JPH0238485A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。

［背景技術］ 従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ。

Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著”Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ
　Ｌｅｔｔｅｒｓ　”　Ｖｏ、１Ｂ、Ｎｏ、４　（１９
７１，２，１５）、Ｐ、１２７〜１２Ｂの’　Ｖｏ　Ｉ
　ｔａｇｅＳｐｅｎｄｅｎｔ　０ｐｔｉｃａｌ　Ａｃｔ
ｉｖｉｔｙ　ｏｆ　ａ　ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ
　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔ
ｗｉｓｔｅｄｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたもので
ある。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点゛）にも有限に電界が
かかつてしまう。選折点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｈの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。このような現象は、双安定性を有さない液
晶（電極面に対し、液晶分子が水平に配向しているのが
安定状態であり、電界が有効に印加されている間のみ垂
直に配向する）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（
即ち、繰り返し走査する）ときに生ずる木質的には避は
難い問題点である。この点を改良するために、電圧平均
化法、２周波駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案
されているが、いずれの方法でも不充分であり、表示素
子の大画面化や高密度化は、走査線数が充分に増やせな
いことによって頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５８−
１０７２１８号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
ティックＣ相（ＳｍＧ”）又はＨ相（ＳｍＨつを有する
強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界に
対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態か
らなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶で
用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電界
ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向し
、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状態
に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えられ
る電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを取
り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する性
質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り木質的な改善が得られる。

特に、高速光学光シャッターや、高密度、大画面デイス
プレィへの応用が期待される。このため強誘電性を持つ
液晶材料に関しては広く研究がなされているが、現在ま
でに開発された強誘電性液晶材料は、低温作動特性、高
速応答性等を含めて液晶素子に用いる十分な特性を備え
ているとは云い難い。

応答時間でと自発分極の大きさＰｓおよび粘度ηの間に
は の関係が存在する。したがって応答速度を速くするには
、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電圧Ｅを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。

−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。

又、いたずらに自発分極を大きくしても、それにつれて
粘度も大きくなる傾向にあり、結果的には応答速度はあ
まり速くならないことが考えられる。

また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０°Ｃ程度とした場合、応答速度の変化が一般
に２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限
界を越えているのが現状である。

以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。

［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、応答速度が速く、しかもその応答速度の温度依存性が
軽減されたカイラルスメクチック液晶組成物および該液
晶組成物を使用する液晶素子を提供することにある。

［問題を解決するための手段］ 本発明は下記一般式（Ｉ） のアルコキシ基を有していても良い。

のいずれかを示す。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（Ｉ
Ｉ　） Ｒ３−Ｘ　３５Ｚ　１＋　Ｘ４ （ＩＩ　） （ただし、Ｒ３，Ｒ４は置換基を有していても良いＣ１
〜ｃｕｅの直鎖状又は分岐状のアルキル基音は（軒、舎 ただし、−〇〇−、−ｉ、−ｏ−のうち少なくと（ただ
し、Ｒ１＋Ｒ２はａｔ”ｃｐｓの直鎖状もしくは分岐状
のアルキル基であり、置換基として、０１〜で示される
化合物の少なくとも一種と、下記一般 式（ｍ） （ただし、Ｒ５は置換基を有していても良い自〜Ｃ＋ａ
の直鎖状又は分岐状のアルキル基ｍは１〜１２） で示される化合物の少なくとも一種とを含有することを
特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物な
らびに該液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなる
液晶素子を提供するものである。

前述の一般式（Ｉ）で示される化合物において好ましい
化合物例としては、下記する（　Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｐ）
式で表わされる化合物が挙げられる。

又、さらに上述の（Ｉ−ａ）〜（工 おけるＲ１．Ｒ２の好ましい例としては（工（Ｉ−ｖｉ
）を挙げることができる。

（Ｉ−ｉ）Ｒ１がｎ−アルキル基でありＲ？がｎ−アル
キル基である （Ｉ−ｉｉ）Ｒ１がｎ−アルキル基 ？Ｈ３ Ｒ２が→ＣＨ２→−刊ＨＲ６ （光学活性もしくはラセミ体） （Ｉ−ｉｉｉ）　　Ｒ＋がｎ−アルキル基？Ｈ３ Ｒ２が−（−ＧＨ２＋司ト÷ＣＨ２→−刊Ｒ７（光学活
性もしくはラセミ体） （Ｉ　　ｉｖ）　　　　　　　　ｌ？Ｈ３Ｒ１が一＋−
ＧＨ２→−刊ＨＲａ （光学活性もしくはラセミ体） Ｒ２がｎ−アルキル基 （Ｉ　−ｖ　）　　　　　　　　ＧＨ３Ｒ１が一＋ＧＨ
２＋司ＨＲｓ （光学活性もしくはラセミ体） ｐ）式に ｉ）〜 （Ｉ−ｖｉ） （光学活性もしくはラセミ体） ？Ｈ３ Ｒ１が−（−ＣＨ２→−−ＣＨＲａ （光学活性もしくはラセミ体） （光学活性もしくはラセミ体） Ｒ６＋　Ｒ７＋　Ｒ８は直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基を示す。

Ｐ　＋　ｑ＋　Ｓはθ〜７でありｒは０もしくは１゜又
、前述の一般式（ＩＩ　）で示される化合物のうち好ま
しい化合物例としては、下記する（ＩＩ−ａ）〜（ＩＩ
−ｑ）式で示される化合物を挙げることができる。

（ＩＩ　−ｖ）　　ｘ３カーＯＣ−Ｘ４が単結合ＩＩ （ＩＩ−ｖｉ）　　Ｘ３が　／／　　　　　’ｉ４が一
〇又、さらに上述の（ＩＩ−ａ）〜（ＩＩ−ｑ）式にお
けるＸ３１Ｘ４（７）好ましい例としテ（ＩＩ　−ｉ　
）　〜（ＩＩｖｉｉ）を挙げることができる。

（ＩＩ−ｉ）　　Ｘ３が単結合　　　Ｘ４が単結合（Ｉ
Ｉ−ｉｉ）　　Ｘ３が　ｌ／Ｘ４が一〇（ＩＩ−ｉｔｉ
）　　Ｘ３が一〇−ｘ４が単結合（ＩＩ−＋ｖ）　　Ｘ
３が　／／　　　　　Ｘ４が−０（ＩＩ　−ｖｉｉ）　
　Ｘ３が　／／　　　　　ｘ４が一〇又、さらに上述の
（ＩＩ−ａ）〜（ＩＩ−ｑ）式におけるＲ３．Ｒ４の好
ましい例としては直鎖状のアルキル基である。

