JPH023679A - 新規硬化型含フッ素ポリイミド - Google Patents

新規硬化型含フッ素ポリイミド

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JPH023679A
JPH023679A JP63144388A JP14438888A JPH023679A JP H023679 A JPH023679 A JP H023679A JP 63144388 A JP63144388 A JP 63144388A JP 14438888 A JP14438888 A JP 14438888A JP H023679 A JPH023679 A JP H023679A
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勉 小林
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、新規硬化型含フツ素ポリイミドに関する。
［従来の技術］ 末端に不飽和基を有する硬化型含フツ素ポリイミドとし
ては、例えば次の溝道式を有するしのが知られている： （Ｒ「は炭素数１−１０のパーフルオロアルキルＭ、Ｒ
’ｌ’は炭素数１−１２のパーフルオロアルキル基、ｐ
は炭素数１〜３の整数、ｑはＯ〜３の整数、ｒはＯ又は
ｌ、ｓは０〜５の整数、Ｌは０〜５の整数）、 ＹはＸと同意義であるか又は水素原子、炭素数１〜８の
アルキル基又は炭素数ｔ〜８のフルオロアルキル基を表
す。） を含む。］ ［式中、Ｄはノアミンから２つのアミノ基を除いた残基
、ｎの平均値は１．０である。］（第１８回インターナ
ショナル・ＳＡＭＰＥ・テクニカル・カンフェレンス（
１８ｔｈ　Ｉ　ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＳＡＭＰＥ　
　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）、１
９８６年ｌθ月７−９日、第７１０〜７２１頁参照）。
しかし、このような含フツ素ポリイミドから得られた硬
化材料においては、耐湿性が不充分であり、誘電率及び
屈折率が高い。したがって、エレクトロニクス材料又は
光学部品などに適用する場合に、満足な性能が得られな
い。
［発明の目的］ 本発明の目的は、耐湿性に優れ、低誘電率及び低屈折率
を有する硬化材料を与えろ硬化型含フツ素ポリイミドを
提供することにある。
［発明の構成］ 本発明の要旨は、 （Ｉｔ”はｊ６族ジアミンから２個のアミノ基を除いた
残Ｊ、０ 又は （Ｒ’は前記と同Ｑ′＆、Ｚは水素又は炭素数１〜５の
アルキル基） のいずれか、 Ａ２は、 ［式中、Ａ１は、 （Ｒ’は芳香族テトラカルボン酸二無水物から２個の酸
無水物基を除去した残基）、 又は （Ｚは前記と同機ａ） のいずれか、 Ｒ′及びＲ′は前記と同意義、並びに ｎはＯ〜９０の数であり、 なお、式中に存在するＲ１及びＲ１の少なくとら一方は
、 Ｃ− （Ｘは （Ｒｒは炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基、ｌ
ｔ’ｒは炭素数１〜１２のパーフルオロアルキルＪ、（
、ｐは炭素数■〜３の整数、ｑはθ〜３の整数、「はＯ
又はｌ、ｓはθ〜５の整数、ｔはθ〜５の整数）、 ＹはＸと同、α義であるか又は水素原子、炭素数１〜８
のアルキル基又は炭素数１〜８のフルオロアルキル基を
表す。） を含む。コ で示される硬化型含フツ素ポリイミドに存する。
本発明の含フツ素ポリイミドは、式： ％式％ ［上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｚ及びｎは前記と同意義。コ
