル
)および1−クロルナフタリン0.0830kg (0
,51モル)使用する以外は実施例1と全く同様の重合
操作および後処理操作を行なってPPSを得た。得られ
たPPSについて、実施例1と同様の抽出操作および評
価を行ない、第1喪記載の結集を得た。
4−ジクロルベンゼン3.67kg (24,99モル
)および1−クロルナフタリン0.0830kg (0
,51モル)使用する以外は実施例1と全く同様の重合
操作および後処理操作を行なってPPSを得た。得られ
たPPSについて、実施例1と同様の抽出操作および評
価を行ない、第1喪記載の結集を得た。
また得られたPPSを用いて実施例1と同様の方法でP
PS封止トランジスタを得、評価を行なった結果を第1
表に示しな。
PS封止トランジスタを得、評価を行なった結果を第1
表に示しな。
比較例1
実施例1で重合の仕込みに用いたDMI8kgをNMP
8kgに代えることおよび1.4−ジクロルベンゼン添
加時のDMI2kgをNMP2kgに代える以外は実施
例1と全く同様の重合操作および後処理操作を行なって
PPSを得た。得られたPPSについて、実施例1と同
様に抽出操作および評価を行ない、第1表に記載の結果
を得た。本発明重合溶媒にDMIを使用した実施例1〜
4に比べて、抽出NaおよびCρの量は大巾に多いもの
であった。
8kgに代えることおよび1.4−ジクロルベンゼン添
加時のDMI2kgをNMP2kgに代える以外は実施
例1と全く同様の重合操作および後処理操作を行なって
PPSを得た。得られたPPSについて、実施例1と同
様に抽出操作および評価を行ない、第1表に記載の結果
を得た。本発明重合溶媒にDMIを使用した実施例1〜
4に比べて、抽出NaおよびCρの量は大巾に多いもの
であった。
また得られたPPSを用いて実施例コ−と同様の方法で
PPS封止トランジスタを得、評価を行なった結果を第
1表に示した。リーク電流についても本発明の実施例1
〜4に比べて大巾に劣るものであった。
PPS封止トランジスタを得、評価を行なった結果を第
1表に示した。リーク電流についても本発明の実施例1
〜4に比べて大巾に劣るものであった。
〈発明の効i!L>
本発明により、安価で、イオン性不純物が少なく、電子
部品封止用に最適なポリアリーレンスルフィド樹脂が得
られるようになった。
部品封止用に最適なポリアリーレンスルフィド樹脂が得
られるようになった。
Claims (1)
- 芳香族ポリハロゲン化合物と、スルフィド化剤として硫
化アルカリ金属または水硫化アルカリ金属および水酸化
アルカリ金属とを1,3−ジメチル−2−イミダゾリジ
ノンを含む溶媒中で重合反応させて製造した電子部品封
止用ポリアリーレンスルフィド樹脂。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62102004A JPS63268740A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 電子部品封止用ポリアリ−レンスルフイド樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62102004A JPS63268740A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 電子部品封止用ポリアリ−レンスルフイド樹脂 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63268740A true JPS63268740A (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=14315640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62102004A Pending JPS63268740A (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 電子部品封止用ポリアリ−レンスルフイド樹脂 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63268740A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0369652A2 (en) * | 1988-11-12 | 1990-05-23 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electronic device sealing resin compositions and sealed electronic devices |
JPH02209926A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリチオエーテルスルホンの製造方法 |
JPH04255720A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Toray Philips Petroleum Kk | ポリフェニレンスルフィドスルホンの製造方法 |
JPH07304951A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Nippon G Ii Plast Kk | ポリフェニレンサルファイド系難燃性樹脂組成物 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP62102004A patent/JPS63268740A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0369652A2 (en) * | 1988-11-12 | 1990-05-23 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electronic device sealing resin compositions and sealed electronic devices |
JPH02209926A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Daicel Chem Ind Ltd | 芳香族ポリチオエーテルスルホンの製造方法 |
JPH04255720A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Toray Philips Petroleum Kk | ポリフェニレンスルフィドスルホンの製造方法 |
JPH07304951A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Nippon G Ii Plast Kk | ポリフェニレンサルファイド系難燃性樹脂組成物 |
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