又、前述の一般式（ｍ）で示される化合物のうち好まし
い化合物例としては、下記する（ｍ−ａ）。

（ｍ−ｂ）式で示される化合物を挙げることができる。

前記−最大ＣＩ）で表わされる液晶性化合物の具体的な
構造式の例を以下に示す。

（＋　ｏ　Ｈ２＋　ｏ（トドｃ６Ｈ１３−ｎ前記一般式
（Ｉ）で示される化合物は１例えば、特開昭［１１−９
３１７０、特開昭８１−２４５７８　、特開昭６１１２
９１７０　、特開昭６１−２００９７２　、特開昭８１
−２００９７３　。

特開昭８１−２１５３７２．特開昭８１−２９１５７４
　　、東独特許９５Ｈ２（１９７３年）などに記載の合
成方法により得られる。例えば下記に示すような合成経
路で得ることができる。

Ｒ２Ｘ　２　＋ｃｐｉ （Ｒ１，Ｒ２，Ｘ２は前述の通り） 一般式（Ｉ）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。

合成例１　（Ｎｏ、１〜７１の化合物の合成）ピリジン
５ＩＩｌｊ？に溶かした５−メトキシヘキサノール１．
ＯＥｌｇ　（８，Ｏｍｍｏｊ’）にピリジン５＋ａｉ）
に溶かしたｐ−トルエンスルホン酸クロライド１．８３
　ｇ　（９，６＋ｓｍｏｊりを氷水浴中５℃以下で滴下
した。室温で６時間攪拌後、反応混合物を冷水１００ｍ
Ａ’に注入した。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、イソプロ
ピルエーテルで抽出した。有機層を水洗後、無水硫酸マ
グネシラムで乾燥し、その後溶媒留去して、５−メトキ
シヘキシル−ｐ−トルエンスルホネートを得た。

ジメチルホルムアミド１０ｍｊｌ＋に５−デシル−２−
（ｐ−ヒドロキシフェニル）ピリミジン２．０ｇ（８，
４１ｍｍｏＩり、水酸化カリウム０．８１ｇを加え、１
００°Ｃで４０分間攪拌した。これに、先に得た５−メ
トキシへキシル−ｐトルエンスルホネートを加え、１０
０°Ｃで４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応混合物
を冷水１００＋ｉｉ’に注入し、ベンゼンにより抽出し
た。水洗後無水硫酸マグネシウムにより乾燥し、溶媒留
去して淡黄色油状物を得た。カラムクロマトグラフィー
（シリカゲル−酢酸エチル／ベンゼン＝１７９）により
精製後、ヘキサンより再結晶して５デシル−２−（４−
（５’−メトキシへキシルオキシ）フェニル）ピリミジ
ン（化合物Ｎｏ、２−８０）１．３５ｇを得た。

相転移温度（’０） 合成例２　（Ｎｏ、　！−７６の化合物の合成）６−ペ
ンチルオキシヘプタノール２．０４ｇをピリジン８ｍｐ
に溶かし氷冷した後、ピリジン５ｍＡ＋に溶かしたトシ
ルクロライド２．２８ｇを徐々に滴下した（５°Ｃ以下
、７分）。その後、室温にて５時間攪拌した。

反応混合物を氷水１５０ｍＡ’に注入し、６Ｎ塩酸水溶
液でｐＨ３程度にした後酢酸エチルにより抽出した。こ
れを水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶
媒留去して（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ−）ルエ
ンスルホネー）２．９８ｇを得た。

５−ｒ＋−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピ
リミジン３．１２ｇ及び水酸化カリウム０．５３ｇをジ
メチルホルムアミド１４ｍｊ！に溶かし１００℃で３時
間加熱攪拌した後、（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ
−トルエンスルホネー）　２．９８ｇを添加し１００℃
で５時間加熱攪拌した。

反応混合物を氷水２００＋ｓｊ）に注入し、６Ｎ塩酸水
溶液でｐＨ３程度にした後ベンゼンにより抽出した。こ
れを水洗し無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒留
去して、粗生成物４．７１ｇを得た。これをシリカゲル
カラムクロマト精製（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル−１０
／２）　した後、さらにヘキサンから再結晶し、５−ｎ
−デシル−２−［４−（８−ペンチルオキシへブチルオ
キシ）フェニル］ピリミジン１．５８ｇを得た。

ＩＲ（ｃｒｌ） ２９２４、２８５２．１１３１０．１５８８．１４７２
゜１４３Ｂ、　１２５４．１１８８．１０９８．　７９
８相転移温度（’Ｏ） 合成経路Ｂ 合成側以外の化合物についても以下の合成経路Ａ、Ｈに
より得ることができる。

合成経鮎Ａ （上記式ニオイテ、Ｒ１，Ｒ２，ＸＩ、　Ｐ＋　ｒは前
述の通りである。） 前記−最大（ＩＩ　）で示される化合物の具体的な構造
式の例を以下に示す。

（以下余白） ０３Ｈ７号ｃｏ号昏０（ＣＨ２；　０Ｃ５Ｈ＋　＋ｃ３
Ｈ７舎ＣＨ２０Ｗ　ＯＣ＋　ｏ　Ｈ２１ｃｓｎ＋　ｌ舎
ＧＨ２０（）（翔０Ｃ１２Ｈ２５Ｃ４Ｈｇ　−（Ｅ）−
ＣＨ２０（）（トＯＣ＋　ｏ　Ｈ２１前記−最大（ＩＩ
　）で示される化合物の代表的な合成例を以下に示す。

