JPS62280008A - デイスク基板の成形方法 - Google Patents

デイスク基板の成形方法

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JPS62280008A
JPS62280008A JP12611386A JP12611386A JPS62280008A JP S62280008 A JPS62280008 A JP S62280008A JP 12611386 A JP12611386 A JP 12611386A JP 12611386 A JP12611386 A JP 12611386A JP S62280008 A JPS62280008 A JP S62280008A
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curing
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Takao Inoue
孝夫 井上
Takahiro Matsuo
隆広 松尾
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプラスチック透明基板の成形方法に関するもの
であり、例えば光で記録再生を行う方式のディスク(光
ディスク、光磁気ディスク等)のディスク基板などに利
用されるプラスチック透明ディスク基板の成形方法に関
する。
従来の技術 プラスチック透明基板は、光学的性質の基本的性能とも
いえる低複屈折率に優れる特徴を有することから近年、
注目をあびている。
一般に、このプラスチック透明基板は、ポリアリルカー
ボネート、ポリオールポリ(メタ)アクリレート、エポ
キシアクリレート等の重合性液状材料を型のキャビティ
内に注入し、これを型内でラジカル重合させて透明基板
を得る注型成形法が用いられている(特開昭58−13
0450号。
同・58−137150号)。
又、両面ガラス型内で光重合させる方法(特開昭60−
202557号)や、真空注型や注液完了後、加圧を加
えて液状樹1脂を熱重合させる方法(特開昭60−20
3414号)などがある。
発明が解決しようとする問題点 従来のプラスチック透明ディスク基板の注型成形法は、
使用する型が反応性液状材料の注入時よりプラスチック
透明基板成形完了まで約24時間位必要とする為、型の
利用効率が極めて悪く、溝。
信号などを転写させるスタンパ−型数を多くしており、
プラスチック透明ディスク基板の生産性に大きな障害と
なっている。
又、硬化時間を短縮するために、光エネルギーによりラ
ジカル重合させて得たプラスチック透明ディスク基板は
、短時間で硬化でき形状は得られるものの、残存2重合
量が多く、基板の吸水率を上げたり、耐熱性を低下させ
るという問題があった。この問題は、特に吸水率が大き
い場合、記録膜寿命を低下させた。
さらに、硬化収縮率の大きな多官能アクリレートの場合
型内で光エネルギーによるラジカル重合5 ベーン を完了させてしjうと、硬化反応収縮率が大きいだめ、
基板が割れ、成形品として得られないという問題も生じ
た。
本発明は、ラジカル重合から得られるプラスチック透明
ディスク基板が、吸水率が大きく、光ディスクの記録膜
寿命を低下させているという問題を解決する成形方法を
提供するものである。
問題点を解決するだめの手段・作用 本発明は、多官能性(メタ)アクリレート化合物を注型
成形法にてラジカル重合してプラスチック透明基板を得
る方法において、型内でラジカル重合して得たプラスチ
ックディスク基板のガラス転移温度(Tq)が10〜1
00℃に達した時点で、この基板を離型した後、更に、
この基板を後硬化させてTqが110℃以上の基板を得
るものであり、残存2重結合量(>C=C<)が30%
以下のプラスチックディスク基板を得る成形方法を提供
するものであり、更に好ましくは型内でラジカル重合し
て得たプラスチック基板が残存2重結合量(>C=C<
)50チ以上で脱型し、更に後硬6 ベー、゛ 化して残存2重結合量が30%以下の基板を得ることを
特徴とするプラスチックディスク基板の成形方法であシ
、更に好しくけ型内でのラジカル重合方法が紫外線を用
いた重合であり、後硬化が熱重合方法であることを特徴
とするプラスチックディスク基板の成形方法である。
又、更に好しくけ後硬化の温度が少くとも最終得られる
プラスチック基板のガラス転移温度(Tq)より±10
0℃で熱重合させることを特徴とするプラスチック基板
の成形方法であり、更に好しくは最終得られるグラスチ
ックディスク基板のガラス転移温度が150’C以上の
後硬化温度が160′C以上であることを特徴とするプ
ラスチックディスク基板の成形方法である。
上記多官能性アクリレート化合物としては下記一般式(
