JPS62280008A - デイスク基板の成形方法 - Google Patents
デイスク基板の成形方法Info
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- JPS62280008A JPS62280008A JP12611386A JP12611386A JPS62280008A JP S62280008 A JPS62280008 A JP S62280008A JP 12611386 A JP12611386 A JP 12611386A JP 12611386 A JP12611386 A JP 12611386A JP S62280008 A JPS62280008 A JP S62280008A
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Landscapes
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプラスチック透明基板の成形方法に関するもの
であり、例えば光で記録再生を行う方式のディスク(光
ディスク、光磁気ディスク等)のディスク基板などに利
用されるプラスチック透明ディスク基板の成形方法に関
する。
であり、例えば光で記録再生を行う方式のディスク(光
ディスク、光磁気ディスク等)のディスク基板などに利
用されるプラスチック透明ディスク基板の成形方法に関
する。
従来の技術
プラスチック透明基板は、光学的性質の基本的性能とも
いえる低複屈折率に優れる特徴を有することから近年、
注目をあびている。
いえる低複屈折率に優れる特徴を有することから近年、
注目をあびている。
一般に、このプラスチック透明基板は、ポリアリルカー
ボネート、ポリオールポリ(メタ)アクリレート、エポ
キシアクリレート等の重合性液状材料を型のキャビティ
内に注入し、これを型内でラジカル重合させて透明基板
を得る注型成形法が用いられている(特開昭58−13
0450号。
ボネート、ポリオールポリ(メタ)アクリレート、エポ
キシアクリレート等の重合性液状材料を型のキャビティ
内に注入し、これを型内でラジカル重合させて透明基板
を得る注型成形法が用いられている(特開昭58−13
0450号。
同・58−137150号)。
又、両面ガラス型内で光重合させる方法(特開昭60−
202557号)や、真空注型や注液完了後、加圧を加
えて液状樹1脂を熱重合させる方法(特開昭60−20
3414号)などがある。
202557号)や、真空注型や注液完了後、加圧を加
えて液状樹1脂を熱重合させる方法(特開昭60−20
3414号)などがある。
発明が解決しようとする問題点
従来のプラスチック透明ディスク基板の注型成形法は、
使用する型が反応性液状材料の注入時よりプラスチック
透明基板成形完了まで約24時間位必要とする為、型の
利用効率が極めて悪く、溝。
使用する型が反応性液状材料の注入時よりプラスチック
透明基板成形完了まで約24時間位必要とする為、型の
利用効率が極めて悪く、溝。
信号などを転写させるスタンパ−型数を多くしており、
プラスチック透明ディスク基板の生産性に大きな障害と
なっている。
プラスチック透明ディスク基板の生産性に大きな障害と
なっている。
又、硬化時間を短縮するために、光エネルギーによりラ
ジカル重合させて得たプラスチック透明ディスク基板は
、短時間で硬化でき形状は得られるものの、残存2重合
量が多く、基板の吸水率を上げたり、耐熱性を低下させ
るという問題があった。この問題は、特に吸水率が大き
い場合、記録膜寿命を低下させた。
ジカル重合させて得たプラスチック透明ディスク基板は
、短時間で硬化でき形状は得られるものの、残存2重合
量が多く、基板の吸水率を上げたり、耐熱性を低下させ
るという問題があった。この問題は、特に吸水率が大き
い場合、記録膜寿命を低下させた。
さらに、硬化収縮率の大きな多官能アクリレートの場合
型内で光エネルギーによるラジカル重合5 ベーン を完了させてしjうと、硬化反応収縮率が大きいだめ、
基板が割れ、成形品として得られないという問題も生じ
た。
型内で光エネルギーによるラジカル重合5 ベーン を完了させてしjうと、硬化反応収縮率が大きいだめ、
基板が割れ、成形品として得られないという問題も生じ
た。
本発明は、ラジカル重合から得られるプラスチック透明
ディスク基板が、吸水率が大きく、光ディスクの記録膜
寿命を低下させているという問題を解決する成形方法を
提供するものである。
ディスク基板が、吸水率が大きく、光ディスクの記録膜
寿命を低下させているという問題を解決する成形方法を
