JPH0235460Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、片側に信号記録用案内溝（プリグル
ーブ）の形成されたガラス板を使用し、信号記録
案内溝を有する光デイスク用基板を精度よく、経
済的に且つ容易に成形できる注型成形用型に関す
るものである。

〔従来技術〕

従来、信号記録用案内溝を有する光デイスク基
板を製作するためにはニツケル電鋳方式により製
作された薄いスタンパが用いられるのが一般的で
あるが、これらのスタンパを注型成形用型として
用いるためには、スタンパ自体は非常に薄くまた
剛性に欠けているために補強が必要であり、補強
のための裏打ち材とスタンパの密着性を高めるこ
とが要求され、また裏打ちされたスタンパに対し
ては高度の精密性、平面性が必要とされ、このた
めに非常に高度な接着技術が要求される。

更に注型成形において加熱、冷却が繰り返し行
なわれることにより接着剤の熱劣化によりスタン
パと裏打ち材が剥離するという欠点や接着時に接
着剤層中に気泡が残つた場合、加熱時にこの残留
気泡部でスタンパが凸状に変形してしまうという
欠点があつた。

これらの欠点からスタンパを用いる一体注型成
形方法は行なわれておらなかつた。

またガラス板に反応性イオンエツチング法によ
り信号記録用案内溝を形成して光デイスク基板を
得ることが報告されている。（第31回日本応用磁
気学会春期大会講演要旨集P65，84′） しかしこれらはガラス基板上に直接エツチング
して、ガラス基板としてのみ用いるものである。

またガラス板を利用した注型成形用型が用いら
れているが、これらは鏡面板状の基板を注型成形
し、かかる後に信号記録用案内溝を加工するとい
つた手数のかかる方法をとつていた。

〔考案の目的〕

本考案は、高品位の合成樹脂製光デイスク基板
を注型成形するための熱劣化あるいは熱時におけ
る変形が非常に少なく、且つ高度の精密性、平面
性を有する信号記録用案内溝を形成したガラス板
を用いて構成した注型成形用型を提供することに
あり、合成樹脂製の高品位の光デイスク基板を作
製するためのものである。

〔考案の構成〕

本考案は、信号記録用案内溝を反応性イオンエ
ツチング法により形成したガラス板を用い注型成
形用型とすることに特徴を有するものである。

本考案に用いられる注型成形用型に用いるもの
はガラス板であり、青板ガラス、研磨ガラス、強
化ガラスなど特に種類は問わないが傷がつきにく
いという点で強化ガラスが望ましい。

また強化ガラスに信号記録用案内溝を形成して
も、青板ガラスに信号記録用案内溝を形成した後
に強化ガラスとする処理をしたものでもかまわな
い。

ガラスの厚みとしては強度、重量の点から５〜
15mmのものが望ましい。

注型成形用型を構成するもう一方のガラス板と
しては鏡面を有する５〜15mmの厚のものを用い
る。

次にガラス板上に信号記録用案内溝を形成する
方法について述べる。

信号記録用案内溝を形成する工程は、通常のス
タンパ作成の場合と同じで、ガラス板上にスピン
ナーによりレジストを塗布し、アルゴンレーザー
カツテイング装置により露光、現像してレジスト
による信号記録用案内溝を形成する。

次に弗化水素（HF）ガスによりガラスをエツ
チングしてもよいが、三弗化メタン（CHF₃），
１，１ジフルオロエチレン（F₂C＝CF₂）などの
弗化炭化水素を用いる反応性イオンエツチング法
によるエツチングが一番適していることを見い出
した。

三弗化メタンの場合ガス分圧は３〜10mTorr
が望ましい。また自己バイアス電圧は−500〜−
550Vが望ましい。

自己バイアス電圧が−450〜−400Vになると信
号記録用案内溝の形状を変形して好ましくない。

次に残存したレジストの除去は酸素プラズマ灰
化装置を用いて行なつた後熱濃硫酸浸漬により行
なう。

使用する樹脂は未硬化または未重合時に液状
で、且つ透明な樹脂でエポキシ樹脂、メチルメタ
クリレート樹脂、ジエチレングリコールビスアリ
ルカーボネート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等
光デイスク用基板として使用される樹脂であれば
どれでも用いることが可能である。

