JPH0243737B2 - - Google Patents
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- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 174
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 90
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 79
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011973 solid acid Substances 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000331 cadmium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- KQHXBDOEECKORE-UHFFFAOYSA-L beryllium sulfate Chemical compound [Be+2].[O-]S([O-])(=O)=O KQHXBDOEECKORE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- KPWJBEFBFLRCLH-UHFFFAOYSA-L cadmium bromide Chemical compound Br[Cd]Br KPWJBEFBFLRCLH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L strontium sulfate Chemical compound [Sr+2].[O-]S([O-])(=O)=O UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- WDYMMLFNWBOKFO-UHFFFAOYSA-L aluminum;zinc;sulfate Chemical compound [Al+3].[Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O WDYMMLFNWBOKFO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 229910000380 bismuth sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- XIEPJMXMMWZAAV-UHFFFAOYSA-N cadmium nitrate Inorganic materials [Cd+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XIEPJMXMMWZAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRGIRRZWCDKDMV-UHFFFAOYSA-H cadmium(2+);diphosphate Chemical compound [Cd+2].[Cd+2].[Cd+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O NRGIRRZWCDKDMV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229940095672 calcium sulfate Drugs 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910000421 cerium(III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H dibismuth;trisulfate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- VZZSRKCQPCSMRS-UHFFFAOYSA-N dipotassium;selenium(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Se-2] VZZSRKCQPCSMRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940032950 ferric sulfate Drugs 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229940099596 manganese sulfate Drugs 0.000 description 1
- 239000011702 manganese sulphate Substances 0.000 description 1
- 235000007079 manganese sulphate Nutrition 0.000 description 1
- SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L manganese(II) sulfate Chemical compound [Mn+2].[O-]S([O-])(=O)=O SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NMHMNPHRMNGLLB-UHFFFAOYSA-N phloretic acid Chemical compound OC(=O)CCC1=CC=C(O)C=C1 NMHMNPHRMNGLLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000008262 pumice Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L thallium sulfate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]S([O-])(=O)=O YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940119523 thallium sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000374 thallium(I) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000347 yttrium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAYJOCWVUTQHB-UHFFFAOYSA-H yttrium(3+);trisulfate Chemical compound [Y+3].[Y+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RTAYJOCWVUTQHB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D209/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