提供するものである。
問題点を解決するだめの手段・作用
本発明は、多官能性(メタ)アクリレート化合物を注型
成形法にてラジカル重合してプラスチック透明基板を得
る方法において、型内でラジカル重合して得たプラスチ
ックディスク基板のガラス転移温度(Tq)が10〜1
00℃に達した時点で、この基板を離型した後、更に、
この基板を後硬化させてTqが110℃以上の基板を得
るものであり、残存2重結合量(>C=C<)が30%
以下のプラスチックディスク基板を得る成形方法を提供
するものであり、更に好ましくは型内でラジカル重合し
て得たプラスチック基板が残存2重結合量(>C=C<
)50チ以上で脱型し、更に後硬6 ベー、゛ 化して残存2重結合量が30%以下の基板を得ることを
特徴とするプラスチックディスク基板の成形方法であシ
、更に好しくけ型内でのラジカル重合方法が紫外線を用
いた重合であり、後硬化が熱重合方法であることを特徴
とするプラスチックディスク基板の成形方法である。
成形法にてラジカル重合してプラスチック透明基板を得
る方法において、型内でラジカル重合して得たプラスチ
ックディスク基板のガラス転移温度(Tq)が10〜1
00℃に達した時点で、この基板を離型した後、更に、
この基板を後硬化させてTqが110℃以上の基板を得
るものであり、残存2重結合量(>C=C<)が30%
以下のプラスチックディスク基板を得る成形方法を提供
するものであり、更に好ましくは型内でラジカル重合し
て得たプラスチック基板が残存2重結合量(>C=C<
)50チ以上で脱型し、更に後硬6 ベー、゛ 化して残存2重結合量が30%以下の基板を得ることを
特徴とするプラスチックディスク基板の成形方法であシ
、更に好しくけ型内でのラジカル重合方法が紫外線を用
いた重合であり、後硬化が熱重合方法であることを特徴
とするプラスチックディスク基板の成形方法である。
又、更に好しくけ後硬化の温度が少くとも最終得られる
プラスチック基板のガラス転移温度(Tq)より±10
0℃で熱重合させることを特徴とするプラスチック基板
の成形方法であり、更に好しくは最終得られるグラスチ
ックディスク基板のガラス転移温度が150’C以上の
後硬化温度が160′C以上であることを特徴とするプ
ラスチックディスク基板の成形方法である。
プラスチック基板のガラス転移温度(Tq)より±10
0℃で熱重合させることを特徴とするプラスチック基板
の成形方法であり、更に好しくは最終得られるグラスチ
ックディスク基板のガラス転移温度が150’C以上の
後硬化温度が160′C以上であることを特徴とするプ
ラスチックディスク基板の成形方法である。
上記多官能性アクリレート化合物としては下記一般式(
1) %式% 〔式中、R1は炭素数2〜50のアルコール残基であり
、R2はH−!、たはCH3であり、nは2〜6の数で
ある。〕 で表わされる化合物で、これをラジカル重合して得られ
る硬化物のガラス転移温度が100℃以上を有する化合
物が使用される。
1) %式% 〔式中、R1は炭素数2〜50のアルコール残基であり
、R2はH−!、たはCH3であり、nは2〜6の数で
ある。〕 で表わされる化合物で、これをラジカル重合して得られ
る硬化物のガラス転移温度が100℃以上を有する化合
物が使用される。
かかる多官能性アクリレート化合物の具体例としては、
2.2’−ビス〔4−(β−メタクツ・イルオキシ)シ
クロヘキシル〕プロパン、2 、2’−ビス〔4−(β
−メタクロイルオキシジェトキシ)シクロヘキシル)プ
ロパン、ビス(オキシメチル)トリシクロ〔6,2,1
,o2・5〕デカンジメタクリレート、1.4−ビス(
メタクロイルオキシメチル)シクロヘキサン、トリメチ
ロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ネオベンチ
ルグリコールジ(メタ)アクリレート、1.6−ヘキサ
ンシオールジ(メタ)アクリレート、1.3−ブタンジ
オールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコール
ジ(メタ)アクリレ−) 、212’−ビス[l4−(
メタアクロイルジェトキシ)フェニルプoパン等メタク
リル酸エステル及びアクリル酸エステル化合物単独及び
それらの混合物等があげられるが光学的性質上、特に好
ましくは2.2’−ビス〔4−(β−メタクロイルオキ
シエトキシ)シクロヘキシル〕プロパン、ビス(オキシ
メチル)トリシクロ[: ts 、 2 、 t 、
o2°5]デカンジメタクリレ−)、1.4ビス(メタ
クロイルオキシメチル)シクロヘキサンが利用できる。
