JPH0239136B2 - - Google Patents
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- JPH0239136B2 JPH0239136B2 JP56107656A JP10765681A JPH0239136B2 JP H0239136 B2 JPH0239136 B2 JP H0239136B2 JP 56107656 A JP56107656 A JP 56107656A JP 10765681 A JP10765681 A JP 10765681A JP H0239136 B2 JPH0239136 B2 JP H0239136B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sub
- bits
- voltage
- encoder
- analog input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/34—Analogue value compared with reference values
- H03M1/36—Analogue value compared with reference values simultaneously only, i.e. parallel type
- H03M1/361—Analogue value compared with reference values simultaneously only, i.e. parallel type having a separate comparator and reference value for each quantisation level, i.e. full flash converter type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
高速のA/Dコンバータには、主として第1図
に示すような並列型と、第2図に示すような直並
列型とがある。
に示すような並列型と、第2図に示すような直並
列型とがある。
すなわち、第1図の並列型A/Dコンバータは
8ビツトのA/D変換を行う場合であるが、255
個の電圧比較回路A1〜A255を有し、この比較回
路A1〜255において、アアナログ入力電圧Vioが
255ステツプの基準電圧V1〜V255とそれぞれ電圧
比較され、その比較出力がエンコーダENCに供
給されて8ビツトのデジタル出力D0〜D7が取り
出される。
8ビツトのA/D変換を行う場合であるが、255
個の電圧比較回路A1〜A255を有し、この比較回
路A1〜255において、アアナログ入力電圧Vioが
255ステツプの基準電圧V1〜V255とそれぞれ電圧
比較され、その比較出力がエンコーダENCに供
給されて8ビツトのデジタル出力D0〜D7が取り
出される。
また、第2図の直並列型A/Dコンバータも8
ビツトのA/D変換を行うものであるが、入力電
圧Vioが前段の4ビツトの並列型A/Dコンバー
タに供給されて上位4ビツトのデジタル出力D7
〜D4が取り出される。そして、この4ビツトD7
〜D4がD/AコンバータCONVに供給されてア
ナログ電圧Vnに変換され、電圧Vioと電圧Vnと
の差電圧(Vio−Vn)が後段の4ビツトの並列型
A/Dコンバータに供給されて下位4ビツトのデ
ジタル出力D3〜D0が取り出される。
ビツトのA/D変換を行うものであるが、入力電
圧Vioが前段の4ビツトの並列型A/Dコンバー
タに供給されて上位4ビツトのデジタル出力D7
〜D4が取り出される。そして、この4ビツトD7
〜D4がD/AコンバータCONVに供給されてア
ナログ電圧Vnに変換され、電圧Vioと電圧Vnと
の差電圧(Vio−Vn)が後段の4ビツトの並列型
A/Dコンバータに供給されて下位4ビツトのデ
ジタル出力D3〜D0が取り出される。
しかし、第1図の並列型A/Dコンバータで
は、アナログ入力電圧Vioをnビツトのデジタル
出力に変換する場合、(2n−1)個の電圧比較回
路を必要とし、素子数が多くなつてIC化した場
合のチツプサイズが大きくなると共に、消費電力
が大きくなつてしまう。
は、アナログ入力電圧Vioをnビツトのデジタル
出力に変換する場合、(2n−1)個の電圧比較回
路を必要とし、素子数が多くなつてIC化した場
合のチツプサイズが大きくなると共に、消費電力
が大きくなつてしまう。
その点、第2図の直並列型A/Dコンバータで
は、(m+n)ビツトのデジタル出力に変換する
場合でも、電圧比較回路は(2m+2n−2)個でよ
く。従つて、チツプサイズや消費電力を小さくで
きる。しかし、このコンバータでは、D/Aコン
バータCONVを必要としてしまう。しかも、上
位ビツト変換用の前段のA/Dコンバータと、
D/AコンバータCONVとの間に誤差があると、
これがそのまま変換誤差として現れ、上位ビツト
と下位ビツトとの接なぎ目で誤差を生じてしま
う。すなわち、アナログ入力電圧Vioが例えば単