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- C07D209/08—Indoles; Hydrogenated indoles with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, directly attached to carbon atoms of the hetero ring
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Description
本発明は、アニリンとエチレングリコールとか
らインドールを製造する方法に関する。 更に詳しくは、アニリンとエチレングリコール
とから触媒の存在下、インドールを製造するに際
し、原料の1つであるエチレングリコールの触媒
層への供給方法に関する。 インドールは化学工業原料として知られ、特に
近年、香料やアミノ酸合成原料として重要な物質
となつてきている。 従来、インドールを合成しようという試みはい
くつかあつたがいずれも副生物が多いものや、原
料的にみて高価なものが多く、またインドールに
至るまでの工程が長く、操作が煩雑なものが多か
つた。しかし、最近に至り、安価な原料を用い、
且つ一段の工程でインドールを合成する方法とし
て、アニリンとエチレングリコールとを原料とす
る方法が見い出された。アニリンとエチレングリ
コールとからインドールを合成する反応の触媒と
しては、種々の固体酸触媒や金属触媒が提案され
ている。本発明者らの知見では提案されている
種々の触媒を用いて、アニリンとエチレングリコ
ールとからインドールを合成する際、インドール
を収率良く得るには、エチレングリコールに対し
て大過剰のアニリンを触媒層に供給することが必
要である。したがつてこの方法でインドールを製
造する場合は、得られる反応混合物に含まれる多
量のアニリンを分離、回収する必要がある。その
ために、過大な分離回収装置と多量のエネルギー
が必要であるという問題点があつた。 本発明者らは、反応装置に供給するエチレング
リコールに対するアニリンのモル比とインドール
の収率との関係を詳細に検討した結果、後記の参
考例に示すようにアニリンのモル比を大きくする
にしたがつて、エチレングリコール基準のインド
ール収率が増加することを見い出した。 また、液状およびガス状反応生成物の分析か
ら、アニリンとエチレングリコールは(1)式により
インドールを生成するが、(1)式の反応に併発して
(2)式によるエチレングリコールの分解反応が起つ
ていることを見い出した。 この(2)式による反応はアニリンのモル比が小さ
い程、より多く起る。その結果、インドールの収
率が低下することが判明した。 アニリンのモル比が小さいと(2)式の反応が起り
易く、(1)式の反応が抑えられる原因としては、つ
ぎのようなことが考えられる。まず第1に、(1)式
の反応が抑えられる原因としては、つぎのような
ことが考えられる。まず第1に、(1)式のアニリン
とエチレングリコールの関与する反応と、(2)式の
エチレングリコールのみが関与する反応とは、反
応系のそれぞれの分圧に左右され、アニリンのモ
ル比が小さいと反応系でのアニリンの分圧が減少
し、逆にエチレングリコールの分圧が上昇するの
で、(1)式の反応にくらべ(2)式の反応が起り易くな
ると考えられることである。第2に、第1の原因
にも増して重要なこととして、反応条件下で(1)式
の反応は40〜50Kcalの発熱反応であり、(2)式の
反応は40〜50Kcalの吸熱反応であるため、アニ
リンのモル比が小さいと、エチレングリコール濃
度の高い触媒層入口部分で(1)式の反応による発熱
が起り、局部的に温度の高い領域(いわゆるヒー
トスポツト)が形成される。その結果、そのよう
なヒートスポツトにおいて、吸熱反応である(2)式
の反応が促進されると考えられる。したがつて、
エチレングリコール濃度が高い程、すなわちアニ
リンモル比が小さい程、このようなヒートスポツ
トが出来易くなり、(2)式の分解反応が多く起りイ
ンドール収率が低下すると考えられることであ
る。 本発明者らは、このような考察に基づき、イン
ドール収率を落さず且つ反応器出口のインドール
濃度を上げる方法について鋭意検討した結果、触
媒層を多段に分割し、それらを直列に連結し、原
料であるエチレングリコールを各段に分割して供
給すると、インドール収率を落さず、且つ直列に
連結した触媒層出口のインドール濃度を高くでき
ることを見い出し本発明の方法に至つた。 すなわち、本発明は、アニリンとエチレングリ
コールを気相で、触媒の存在下反応させてインド
ールを製造するに際し、触媒層を通過する反応ガ
スの流れの方向に沿つて、エチレングリコールを
式() n≧(M−1)/(A−1) () (但し、nはエチレングリコールを全ての供給
口に均等に分割して供給する場合の必要な供給口
の数であり、Mは触媒層内のエチレングリコール
とアニリンのモル比mの最小値(M≧5)であ
り、Aは反応器に供給するエチレングリコールと
アニリンのモル比(A≦5)である。) に基づいて分割して供給することを特徴とするイ
ンドールの改良された製造方法である。 本発明の方法によると、反応器に供給する原料
のアニリンのエチレングリコールに対するモル比
が小さくても、触媒層内のエチレングリコール濃
度の分布が平準化されるので、局所的なヒートス
ポツトの形成が抑制される結果、(2)式の反応によ
るエチレングリコールの分解が抑制され、インド
ール収率が低下しないという効果が得られる。ま
た、反応器に供給されるアニリンのモル比を小さ
く出来るので、反応器出口のインドール濃度を高
めることができ、反応液から分離回収すべきアニ
リン量を減らすことが出来る。 本発明方法の対象となるインドールの製造方法
は、固体酸触媒または金属触媒の存在下、アニリ