て示される含フツ素ポリイミドである。
（Ｉ−４） 本発明の含フツ素ポリイミド（＋）の具体例は、本発明
の含フツ素ポリイミドの特徴は、その繰 り返し単位中の芳香環と芳香環の間に （Ｘ及びＹは前記と同意ａ）で示される基を含む点にあ
る。
ｎが０である場合に、式（１−１）においてＲ４及びに
式（１−２）及び式（Ｉ ３）においてＲ２は、 また 口が０でない場合に、 Ｒ’及びＲ２の少な（とも 一方は、 主鎖に式： （Ｘ及びＹは前記と同、＠ａ）で示される基を含む。
Ｒ１であれば ［上記式中、 ｎは前記と同意義。
］ である。
であり、 Ｒ８であれば 置換基Ｒ１を具体的に例示すると、 ことができる。
また、 置換基Ｒ１を具体的に例示すると Ｃ（Ｃ１１３）２ Ｃ（ＣＦ＋）を− 又は ５ｉ（ＣＩＩ＋）ｔ− Ｃ，Ｉ＋。
Ｃ，Ｉ＋。
又は −Ｃ，１１゜ Ｃ，１１゜ Ｃ，ｌ＋、− ）、 ０−（ＣＩＬ）、−０ （ＣＩＩＪａ　　Ｏ− Ｃ１１，− Ｃ（Ｃ１１３）　！　− Ｃ（ＣＦ、）。
一８Ｏ１ Ｓｉ（Ｃ１ｌｓ）を− ）及び Ｃ− Ｃ（ＣＩ（ｓ）ｔ　− 又は−Ｓ−＞ 等を挙 げろことができる。
含フッ素ポリイミ ド（１ １）は、 次の反応式に イミド化 従って調製できろ。
化合物（ＩＩ＋） 含フッ素ポリイミ ド（Ｉ ｌ） ｎｈ＜０でない場合 ｎｌ−１，Ｎ−Ｒ” ＮＩＩ。
（エヂニルアニリン） 含フッ素ポリイミ ド（Ｉ ２）及び（１ ３）は、 次の反応式に従って調製できろ。
ｎが０でない場合 （ｎ＋１）・ＨＥＮ Ｎ　Ｈ。
＋ 含フッ素ポリイミ ド（１ 又は 含フッ素ポリイミ ド（１ 又は 含フツ素ポリイミド（１−２） 含フツ素ポリイミド（１−３） 含フツ素ポリイミド（１−４）及び（１−５８ｎが０の
もの）は、次の反応式に従って調製できる。
υ 一含フッ素ポリイミド（＋−１１）又は（１−５）含フ
ツ素ポリイミド（１−６）は、含フ・ソ素ポリイミド（
１−２）又は（１−３）の調製においてを混合して使用
することによって調製できる。
前記反応において、まず、アミド酸を調製する。
アミド酸の調製において溶媒を使用することが好ましい
。溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、アセト
ン、ジオキサン、Ｎ−メチル−２ピロリドン、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ。
Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジ
グライム、アセトニトリル、１．３−ジメチル−２−イ
ミダゾリジノン、ｍ−キシレンへキサフルオライドなど
を使用ずろ。これら溶媒に加えて、ベンゼン、トルエン
、キシレンなどを併用ずろことら可能である。反応は、
通常、０〜１５０℃、好ましくは２０〜１００℃で、０
．１〜５時間行うことが好ましい。
次いで、イミド化反応により含フツ素ポリイミドを調製
する。イミド化反応において、脱水剤を使用して環化脱
水を行う。イミド化反応は触媒及び塩基の存在下に溶媒
中で行うことが好ましい。
脱水剤として、例えば、無水酢酸、五酸化ニリン（ｐｔ
ｏｓ）、濃硫酸などを使用する。触媒として、例えば、
アルカリ土類金属の酸化物、鉄（ＩＩ）又は（■１）、
ニッケル（］ＩＩ、マンガン（ｎ）又は（ＩＩＩ）、銅
（１）又は（１）、コバルト（［１）又は（ＩＩＩ）の
炭酸塩、酢酸塩、リン酸塩、硫酸塩などを使用する。塩
基として、例えば、トリメデルアミン、トリエチルアミ
ン、トリエチルアミン、酢酸ナトリウムなどを使用する
。溶媒として、アミド酸の調製で使用した溶媒をそのま
ま使用することが好ましい。通常、脱水剤の量はアミド
酸に対して１〜２０倍モル、触媒の；ｉｌはアミド酸に