合成例１（化合物Ｎｏ、２−４の合成）５−ドデシル−
２−（４’−ヒドロキシフェニル）ピリミジン１．０　
ｇ　（２，９４ｍｍｏｊりをトルエン４ｎ＋１＋及びピ
リジン４ｍＢに溶かした。これにトルエン４ｍＪに溶が
したトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボ
ン酸クロリド（関東化学■製）　０．５５ｇを氷水浴中
５°Ｃ以下で徐々に滴下した。滴下終了後、室温で１２
時間攪拌し、反応混合物を氷水］００ｍｐ中に注入した
。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、ベンゼンで抽出し、これ
を水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し
た。硫酸マグネシウムにより乾燥した後、溶媒留去し、
クリーム色の粗生成物を得た。これをカラムクロマトグ
ラフィーにより精製した後、さらにエタノール１酢酸エ
チル混合溶媒から再結晶し、白色の標記化合物０．９４
ｇを得た。（収率６４．８％） 相転移温度（°Ｃ） 合成例２（化合物Ｎｏ、２−７２の合成）ＣＩ）　　　
）ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸
クロライドｌｏｇ　（５３，８ｍｍｏｊりをエタノール
３０ｍｊ７にとかし、これに少量のトリエチルアミンを
加え室温で１０時間攪拌した。反応混合物を氷水１００
＋ａＩ！に注入し、６Ｎ塩酸水溶液を加え酸性側とした
後、イソプロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗
液が中性となるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシ
ウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−プ
ロピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエステル９．９
ｇを得た。

（ＩＩ　）　　水素化アルミニウムリチウム０．７３ｇ
（１９，Ｉｍｍｏｉ’）を乾燥エーテル３０ｍ１＋に添
加し、１時間加熱還流した。氷水浴中でｌＯ°Ｃ程度ま
で冷却した後、乾燥エーテル３０ｍ１）に溶かしたトラ
ンス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチ
ルエステル５　ｇ　（２５，５ｍｍｏｐ）を徐々に滴下
した。滴下終了後、室温で１時間攪拌し、さらに１時間
加熱還流させた。これを酢酸エチル、６Ｎ塩酸水溶液で
処理した後、氷水２００ｍｊ＋に注入した。

イソプロピルエーテルにより抽出した後、有機相を水、
水酸化ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトクラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシルメタノール３．５ｇを得た。

（ｍ）　　　ｈランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシ
ルメタノール３．４　ｇ　（２２，４ｍｍｏｊ？）をピ
リジン２０Ｊに溶かした。これにピリジン２０ｍｊ７に
溶かしたｐ−トルエンスルホン酸クロライド５．３ｇを
氷水浴中で５℃以下に冷却しながら滴下した。室温で１
０時間攪拌した後、氷水２００ｍｐに注入した。６Ｎ塩
酸水溶液により酸性側とした後、イソプロピルエーテル
で抽出した。有機相を洗液が中性となるまで水洗を繰り
返した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを溶
媒留去して、トランス−４−ｎ−プロピルシクロへキシ
ルメチル−ｐ−トルエンスルホネートを得た。

（ＩＶ）　　ジメチルホルムアミド４０ｍＩ！に５−デ
シル２−（４’−ヒドロキシフェニル）ピリミジン６．
３ｇ（２０，２ｍｍｏｊりを溶かした。これに８５％水
酸化カリウム１．５ｇを加え、１００°Ｃで１時曲攪拌
した。これにトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシ
ルメチルｐ−トルエンスルホン酸）　８．９−ｇを加え
、さらに１００°Ｃで４時間攪拌した。反応終了後、こ
れを氷水２００ｍ１）に注入し、ベンゼンで抽出した。

有機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した
。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、これをさらにエタノール／酢酸エチル混合
溶媒から再結晶して、前記例示化合物Ｎｏ、、２−７２
を得た。

ＩＲ（ｃｆｆｌｌ） ２９２０、２８４０．１６０８．１５Ｂ４．１４２８．
、１２５８゜１１６４、　８００ 相転移温度（°Ｃ） （Ｓｍ２はＳｍＡ、　５ｆｌｌＧ以外のスメクチック相
、未同定） 又、Ｚが単結合である場合、例えば の式で表わされる化合物は、下記の合成経路で合成する
ことができる。

前記−最大（ＩＩＩ）で示される化合物の具体的な構造
式の例を以下に示す。

（以下余白） 一般式 で示される化合物は下記に示す ような合成経路Ａ Ｃで得ることができ る。

合成経路Ａ 合成経路Ｂ 合成経路Ｃ （Ｘ５　：　−Ｇｏ−） ハ （以下余白） 一般式（Ｉ［Ｉ）で示される化合物の代表的な合成例を
以下に示す。

合成例１．（化合物Ｎｏ、３−１７の合成）ｐ−２−フ
ルオロオクチルオキシフェノール１．００ｇ（４，１８
ｍＭ）をピリジン１０ｍｊ！、トルエン５ｍｐに溶解さ
せ、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボ
ン酸クロライド１．３０　ｇ　（８，ＯＯｍＭ）をトル
エン５ｍｐに溶解した溶液を、５℃以下、２０〜４０分
間で滴下した。滴下後、室温で一晩攪拌し、白色沈殿を
得た。

反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール／メタノールで再結晶して、トランス−４−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェニルエステル１．２０　ｇ　（
２，８５ｍＭ）を得た。

（収率６８，６％） ＮＭＲデータ（ｐｐｍ） ０．８３〜２．８３ｐｐｍ　　（３４Ｈ、ｍ）４．００
〜４．５０ｐｐｍ　　（２Ｈ、ｑ　）７、ｌｌｐｐｍ　
　　　　　（４Ｈ，５）ＩＲデータ（ｃｍ−１） ３４５８．２９２８，２８５２，１７４２，１５０８，
１４７０゜１２４８、　１２００．　１１８Ｂ、　　１
１３２．　　８５４゜相転移温度（℃） ２５．７ （ここで、Ｓ３　＋　Ｓａ　＋　３５＋　Ｓ６は、５ｆ
ｆｌＣ傘よりも秩序度の高い相を示す。） 合成例２．（化合物Ｎｏ、３−２９の合成）十分に窒素
置換された容器に、（−）−２−フルオロヘプタツール
０．４０　ｇ　（３，０ｍｍｏｊ））と乾燥ピリジン１
．００ｇ　（１３ｍｍｏｎ’）を入れ水冷下テロ０分間
攪拌した。その溶液にＰｉミルエンスルホンクりリド０
．６１３ｇ　（３，８ｍｍｏｉ’）を加え、そのまま５
時間攪拌を続けた。反応終了後、Ｉ　ＮＨＣ１１０ｍＡ
＋を加え、塩化メチレン１０ｍｐで２回抽出を行った後
、その抽出液を蒸留水１０ｍｊ）で１回洗浄した。得ら
れた塩化メチレン溶液に無水硫酸ナトリウムを適宜加え
て乾燥したのち、溶媒を留去しく＋）−２−フルオロヘ
プチルｐ−）ルエンスルホン酸エステルＱ、５ｆｌｌ　
ｇ（２，Ｏｍｍｏｊりを得た。