1) %式% 〔式中、R1は炭素数2〜50のアルコール残基であり
、R2はH−!、たはCH3であり、nは2〜6の数で
ある。〕 で表わされる化合物で、これをラジカル重合して得られ
る硬化物のガラス転移温度が100℃以上を有する化合
物が使用される。
かかる多官能性アクリレート化合物の具体例としては、
2.2’−ビス〔4−(β−メタクツ・イルオキシ)シ
クロヘキシル〕プロパン、2 、2’−ビス〔4−(β
−メタクロイルオキシジェトキシ)シクロヘキシル)プ
ロパン、ビス(オキシメチル)トリシクロ〔6,2,1
,o2・5〕デカンジメタクリレート、1.4−ビス(
メタクロイルオキシメチル)シクロヘキサン、トリメチ
ロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ネオベンチ
ルグリコールジ(メタ)アクリレート、1.6−ヘキサ
ンシオールジ(メタ)アクリレート、1.3−ブタンジ
オールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコール
ジ(メタ)アクリレ−) 、212’−ビス[l4−(
メタアクロイルジェトキシ)フェニルプoパン等メタク
リル酸エステル及びアクリル酸エステル化合物単独及び
それらの混合物等があげられるが光学的性質上、特に好
ましくは2.2’−ビス〔4−(β−メタクロイルオキ
シエトキシ)シクロヘキシル〕プロパン、ビス(オキシ
メチル)トリシクロ[: ts 、 2 、 t 、 
o2°5]デカンジメタクリレ−)、1.4ビス(メタ
クロイルオキシメチル)シクロヘキサンが利用できる。
ここで(メタ)アクリレートとはアクリレートとメタク
リレートの両者を総称して示す。
更に、上記の如き一般式(1)化合物に加えて、一般的
に粘度調整剤として用いられるラジカル重合性モノマー
を10重量−以下の範囲で使用することが可能である。
かかる他の重合性モノマーとしては、例えばスチレン、
クロルスチレン、ジクロルスチレン、ビニルトルエン、
ジビニルベンゼン、酢酸ビニル、塩化ビニル等のビニル
化合物、メチルメタアクリレート、フェニル(メタ)ア
クリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−フェ
ノキシエチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(
メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート
、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)ア
クリレート等の(メタ)アクリル化合物、ジエチレング
リコールビスアリルカーボネート、ジアリルフタレート
等アリル化合物が挙げられる。
これらのモノマーの重合の際に使用されるラジカル開始
剤は特に限定されず、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソ
プロピルパーオキシカーボネート、ラウロイルパーオキ
サイド、ターシャリ−ブチルパーオキシピバレート等の
過酸化物、アゾイソブチロニトリル等アゾ化合物、ベン
ゾフェノン、ベンツインエチルエーテル、ベンジル、ア
セトフェノン、アントラキノン等光増感剤、ジフェニル
スフイツト、チオカーバーメート等硫黄化合物など公知
のラジカル開始剤である。
又、上記ラジカル重合条件は、一般的なラジカル重合条
件(加熱、光照射、電子線照射等)で行なうことが可能
である。ラジカル開始剤の添加量は多官能性アクリレー
ト化合物100重量部に対し、o、01〜10重量部で
あり、重合温度は10〜200℃で、好ましくは30〜
150℃である。
そしてそれらの重合雰囲気は、空気中もしくは不活性ガ
ス中で行なうことができる。
上記多官能性アクリレートを注型成形法にてラジカル重
合して得られるプラスチック透明ディスク基板の離型時
のガラス転移温度は10〜100℃である。10℃未満
では硬化が不十分である為、プラスチック透明ディスク
基板に変形が生じ、又、100℃を越えては反応硬化収
縮により基板に割れ、欠けが生じ易くなるので離型が困
難になり、不適当であり、離型時の基板樹脂のTq範囲
としては10〜100’Cであり、好ましくは20〜8
0℃である。又残存2重結合量が60チ以上の時点で離
型することが好ましく、60チを下まわる時点では硬化
収縮により部分的な離型が起こり、離型部と密着部の境
界に段差が生じ光学的不良となる。
かかることにより、型内での多官能アクリレートのラジ
カル重合時間を2時間以下、好ましくは1時間以下とす
ることができる。又、光重合を行うと数十秒で脱型する
ことが可能である。
11 ペーノ 離型されたプラスチック透明ディスク基板は、平々場所