対してｌＸｌ０−”〜１×１０１モル％、塩基の槍はア
ミド酸に対して５〜１５０モル％である。イミド化反応
は、通常、１００〜２５０℃、好ましくは１２０〜ｔＳ
Ｏ℃で、２〜２１１時間行うことが好ましい。
含フツ素ポリイミド（１−１）、（１−２）及び（＋−
３）の硬化は、温度２００〜５００℃、好ましくは２５
０〜４００℃で０．１〜５時間、加熱することによって
行える。硬化面に、エチニル基又はエチレンゴミをａす
る化合物、例えば、アクリル系化合物、スチレン系化合
物、ビニルエーテル系化合物又はビニルエステル系化合
物を混合してもよい。含フツ素ポリイミド（１−２）及
び（Ｉ３）には、ジアミンを混合してもよい。
また、含フツ素ポリイミドに、充填剤、例えば、炭酸カ
ルシウム、ソリ力、アルミナ、チタニア、水酸化アルミ
ニウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ジ
ルコン、ガラス、タルク、マイカ、黒鉛、アルミニウム
、銅、鉄などの粉末状充填剤及び短繊維状充填剤を添加
してもよい。
含フツ素ポリイミドは、例えば、圧縮成形、トランスフ
ァー成形によって成形できる。充填剤を添加した場合に
成形が容易になる。また、含フツ素ポリイミドをワニス
としてコーティングすることも可能である。
本発明の含フツ素ポリイミドは、耐熱性及び耐湿性が要
求される種々の用途に使用できる。例えば、航空宇宙同
構造材用マトリックス樹脂、耐熱接着剤及び導電性接着
剤のベース樹脂、リジッド及びフレキシブルプリント基
板材、半導体素子などの電子部品におけろ封止材、パッ
シベーション膜、層間絶縁膜、α−線保護膜、外力に対
するデバイス表面の保護膜、ワイヤーボンディング部の
絶縁性及び機緘的？ｌｌｉ強材、イオン注入用及びリフ
トオフ用マスク（イ、液晶表示素子の配向膜、ガラスフ
ァイバー及びＬ　ＥＤなどの光部品の封止材及び保護コ
ート材、並びに太陽電池の保護膜等において使用できろ
。
［発明の効果］ 本発明によれば、優れた耐熱性及び耐湿性並びに低屈折
率及び低誘電率を有ずろ硬化材料を与える含フツ素ポリ
イミドが得られる。
［実施例コ 以ドに、実施例を示し、本発明を具体的に説明°１）′
る。
実施例１ ２００ｍＱ３つロフラスコに、式： ％式％：７ で示される化合物３２．８９ｇ（０，０４モル）及びＮ
−メチルピロリドン（ＮＭＰ）６０−を加えて室温で撹
拌しながら、ＮＭＰＩ５ｍ１２に溶解したｌ。
３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）
５．８５ｇ（０，０２モル）をゆっくりと滴下した。
５０℃で１時間撹拌した後、ＮＭＰ６ｎ＋Ｉ２に希釈し
た３−アミノフェニルアセチレン（ＡＰＡ）５．０４ｇ
（０，０４３モル）を加えた。３つロフラスコを加熱し
、ベンゼンを加え、１４０℃で２０時間加熱還流下、デ
ィーンスタークコンデンサーを用いて水分を除去した。
反応溶液を室温に戻し、エチルアルコール中に入れると
生成物が沈殿した。生成物を濾過後、更にエチルアルコ
ールで３回洗浄しＮＭＰを除去した。エチルアルコール
を減圧留去した後、８０℃で２４時間減圧乾燥すると、
式： （ｎの平均値は１．０） で示される化合物３２．４３ｇ（０，０１５モル：７７
％収率）が得られた。ｎの数については、エル・バーン
ズ・ジュニア（Ｌ、ｒ３ａｒｎｅｓ、Ｊｒ、）、アナリ
ティカル・ケミストリイ（Δｎａ１．　Ｃｈｅｍ、）、
　３１　（３）。
４０５（１９５９）に従って末端アセチレンを定量する
ことにより求めた。
’Ｉｔ−ＮＭＲ（ＣＤＣｂ／ＴＭＳ）δ［ｐｐｍ］　：
　８　、　ｒ〜Ｇ、７（ｍ、３２Ｈ）、３．１１（ｓ、
２ＩＩ）、３　、０〜１　、６　（ｂｒｏａｄ、　８　