ンとインドールとを反応させる方法である。この
方法において用いられる固体酸触媒としては、(1)
Si、Al、B、Sb、Bi、Sn、Pb、Ga、Ti、Zr、
Be、Mg、Y、Cu、Ag、Zn、Cdおよびランタナ
イド元素から選ばれた少くとも1種の元素の酸化
物または水酸化物(以下、触媒物質(1)と称する)
を含有する触媒、例えば、CdO、ZnO−Sb2O−
PbO2、Al2O3−B2O3、SiO2−CdO、SiO2−
Al2O3、SiO2−MgO、TiO2−SnO2、TiO2−
ZrO2、CdO−Bi2O3、SiO2−Y2O3、SiO2−Bi2O3
−BeO、SiO2−Ga2O3、SiO2−La2O3、SiO2−
Ce2O3、SiO2−ZnO−AgO、SiO2−MgO−CuO
等をあげることができる。また、(2)Pd、Pt、Cr、
Fe、Ni、Co、Zn、Mo、CdおよびWから選ばれ
た少くとも1種の元素の硫化物またはセレン化物
(以下、触媒物質(2)と称する)を含有する触媒、
例えばPdS、PtS、CrS、FeS、NiS、CoS、
ZnS、MoS2、CdS、WS2、ZnSe、CdSe等をあげ
ることができる、また(3)Fe、Tl、Ca、Mn、Bi、
Sr、Y、Al、Zn、Cd、Ni、Mg、In、Be、Co、
Gaおよびランタナイド元素から選ばれた少くと
も1種の元素の無機塩、すなわちハロゲン化物、
炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、りん酸塩、ピロリン酸
塩、りんモリブデン酸塩、けいタングステン酸塩
(以下触媒物質(3)と称する)を含有する触媒、例
えば、硫酸第2鉄、硫酸タリウム、硫酸カルシウ
ム、硫酸マンガン、硫酸ビスマス、硫酸ストロン
チウム、硫酸イツトリウム、臭化カドミウム、硫
酸アルミニウム、硫酸亜鉛、硫酸ニツケル、塩化
カドミウム、硫酸マグネシウム、硫酸インジウ
ム、硫酸ベリリウム、硝酸カドミウム、硫酸コバ
ルト、硫酸アルミニウム亜鉛、塩化マグネシウ
ム、硫酸カドミウム、りん酸カドミウム、等をあ
げることができる。 さらに、金属触媒としては、Cu、Ag、Pt、
Pd、Ni、Co、Fe、Ir、Os、RuおよびRhから選
ばれた少くとも1種の元素(以下触媒物質(4)と称
する)を含有する触媒をあげることができる。 これらの触媒の中で、各群で最も好ましく使用
されるものは、触媒物質(1)の群では、SiO2−
ZnO−AgO、触媒物質(2)の群では硫化カドミウ
ム、触媒物質(3)の群では硫酸カドミウムであり、
また、金属触媒の中では、比表面積の大きな担体
に担持したAgである。 これらの固体酸触媒または金属触媒は、公知任
意の方法により製造することができる。すなわち
固体酸触媒のうち触媒物質(1)は、触媒構成元素の
水可溶性塩を加水分解して水酸化物とし、得られ
たゲルを乾燥、焼成する方法、または、易分解性
塩を空気中で熱分解する方法等により製造するこ
とができる。 固体酸触媒のうち触媒物質(2)は、触媒構成元素
の水可溶性塩に硫化ナトリウムまたはセレン化カ
リウムを加える方法、または、触媒構成元素また
はその塩を硫化水素ガスまたはセレン化水素ガス
と接触させる方法等により製造することができ
る。 さらに、金属触媒である触媒物質(4)は、触媒構
成元素の塩、水酸化物、または酸化物を水素、ホ
ルマリン、ギ酸、亜りん酸、ヒドラジン等の還元
剤で還元する方法等により製造できる。 これらの固体酸触媒または金属触媒は、前記の
触媒物質(1)、(2)、(3)、(4)をそれぞれ単独、あるい
は2種以上混合したもの、またはそれらを担体に
担持したものであつても良い。担体としては、一
般に使用されているものがいずれも使用できるが
通常、ケイソウ土、軽石、チタニア、シリカ−ア
ルミナ、アルミナ、マグネシア、シリカゲル、活
性炭、活性白土、石綿等が用いられる。これらの
担体に前記触媒物質を常法により担持させて担持
触媒を調製する。前記触媒物質の担体に対する担
持量にはとくに制限はなく通常、担体に応じて適
当量、たとえば1〜50%の前記触媒物質を担持さ
せてよい。 本発明のインドールの製造方法において、アニ
リンとエチレングリコールとの反応は、前記の触
媒の存在下、気相で実施し、反応器の形式は固定
床、流動床または移動床のいずれでも良いが、通
常、固定床である。 アニリンとエチレングリコールは、蒸気を加熱
下、触媒と接触させてインドールに転化するが、
この際アニリンとエチレングリコールの蒸気の稀
釈剤として、種々の不活性ガス状物質を共存させ
ることができる。このような不活性ガス状物質と
して、例えば、窒素ガス、炭酸ガス、水蒸気、水
素などを挙げることができる。特に水素の使用は
触媒の活性を維持するために好ましい。また、水
蒸気の使用は、エチレングリコールの触媒上での
分解を抑制するので、触媒の活性を維持し、イン
ドールの収率を上げるために好ましい。 反応装置に装入するアニリンとエチレングリコ
ールは、エチレングリコール1モルに対してアニ
リン1.0〜5.0モルの範囲、好ましくは2.0〜3.0モ
ルの範囲である。 アニリンとエチレングリコールは触媒に対する
液空間速度が0.01〜5/−触媒/hrとなるよ
うに、あらかじめ蒸気状とするか、または液状で
直接反応器に装入する。 反応温度は200〜600℃の範囲、好ましくは250
〜500℃の範囲である。 反応圧は加圧、常圧または減圧のいずれでも良
い。 本発明の方法では、以上のようなインドールの
製造方法において、エチレングリコールを触媒層
の入口および反応ガスの流れの方向にいくつか設
けた供給口から、エチレングリコールを分割して
触媒層に供給する。 本発明の方法の要点は、触媒層内のエチレング
リコール濃度を平準化すること、具体的には触媒
層内のエチレングリコールとアニリンのモル比m
(エチレングリコール1モルに対するアニリンの
モル数)の最小値Mを、5以上、好ましくは7以
上、より好ましくは10以上にすることにある。ま
た、反応液から分離回収すべきアニリンの量を減
らすことも本発明の目的なので、反応器に供給す
るエチレングリコールとアニリンのモル比A(分
割供給する全エチレングリコール1モルに対する
アニリンのモル数)は、5以下、好ましくは3以
下である。 エチレングリコールの分割供給は、以上述べた
条件を満すものであれば、分割供給の数および分
割割合について特に限定はない。 分割供給は、反応器の触媒層の原料入口側、お
よび触媒層の間に反応ガスの流れ方向に沿つて1
以上に設けられた個所(供給口という)から行な
う。一般には、触媒層を直列に2以上に分割し、
第1層のガス入口側および各触媒層の間にエチレ