調増加していくとき、デジタル出力の下位ビツト
から上位ビツトへ桁上げがある点で、デジタル出
力が小さくなり、単調増加しなくなつてしまう。
は、(m+n)ビツトのデジタル出力に変換する
場合でも、電圧比較回路は(2m+2n−2)個でよ
く。従つて、チツプサイズや消費電力を小さくで
きる。しかし、このコンバータでは、D/Aコン
バータCONVを必要としてしまう。しかも、上
位ビツト変換用の前段のA/Dコンバータと、
D/AコンバータCONVとの間に誤差があると、
これがそのまま変換誤差として現れ、上位ビツト
と下位ビツトとの接なぎ目で誤差を生じてしま
う。すなわち、アナログ入力電圧Vioが例えば単
調増加していくとき、デジタル出力の下位ビツト
から上位ビツトへ桁上げがある点で、デジタル出
力が小さくなり、単調増加しなくなつてしまう。
この発明は、これらの問題点を一掃したA/D
コンバータを提供しようとするものである。
コンバータを提供しようとするものである。
以下その一例について説明しよう。なお、この
例においてはアナログ入力電圧Vioを4ビツトの
デジタル出力D3〜D0に変換する場合である。
例においてはアナログ入力電圧Vioを4ビツトの
デジタル出力D3〜D0に変換する場合である。
第3図において、上位ビツト用として3個の電
圧比較回路M1〜M3が設けられると共に、下位ビ
ツト用として3個の電圧比較回路N1〜N3が設け
られ、これら比較回路M1〜M3,N1〜N3にアナ
ログ入力電圧Vioが共通に供給される。また、基
準電圧源Vrと接地との間に、16個の互いに等し
い値の抵抗器R16〜R1が直列接続され、その4個
の抵抗器R1〜R4,R5〜R8,R9〜R12,R13〜R16
をそれぞれ1組とし、その組と組との接続点、す
なわち、抵抗器R4とR5,R8とR9,R12とR13との
各接続点が比較回路M1〜M3の入力端にそれぞれ
接続される。
圧比較回路M1〜M3が設けられると共に、下位ビ
ツト用として3個の電圧比較回路N1〜N3が設け
られ、これら比較回路M1〜M3,N1〜N3にアナ
ログ入力電圧Vioが共通に供給される。また、基
準電圧源Vrと接地との間に、16個の互いに等し
い値の抵抗器R16〜R1が直列接続され、その4個
の抵抗器R1〜R4,R5〜R8,R9〜R12,R13〜R16
をそれぞれ1組とし、その組と組との接続点、す
なわち、抵抗器R4とR5,R8とR9,R12とR13との
各接続点が比較回路M1〜M3の入力端にそれぞれ
接続される。
さらに、抵抗器R1とR2,R7とR8,R9とR10,
R15とR16との各接続点と、比較回路N1の入力端
との間に、MOS―FET(Q11〜Q41)のソース・
ドレイン間がそれぞれ接続され、抵抗器R2とR3,
R6とR7,R10とR11,R14とR15との各接続点と、
比較回路N2の入力端との間に、MOS―FET(Q12
〜Q42)のソース・ドレイン間がそれぞれ接続さ
れると共に、抵抗器R3とR4,R5とR6,R11と
R12,R13とR14との各接続点と、比較回路N3の入
力端との間に、MOS―FET(Q13〜Q43)のソー
ス・ドレイン間がそれぞれ接続される。
R15とR16との各接続点と、比較回路N1の入力端
との間に、MOS―FET(Q11〜Q41)のソース・
ドレイン間がそれぞれ接続され、抵抗器R2とR3,
R6とR7,R10とR11,R14とR15との各接続点と、
比較回路N2の入力端との間に、MOS―FET(Q12
〜Q42)のソース・ドレイン間がそれぞれ接続さ
れると共に、抵抗器R3とR4,R5とR6,R11と
R12,R13とR14との各接続点と、比較回路N3の入
力端との間に、MOS―FET(Q13〜Q43)のソー
ス・ドレイン間がそれぞれ接続される。
そして、比較回路M1〜M3の比較出力P1〜P3が
上位ビツト用のエンコーダENCMに供給されて
デジタル出力の上位2ビツトD3,D2が取り出さ
れると共に、制御信号B1〜B4が取り出され、こ
の信号B1〜B4がFET(Q11〜Q13),(Q21〜Q23),
(Q31〜Q33),(Q41〜Q43)のゲートにそれぞれ供
給される。
上位ビツト用のエンコーダENCMに供給されて
デジタル出力の上位2ビツトD3,D2が取り出さ
れると共に、制御信号B1〜B4が取り出され、こ
の信号B1〜B4がFET(Q11〜Q13),(Q21〜Q23),
(Q31〜Q33),(Q41〜Q43)のゲートにそれぞれ供
給される。
また、比較回路N1〜N3の比較出力Q1〜Q3が下
位ビツト用のエンコーダENCNに供給されてデ
ジタル出力の下位ビツトD1,D0が取り出される
と共に、エンコーダENCMから制御信号S0がエ
ンコーダENCNに供給される。
位ビツト用のエンコーダENCNに供給されてデ
ジタル出力の下位ビツトD1,D0が取り出される
と共に、エンコーダENCMから制御信号S0がエ
ンコーダENCNに供給される。
なお、第4図及び第5図にエンコーダENCM,
ENCNの真理値表を示す。
ENCNの真理値表を示す。
このような構成において、比較回路M1〜M3,