エポキシ樹脂は特に信号記録案内溝の転写性が
良好であり望ましい。

このうちエポキシ樹脂は、脂環式エポキシ樹脂
または芳香族エポキシ樹脂で、常温で液状のもの
であればすべて適用でき、ジペンテンジオキサイ
ド、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、３，４
−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−
３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカ
ルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシ
ルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカル
ボキシレート等の脂環式エポキシ樹脂や液状ビス
フエノールＡ系樹脂、液状ノボラツク型エポキシ
樹脂が用いられる。

特に低粘度であるため注型成形性に優れ、且つ
低屈折率、高ガラス転移点（Tg）の硬化物が得
られる脂環式エポキシ樹脂が好んで用いられる。

またこれらエポキシ樹脂を混合使用することは
本願発明において極めて有効であり、特に脂環式
エポキシ樹脂と芳香族系エポキシ樹脂としてのビ
スフエノールＡ系樹脂の混合は、その混合割合に
より得られる硬化物の屈折率を1.50〜1.60まで適
宜調整することが出来る点で重要である。

硬化剤はメチルヘキサヒドロフタル酸無水物等
の酸無水物が用いられる。

〔考案の効果〕

本考案は、信号記録用案内溝を形成したガラス
板を注型成形用型板として用いるため、従来のス
タンパと裏打ち材とを接着したものを注型成形用
型板を用いる場合に生ずる接着剤の熱劣化、接着
不良等の欠陥がなく、更にガラス板を用いること
により平面度の高い優れた高品位の光デイスク用
基板が得られる。

また注型成形用型の寿命が伸びるため非常に経
済的であり更に取り扱いも容易である。

〔実施例〕

厚み10mm、直径350mmの両面研磨ガラス板の片
面にスピンナーによりレジストを塗布し、アルゴ
ンレーザーカツテイング装置により露光、現像
し、レジストによるスパイラル状の信号記録用案
内溝のパターンを形成する。

次に反応性イオンエツチング装置内に上記ガラ
ス板を装着し、三弗化メタン（CHF₃）を分圧に
して4mTorr導入、自己バイアス電圧−500Vで反
応性イオンエツチングを行い、ガラス板を深さ方
向に0.08μmまでエツチングを行つた。次に酸素
プラズマ灰化装置中で残留レジストを除去して信
号記録用案内溝の付いた注型成形用型板を得た。

次に該信号記録用案内溝を形成したガラス板及
び該ガラス板と同じ大きさの鏡面を有する厚み10
mmの研磨ガラス板の表面にそれぞれ離型膜処理を
行い、これらのガラス板を用いて直径300mm、厚
さ1.2mmの第３図に示した注型成形用のキヤビテ
イを作つた。

該キヤビテイに以下の配合組成の液状エポキシ
樹脂を注入し、100℃、10時間硬化させた。

〔配合組成〕

ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂 100重量部 メチルヘキサヒドロフタール酸無水物 88重量部 ２−エチル−４−メチルイミダゾール
0.5 〃 ２，６−ジ−ターシヤリ−ブチル−ｐ−クレゾ
ール 1.0 〃 次いで注型成形用型から脱型した後、樹脂注入
口の突起をサンダーで削りとり信号記録用案内溝
が転写された透明エポキシ樹脂組成物の光デイス
ク用基板を得た。

尚、成形方法が注型成形であるために成形歪に
よる複屈折が小さく、直径300mmの基板内の位相
差は0.1〜5nm（ダブルパス）であつた。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本考案による注型成形用型の
例である。 図中１……信号記録用案内溝を形成したガラス
板（ガラススタンパ）、２……信号記録用案内溝、
３……ガラス型板、４……スペーサー、５……キ
ヤビテイ、６……樹脂注入口、７……ベント口、
８，９……樹脂留め部、１０……樹脂留め部用
栓、１１……パイプ、１２……コツク。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 信号記録用案内溝を形成したガラス板と鏡面を
   有するガラス板からなることを特徴とする光デイ
   スク基板注型成形用型。