ングリコール供給口を設け、これらの供給口から
分割されたエチレングリコールを供給する方法が
多用される。 エチレングリコールの分割割合は、操作の簡便
さから通常、触媒層入口にアニリンと共に供給す
る部分も含めて、全ての供給口に均等に分割され
る。全ての供給口に均等に分割して供給する場合
の必要な供給口の数nは、前記した条件を満たす
ために(3)式により算出することができる。 n≧(M−1)/(A−1) (3) 例えば、M=7、A=3とすると、n=3とな
りまたM=10、A=3とすると、n=5となる。
したがつて、供給口の数は、通常、アニリンと共
に触媒層入口に供給するものも含めて3〜5個と
なるが、この数に限定されるものではない。アニ
リンの一部をエチレングリコールと共に分割供給
してもよい。 以下、実施例により更に具体的に説明する。 実施例 1 図−1に示した反応装置を用いて実験を行なつ
た。図中、,,の内径25mmのステンレスス
チール製反応管に、3〜4mm粒径の触媒を夫々
160mlつづ充填し、直列に連結し反応に供した。
触媒は硫化カドミウムを圧縮成形したものであ
る。導管より水素ガスを2/minで反応管に
供給し触媒層の温度を常温から350℃まで、徐々
に上げ350℃に保つた。アニリンと33wt%エチレ
ングリコール水溶液を夫々75g/hr、16g/hrで
気化器を経由し、導入管より反応管に供給し
た。30分後に、33wt%エチレングリコール水溶
液を16g/hrで気化器を経由して導入管より供
給した。1時間後に、33wt%エチレングリコー
ル水溶液を16g/hrで気化器を経由して導入管
より供給した。ガス状反応混合物は導管を通
り、凝縮器で冷却され気液分離槽で気液分離
され、非凝縮性ガスは導管より大気に放出さ
れ、凝縮液を導管より間歇的に抜き出して分析
に供した。反応開始後、触媒活性の安定した24〜
27時間の間に得られた凝縮液を分析したところ、
インドール濃度は16.8重量%であり、エチレング
リコール基準の収率は68%であつた。 実施例 2,3,4 触媒を共沈法で調製したSiO2−ZnO(重量組成
比1:1、BET表面積260m2/g)担体にAgを
7wt%担持したもの、硫酸カドミウム、または共
沈法で調製したSiO2−ZnO−AgO(重量組成比
1:1:1)を硫化カドミウムにかえて触媒とし
たほかは、実施例1と同様に実験を行なつた。表
−1に結果を示す。
らインドールを製造する方法に関する。 更に詳しくは、アニリンとエチレングリコール
とから触媒の存在下、インドールを製造するに際
し、原料の1つであるエチレングリコールの触媒
層への供給方法に関する。 インドールは化学工業原料として知られ、特に
近年、香料やアミノ酸合成原料として重要な物質
となつてきている。 従来、インドールを合成しようという試みはい
くつかあつたがいずれも副生物が多いものや、原
料的にみて高価なものが多く、またインドールに
至るまでの工程が長く、操作が煩雑なものが多か
つた。しかし、最近に至り、安価な原料を用い、
且つ一段の工程でインドールを合成する方法とし
て、アニリンとエチレングリコールとを原料とす
る方法が見い出された。アニリンとエチレングリ
コールとからインドールを合成する反応の触媒と
しては、種々の固体酸触媒や金属触媒が提案され
ている。本発明者らの知見では提案されている
種々の触媒を用いて、アニリンとエチレングリコ
ールとからインドールを合成する際、インドール
を収率良く得るには、エチレングリコールに対し
て大過剰のアニリンを触媒層に供給することが必
要である。したがつてこの方法でインドールを製
造する場合は、得られる反応混合物に含まれる多
量のアニリンを分離、回収する必要がある。その
ために、過大な分離回収装置と多量のエネルギー
が必要であるという問題点があつた。 本発明者らは、反応装置に供給するエチレング
リコールに対するアニリンのモル比とインドール
の収率との関係を詳細に検討した結果、後記の参
考例に示すようにアニリンのモル比を大きくする
にしたがつて、エチレングリコール基準のインド
ール収率が増加することを見い出した。 また、液状およびガス状反応生成物の分析か
ら、アニリンとエチレングリコールは(1)式により
インドールを生成するが、(1)式の反応に併発して
(2)式によるエチレングリコールの分解反応が起つ
ていることを見い出した。 この(2)式による反応はアニリンのモル比が小さ
い程、より多く起る。その結果、インドールの収
率が低下することが判明した。 アニリンのモル比が小さいと(2)式の反応が起り
易く、(1)式の反応が抑えられる原因としては、つ
ぎのようなことが考えられる。まず第1に、(1)式
の反応が抑えられる原因としては、つぎのような
ことが考えられる。まず第1に、(1)式のアニリン
とエチレングリコールの関与する反応と、(2)式の
エチレングリコールのみが関与する反応とは、反
応系のそれぞれの分圧に左右され、アニリンのモ
ル比が小さいと反応系でのアニリンの分圧が減少
し、逆にエチレングリコールの分圧が上昇するの
で、(1)式の反応にくらべ(2)式の反応が起り易くな
ると考えられることである。第2に、第1の原因
にも増して重要なこととして、反応条件下で(1)式
の反応は40〜50Kcalの発熱反応であり、(2)式の
反応は40〜50Kcalの吸熱反応であるため、アニ
リンのモル比が小さいと、エチレングリコール濃
度の高い触媒層入口部分で(1)式の反応による発熱
が起り、局部的に温度の高い領域(いわゆるヒー
トスポツト)が形成される。その結果、そのよう
なヒートスポツトにおいて、吸熱反応である(2)式
の反応が促進されると考えられる。したがつて、
エチレングリコール濃度が高い程、すなわちアニ
リンモル比が小さい程、このようなヒートスポツ
トが出来易くなり、(2)式の分解反応が多く起りイ
ンドール収率が低下すると考えられることであ
る。 本発明者らは、このような考察に基づき、イン
ドール収率を落さず且つ反応器出口のインドール
濃度を上げる方法について鋭意検討した結果、触
媒層を多段に分割し、それらを直列に連結し、原
料であるエチレングリコールを各段に分割して供
給すると、インドール収率を落さず、且つ直列に
連結した触媒層出口のインドール濃度を高くでき
ることを見い出し本発明の方法に至つた。 すなわち、本発明は、アニリンとエチレングリ
コールを気相で、触媒の存在下反応させてインド
ールを製造するに際し、触媒層を通過する反応ガ
スの流れの方向に沿つて、エチレングリコールを
式() n≧(M−1)/(A−1) () (但し、nはエチレングリコールを全ての供給