N1〜N3に供給される基準電圧をVn1〜Vn3,Vo1
〜Vo3とする。そして、今、アナログ入力電圧Vio
が、例えば第3図に点として示すように、抵抗
器R6とR7との接続点の電位に等しいとする。す
ると、点の電位、すなわち、入力電圧Vioは、
Vio>Vn1,Vio<Vn2,Vio<Vn3なので、P1=
“1”,P2=“0”,P3=“0”となり、従つて、第
4図からD3=“0”,D2=“1”となる。
N1〜N3に供給される基準電圧をVn1〜Vn3,Vo1
〜Vo3とする。そして、今、アナログ入力電圧Vio
が、例えば第3図に点として示すように、抵抗
器R6とR7との接続点の電位に等しいとする。す
ると、点の電位、すなわち、入力電圧Vioは、
Vio>Vn1,Vio<Vn2,Vio<Vn3なので、P1=
“1”,P2=“0”,P3=“0”となり、従つて、第
4図からD3=“0”,D2=“1”となる。
また、このとき、B1=“0”,B2=“1”,B3=
“0”,B4=“0”になるので、FET(Q21,Q22,
Q23)だけがオンとなり、抵抗器R8〜R5の各接続
点の電位がFET(Q21〜Q23)を通じて比較回路N1
〜N3に電圧Vo1〜Vo3として供給される。そして、
このとき、入力電圧Vioは点の電位に等しいの
で、Vio<Vo1,Vio=Vo2,Vio>Vo3であり、従つ
て、Q1=“0”,Q2=“1”,Q3=“1”になると共
に、第4図からS0=“1”なので、第5図からD1
=“1”,D0=“0”となる。
“0”,B4=“0”になるので、FET(Q21,Q22,
Q23)だけがオンとなり、抵抗器R8〜R5の各接続
点の電位がFET(Q21〜Q23)を通じて比較回路N1
〜N3に電圧Vo1〜Vo3として供給される。そして、
このとき、入力電圧Vioは点の電位に等しいの
で、Vio<Vo1,Vio=Vo2,Vio>Vo3であり、従つ
て、Q1=“0”,Q2=“1”,Q3=“1”になると共
に、第4図からS0=“1”なので、第5図からD1
=“1”,D0=“0”となる。
従つて、アナログ入力電圧Vioが点の電位に
等しいときには、デジタル出力D3〜D0として
“0110”が得られる。そして、点の電位は、接
地側から数えて第6番目のステツプの電位であり
(接地電位を0番目とする)、6=“0110”である
から、D3〜D0=“0110”は正しいデジタル出力で
ある。
等しいときには、デジタル出力D3〜D0として
“0110”が得られる。そして、点の電位は、接
地側から数えて第6番目のステツプの電位であり
(接地電位を0番目とする)、6=“0110”である
から、D3〜D0=“0110”は正しいデジタル出力で
ある。
また、アナログ入力電圧Vioが、例えば第3図
に点として示すように、抵抗器R9とR10との接
続点の電位に等しいとすれば、点の電位、すな
わち、入力電圧Vioは、Vio>Vn1,Vio>Vn2,Vio
<Vn3なので、P0=“1”,P2=“1”,P3=“0”
となり、第4図からD3=“1”,D2=“0”とな
る。
に点として示すように、抵抗器R9とR10との接
続点の電位に等しいとすれば、点の電位、すな
わち、入力電圧Vioは、Vio>Vn1,Vio>Vn2,Vio
<Vn3なので、P0=“1”,P2=“1”,P3=“0”
となり、第4図からD3=“1”,D2=“0”とな
る。
また、このとき、B1=“0”,B2=“0”,B3=
“1”,B4=“0”になるので、FET(Q31,Q32,
Q33)だけがオンとなり、抵抗器R9〜R12の各接
続点の電位がFET(Q31〜Q33)を通じて比較回路
N1〜N3に電圧Vo1〜Vo3として供給される。そし
て、このとき、入力電圧Vioは点の電位に等し
いので、Vio=Vo1,Vio<Vo2,Vio<Vo3であり、
従つて、Q1=“1”,Q2=“0”,Q3=“0”になる
と共に、S0=“0”なので、第5図からD1=
“0”,D0=“1”となる。
“1”,B4=“0”になるので、FET(Q31,Q32,
Q33)だけがオンとなり、抵抗器R9〜R12の各接
続点の電位がFET(Q31〜Q33)を通じて比較回路
N1〜N3に電圧Vo1〜Vo3として供給される。そし
て、このとき、入力電圧Vioは点の電位に等し
いので、Vio=Vo1,Vio<Vo2,Vio<Vo3であり、
従つて、Q1=“1”,Q2=“0”,Q3=“0”になる
と共に、S0=“0”なので、第5図からD1=
“0”,D0=“1”となる。
従つて、アナログ入力電圧Vioが点の電位に
等しいときには、デジタル出力D3〜D0として
“1001”が得られる。そして、点の電位は、接
地側から数えて第9番目のステツプの電位である
から、D3〜D0=“1001”は正しいデジタル出力で
ある。
等しいときには、デジタル出力D3〜D0として
“1001”が得られる。そして、点の電位は、接
地側から数えて第9番目のステツプの電位である
から、D3〜D0=“1001”は正しいデジタル出力で
ある。
このようにして、この発明によれば、A/D変
換が行われるが、この場合、特にこの発明によれ
ば、例えば第3図にも示すように、抵抗器R1〜