2.2’−ビス〔4−(β−メタクツ・イルオキシ)シ
クロヘキシル〕プロパン、2 、2’−ビス〔4−(β
−メタクロイルオキシジェトキシ)シクロヘキシル)プ
ロパン、ビス(オキシメチル)トリシクロ〔6,2,1
,o2・5〕デカンジメタクリレート、1.4−ビス(
メタクロイルオキシメチル)シクロヘキサン、トリメチ
ロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ネオベンチ
ルグリコールジ(メタ)アクリレート、1.6−ヘキサ
ンシオールジ(メタ)アクリレート、1.3−ブタンジ
オールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコール
ジ(メタ)アクリレ−) 、212’−ビス[l4−(
メタアクロイルジェトキシ)フェニルプoパン等メタク
リル酸エステル及びアクリル酸エステル化合物単独及び
それらの混合物等があげられるが光学的性質上、特に好
ましくは2.2’−ビス〔4−(β−メタクロイルオキ
シエトキシ)シクロヘキシル〕プロパン、ビス(オキシ
メチル)トリシクロ[: ts 、 2 、 t 、
o2°5]デカンジメタクリレ−)、1.4ビス(メタ
クロイルオキシメチル)シクロヘキサンが利用できる。
ここで(メタ)アクリレートとはアクリレートとメタク
リレートの両者を総称して示す。
リレートの両者を総称して示す。
更に、上記の如き一般式(1)化合物に加えて、一般的
に粘度調整剤として用いられるラジカル重合性モノマー
を10重量−以下の範囲で使用することが可能である。
に粘度調整剤として用いられるラジカル重合性モノマー
を10重量−以下の範囲で使用することが可能である。
かかる他の重合性モノマーとしては、例えばスチレン、
クロルスチレン、ジクロルスチレン、ビニルトルエン、
ジビニルベンゼン、酢酸ビニル、塩化ビニル等のビニル
化合物、メチルメタアクリレート、フェニル(メタ)ア
クリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−フェ
ノキシエチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(
メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート
、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)ア
クリレート等の(メタ)アクリル化合物、ジエチレング
リコールビスアリルカーボネート、ジアリルフタレート
等アリル化合物が挙げられる。
クロルスチレン、ジクロルスチレン、ビニルトルエン、
ジビニルベンゼン、酢酸ビニル、塩化ビニル等のビニル
化合物、メチルメタアクリレート、フェニル(メタ)ア
クリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−フェ
ノキシエチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(
メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート
、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)ア
クリレート等の(メタ)アクリル化合物、ジエチレング
リコールビスアリルカーボネート、ジアリルフタレート
等アリル化合物が挙げられる。
これらのモノマーの重合の際に使用されるラジカル開始
剤は特に限定されず、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソ
プロピルパーオキシカーボネート、ラウロイルパーオキ
サイド、ターシャリ−ブチルパーオキシピバレート等の
過酸化物、アゾイソブチロニトリル等アゾ化合物、ベン
ゾフェノン、ベンツインエチルエーテル、ベンジル、ア
セトフェノン、アントラキノン等光増感剤、ジフェニル
スフイツト、チオカーバーメート等硫黄化合物など公知
のラジカル開始剤である。
剤は特に限定されず、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソ
プロピルパーオキシカーボネート、ラウロイルパーオキ
サイド、ターシャリ−ブチルパーオキシピバレート等の
過酸化物、アゾイソブチロニトリル等アゾ化合物、ベン
ゾフェノン、ベンツインエチルエーテル、ベンジル、ア
セトフェノン、アントラキノン等光増感剤、ジフェニル
スフイツト、チオカーバーメート等硫黄化合物など公知