口に均等に分割して供給する場合の必要な供給口
の数であり、Mは触媒層内のエチレングリコール
とアニリンのモル比mの最小値(M≧5)であ
り、Aは反応器に供給するエチレングリコールと
アニリンのモル比(A≦5)である。) に基づいて分割して供給することを特徴とするイ
ンドールの改良された製造方法である。 本発明の方法によると、反応器に供給する原料
のアニリンのエチレングリコールに対するモル比
が小さくても、触媒層内のエチレングリコール濃
度の分布が平準化されるので、局所的なヒートス
ポツトの形成が抑制される結果、(2)式の反応によ
るエチレングリコールの分解が抑制され、インド
ール収率が低下しないという効果が得られる。ま
た、反応器に供給されるアニリンのモル比を小さ
く出来るので、反応器出口のインドール濃度を高
めることができ、反応液から分離回収すべきアニ
リン量を減らすことが出来る。 本発明方法の対象となるインドールの製造方法
は、固体酸触媒または金属触媒の存在下、アニリ
ンとインドールとを反応させる方法である。この
方法において用いられる固体酸触媒としては、(1)
Si、Al、B、Sb、Bi、Sn、Pb、Ga、Ti、Zr、
Be、Mg、Y、Cu、Ag、Zn、Cdおよびランタナ
イド元素から選ばれた少くとも1種の元素の酸化
物または水酸化物(以下、触媒物質(1)と称する)
を含有する触媒、例えば、CdO、ZnO−Sb2O−
PbO2、Al2O3−B2O3、SiO2−CdO、SiO2−
Al2O3、SiO2−MgO、TiO2−SnO2、TiO2−
ZrO2、CdO−Bi2O3、SiO2−Y2O3、SiO2−Bi2O3
−BeO、SiO2−Ga2O3、SiO2−La2O3、SiO2−
Ce2O3、SiO2−ZnO−AgO、SiO2−MgO−CuO
等をあげることができる。また、(2)Pd、Pt、Cr、
Fe、Ni、Co、Zn、Mo、CdおよびWから選ばれ
た少くとも1種の元素の硫化物またはセレン化物
(以下、触媒物質(2)と称する)を含有する触媒、
例えばPdS、PtS、CrS、FeS、NiS、CoS、
ZnS、MoS2、CdS、WS2、ZnSe、CdSe等をあげ
ることができる、また(3)Fe、Tl、Ca、Mn、Bi、
Sr、Y、Al、Zn、Cd、Ni、Mg、In、Be、Co、
Gaおよびランタナイド元素から選ばれた少くと
も1種の元素の無機塩、すなわちハロゲン化物、
炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、りん酸塩、ピロリン酸
塩、りんモリブデン酸塩、けいタングステン酸塩
(以下触媒物質(3)と称する)を含有する触媒、例
えば、硫酸第2鉄、硫酸タリウム、硫酸カルシウ
ム、硫酸マンガン、硫酸ビスマス、硫酸ストロン
チウム、硫酸イツトリウム、臭化カドミウム、硫
酸アルミニウム、硫酸亜鉛、硫酸ニツケル、塩化
カドミウム、硫酸マグネシウム、硫酸インジウ
ム、硫酸ベリリウム、硝酸カドミウム、硫酸コバ
ルト、硫酸アルミニウム亜鉛、塩化マグネシウ
ム、硫酸カドミウム、りん酸カドミウム、等をあ
げることができる。 さらに、金属触媒としては、Cu、Ag、Pt、
Pd、Ni、Co、Fe、Ir、Os、RuおよびRhから選
ばれた少くとも1種の元素(以下触媒物質(4)と称
する)を含有する触媒をあげることができる。 これらの触媒の中で、各群で最も好ましく使用
されるものは、触媒物質(1)の群では、SiO2−
ZnO−AgO、触媒物質(2)の群では硫化カドミウ
ム、触媒物質(3)の群では硫酸カドミウムであり、
また、金属触媒の中では、比表面積の大きな担体
に担持したAgである。 これらの固体酸触媒または金属触媒は、公知任
意の方法により製造することができる。すなわち
固体酸触媒のうち触媒物質(1)は、触媒構成元素の
水可溶性塩を加水分解して水酸化物とし、得られ
たゲルを乾燥、焼成する方法、または、易分解性
塩を空気中で熱分解する方法等により製造するこ
とができる。 固体酸触媒のうち触媒物質(2)は、触媒構成元素
の水可溶性塩に硫化ナトリウムまたはセレン化カ
リウムを加える方法、または、触媒構成元素また
はその塩を硫化水素ガスまたはセレン化水素ガス
と接触させる方法等により製造することができ
る。 さらに、金属触媒である触媒物質(4)は、触媒構
成元素の塩、水酸化物、または酸化物を水素、ホ
ルマリン、ギ酸、亜りん酸、ヒドラジン等の還元
剤で還元する方法等により製造できる。 これらの固体酸触媒または金属触媒は、前記の
触媒物質(1)、(2)、(3)、(4)をそれぞれ単独、あるい
は2種以上混合したもの、またはそれらを担体に
担持したものであつても良い。担体としては、一
般に使用されているものがいずれも使用できるが
通常、ケイソウ土、軽石、チタニア、シリカ−ア
ルミナ、アルミナ、マグネシア、シリカゲル、活
性炭、活性白土、石綿等が用いられる。これらの
担体に前記触媒物質を常法により担持させて担持
触媒を調製する。前記触媒物質の担体に対する担
持量にはとくに制限はなく通常、担体に応じて適
当量、たとえば1〜50%の前記触媒物質を担持さ
せてよい。 本発明のインドールの製造方法において、アニ
リンとエチレングリコールとの反応は、前記の触
媒の存在下、気相で実施し、反応器の形式は固定
床、流動床または移動床のいずれでも良いが、通
常、固定床である。 アニリンとエチレングリコールは、蒸気を加熱
下、触媒と接触させてインドールに転化するが、
この際アニリンとエチレングリコールの蒸気の稀
釈剤として、種々の不活性ガス状物質を共存させ
ることができる。このような不活性ガス状物質と
して、例えば、窒素ガス、炭酸ガス、水蒸気、水
素などを挙げることができる。特に水素の使用は
触媒の活性を維持するために好ましい。また、水
蒸気の使用は、エチレングリコールの触媒上での
分解を抑制するので、触媒の活性を維持し、イン
ドールの収率を上げるために好ましい。 反応装置に装入するアニリンとエチレングリコ
ールは、エチレングリコール1モルに対してアニ
リン1.0〜5.0モルの範囲、好ましくは2.0〜3.0モ
ルの範囲である。 アニリンとエチレングリコールは触媒に対する
液空間速度が0.01〜5/−触媒/hrとなるよ
うに、あらかじめ蒸気状とするか、または液状で
直接反応器に装入する。 反応温度は200〜600℃の範囲、好ましくは250
〜500℃の範囲である。 反応圧は加圧、常圧または減圧のいずれでも良
い。 本発明の方法では、以上のようなインドールの
製造方法において、エチレングリコールを触媒層
の入口および反応ガスの流れの方向にいくつか設
けた供給口から、エチレングリコールを分割して
