JPH0244798A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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- JPH0244798A JPH0244798A JP19667388A JP19667388A JPH0244798A JP H0244798 A JPH0244798 A JP H0244798A JP 19667388 A JP19667388 A JP 19667388A JP 19667388 A JP19667388 A JP 19667388A JP H0244798 A JPH0244798 A JP H0244798A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/385—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気機４辞、計算機器、通信機器等に用いられ
る多層配線基板の製造方法に関するものである。
る多層配線基板の製造方法に関するものである。
従来、電気機器等に用いられる多層配線基板の内層銅箔
は亜塩素酸ナトリウムや過硫酸カリウムで酸化処理後、
樹脂含浸基材を介して外層材と積層一体化することによ
って得られている。しかし内層銅箔を亜塩素酸すｌ−Ｉ
Ｊウムで処理すると銅箔の耐酸性、接着性が低下し、内
層銅箔を過硫酸カリウムで処理すると銅箔の半田耐熱性
、接着性が低下する。このため特願昭＆ｌ −８３４１
４で開示されたように過硫酸カリウムと水酸化ナトリウ
ムとの混合ｆＢ液で処理し内層銅箔の；耐酸性、接着性
、半田１ｆｉｔ熱性を向上させろことが行なわれている
。しかし過硫酸カリウムと水酸化ナトリウムとの混合溶
液で内層銅箔を処理すると、初期においてはソフトエッ
チ効果が大となり、−時的に酸化反応性が不安定になる
という問題があっ之。
は亜塩素酸ナトリウムや過硫酸カリウムで酸化処理後、
樹脂含浸基材を介して外層材と積層一体化することによ
って得られている。しかし内層銅箔を亜塩素酸すｌ−Ｉ
Ｊウムで処理すると銅箔の耐酸性、接着性が低下し、内
層銅箔を過硫酸カリウムで処理すると銅箔の半田耐熱性
、接着性が低下する。このため特願昭＆ｌ −８３４１
４で開示されたように過硫酸カリウムと水酸化ナトリウ
ムとの混合ｆＢ液で処理し内層銅箔の；耐酸性、接着性
、半田１ｆｉｔ熱性を向上させろことが行なわれている
。しかし過硫酸カリウムと水酸化ナトリウムとの混合溶
液で内層銅箔を処理すると、初期においてはソフトエッ
チ効果が大となり、−時的に酸化反応性が不安定になる
という問題があっ之。
従来の技術で述べたように内層＃４箔を過硫酸カリウム
と水酸化す） １７ウムとの混合溶液で処理すると初期
において一時的に酸化度応性が不安定になる。本発明は
従来の技術における上述の問題点に濫みてなされたもの
で、その目的とするところは、酸化皮膜の均一性、結晶
寸法の安定性に優れた内層銅箔を得ることによって、内
層銅箔の耐酸性、接着性、半田耐熱性が向上した多層配
線基板の製造方法を提供することにある。
と水酸化す） １７ウムとの混合溶液で処理すると初期
において一時的に酸化度応性が不安定になる。本発明は
従来の技術における上述の問題点に濫みてなされたもの
で、その目的とするところは、酸化皮膜の均一性、結晶
寸法の安定性に優れた内層銅箔を得ることによって、内
層銅箔の耐酸性、接着性、半田耐熱性が向上した多層配
線基板の製造方法を提供することにある。
本発明は内１ｇ銅箔を銅イオンを含む過硫酸カリラムと
水酸化すＩ−ＩＪウムとの混合溶液で処理後、Ｗ脂含浸
基材を介して外層材と積層一体化することを特徴とする
多層配線基板の製造方法のため、初期時点から混合溶液
中に銅イオンが存在するので上記目的を達成することが
できたもので、以下本発明の詳細な説明する。
水酸化すＩ−ＩＪウムとの混合溶液で処理後、Ｗ脂含浸
基材を介して外層材と積層一体化することを特徴とする
多層配線基板の製造方法のため、初期時点から混合溶液
中に銅イオンが存在するので上記目的を達成することが
できたもので、以下本発明の詳細な説明する。
本発明に用いる混合溶液の濃度は特に限定するものでは
ないが好ましくは下記組成であることが望ましい。
ないが好ましくは下記組成であることが望ましい。
’１４ （金銅トシテ＞ ０．００５〜０．０３
０９７ｇ過硫酸カリウム １０〜ｓｏ
ｆ／ｅ水酸化ナトリウム ４０〜７０ ９７
ｇ銅イオンの添加方法としては、銅化合物の添加や初期
にダミー用両面鋼張積層板を工程に流したり、或は＃凹
側用した劣化液を更新時Ｋ １０〜美３ｒ［量％添加し
たりすることが好ましい。処理条件としては処理温度４
０〜６５”Ｃ１処理時間６０〜３６０秒がよい。
０９７ｇ過硫酸カリウム １０〜ｓｏ
ｆ／ｅ水酸化ナトリウム ４０〜７０ ９７
ｇ銅イオンの添加方法としては、銅化合物の添加や初期
にダミー用両面鋼張積層板を工程に流したり、或は＃凹
側用した劣化液を更新時Ｋ １０〜美３ｒ［量％添加し
たりすることが好ましい。処理条件としては処理温度４
０〜６５”Ｃ１処理時間６０〜３６０秒がよい。
樹脂含浸基材の樹脂としてはフェノ−／Ｌ’樹脂、クレ
ゾールｍ脂、エボキＶ樹脂、不飽和ポリエステ／Ｌ’樹
脂、メフミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ二二しンオ
キサイド樹脂、弗化樹脂等の合成樹脂を用い、該樹脂を
ガフス、アスベスト等の無機繊維やポリエステル、ポリ
アミド、ポリビニ〃ア〃コー〃、ポリウレタン、ポリイ
ミド等の有機合成繊維や、木綿等の天然＊維の織布、不
織布、マット、ネット、寒冷紗、紙等の基材に乾燥後の
樹脂量が菊〜−重量％（以下単に％と記す）になるよう
に含浸、乾燥してなる厚み０．０１〜１絹の樹脂含浸基
材で所要枚数を介在させるものである。外層材としては
銅箔、７μミニウム箔、ニツケル箔等のような金属箔や
片面金属張積層板を用いるものである。積層一体化手段
についてはプレス、ローｐ、ダグルベ／Ｌ／）等のよう
な＠層手段であればよく、特に限定するものではない。
ゾールｍ脂、エボキＶ樹脂、不飽和ポリエステ／Ｌ’樹
脂、メフミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ二二しンオ
キサイド樹脂、弗化樹脂等の合成樹脂を用い、該樹脂を