のラジカル開始剤である。
又、上記ラジカル重合条件は、一般的なラジカル重合条
件(加熱、光照射、電子線照射等)で行なうことが可能
である。ラジカル開始剤の添加量は多官能性アクリレー
ト化合物100重量部に対し、o、01〜10重量部で
あり、重合温度は10〜200℃で、好ましくは30〜
150℃である。
件(加熱、光照射、電子線照射等)で行なうことが可能
である。ラジカル開始剤の添加量は多官能性アクリレー
ト化合物100重量部に対し、o、01〜10重量部で
あり、重合温度は10〜200℃で、好ましくは30〜
150℃である。
そしてそれらの重合雰囲気は、空気中もしくは不活性ガ
ス中で行なうことができる。
ス中で行なうことができる。
上記多官能性アクリレートを注型成形法にてラジカル重
合して得られるプラスチック透明ディスク基板の離型時
のガラス転移温度は10〜100℃である。10℃未満
では硬化が不十分である為、プラスチック透明ディスク
基板に変形が生じ、又、100℃を越えては反応硬化収
縮により基板に割れ、欠けが生じ易くなるので離型が困
難になり、不適当であり、離型時の基板樹脂のTq範囲
としては10〜100’Cであり、好ましくは20〜8
0℃である。又残存2重結合量が60チ以上の時点で離
型することが好ましく、60チを下まわる時点では硬化
収縮により部分的な離型が起こり、離型部と密着部の境
界に段差が生じ光学的不良となる。
合して得られるプラスチック透明ディスク基板の離型時
のガラス転移温度は10〜100℃である。10℃未満
では硬化が不十分である為、プラスチック透明ディスク
基板に変形が生じ、又、100℃を越えては反応硬化収
縮により基板に割れ、欠けが生じ易くなるので離型が困
難になり、不適当であり、離型時の基板樹脂のTq範囲
としては10〜100’Cであり、好ましくは20〜8
0℃である。又残存2重結合量が60チ以上の時点で離
型することが好ましく、60チを下まわる時点では硬化
収縮により部分的な離型が起こり、離型部と密着部の境
界に段差が生じ光学的不良となる。
かかることにより、型内での多官能アクリレートのラジ
カル重合時間を2時間以下、好ましくは1時間以下とす
ることができる。又、光重合を行うと数十秒で脱型する
ことが可能である。
カル重合時間を2時間以下、好ましくは1時間以下とす
ることができる。又、光重合を行うと数十秒で脱型する
ことが可能である。
11 ペーノ
離型されたプラスチック透明ディスク基板は、平々場所
に置かれ、Tqが110℃以上となるまで後硬化される
。さらに好ましくは、残存二重結合量が30%以下にな
るまで後硬化するのが良い。
に置かれ、Tqが110℃以上となるまで後硬化される
。さらに好ましくは、残存二重結合量が30%以下にな
るまで後硬化するのが良い。
30%を越える2重結合量は、特にディスクの場合記録
膜の劣化が速く実用に耐えない。型内硬化および後硬化
の手段としては、加熱、紫外線照射。
膜の劣化が速く実用に耐えない。型内硬化および後硬化
の手段としては、加熱、紫外線照射。
電子線照射等があり、スタンパ−型占有時間の低減の観
点では型内重合は光エネルギー重合が好ましい。
点では型内重合は光エネルギー重合が好ましい。
後硬化は、温度、照射量などを段階的に行なうのが好ま
しく、少なくとも後硬化温度として最長寿られるプラス
チック透明基板のTqO±100’Cで熱重合させるの
が好ましい。Tg−100℃以下では硬化時間がかかシ
過ぎ、Tq+10o′鍬上では型状が保てなくなったり
300 ’C以上ではカッ色に変色することさえあった
。さらに好ましくは、Tqが150℃以上の良質なプラ
スチック透明基板を得るだめには、150’C以上で加
熱するのが好ましく、さらに、2oo′c以上の温度で
は、真空又は窒素や不活性ガス雰囲気中で硬化し、最終
硬化物の残存2重結合量(>C=C()が30%以下の
基板を得ることが好ましい。
しく、少なくとも後硬化温度として最長寿られるプラス
チック透明基板のTqO±100’Cで熱重合させるの
が好ましい。Tg−100℃以下では硬化時間がかかシ
過ぎ、Tq+10o′鍬上では型状が保てなくなったり
300 ’C以上ではカッ色に変色することさえあった
。さらに好ましくは、Tqが150℃以上の良質なプラ
スチック透明基板を得るだめには、150’C以上で加
熱するのが好ましく、さらに、2oo′c以上の温度で
は、真空又は窒素や不活性ガス雰囲気中で硬化し、最終
硬化物の残存2重結合量(>C=C()が30%以下の
基板を得ることが好ましい。
実施例
実施例1
2.2′−ビス[l4−(β−メタクロイルオキシエト
キシ)シクロへキシル〕プロパン1oO部に対して、光