触媒層に供給する。 本発明の方法の要点は、触媒層内のエチレング
リコール濃度を平準化すること、具体的には触媒
層内のエチレングリコールとアニリンのモル比m
(エチレングリコール1モルに対するアニリンの
モル数)の最小値Mを、5以上、好ましくは7以
上、より好ましくは10以上にすることにある。ま
た、反応液から分離回収すべきアニリンの量を減
らすことも本発明の目的なので、反応器に供給す
るエチレングリコールとアニリンのモル比A(分
割供給する全エチレングリコール1モルに対する
アニリンのモル数)は、5以下、好ましくは3以
下である。 エチレングリコールの分割供給は、以上述べた
条件を満すものであれば、分割供給の数および分
割割合について特に限定はない。 分割供給は、反応器の触媒層の原料入口側、お
よび触媒層の間に反応ガスの流れ方向に沿つて1
以上に設けられた個所(供給口という)から行な
う。一般には、触媒層を直列に2以上に分割し、
第1層のガス入口側および各触媒層の間にエチレ
ングリコール供給口を設け、これらの供給口から
分割されたエチレングリコールを供給する方法が
多用される。 エチレングリコールの分割割合は、操作の簡便
さから通常、触媒層入口にアニリンと共に供給す
る部分も含めて、全ての供給口に均等に分割され
る。全ての供給口に均等に分割して供給する場合
の必要な供給口の数nは、前記した条件を満たす
ために(3)式により算出することができる。 n≧(M−1)/(A−1) (3) 例えば、M=7、A=3とすると、n=3とな
りまたM=10、A=3とすると、n=5となる。
したがつて、供給口の数は、通常、アニリンと共
に触媒層入口に供給するものも含めて3〜5個と
なるが、この数に限定されるものではない。アニ
リンの一部をエチレングリコールと共に分割供給
してもよい。 以下、実施例により更に具体的に説明する。 実施例 1 図−1に示した反応装置を用いて実験を行なつ
た。図中、,,の内径25mmのステンレスス
チール製反応管に、3〜4mm粒径の触媒を夫々
160mlつづ充填し、直列に連結し反応に供した。
触媒は硫化カドミウムを圧縮成形したものであ
る。導管より水素ガスを2/minで反応管に
供給し触媒層の温度を常温から350℃まで、徐々
に上げ350℃に保つた。アニリンと33wt%エチレ
ングリコール水溶液を夫々75g/hr、16g/hrで
気化器を経由し、導入管より反応管に供給し
た。30分後に、33wt%エチレングリコール水溶
液を16g/hrで気化器を経由して導入管より供
給した。1時間後に、33wt%エチレングリコー
ル水溶液を16g/hrで気化器を経由して導入管
より供給した。ガス状反応混合物は導管を通
り、凝縮器で冷却され気液分離槽で気液分離
され、非凝縮性ガスは導管より大気に放出さ
れ、凝縮液を導管より間歇的に抜き出して分析
に供した。反応開始後、触媒活性の安定した24〜
27時間の間に得られた凝縮液を分析したところ、
インドール濃度は16.8重量%であり、エチレング
リコール基準の収率は68%であつた。 実施例 2,3,4 触媒を共沈法で調製したSiO2−ZnO(重量組成
比1:1、BET表面積260m2/g)担体にAgを
7wt%担持したもの、硫酸カドミウム、または共
沈法で調製したSiO2−ZnO−AgO(重量組成比
1:1:1)を硫化カドミウムにかえて触媒とし
たほかは、実施例1と同様に実験を行なつた。表
−1に結果を示す。
【表】
比較例 1,2,3,4
導入管,を用いず33wt%エチレングリコ
ール水溶液を48g/hrで、アニリン(75g/hr)
と共に導入管より供給したほかは実施例1,
2,3,4と同様にして実験を行なつた。表−2
に結果を示す。
ール水溶液を48g/hrで、アニリン(75g/hr)
と共に導入管より供給したほかは実施例1,
2,3,4と同様にして実験を行なつた。表−2
に結果を示す。
【表】
参考例
内径10mmのパイレツクスガラス製流通式反応管
に、硫化カドミウム触媒5mlを充填し反応に供し
た。反応管に水素ガスを20ml/minで流しなが
ら、反応管の外壁温度を室温から350℃に徐々に
昇温し350℃に保つた。触媒層内の温度分布を測
定し、いずれの部分も350℃であることを確認し
た後、33wt%エチレングリコール水溶液を0.48
g/hrで、またアニリンを表−3に示す速度で
夫々気化器を通して触媒層に供給した。反応開始
1時間後から2時間に亘つて反応液を採取し、イ
ンドール収率を求めるため分析を行つた。また触
媒層内の温度分布を測定しヒートスポツトの形成
を調べた。エチレングリコールとアニリンのモル
比とエチレングリコール基準のインドール収率お
よびヒートスポツト温度の関係を表−3に示し
た。
に、硫化カドミウム触媒5mlを充填し反応に供し
た。反応管に水素ガスを20ml/minで流しなが
ら、反応管の外壁温度を室温から350℃に徐々に
昇温し350℃に保つた。触媒層内の温度分布を測
定し、いずれの部分も350℃であることを確認し
た後、33wt%エチレングリコール水溶液を0.48
g/hrで、またアニリンを表−3に示す速度で
夫々気化器を通して触媒層に供給した。反応開始
1時間後から2時間に亘つて反応液を採取し、イ
ンドール収率を求めるため分析を行つた。また触
媒層内の温度分布を測定しヒートスポツトの形成
を調べた。エチレングリコールとアニリンのモル
比とエチレングリコール基準のインドール収率お
よびヒートスポツト温度の関係を表−3に示し
た。
図−1は実施例1で使用した反応装置の概略図
を示す。なお、図−1中の各記号の意味は次の通
りである。 ……アニリン導入管、……水素導管、,
,……エチレングリコール導入管、,,
……反応管、……導管、……凝縮器、,
……導管、……気液分離槽。
を示す。なお、図−1中の各記号の意味は次の通
りである。 ……アニリン導入管、……水素導管、,
,……エチレングリコール導入管、,,
……反応管、……導管、……凝縮器、,
……導管、……気液分離槽。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アニリンとエチレングリコールを気相で、触
媒の存在下反応させてインドールを製造するに際
し、触媒層を通過する反応ガスの流れの方向に沿
つて、エチレングリコールを式() n≧(M−1)/(A−1) () (但し、nはエチレングリコールを全ての供給
口に均等に分割して供給する場合の必要な供給口
の数であり、Mは触媒層内のエチレングリコール
とアニリンのモル比mの最小値(M≧5)であ
り、Aは反応器に供給するエチレングリコールと