Ｈ）。
Ｉ９Ｆ−ＮＭＲ（ＣＤＣｆ２３／ＴＦＡ）δ［ｐｐｍ］
　ニー　１３．１（ｓ、６Ｆ）、２．１（Ｌ、６Ｆ）、
３５　、７　（ｂｒｏａｒｌ、　４　Ｆ　）、４３　、
０　（ｂｒｏａｄ。
１２Ｆ）、４４　、１　（ｂｒｏａｄ、　８　Ｆ）、４
７　、３　（ｂｒｏａｄ、　４　Ｆ　）。
ＩＲ，ν［ｃｍ−’］：３３００，１７８０　１７２５
＋５８５．１４８０．１４３０．１３ ７５．１２４０　１２００　１１７０ １１４０．１１００．１０１０　９８ ０．９１０，８７０．８４０，７９０゜７４０．７２０
　７１０゜ 実施例２ ２００ｍ（！３つロフラスコに、式： で示される化合物４１．１２ｇ（０，０５モル）、ＡＰ
Ａ６．４４ｇ（０，０５５モル）及びＮＭＰ７０ｍ＋２
ヲ加え、５０℃で１時間撹拌した。３つロフラスコを更
に加熱し、トルエンを加えて、１４０℃で１５時間加熱
還流下、ディーンスタークコンデンサーを用いて水分を
除去した。反応溶液を室温に戻し、エチルアルコールの
中に入れると生成物が次第に沈殿した。生成物を濾過後
、更にエチルアルコールで３回洗ｋ、余分なＮＭＰを除
去した。
エチルアルコールを減圧留去した後、８０℃で２４時間
減圧乾燥４°ると、式： で示される化合物３４．３０ｇ（０，０３４モル：６７
％収率）が得られた。
ＨＮＭｒｔ（ＣＤＣ１２＋／　’Ｉ：ＭＳ）δ　［ｐｐ
ｍ］　：　　８　　、　１〜７．２（ｎ＋、　ｌ　４　
ＩＩ）、３．１１（ｓ、２Ｈ）、３　、０〜１　、６　
（ｂｒｏａｄ、　４　Ｉｎ。
”Ｆ−ＮＭＲ（ＣＩ）Ｃ＆３／ＴＦＡ）δ［ｐｐｍ］ニ
ー　１３．１（ｓ、３Ｆ）、２．１（Ｌ、３Ｆ）、３５
　、８　（ｂｒｏａｄ、　２　Ｆ　）、４３　、　Ｉ　
（ｂｒ。
ａｄ、　６　Ｆ　）、４４．０（ｂｒｏａｄ、４　Ｆ）
、４７　、３　（ｂｒｏａｄ、　２　Ｆ　）。
■１１．ν［ｃｍ−’］：３３００．１７８０．ｌ７２
０゜＋６００．１５８０．１４８０．１４ ３０．１３７０，１２３０．＋２００゜＋１７０．１１
４０．＋１００．１０ ０５．９７０，７８５，７４０，７１０゜７００゜ 実施例３ ２００ｍ１２３つロフラスコに、式： で示される化合物４３．５６ｇ（０，０７モル）、ＡＰ
Ａ８．７９ｇ（０，０７５モル）及びＮＭＰ８０ｍ１２
を加え、５０℃で１時間撹拌した。３つロフラスコを更
に加熱し、トルエンを加えて、１４０℃で２０時間加熱
還流下、ディーンスタークコンデンサーを用いて水分を
除去した。反応溶液を室温に戻し、エチルアルコールの
中に入れると生成物が沈殿した。生成物を濾過後、更に
エチルアルコールで３回洗浄し、余分なＮＭＰを除去し
た。エチルアルコールを減圧留去した後、８０℃で２４
時間減圧乾燥すると、式： で示される化合物４１．３３ｇ（０，０５０モル、７２
％収率）が得られた。
ＩＩ　　ＮＭＲ（ＣＤＣ１２３／ＴＭＳ）δ［ｐｐｍ］
　：　８　、１〜７．２（ｍ、１４１−１）、　３．１
２（ｓ、２１１）、　　３　．０　〜１　　、　６　　
（ｂｒｏａｄ、４　１−Ｉ）。
”Ｆ−ＮＭｆｌ（Ｃ１）Ｃ（！ｉ／’ｌ’ＦＡ）δ［ｐ
ｐｆｆｌ］ニー１３．３（ｓ、３Ｆ）、２．３（ｔ、３
Ｆ）、３５　、２　（ｂｒｏａｄ、　２　Ｆ　）、４５
　、２　（ｂｒｏａｄ。
２Ｆ）、４７　、３　（ｂｒｏａｄ、　２　Ｆ　）。
Ｉ　　ｎ　、　Ｌｌ　［ｃｌｌｌ−’コニ３３００．ｌ
　　７８０，１７２０゜ＩＧＯｏ、１５７０，１５４０
，１４ ８０．１４３０．＋３７０．１２３５゜１２００．１１
７０．１１４０．１１ ００．１０　＋０．９７０，８７０，７９０．７４０，
７１０，７００゜ 実施例４ ２００ｍＣ５つロフラスコに、式： で示される化合物４１．３０ｇ（０，０６モル）、ＡＰ
Ａ７．７３（０，ｏ６６モル）及びＮＭＰ７０ｍ１２を
加え、５０℃で１時間撹拌した。３つロフラスコを更に