に置かれ、Tqが110℃以上となるまで後硬化される
。さらに好ましくは、残存二重結合量が30%以下にな
るまで後硬化するのが良い。
30%を越える2重結合量は、特にディスクの場合記録
膜の劣化が速く実用に耐えない。型内硬化および後硬化
の手段としては、加熱、紫外線照射。
電子線照射等があり、スタンパ−型占有時間の低減の観
点では型内重合は光エネルギー重合が好ましい。
後硬化は、温度、照射量などを段階的に行なうのが好ま
しく、少なくとも後硬化温度として最長寿られるプラス
チック透明基板のTqO±100’Cで熱重合させるの
が好ましい。Tg−100℃以下では硬化時間がかかシ
過ぎ、Tq+10o′鍬上では型状が保てなくなったり
300 ’C以上ではカッ色に変色することさえあった
。さらに好ましくは、Tqが150℃以上の良質なプラ
スチック透明基板を得るだめには、150’C以上で加
熱するのが好ましく、さらに、2oo′c以上の温度で
は、真空又は窒素や不活性ガス雰囲気中で硬化し、最終
硬化物の残存2重結合量(>C=C()が30%以下の
基板を得ることが好ましい。
実施例 実施例1 2.2′−ビス[l4−(β−メタクロイルオキシエト
キシ)シクロへキシル〕プロパン1oO部に対して、光
増感剤(イルガキュア184(チバ・ガイギー社製))
O,S部とベンゾイルパーオキサイド0.5部加えて液
状樹脂を調製した。これを。
60℃に加熱して均一に撹拌、混合した後、脱泡し、こ
の液を直径120mmのガラス板とシリコーンコムと金
属スタンパ−で構成された型のキャビティ中に注入し、
紫外線を照射し、残存2重結合量が5部%以上の段階の
状態1(第1図)で脱型ができ割れ、欠けのないプラス
チック透明ディスク基板を得た。その後、この基板を平
板上に置き更に、80℃で後硬化を行なったところ、最
終のTqが148℃のプラスチック基板が得られた。
この基板の残存2重結合量は40%程度であシ、13ペ
ージ これを150’Cで2時間後硬化すると32係まで低下
した(第1図状態7)。
比較例1 第1図状態3は、紫外線硬化のみで後硬化もさせた場合
で残存2重結合は43%程度であり、その後何回紫外線
(UV)を照射しても40%程度であった。
比較例2 実施例1で得られた熱硬化プラスチック基板にUVを照
射した結果を第1図に示した、状態4と状態6から解か
るように熱硬化で得られたプラスチック基板にUVを照
射しても残存2重結合量は減少、しない。
実施例2 実施例1の2,2′−ビス〔4−(β−メタクロイルオ
キシエトキシ)シクロきキシル〕プロパンの代すにビス
(オキシメチル)トリシクロ〔5゜2.1.0・ 〕デ
カンジメタクリレート1o○部に対して、実施例1と同
様の光増感剤を0.5部とベンゾイルパーオキサイド0
.5部加えて調製した14ペーノ 重合性溶液を、実施例1と同様の操作で前硬化させ、残
存2重結合量が60%以上の段階で型と硬化物を離型し
たところ容易に離型ができ、割れや欠けのないプラスチ
ックディスク基板を得た。
そのプラスチック透明ディスク基板のTqを測定したと
ころ38℃であった。
その後、この基板を平板上に置き、更に1oo′cで後
硬化を行なったところ最終のTqが261℃でスタンパ
−信号の転写性も良好なプラスチック透明ディスク基板
を得た。この基板の残存2重結合量は、38チ程度(第
2図状態9)であり、この基板を紫外線を照射しつづけ
ても実施例1と同様にそれほど変化しない。ところが一
方この基板を第2図に示しだ通りそれぞれ150°c、
200’cおよびN2中で300 ’02時間処理する
と残存2重結合量は28%、17チ、8チ(状態10,
11゜12)と減少した。
比較例3 実施例1,2の重合性溶液を、型中で重合を完成しよう
としたら、両方兵制れて、形状を保った15 ページ プラスチック透明基板は得られなかった。
実施例3 実施例2の結果得られたサンプル(状態10゜11.1
2のプラスチック基板)を60℃水に浸漬し飽和吸水率
をプロットすると横軸に残存2重結合、縦軸に吸水率(
イ)としてプロットすると第3図に示した結果が得られ
た。残存2重結合量が減少するに従って低吸水化が実現
できている。低吸水化は、記録膜の安定化に必須である
ことから、長寿命化の可能性があり、第2図に示しだ通
り、ガラス転移温度が150℃以上のプラスチック透明
ディスク基板の特性向上には、後硬化を150″C以上
で処理することが極めて重要である。
発明の効果 本発明により、型内でラジカル重合して得たプラスチッ
クディスク基板のガラス転移温度(T(J)が10℃〜
10o′Cに達した時点又は、好ましくは残存2重結合
が60%以上の時点でこの板を離型することにより、割
れ、境界段差による光学特性の不良のない基板を得るこ
とができ、後硬化によって残存2重結合が30%以下の
ディスク用基板に適したプラスチックディスク基板を得