収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＩＲデー
タは下記の通りである。

比旋光度［α］　　　＋２．５９°（ｃ　＝　１　、　
ＧＨＣＩ！３）。

比旋光度［α］　　　＋Ｌ５８°（ｃ　＝　１　、　Ｃ
ＨＣｊ）３）。

ＩＲ（ｃ［１）　　： ２９００．２８５０．　１８００．　１４５０．　１３
５０．　１１７０゜１０９０、　　９８０．　　８１０
．　　　Ｂｆ（０，５５０゜上記のようにして得られた
（＋）−２−フルオロヘプチルｐ−）ルエンスルホン酸
エステル０．４３ｇ（１，５ｍｍｏｆｆ）と５−オクチ
ル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリミジン０．２
８ｇ　（１，Ｏｍｍｏｊりに１−ブタノール０．２ｍ１
）を加えよく攪拌した。その溶液に、あらかじめ１−ブ
タノール１．Ｏｍｊ！に水酸化ナトリウム０．０４８　
ｇ　（１，２ｍｍｏｊりを溶解させて調製しておいたア
ルカリ溶液を速やかに注ぎ５時間半、加熱還流した。反
応終了後蒸留水１０ｍｊ！を加え、ベンゼン１０ｍｊ！
および５ｍｐでそれぞれ１回づつ抽出を行なった後、そ
の抽出液に無水を酸ナトリウムを適宜加えて乾燥した。

乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲルカラム（クロロホル
ム）により目的物である（＋）−５−オクチル−２−［
４−（２−フルオロヘプチルオキシ）フェニル］ピリミ
ジン０．１７　ｇ（０，４３ｍｍｏＩりを得た。

収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＩＲ
データが得られた。

比旋光度［α］　　　＋０．４４’（ｃ　＝　ｌ　、　
ＣＨＣρ３）。

比旋光度［α］　　　＋４．ｔａｏ（ｃ　＝　１　、　
ＯＨＣ！！３）。

ＩＲ（ｃｍ−’）　　： ２９００、　２８５０．　１８００．　１５Ｂ０．　１
４２０．　１２５０゜１１ｆ１０．　８００．　７２０
．　１（５０，５５０゜本発明の液晶組成物、前記一般
式（Ｉ）で示される化合物の少なくとも１種と、前記一
般式（ＩＩ　）で示される化合物の少なくとも１種と、
及び一般式（ｍ）で示される化合物の少なくとも１種と
、さらに他の液晶性化合物１種以上とを適当な割合で混
合することにより得ることができる。又、本発明による
液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、特に強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶組成物が好ましい。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体的例を下記にあ
げる。

（以下余白） 本発明の一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物、−最大
（ＩＩ）で示される液晶性化合物、および−最大（ＩＩ
Ｉ）で示される液晶性化合物それぞれと、上述した他の
液晶性化合物一種以上、あるいは、それを含む強誘電性
液晶性組成物（強誘電性液晶材料と略す）との配合割合
は、強誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明−最大
（■）、−最大（ＩＩ）、及び−最大（ｍ）で示される
液晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好まし
くは、２〜１００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（１）、−最大（ＩＩ　）及び−
最大（Ｉ［［）で示される液晶性化合物のいずれか、あ
るいは全てを２種以上用いる場合も強誘電性液晶材料と
の配合割合は、前述した強誘電性液晶材料１００重量部
当り、本発明−最大（■）。

最大（ＩＩ）及び−最大（ｍ）で示される液晶性化合物
のいずれか、あるいは全ての２種以上の混合物を、１〜
５００重量部より好ましくは、２〜１００重量部とする
ことがのぞましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源。

８は偏光板、９は光源を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２０３　。

５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ＋１−Ｔｉｎ　０
ｗ１ｄｅ）等のｆ！ｊ膜から成る透明電極が被覆されて
いる。その上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼ
やアセテート植毛布等でラビングして、液晶をラビング
方向に並べる絶縁性配向制御層が形成されている。また
絶縁物質として例えばシリコン窒化物、水素を含有する
シリコン炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を
含有する硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸
化物、ジルコニウム酸化物。

チタン酸化物やフッ化マグネシウムなどの無機物質絶縁
層を形成し、その上にポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラ
キシレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニ
ルアセクール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリ
アミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂
、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジスト樹脂など
の有機絶縁物質を配向制御層として、２層で絶縁性配向
制御層が形成されていてもよく、また無機物質絶縁性配
向制御層あるいは有機物質絶縁性配向制御層単層であっ
ても良い。この絶縁性配向制御層が無機系ならば蒸着法
などで形成でき、有機系ならば有機絶縁物質を溶解させ
た溶液、またはその前駆体溶液（溶剤に０．１〜２０重
量％、好ましくは０．２〜１０重量％）を用いて、スピ
ンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、スプレ
ー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所定の硬化条件下
（例えば加熱下）で硬化させ形成させることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０Ａ〜ｌ＃Ｌｍ、好ま
しくは３０Ａ〜３０００Ａ、さらに好ましくは５０Ａ〜
１０００Ａが適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ、好ましくは１〜５ｇｍである。

又、この強誘電性液晶は、室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ”相（カイラルスメクチック相）を有
し、高速応答性を有することが望ましい。さらに応答速
度の温度依存性が小さいこと、及び駆動電圧マージンが
広いことが望まれる。

又、特に素子とした場合に、良好な均一配向性を示しモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は、等相
方からａｈ相（コレステリック相）ＳｍＡ相（スメクチ
ック相）−ＳｍＣ”相（カイラルスメクチックＣ相）と
いう相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で
被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ”相
又はＳｍＨ”相の液晶が封入されている。太線で示した
線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２３は
その分子に直交した方向に双極子モーメン）（Ｐよ）２
４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定
の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん
構造がほどけ、双極子モーメン）　（Ｐ、）２４がすべ
て電界方向に向くよう、液晶分子２３は配向方向を変え
ることができる。液晶分子２３は細長い形状を有してお
り、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの偏光
子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わる液
晶光学変調素子となることは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０用以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメン）Ｐａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）又は下向き（３４ｂ）のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥｂを電
圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極子モ
ーメントは電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応して
上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向きを変え、それに応
じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあるいは第２
の安定状態３３ｂの何れか１方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。又、逆向き
の電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態３
３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電界
を切ってもこの状態に留っている。又与える電界Ｅａあ
るいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ前の
配向状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物１
−Ａを作成した。