加熱し、トルエンを加えて、１４０℃で１５時間加熱還
流下、ディーンスタークコンデンサーを用いて水分を除
去した。反応溶液を室温に戻し、エチルアルコールの中
に入れると生成物が沈澱した。生成物を濾過後、更にエ
チルアルコールで３回洗浄し余分なＮＭＰを除去した。
エチルアルコールを減圧留去した後、８０℃で２４時間
減圧乾燥すると、式： て示される化合物３９．６９ｇ（０，０４５モル；７５
％収率）か得られた。
ＩＩ−ＮＭＲ（ＣＤＣｆ２３／ＴＭＳ）δ［ｐｐｍ］　
：　８　、１〜７．１（ｎ＋、１４１−１）、３．１１
（ｓ、２■）、３　、０〜１　、６　（ｂｒｏａｄ、　
４１−１）。
’Ｆ−ＮＭｒｉ（ＣＩ）Ｃ（！＋／’ｒＭＳ）δ［ｐｐ
ｍ］　ニー　１２．２（ｓ、３Ｆ）、２．９（ｔ、３Ｆ
）、３゜１　（ｂｒｏａｄ、　２　Ｆ　）、−１，７（
ｄ、３ｐ）、５１．３（ｂｒｏａｄ、　ｌ　Ｆ）、５２
．８（ｓ２Ｆ）。
Ｉ　ｎ、ν［ｃｍ−’］：３３００．１７８０，１７２
０１６００、＋５７０，１１１８０．１４３０．１３７
０．＋２３０．１２００゜１１ＧＯ，＋００５，９７０
，８４０ ７５０゜ 実施例５ ５００ｍ１２４っロフラスコに式： で示される化合物３５．６２ｇ（０，０５モル）及びｍ
−キシレンへキサフルオリド（ｍ−ＸＩ４Ｆ）Ｉ　５０
ｍｇを加え、５０℃で撹拌しながら、ｍ−ＸＩＩＰ１５
０ｍ１２に溶解した無水マレイン酸１２．７ｇ（０，１
３モル）をゆっくりと滴下した。滴下後、５０℃で３０
分間撹拌し、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド
（ＢＴＭＡＣ）０．５ｇ、Ｎ１（ＯＡｃ）ｔ−４Ｈ！Ｏ
Ｏ，５ｇ、６硫酸１．２ｍｆ２を加え、１０時間加熱還
流下、ディーンスタークコンデンサーを用いて水分を除
去した。有機層をＮａｔＣＯ３水溶液で中和後、ＮａＣ
（！水溶液で２回洗浄し、無水ＮａｔＳＯ４で乾燥後、
ｍ−ＸＩ−ＩＦを減圧留去すると、式： て示される化合物２８．１０ｇ（０，０３２モル；６４
％収率）が得られた。
［Ｉ　　Ｎ　Ｍ　ｎ　（ＣＤ　ＣＩ２３／　Ｔ　Ｍ　Ｓ
　）δ［ｐｐｍ］　：　７　、４３　（ｓ、　８　ＩＩ
）、６．８８（ｓ、４Ｈ）、３．０〜ｌ　、　５　（ｂ
ｒｏａｄ、　４　ＩＩ）。
’Ｆ　　ＮＭＲ（ＣＤ　ＣＱ３／’ｒ　Ｆ　Ａ）δ［ｐ
ｐｍ］ニー１２．８（ｓ、３Ｆ）、２．２（ｔ、３Ｆ’
）、３５゜９　（ｂｒｏａｄ、　２　Ｆ　）、４３　、
１　（ｂｒｏａｄ、　６　Ｆ）、４３　、７　（ｂｒｏ
ａｄ、　４　Ｆ’）、４７．３（ｂｒ。
ａｄ、２Ｆ）。
Ｉｎ、ν［ｃｍ−’］：３５００，１７２０．１６１０
゜１５２０．１４００．＋３８０．１２００．１１４０
．１０６０．＋０２０，１０００．９７０，９５０，８
３０，７００゜実施例６ ５００ｍ１２１１つロフラスコに、式：で示される化合
物３５．６２ｇ（０，０５モル）及び亀−ＸＩ（ＰＬ５
０ｍ（を加え、５０℃で撹拌しながら、ｍ−ＸＨＦに溶
解した無水５−ノルボルネン−２，３〜ジカルボン酸２
１．３ｇ（０，１３モル）をゆっくりと滴下した。滴下
後、５０℃で３０分間撹拌し、Ｂ’ｒＭＡＣ０，５ｇ、
Ｎ１（ＯＡｃ）ｚ・４）１゜００．５ｇ、５硫酸１．２
ｍ１２を加え、１０時間加熱還流下、ディーンスターク
コンデンザーを用いて水分を除去した。有機層をＮａ２
ＣＯ３水溶液で中和後、ＮａＣ＋！水溶液で２回洗浄し
無水ＮａｔＳＯ＋で乾燥後、ｍ−ＸｔｌＦをＳ１圧留去
すると、式・９％収率）が得られた。
ＩＩ　　ＮＭＩＺ（ＣＤＣ＆ｉ／ＴＭＳ）δ［ｐｐｍ］
　：　７　、２５　（ｑ、８１１）、６．２３（ｓ、４
　Ｈ）、３．４３　（ｍ、　８　ｔｌ　）、３．１−１
．６（ｂｒｏａｄ、４ＩＩ）、１　、７　（Ｑ、　４　
Ｎ）。