R16の組ごとに得られる電圧とアナログ入力電圧
Vioとを電圧比較してデジタル出力力の上位ビツ
トD3,D2が得ると共に、その抵抗器の組を選択
し、この選択された抵抗器の組の中の抵抗器ごと
に得られる電圧と入力電圧Vioとを電圧比較して
デジタル出力の下位ビツトD1,D0を得ているの
で、電圧比較回路の数を少なくできる。すなわ
ち、デジタル出力の上位ビツトがmビツト、下位
ビツトがnビツトとすれば、上位ビツト用の電圧
比較回路は(2m−1)個、下位ビツト用の電圧比
較回路は(2n−1)個となり、その数を少なくで
きる。従つて、IC化したときのチツプサイズを
小さくできると共に、消費電力を小さくできる。
換が行われるが、この場合、特にこの発明によれ
ば、例えば第3図にも示すように、抵抗器R1〜
R16の組ごとに得られる電圧とアナログ入力電圧
Vioとを電圧比較してデジタル出力力の上位ビツ
トD3,D2が得ると共に、その抵抗器の組を選択
し、この選択された抵抗器の組の中の抵抗器ごと
に得られる電圧と入力電圧Vioとを電圧比較して
デジタル出力の下位ビツトD1,D0を得ているの
で、電圧比較回路の数を少なくできる。すなわ
ち、デジタル出力の上位ビツトがmビツト、下位
ビツトがnビツトとすれば、上位ビツト用の電圧
比較回路は(2m−1)個、下位ビツト用の電圧比
較回路は(2n−1)個となり、その数を少なくで
きる。従つて、IC化したときのチツプサイズを
小さくできると共に、消費電力を小さくできる。
また、IC化するとき、各素子を例えば第3図
に示すような位置関係にレイアウトできるので、
半導体チツプを有効に利用でき、この点からも小
型化ができる。さらに、スイツチ回路Q11〜Q43
をマトリツクス状に配置するとともに、基準電圧
を与える抵抗器R1〜R16を、ジグザグ状にレイア
ウトしているので、ある抵抗器Rと次の抵抗器R
との間の配線の抵抗分を、一様にでき、したがつ
て、正確な基準電圧を得ることができるので、高
精度のA/D変換を行うことができる。
に示すような位置関係にレイアウトできるので、
半導体チツプを有効に利用でき、この点からも小
型化ができる。さらに、スイツチ回路Q11〜Q43
をマトリツクス状に配置するとともに、基準電圧
を与える抵抗器R1〜R16を、ジグザグ状にレイア
ウトしているので、ある抵抗器Rと次の抵抗器R
との間の配線の抵抗分を、一様にでき、したがつ
て、正確な基準電圧を得ることができるので、高
精度のA/D変換を行うことができる。
さらに、抵抗器R1〜R16から得られる電圧を、
上位ビツトD3,D2及び下位ビツトD1,D0を得る
ときの基準電圧として共通に使用しているので、
アナログ入力電圧Vioとデジタル出力D3〜D0との
間の単調性が完全であり、誤差を生じることがな
い。
上位ビツトD3,D2及び下位ビツトD1,D0を得る
ときの基準電圧として共通に使用しているので、
アナログ入力電圧Vioとデジタル出力D3〜D0との
間の単調性が完全であり、誤差を生じることがな
い。
なお、上述において、抵抗器R16はなくてもよ
い。
い。
第1図、第2図、第4図、第5図はこの発明を
説明するための図、第3図はこの発明の一例の接
続図である。 M1〜M3,N1〜N3は電圧比較回路、ENCM,
ENCNはエンコーダである。
説明するための図、第3図はこの発明の一例の接
続図である。 M1〜M3,N1〜N3は電圧比較回路、ENCM,
ENCNはエンコーダである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アナログ入力電圧を(m+n)ビツト(m,
nは正の整数)のデジタル出力信号にA/D変換
するA/Dコンバータにおいて、 2m行×(2n−1)列のマトリツクス状に配置さ
れた2m×(2n−1)個のスイツチ回路Qと、 これらスイツチ回路Qに(2m+n−1)ステツプ
の基準電圧を供給する少なくとも(2m+n−1)個
の抵抗器Rと、 上記スイツチ回路Qの各行ごとに設けられ、上
記基準電圧のうちの2nステツプごとの基準電圧
と、上記アナログ入力電圧とが供給される(2m−
1)個の上位ビツト用の電圧比較回路Mと、 上記スイツチ回路Aの各列ごとに設けられ、上
記アナログ入力電圧と、上記スイツチ回路Qの出
力のうちの各行ごとの出力とが供給される下位ビ
ツト用の電圧比較回路Nと、 上記上位ビツト用の電圧比較回路Mの出力をエ
ンコードする第1のエンコーダと、 上記下位ビツト用の電圧比較回路Nの出力をエ
ンコードする第2のエンコーダとを有し、 上記抵抗器Rは、2n個ごとに折り返されてジグ
ザグ上にレイアウトされ、 上記スイツチ回路Qには、上記基準電圧のうち
の上記2nステツプごとの基準電圧を除く基準電圧
が供給され、 上記第1のエンコーダから上記アナログ入力電
圧の上位mビツトのA/D変換出力が取り出され
るとともに、 上記スイツチ回路Qの制御出力が取り出され、 上記第2のエンコーダから上記アナログ入力電
圧の下位nビツトのA/D変換出力が取り出され
るとともに、 上記第1のエンコーダの出力により、上記第2