例示化合物　　　　構造式　　　　　　　重量部Ｎｏ。

５７Ｃ１ｏＨ２１Ｏ＋Ｃ００＋０Ｃ８Ｈ１７７５８Ｃｓ
Ｈ＋　ｐ＋ＣＯＯ＋ＯＣ＋　ＯＨ２＋　　　７５９　　
　（＋　ＯＨ２１ｏ＋ｃｏｏ　＋ＯＣ：６Ｈ＋３１０更
に、この液晶組成物１−Ａに対して、以下に示す例示化
合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物１
−Ｂを作成した。

例示化合物 Ｎｏ。

構造式 次に、この液晶組成物１−Ｂを以下の手順で作成したセ
ルを用いて、素子特性等を観察した。

２枚の１．１）厚のガラス板を用意して、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上に５ｉ０２を蒸着させ絶縁層とした。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−７１
０コ１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２５０
Ｏｒｐｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、
６０分間、３００°Ｃ加熱縮合焼成処理を施した。

この時の塗膜の膜厚は約２００Ａであった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５ｐｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行になる様にし、接着シール剤［リクンンポンド（
チ・ンソ■）］を用いてガラス板を貼り合わせ、６０分
間、１００°（Ｈこて加熱乾燥し、セルを作成した。こ
のセルのセル厚をベレック位相板によって測定したとこ
ろ約１．５終ｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０°Ｃ／ｈで２５°Ｃまで徐冷す
ることにより、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク
電圧Ｖ、、＝２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下で
の光学的な応答（透過光量変化０〜９０％）を検知して
応答速度（以後、光学応答速度という）を測定した。そ
の結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０２５℃　　　　　４０°Ｃ ７４１１Ｌｓｅｃ　　　　２Ｂ３ｇｓｅｃ　　　　１０
９ｇ、ｓｅｃまた２５℃における、この駆動時のコント
ラストは、１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察
され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−８．１−１３８を混合せずに１−Ａに対
して、例示化合物Ｎｏ、２−１０．２−７０．３−５８
のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物ｔ−
Ｃ，および例示化合物Ｎｏ、２−１０．２−７０を混合
せずに１−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−８．１−
１３８．３−５８のみを実施例１と同じ重量部で混合し
た液晶組成物１−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、３−５６
を混合せずに１−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−８
．１〜１３８．２−１０゜２−７０のみを実施例１と同
じ重量部で混合した液晶組成物１−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物１−Ｇ、　１−Ｄ、　１−Ｅ及び１
−Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれぞ
れ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 ２５°Ｑ　　　　　　４０°Ｃ ３７４）ｉｓｅｃ　　　　１３７ｇ５ｅｃ２８２ｐｓｅ
ｃ　　　　１１３ｐｓｅｃ２６５１Ｌｓｅｃ　　　　１
０４ＩＬｓｅｃ３２１ｐＳｅｃ　　　　１２９ｐｓｅｃ
ｌより明らかな様に、本発明 １０°Ｃ １−Ａ　　　１２８０ｇ５ｅｃ １−ｉｌｌ：　　　　８７１μ５ｅＣ １−Ｄ　　　　８５２１Ｌｓｅｃ １−Ｅ　　　１０７０ｐｓｅｃ 実施例１と比較例 による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が、
低温における作動特性、高速応答性が改善され、また、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例２ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。

（以下余白） −Ａ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性−晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°０　　　　　４０℃７８３μｓ
ｅｃ　　　　２５８ｇ５ｅｃ　　　　１０５ｐｓｅｃま
た２５°Ｃにおける、この駆動時のコントラストは、１
２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印
加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−９．１−５８を混合せずに１−Ａに対し
て、例示化合物Ｎｏ、２−ＩＥＩＩ、　３−１１（７）
みを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物２−Ｃ
２および例示化合物Ｎｏ、２−１８１を混合せずに１−
Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−Ｊ　１−５８．３−
１１のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物
２−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、３−１１を混合せずに
１−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−３１−５８．２
−１［１１のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶
組成物２−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物２−Ｃ，２−Ｄ、　２−Ｅ及び１−
Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光
学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°ＣＩ−Ａ　　
１２ＥｉＯＰｓｅｃ　　　　３７４ｐｓｅｃ　　　　１
３７ｐｓｅｃ２−Ｃ９１０ｐｓｅｃ　　　　２８５＃Ｌ
ｓｅｃ　　　　１１８Ｉ１．５ｅｃ２−Ｄ　　　８８８
ＩＬｓｅｃ　　　　２７２μｓｅｃ　　　　１０１１Ｌ
ｓｅｃ２−Ｅ　　１０２５ｐｓｅｃ　　　　３１１μｓ
ｅｃ　　　　１２”Ｂｓｅｃ実施例２と比較例２より明
らかな様に１本発明による液晶組成物を含有する強誘電
性液晶素子の方が、低温における作動特性、高速応答性
が改善され、また、応答速度の温度依存性も軽減されて
いる。

実施例３ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物３−Ｂを得た。

（以下余白） 例示化合物 Ｎｏ。

構造式 の液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０２５℃　　　　　４０℃ ８３３ｇ５ｅｃ　　　　２８５ｇ５ｅｃ　　　　１１７
ｇ５ｅｃまた２５℃における、この駆動時のコントラス
トは、１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−７１．１−１４２を混合せずに１−Ａに
対して、例示化合物Ｎｏ、２−７８．２−８５．３−１
７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物３
−Ｃ９および例示化合物Ｎｏ、２−７８．２−９５を混
合せずに１−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−７１．
１−１４２．３−１７のみを実施例１と同じ重量部で混
合した液晶組成物３−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、３−
１７を混合せずに１−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１
−７１．１−１４２．２−７８゜２−８５のみを実施例
１と同じ重量部で混合した液晶組成物３−Ｅを作成した
。