ることができる。後硬化温度は、最終得られるプラスチ
ック基板のTqより±1oO′Cであることが良い。
型内でのラジカル重合を光重合で行い、残存2重結合が
50%以上の時点で脱型することにより、転写スタンパ
−型の占有時間が少くなり生産性が向上する。尚、後硬
化を熱硬化にすることにより、残存2重結合量30%以
下のプラスチックディスク基板を得ることができる。
さらに好ましくは、Tqが150℃以上のプラスチック
基板では、後硬化温度が150℃以上で処理することに
より、残存2重結合量30%以下のプラスチック透明デ
ィスク基板を得ることができた。
また、最終プラスチック基板の残存2重結合量が30%
以下に減少し、基板の吸水率も下がることにより、記録
膜への影響が少なくなり、光デイスク基板特性を向上さ
せ寿命を延長する効果を得た。
【図面の簡単な説明】
17 ページ 第1図はUV硬化法と複合硬化法に関する検討図、第2
図は後硬化温度と残存二重結合量との相関図、第3図は
残存二重結合量と吸水率との相関を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名区

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)多官能性アクリレート化合物を注型成形法にて、
    ラジカル重合してプラスチック基板を得る方法において
    、多官能性アクリレート組成物を型内でラジカル重合し
    て得たプラスチック基板のガラス転移温度が10〜10
    0℃に達した時点で、この基板を離型した後に、更に、
    この基板を硬化し残存2重結合量が30%以下の基板を
    得ることを特徴とするディスク基板の成形方法。
  2. (2)特許請求の範囲第1項において、型内でラジカル
    重合して得たプラスチック基板が残存2重結合量(>C
    =C<)50%以上で脱型し、更に硬化して残存2重結
    合量が30%以下の基板を得ることを特徴とするディス
    ク基板の成形方法。
  3. (3)特許請求の範囲第1項また第2項において、型内
    でのラジカル重合方法が紫外線を用いた重合であり硬化
    が熱重合方法であることを特徴とするディスク基板の成
    形方法。
  4. (4)硬化の温度が少なくとも最終的に得られるプラス
    チック基板のガラス転移温度より上下100℃の範囲内
    で熱重合させる特許請求の範囲第1項、または第2項ま
    たは第3項記載のディスク基板の成形方法。
  5. (5)特許請求の範囲第4項において、最終的に得られ
    るディスク基板はガラス転移温度が150℃以上のもの
    とし、かつ硬化温度を150℃以上としたディスク基板
    の成形方法。
  6. (6)多官能性アクリレート化合物が、下記の一般式(
    I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔式中、R_1は炭素数2〜50のアルコール残基であ
    り、R_2はHまたはCH_3であり、nは2〜6の数
    である。〕 で表わされる化合物と、光重合開始剤と、熱重合開始剤
    との混合組成物である特許請求の範囲第1項記載のディ
    スク基板の成形方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0423998A2 (en) * 1989-10-09 1991-04-24 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Composite and moulded articles therefrom
JPH10151676A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Mitsubishi Chem Corp 光硬化させた架橋樹脂シートの切断方法
US6458908B1 (en) 1999-06-01 2002-10-01 Mitsui Chemicals, Inc. Sulfur-containing unsaturated carboxylate compound and its cured products

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US6458908B1 (en) 1999-06-01 2002-10-01 Mitsui Chemicals, Inc. Sulfur-containing unsaturated carboxylate compound and its cured products

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