のエンコーダのエンコードが補正制御されるよう
にしたA/Dコンバータ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56107656A JPS589426A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | A/dコンバ−タ |
CA000406882A CA1194600A (en) | 1981-07-10 | 1982-07-08 | Analog-to-digital converter |
US06/396,499 US4533903A (en) | 1981-07-10 | 1982-07-08 | Analog-to-digital converter |
AT82303629T ATE25794T1 (de) | 1981-07-10 | 1982-07-09 | Analog-digital umwandler. |
EP82303629A EP0070175B1 (en) | 1981-07-10 | 1982-07-09 | Analog-to-digital converters |
DE8282303629T DE3275620D1 (en) | 1981-07-10 | 1982-07-09 | Analog-to-digital converters |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56107656A JPS589426A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | A/dコンバ−タ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS589426A JPS589426A (ja) | 1983-01-19 |
JPH0239136B2 true JPH0239136B2 (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=14464699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56107656A Granted JPS589426A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | A/dコンバ−タ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4533903A (ja) |
EP (1) | EP0070175B1 (ja) |
JP (1) | JPS589426A (ja) |
AT (1) | ATE25794T1 (ja) |
CA (1) | CA1194600A (ja) |
DE (1) | DE3275620D1 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1222827A (en) * | 1982-12-24 | 1987-06-09 | Takeo Sekino | Latched comparator circuit |
JPS59230323A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-24 | Hiroshi Nakamura | 高速a−d変換器 |
US4709170A (en) * | 1984-08-20 | 1987-11-24 | National Semiconductor Corp. | Subnanosecond programmable phase shifter for a high frequency digital PLL |
US4612531A (en) * | 1985-02-12 | 1986-09-16 | Rca Corporation | Intermeshed resistor network for analog to digital conversion |
NL8502510A (nl) * | 1985-09-13 | 1987-04-01 | Philips Nv | Analoog-digitaalomzetschakeling. |
JPH01164125A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Nissan Motor Co Ltd | D/a変換回路 |
GB2221108B (en) * | 1988-01-27 | 1991-11-13 | Sony Corp | Analog to digital converter |
JPH01191520A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-01 | Sony Corp | Ad変換回路 |
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