これらの液晶組成物３−Ｃ：、　３−Ｄ、　３−Ｅ及び
１−Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれ
ぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°Ｑ　　　　　　２５°０４０°ＣＩ−Ａ　　１２
８０）ｉｓｅｃ　　　　３８８ｐｓｅｃ　　　　１３？
ｐｓｅｃ３−Ｇ　　１００５μｓｅｃ　　　　３４２ｇ
５ｅｃ　　　　１２６ｐｓｅｃ３−Ｄ　　　１３２５ｐ
ｓｅｃ　　　　２８３ｇ５ｅｃ　　　　１ｌｌｐｓｅｃ
３−Ｅ　　１１３０ｐｓｅｃ　　　　３４５ＩＬｓｅｃ
　　　　１３１ｐｓｅｃ実施例３と比較例３より明らか
な様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液
晶素子の方が、低温における作動特性、高速応答性が改
善され、また、応答速度の温度依存性も軽減されている
。

実施例４ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。

（以下余白） −Ａ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５°０　　　　　４０°Ｃ７９２
ｐｓｅｃ　　　　２８３ｐｓｅｃ　　　　１０９ｐｓｅ
ｃまた２５°Ｃにおける、この駆動時のコントラストは
、１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−Ｅ１８．１−１０７を混合せずに１−Ａ
に対して、例示化合物Ｎｏ、２−５５．２−１１８．２
−１３０．３−３０゜３−１４のみを実施例１と同じ重
量部で混合した液晶組成物４−Ｃ９および例示化合物Ｎ
ｏ、２−５５．２−１１ｆｔ。

２−１３０を混合せずに１−Ａに対して、例示化合物Ｎ
ｏ、１−６８．１−１０７．３−３０．３−１４のみを
実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物４−Ｄ、さ
らに例示化合物Ｎｏ、３−３０．３−１４を混合せずに
１−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−Ｅｆ８．１−１
０？、　２−５５．２−１１［ｆ、　２−１３０のみを
実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物４−Ｅを作
成した。

これらの液晶組成物４−Ｃ，４−Ｄ、　４−Ｅ及び１−
Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光
学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５℃　　　　　４０°ＣＩ−Ａ　
　Ｉ２６０ｐｓｅｃ　　　　３８８ｐｓｅｃ　　　　＋
３７ＩＬｓｅｃ４−Ｃ８７１１Ｌｓｅｃ　　　　３２７
ｐｓｅｃ　　　　１２４μ５ｅｃ４−０　　８８５μｓ
ｅｃ　　　　３１１１Ｌｓｅｃ　　　　Ｉ２６ｐｓｅｃ
４−Ｅ　　１０５Ｑｐｓｅｃ　　　　３４１ｐｓｅｃ　
　　　１２３ｐｓｅｃ実施例４と比較例４より明らかな
様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶
素子の方が、低温における作動特性、高速応答性が改善
され、また、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例５ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成５−
Ａを作成した。

（以下余白） 例示化合物 Ｎｏ。

構造式 ％式％ 更に、この液晶組成物５−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
５−Ｂを作成した。

例示化合物　　　　構造式　　　　　　　重量部Ｎｏ。

この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０　’Ｃ５１５ｇ
５ｅｃ　　　　２０３ｇ５ｅｃ　　　　　８７ｐｓｅｃ
また２５°Ｃにおける、この駆動時のコントラストは、
１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−８．１−１３８を混合せずに５−Ａに対
して、例示化合物Ｎｏ、２−１０．２−７０．３−５８
　（１）みを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成
物５−Ｇ、および例示化合物Ｎｏ、２−１０．２−７０
を混合せずに５−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−８
．１−１３８．３−５８のみを実施例１と同じ重量部で
混合した液晶組成物５−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、　
３−５８を混合せずに５−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ
、１−８．１−１３８．２−１０゜２−７０のみを実施
例１と同じ重量部で混合した液晶組成物５−Ｅを作成し
た。

これらの液晶組成物５−Ｇ、　５−［１，５−Ｅ及び５
−Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれぞ
れ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０２５℃　　　　　４０℃ ５−Ａ　　　７８２ｐｓｅｃ　　　　２４８）ｚｓｅｃ
　　　　　９８ＩＬｓｅｃ５−Ｇ　　　８０８ｐｓｅｃ
　　　　２１７ｐｓｅｃ　　　　　９１）ｃｓｅｃ５−
０　　５８１ｐｓｅｃ　　　　２１０μｓｅｃ　　　　
　８４ｐｓｅｃ５−Ｅ　　　８９３ｐ、ｓｅｃ　　　　
２３３ｇ５ｅｃ　　　　　９４ｇ５ｅｃ実施例５と比較
例５より明らかな様に、本発明による液晶組成物を含有
する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動特性、
高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も
軽減されている。

実施例６ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−Ｂを得た。

（以下余白） この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好でありモノドメイン
状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°０　　　　　４０°Ｃ４８８ｇ
５ｅｃ　　　　１Ｂ２ｐｓｅｃ　　　　　８１１Ｌｓｅ
ｃまた２５°Ｃにおける、この駆動時のコントラストは
、１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−９６．１−１３９を混合せずに５−Ａに
対して、例示化合物Ｎｏ、２−８５．２−１４５のみを
実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物６−Ｃ９お
よび例示化合物Ｎｏ、２−Ｅ１５．２−１４５を混合せ
ずに５−Ａに対して、例示化合物Ｎ、ｏ、１−９１３．
１−１３９．３−４０（７）みな実施例１と同じ重量部
で混合した液晶組成物６−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、
３−４０を混合せずに５−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ
、２−Ｅｆ５．２−１４５．３−４０のみを実施例１と
同じ重量部で混合した液晶組成物８−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物８−Ｃ，ｅ−Ｄ、　Ｂ−Ｅ及び５−
Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光
学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５°０　　　　　４０°Ｃ３−Ａ
　　　７８２ｇ５ｅｃ　　　　２４６ｐｓｅｃ　　　　
　９８ｐｓｅｃＦ３−Ｃ５Ｂ？ｐｓｅｃ　　　　２０８
ｐｓｅｃ　　　　　８４ｇ５ｅｃＥｉ−０５４３ｐｓｅ
ｃ　　　　２００ＩＬｓｅｃ　　　　　８０ｇ５ｅｃＧ
−Ｅ　　　６？２μｓｅｃ　　　　２２８ｐｓｅｃ　　
　　　９［（ｇｓｅｃ実施例６と比較例６より明らかな
様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶
素子の方が、低温における作動特性、高速応答性が改善
され、また、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例７ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物？７Ｂを得た。