アニリンのモル比(A≦5)である。) に基づいて分割して供給することを特徴とするイ
ンドールの改良された製造方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56132096A JPS5835171A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | インド−ルの改良された製造方法 |
CH2395/83A CH652393A5 (de) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Kontinuierliches verfahren zur herstellung von indol. |
EP82902543A EP0086239B1 (en) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Improved process for preparing indole |
KR8203832A KR860001577B1 (ko) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | 인돌의 개량된 제조방법 |
CA000410126A CA1172643A (en) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Preparation process of indole |
US06/502,016 US4474969A (en) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Preparation process of indole |
DE3248986T DE3248986C2 (de) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Verfahren zur Herstellung von Indol aus Anilin und Äthylenglycol |
NL8220298A NL8220298A (nl) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Verbeterde bereidingswerkwijze van indool. |
GB08310651A GB2116558B (en) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Improved process for preparing indole |
PCT/JP1982/000337 WO1983000691A1 (en) | 1981-08-25 | 1982-08-25 | Improved process for preparing indole |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56132096A JPS5835171A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | インド−ルの改良された製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5835171A JPS5835171A (ja) | 1983-03-01 |
JPH0243737B2 true JPH0243737B2 (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=15073377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56132096A Granted JPS5835171A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | インド−ルの改良された製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4474969A (ja) |
EP (1) | EP0086239B1 (ja) |
JP (1) | JPS5835171A (ja) |
KR (1) | KR860001577B1 (ja) |
CA (1) | CA1172643A (ja) |
CH (1) | CH652393A5 (ja) |
DE (1) | DE3248986C2 (ja) |
GB (1) | GB2116558B (ja) |
NL (1) | NL8220298A (ja) |
WO (1) | WO1983000691A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58225061A (ja) * | 1982-06-24 | 1983-12-27 | Mitsui Toatsu Chem Inc | インド−ル類化合物の製造法 |
US4833255A (en) * | 1984-05-16 | 1989-05-23 | Ciba-Geigy Corporation | Process for the preparation of indoline |
EP0162015B1 (de) * | 1984-05-16 | 1991-12-04 | Ciba-Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung von Indolinen |
JPS61151171A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-09 | Mitsui Toatsu Chem Inc | インド−ルの製造方法 |
JPH04118390U (ja) * | 1991-03-31 | 1992-10-22 | ソニー株式会社 | カセツトホルダ |
CN100418625C (zh) * | 2006-01-26 | 2008-09-17 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种合成吲哚的催化剂及其制备方法 |
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---|---|---|---|---|
JPS5653652A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Preparation of indole or indole derivative |