’　Ｐ　　Ｎ　Ｍ　Ｒ（ＣＤ　ＣＱ　３／　Ｔ　Ｍ　Ｓ
　）δ［ｐｐｍ］　ニー　１３．０（ｓ、３　Ｆ）、２
．ｚ（ｔ、３Ｆ’）、３５　、８　（ｂｒｏａｄ、　２
　Ｆ）、４３　、１　（ｂｒｏａｄ６Ｆ）、４４．０（
ｂｒｏａｄ、４　Ｆ）、４７゜４　（ｂｒｏａｄ、　２
　Ｆ　）。
Ｉｎ、ν［ｃｍ−’］：３４００．＋７１０．１５１０
゜＋　３７５．１２００．１１７０．１１４０　１００
０．８２０，７２０．７００６で示される化合物３４．
６６ｇ（０，０３５モル二〇試験例 実施例１で得た含フツ素ポリイミド及び比較例１として
式 μｍの切片を作成し、この切片を５０±３℃の温度で２
４時間乾燥後、デシケータ−中で放冷してから秤１１１
ずろ。このときの重量をＷｌとする。次にこの切片を蒸
留水中に２３±１℃の温度で２４時間浸漬した後、水中
から取り出して水滴を布でふきとってから秤Ｍずろ。こ
のときの重量をＷ。
と４°ろ。そして吸水率Ａを次の式によって算出する。
（ｎの平均値は１０） で示される含フツ素ポリイミドの５０重１％ＮＭＰ溶液
を作り、ステンレス板にキャストした後、８０℃で２０
分間、１５０℃で２０分間、２５０℃で１時間加熱し硬
化した。
得られた硬化樹脂について、次の物性値を測定した。
（１）吸水率 硬化樹脂から７６．２ｍｍ　Ｘ　２５．４ｍＩＩＩＸ　
５０（２）屈折率 アツベ屈折計を用いて２３℃で行った。
測定結果を第１表に示す。
第１表から、本発明の含フッ素ポリイミド樹脂の屈折率
が、 石英の屈折率（ｎｏ′３＝１ ４６）に近 いことがわかる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、式： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ａ＾１は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＾２は芳香族ジアミンから２個のアミノ基を除いた
    残基） 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＾２は前記と同意義、Ｚは水素又は炭素数１〜５の
    アルキル基） のいずれか、 Ａ＾２は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＾１は芳香族テトラカルボン酸二無水物から２個の
    酸無水物基を除去した残基）、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｚは前記と同意義） のいずれか、 Ｒ＾１及びＲ＾２は前記と同意義、並びに ｎは０〜９０の数であり、 なお、式中に存在するＲ＾１及びＲ＾２の少なくとも一
    方は、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｘは ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒｆは炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基、Ｒ
    ′ｆは炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基、ｐは
    炭素数１〜３の整数、ｑは０〜３の整数、ｒは０又は１
    、ｓは０〜５の整数、ｔは０〜５の整数）、 ＹはＸと同意義であるか又は水素原子、炭素数１〜８の
    アルキル基又は炭素数１〜８のフルオロアルキル基を表
    す。） を含む。］ で示される硬化型含フッ素ポリイミド。
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