（以下余白） 例示化合物 Ｎｏ。

構造式 ％式％） この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ４９２ＩＬ
ｓｅｃ　　　　１８３ｇ５ｅｃ　　　　　７？ｇｓｅｃ
また２５°Ｃにおける、この駆動時のコントラストは、
１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例７ 実施例７で使用した液晶組成物？−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−４８．１−１００を混合せずに５−Ａに
対して、例示化合物Ｎｏ、２−１２．２−１８．３−４
．３−２６のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶
組成物７−Ｃ９および例示化合物Ｎｏ、２−１２．２−
１８を混合せずに５−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１
−４８．１−１００゜３−４．３−２Ｂのみを実施例１
と同じ重量部で混合した液晶組成物７−Ｄ、さらに例示
化合物Ｎｏ３−４．３−２８を混合せずに５−Ａに対し
て、例示化合物Ｎｏ、　１−４８　。

１−１００．２−１２．２−１８のみを実施例１と同じ
重量部で混合した液晶組成物？−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物？−Ｃ，？−Ｄ、　？−Ｅ及び５−
Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光
学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°Ｃ２５℃　　　　　４０°Ｃ ３−Ａ　　　？６２ｐ、ｓｅｃ　　　　２４６ＩＬｓｅ
ｃ　　　　　９８ｐｓｅｃ？−０５４７μｓｅｃ　　　
　２００ｇ５ｅｃ　　　　　８２ｇ５ｅｃ？−０５２８
４ｓｅｃ　　　　１８８ＩＬｓｅＣ？５ｇ５ｅｃ？−Ｅ
　　　ｆ１３３ＩＬｓｅｃ　　　　２２７ｇ５ｅｃ　　
　　　９２）ｉｓｅｃ実施例７と比較例７より明らかな
様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶
素子の方が、低温における作動特性、高速応答性が改善
され、また、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例８ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成８−
Ａを作成した。

（以下余白） 例示化合物 構造式 ％式％ 更に、この液晶組成物８−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
８−Ｂを作成した。

−Ａ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃８２１鰺ｓｅ
ｅ　　　　２Ｂ？ｐｓｅｃ　　　　１１８終ｓｅｃまた
２５℃における、この駆動時のコントラストは、１３で
あり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を
止めた際の双安定性も良好であった。

比較例８ 実施例８で使用した液晶組成物８−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−８．１−１３８を混合せずに８−Ａに対
して、例示化合物Ｎｏ、２−１０．２−７０．３−５８
のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物８−
Ｃ２および例示化合物Ｎｏ、２−１０．２−７０を混合
せずに８−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−８．１−
１３Ｊ　３−５Ｅｆ　Ｃ７）みを実施例１と同じ重量部
で混合した液晶組成物８−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、
３−５８を混合せずに８−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ
、１−８．１−１３８．２−１０゜２−７０のみを実施
例１と同じ重量部で混合した液晶組成物８−Ｅを作成し
た。

これらの液晶組成物８−Ｇ、　８−Ｄ、　８−Ｅ及び８
−Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれぞ
れ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５°０　　　　　４０°Ｃ３−Ａ
　　ｌ３８０ｐｓｅｃ　　　　４３０μｓｅｃ　　　　
１４７μ５ｅｃ８−Ｇ　　　９２２ｐ、ｓｅｃ　　　　
３０５ｇ５ｅｃ　　　　１１５ｐｓｅｃ８−０　　９０
１ｐｓｅｃ　　　　２９１ｇ５ｅｃ　　　　１０９ｇ５
ｅｃ８−Ｅ　　１１５８ｐｓｅｃ　　　　３５３ｇ５ｅ
ｃ　　　　１３３ｐｓｅｃ実施例８と比較例８より明ら
かな様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性
液晶素子の方が、低温における作動特性、高速応答性が
改善され、また、応答速度の温度依存性も軽減されてい
る。

実施例９ 実施例８で使用した液晶組成物８−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物９−Ｂを得た。

（以下余白） （以下余白） この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５℃　　　　　４０℃８１１ｐｓ
ｅｃ　　　　２Ｅ１５ＩＬｓｅｃ　　　　１０８ｐｓｅ
ｃまた２５°Ｃにおける、この駆動時のコントラストは
、１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例９ 実施例９で使用した液晶組成物９−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−９．１−５８を混合せずに８−Ａに対し
て、例示化合物Ｎｏ、２−１１３１．３−１１のみを実
施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物９−Ｃ９およ
び例示化合物Ｎｏ、２−１８１を混合せずに８−Ａに対
して、例示化合物Ｎｏ、１−９．１−５８．３−１１の
みを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物８−Ｄ
、さらに例示化合物Ｎｏ、３−１１を混合せずに８−Ａ
に対して、例示化合物Ｎｏ、１−９．１−５８．２−１
８１のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物
９−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物９−Ｃ，９−Ｄ、　９−Ｅ及び８−
Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光
学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ３−Ａ　　
ｌ３６０１Ｌｓｅｃ　　　　４３０ｇ５ｅｃ　　　　１
４７ｇ５ｅｃ９−０　　９３２ｐｓｅｃ　　　　３１８
μｓｅｃ　　　　１１９ｐｓｅｃ９−Ｄ　　　８９０Ｉ
Ｌｓｅｃ　　　　２８５ｐｓｅｃ　　　　１０３ｇ５ｅ
ｃ９−Ｅ　　１１７０ｐ、ｓｅｃ　　　　３ＥｔＯｐｓ
ｅｃ　　　　１３７ｇ５ｅｃ実施例９と比較例９より明
らかな様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電
性液晶素子の方が、低温における作動特性、高速応答性
が改善され、また、応答速度の温度依存性も軽減されて
いる。

実施例１０ 実施例８で使用した液晶組成物８−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物１０−Ｂを得た。

（以下余白） −Ａ （以下余白） この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０°Ｑ　　　　　　２５℃　　　　　４０’（：！１
３６０ｐ、ｓｅｃ　　　　４３０）ｈｓｅｃ　　　　１
４７ＩＬｓｅｃまた２５°Ｃにおける、この駆動時のコ
ントラストは、１３であり、明瞭なスイッチング動作が
観察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であっ
た。