JPS5673060A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-17 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Preparation of indoel or indole derivative |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3656911A (en) * | 1970-06-08 | 1972-04-18 | Phillips Petroleum Co | Control system for hydrogenation reactions |
JPS5938948B2 (ja) * | 1979-09-04 | 1984-09-20 | 宇部興産株式会社 | インド−ル類の製法 |
JPS5646865A (en) * | 1979-09-27 | 1981-04-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Preparation of indole or indole derivative |
JPS5655366A (en) * | 1979-10-15 | 1981-05-15 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Preparation of indoles |
JPS5663958A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Preparation of indole or its derivative |
JPS56110672A (en) * | 1980-02-05 | 1981-09-01 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Preparation of indole or indole derivative |
JPS56150062A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-20 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Production of indole or indole derivative |
JPS5923306B2 (ja) * | 1980-06-03 | 1984-06-01 | 三井東圧化学株式会社 | インド−ルまたはインド−ル誘導体の製造方法 |
JPS56501049A (ja) * | 1981-03-25 | 1981-07-30 |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP56132096A patent/JPS5835171A/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-25 GB GB08310651A patent/GB2116558B/en not_active Expired
- 1982-08-25 DE DE3248986T patent/DE3248986C2/de not_active Expired
- 1982-08-25 CA CA000410126A patent/CA1172643A/en not_active Expired
- 1982-08-25 KR KR8203832A patent/KR860001577B1/ko active
- 1982-08-25 US US06/502,016 patent/US4474969A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-08-25 WO PCT/JP1982/000337 patent/WO1983000691A1/ja active IP Right Grant
- 1982-08-25 EP EP82902543A patent/EP0086239B1/en not_active Expired
- 1982-08-25 NL NL8220298A patent/NL8220298A/nl active Search and Examination
- 1982-08-25 CH CH2395/83A patent/CH652393A5/de not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5653652A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Preparation of indole or indole derivative |
JPS5673060A (en) * | 1979-11-20 | 1981-06-17 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Preparation of indoel or indole derivative |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0086239A4 (en) | 1984-04-13 |
WO1983000691A1 (en) | 1983-03-03 |
NL8220298A (nl) | 1983-07-01 |
DE3248986T1 (de) | 1983-10-20 |
DE3248986C2 (de) | 1986-02-13 |
GB8310651D0 (en) | 1983-05-25 |
GB2116558B (en) | 1985-08-07 |
JPS5835171A (ja) | 1983-03-01 |
EP0086239B1 (en) | 1987-01-28 |
CA1172643A (en) | 1984-08-14 |
KR840001136A (ko) | 1984-03-28 |
CH652393A5 (de) | 1985-11-15 |
EP0086239A1 (en) | 1983-08-24 |
GB2116558A (en) | 1983-09-28 |
US4474969A (en) | 1984-10-02 |
KR860001577B1 (ko) | 1986-10-10 |
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