ガフス、アスベスト等の無機繊維やポリエステル、ポリ
アミド、ポリビニ〃ア〃コー〃、ポリウレタン、ポリイ
ミド等の有機合成繊維や、木綿等の天然＊維の織布、不
織布、マット、ネット、寒冷紗、紙等の基材に乾燥後の
樹脂量が菊〜−重量％（以下単に％と記す）になるよう
に含浸、乾燥してなる厚み０．０１〜１絹の樹脂含浸基
材で所要枚数を介在させるものである。外層材としては
銅箔、７μミニウム箔、ニツケル箔等のような金属箔や
片面金属張積層板を用いるものである。積層一体化手段
についてはプレス、ローｐ、ダグルベ／Ｌ／）等のよう
な＠層手段であればよく、特に限定するものではない。
以下本発明を実施例にもとづいて説明する。
実施例
厚さ０．０３５１Ｅｌｌの銅箔を有する厚さエラの両面
銅張ガフス布基材エポキシ樹脂内層材を、下記組成の処
理液で閏°Ｃにおいて１９０秒間処理した。
銅張ガフス布基材エポキシ樹脂内層材を、下記組成の処
理液で閏°Ｃにおいて１９０秒間処理した。
銅（全鋼として） Ｑ、０１ ｆ／（１過硫酸
カリクム １８ｙ７ｇ水酸化ナトリウム
ａｏ ｙ７ｇ次に内層材の上下に樹脂含有量４５
％の厚さ０．１開のエポキシ樹脂含浸ガフス布基材を夫
々２枚づつ介して厚さ０．０３５ｆｆＯ銅箔を配設した
積層体を成形圧力４０ ｋｇ／ｃｄ 、 １６０°Ｃで
９０分間加熱加圧成形して４層回路配線基板を得た。
カリクム １８ｙ７ｇ水酸化ナトリウム
ａｏ ｙ７ｇ次に内層材の上下に樹脂含有量４５
％の厚さ０．１開のエポキシ樹脂含浸ガフス布基材を夫
々２枚づつ介して厚さ０．０３５ｆｆＯ銅箔を配設した
積層体を成形圧力４０ ｋｇ／ｃｄ 、 １６０°Ｃで
９０分間加熱加圧成形して４層回路配線基板を得た。
比較例１
実施例の処理液を亜塩素酸ナトリウム２０ ｙ／（ｌに
変えた以外は実施例と同様に処理して４層回路配線基板
を得た。
変えた以外は実施例と同様に処理して４層回路配線基板
を得た。
比較例２
実施例の処理液を過硫酸カリウム１５１７ｇに変えた以
外は実施例と同様に処理して４層回路配線基板を得た。
外は実施例と同様に処理して４層回路配線基板を得た。
比較例３
実施例の処理液から銅を除去した以外は実施例と同様に
処理して４層回路配線基板を得た。
処理して４層回路配線基板を得た。
実施例及び比較例１乃至３の４層回路配線基板の性能は
第１表のようである。
第１表のようである。
第１表
〔発明の効果〕
本発明は上述した如く構成されている。特許請求の範囲
第１項に記載した構成を有する多層配線基板の製造方法
においては、内層銅箔の耐酸性、半田耐熱性、内層銅箔
の接着性が著るしく向上する効果を有している。
第１項に記載した構成を有する多層配線基板の製造方法
においては、内層銅箔の耐酸性、半田耐熱性、内層銅箔
の接着性が著るしく向上する効果を有している。
Claims (1)
- （１）内層銅箔を銅イオンを含む過硫酸カリウムと水酸
化ナトリウムとの混合溶液で処理後、樹脂含浸基材を介
して外層材と積層一体化することを特徴とする多層配線
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19667388A JPH0244798A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19667388A JPH0244798A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244798A true JPH0244798A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16361690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19667388A Pending JPH0244798A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244798A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5584929A (en) * | 1994-03-11 | 1996-12-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for preparing compound semiconductor crystal |
| US5830269A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group II-VI or III-V compound single crystal |
| CN109348649A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-02-15 | 武汉光谷创元电子有限公司 | 热沉复合材料电镀处理方法及其制品 |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP19667388A patent/JPH0244798A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5584929A (en) * | 1994-03-11 | 1996-12-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for preparing compound semiconductor crystal |
| US5656077A (en) * | 1994-03-11 | 1997-08-12 | Sumitomo Electric Industries, Co., Ltd. | Crucible for preparing compound semiconductor crystal |
| US5830269A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of preparing group II-VI or III-V compound single crystal |
| CN109348649A (zh) * | 2018-09-20 | 2019-02-15 | 武汉光谷创元电子有限公司 | 热沉复合材料电镀处理方法及其制品 |
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