比較例１０ 実施例１０で使用した液晶組成物１０−Ｈに代えて、例
示化合物Ｎｏ、１−９［１，１−１３９を混合せずに８
−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、２−８５．２−１４５
のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物１０
−Ｃ：、および例示化合物Ｎｏ、２−Ｅｉ５．２−１４
５を混合せずに８−Ａに対して、例示化合物Ｎｏ、１−
９ｆ３．１−１３９．３−４０のみを実施例１と同じ重
量部で混合した液晶組成物１０−Ｄ。

さらに例示化合物Ｎｏ、３−４０を混合せずに８−Ａに
対して、例示化合物Ｎｏ、１−９Ｅｆ、　１−１３９．
２−６５．２−１４５のみを実施例１と同じ重量部で混
合した液晶組成物１０−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物１０−Ｃ，１０−Ｄ、　１０−Ｅ及
び１０−Ａを用いた以外は全〈実施例１と同様の方法で
それぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の
方法で光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ３−Ａ　　
ｌ３６０ｐｓｅｃ　　　　４３０ｇ５ｅｃ　　　　１４
７ｐｓｅｃ１０−［１：　　　７２３ｇ５ｅｃ　　　　
２９０ＩＬｓｅｃ　　　　１２４ｐｓｅｃ１０−０　　
７０９ｐｓｅｃ　　　　２８０ＩＬｓｅｃ　　　　１１
２）ｉｓｅｃｌｏ−Ｅ　　１０８０ｐｓｅｃ　　　　３
？５ｐｓｅｃ　　　　１４０μｓｅｃ実施例１０と比較
例１０より明らかな様に、本発明による液晶組成物を含
有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動特性
、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性
も軽減されている。

実施例１１〜１８ 実施例１で用いた例示化合物、及び液晶組成物に代えて
、表１に示した例示化合物、及び液晶組成物を各重量部
で用い、１１−Ｂ〜１８−Ｂの液晶組成物を得た。これ
らを用いた他は、全〈実施例１と同様の方法により、強
誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。こ
の液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイン
状態が得られた。測定結果を表１に示す。

（以下余白） 実施例１１〜１８より明らかな様に、本発明による液晶
組成物１１−Ｂ〜１８−Ｂを含有する強誘電性液晶素子
は、低温における作動特性、高速応答性が改善され、ま
た応答速度の温度依存性も軽減されたものとなっている
。

実施例１８ 実施例１及び比較例１で用いた液晶組成物をＳｉＯ２を
用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作成した
以外は全〈実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定し
た。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃１−Ｂ　　　
７２０ｐｓｅｃ　　　　２５３ｇ５ｅｃ　　　　　９８
ＩＬｓｅｃ１−Ａ　　１２４０ｐｓｅｃ　　　　３６５
ｇ５ｅｃ　　　　１３２）Ｌｓｅｃｌ−Ｃ８５５）ｒｓ
ｅｃ　　　　２７０μｓｅｃ　　　　＋０５＃Ｌｓｅｃ
１−１１　　８４５ｇ５ｅｃ　　　　２５８ｇ５ｅｃ　
　　　１０２ｐｓｅｃ１−Ｅ　　１０２０）ｚｓｅｃ　
　　　３１５ｐｓｅｃ　　　　１２２）ｚｓｅｃ実施例
１８より明らかな様に、素子構成を変えた場合でも本発
明に従う強誘電性液晶素子を含有する素子は、他の液晶
組成物を含む素子に実施例１と同様に低温作動特性が改
善され、さらに、応答速度の温度依存性も軽減されたも
のとなっている。

［発明の効果コ 本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、低温作動特性の改善された液晶素
子、及び応答速度の温度依存性の軽減された液晶素子と
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、強誘電性液晶を用いた液晶素子の一例の断面
概略図。 第２図、及び第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 招― 第１図において、 １・・・強誘電性液晶層、 ３・・・透明電極、 ５・・・スペーサー ７・・・電源、 ９・・・光源、 ■＋・・・透過光 第２図において、 ２１ａ・・・基板、　　　　２１ｂ・・・基板、２２・
・・強誘電性液晶層、２３・・・液晶分子、２４・・・
双極子モーメント（Ｐ、） 第３図において、 ３１ａ・・・電圧印加手段、３１ｂ ３３ａ・・・第１の安定状態、 ３３ｂ・・・第２の安定状態、 ３４ａ・・・上向きの双極子モーメント、・・・電圧印
加手段、 ２・・・ガラス基板、 ４・・・絶縁性配向制御層、 ６・・・リード線、 ８・・・偏光板、 神・・・入射光、 Ｏ ３４ｂ ・・・下向きの双極子モーメント、 Ｅａ・・・上向きの電界、 Ｅｂ・・・下向きの電界。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
   状もしくは分岐状のアルキル基であり、置換基として、
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿２のアルコキシ基を有していても良い
   。 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼のいずれかを示す。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（I
   I） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基Ｘ
   ＿３、Ｘ＿４は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等
   があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼Ｚ＿
   １は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２
   −、単結合▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
   式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼のうち少なくとも１つは▲数式、化学式、表等
   があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があります
   ▼である。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（I
   II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、Ｒ＿５は置換基を有していても良いＣ＿１〜
   Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基Ｘ＿５は単
   結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼ Ｚ＿２は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ ｍは１〜１２） で示される化合物の少なくとも一種とを含有することを
   特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
2. （２）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
   状もしくは分岐状のアルキル基であり、置換基として、
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿２のアルコキシ基を有していても良い
   。 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼のいずれかを示す。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（I
   I） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３、Ｒ＿４は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基Ｘ
   ＿３、Ｘ＿４は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等
   があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼Ｚ＿
   １は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２
   −、単結合▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
   式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼のうち少なくとも１つは▲数式、化学式、表等
   があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があります
   ▼である。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（I
   II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、Ｒ＿５は置換基を有していても良いＣ＿１〜
   Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基Ｘ５は単結
   合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼ Ｚ＿２は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ ｍは１〜１２） で示される化合物の少なくとも一種とを含有する強誘電
   性カイラルスメクチック液晶組成物を一対の電極基板間
   に配置してなることを特徴とする液晶素子。