増感剤(イルガキュア184(チバ・ガイギー社製))
O,S部とベンゾイルパーオキサイド0.5部加えて液
状樹脂を調製した。これを。
キシ)シクロへキシル〕プロパン1oO部に対して、光
増感剤(イルガキュア184(チバ・ガイギー社製))
O,S部とベンゾイルパーオキサイド0.5部加えて液
状樹脂を調製した。これを。
60℃に加熱して均一に撹拌、混合した後、脱泡し、こ
の液を直径120mmのガラス板とシリコーンコムと金
属スタンパ−で構成された型のキャビティ中に注入し、
紫外線を照射し、残存2重結合量が5部%以上の段階の
状態1(第1図)で脱型ができ割れ、欠けのないプラス
チック透明ディスク基板を得た。その後、この基板を平
板上に置き更に、80℃で後硬化を行なったところ、最
終のTqが148℃のプラスチック基板が得られた。
の液を直径120mmのガラス板とシリコーンコムと金
属スタンパ−で構成された型のキャビティ中に注入し、
紫外線を照射し、残存2重結合量が5部%以上の段階の
状態1(第1図)で脱型ができ割れ、欠けのないプラス
チック透明ディスク基板を得た。その後、この基板を平
板上に置き更に、80℃で後硬化を行なったところ、最
終のTqが148℃のプラスチック基板が得られた。
この基板の残存2重結合量は40%程度であシ、13ペ
ージ これを150’Cで2時間後硬化すると32係まで低下
した(第1図状態7)。
ージ これを150’Cで2時間後硬化すると32係まで低下
した(第1図状態7)。
比較例1
第1図状態3は、紫外線硬化のみで後硬化もさせた場合
で残存2重結合は43%程度であり、その後何回紫外線
(UV)を照射しても40%程度であった。
で残存2重結合は43%程度であり、その後何回紫外線
(UV)を照射しても40%程度であった。
比較例2
実施例1で得られた熱硬化プラスチック基板にUVを照
射した結果を第1図に示した、状態4と状態6から解か
るように熱硬化で得られたプラスチック基板にUVを照
射しても残存2重結合量は減少、しない。
射した結果を第1図に示した、状態4と状態6から解か
るように熱硬化で得られたプラスチック基板にUVを照
射しても残存2重結合量は減少、しない。
実施例2
実施例1の2,2′−ビス〔4−(β−メタクロイルオ
キシエトキシ)シクロきキシル〕プロパンの代すにビス
(オキシメチル)トリシクロ〔5゜2.1.0・ 〕デ
カンジメタクリレート1o○部に対して、実施例1と同
様の光増感剤を0.5部とベンゾイルパーオキサイド0
.5部加えて調製した14ペーノ 重合性溶液を、実施例1と同様の操作で前硬化させ、残
存2重結合量が60%以上の段階で型と硬化物を離型し
たところ容易に離型ができ、割れや欠けのないプラスチ
ックディスク基板を得た。
キシエトキシ)シクロきキシル〕プロパンの代すにビス
(オキシメチル)トリシクロ〔5゜2.1.0・ 〕デ
カンジメタクリレート1o○部に対して、実施例1と同
様の光増感剤を0.5部とベンゾイルパーオキサイド0
.5部加えて調製した14ペーノ 重合性溶液を、実施例1と同様の操作で前硬化させ、残
存2重結合量が60%以上の段階で型と硬化物を離型し
たところ容易に離型ができ、割れや欠けのないプラスチ
ックディスク基板を得た。
そのプラスチック透明ディスク基板のTqを測定したと
ころ38℃であった。
ころ38℃であった。
その後、この基板を平板上に置き、更に1oo′cで後
硬化を行なったところ最終のTqが261℃でスタンパ
−信号の転写性も良好なプラスチック透明ディスク基板
を得た。この基板の残存2重結合量は、38チ程度(第
2図状態9)であり、この基板を紫外線を照射しつづけ
ても実施例1と同様にそれほど変化しない。ところが一
方この基板を第2図に示しだ通りそれぞれ150°c、
200’cおよびN2中で300 ’02時間処理する
と残存2重結合量は28%、17チ、8チ(状態10,
11゜12)と減少した。
硬化を行なったところ最終のTqが261℃でスタンパ
−信号の転写性も良好なプラスチック透明ディスク基板
を得た。この基板の残存2重結合量は、38チ程度(第
2図状態9)であり、この基板を紫外線を照射しつづけ
ても実施例1と同様にそれほど変化しない。ところが一
方この基板を第2図に示しだ通りそれぞれ150°c、
200’cおよびN2中で300 ’02時間処理する
と残存2重結合量は28%、17チ、8チ(状態10,
11゜12)と減少した。
比較例3
実施例1,2の重合性溶液を、型中で重合を完成しよう
としたら、両方兵制れて、形状を保った15 ページ プラスチック透明基板は得られなかった。
としたら、両方兵制れて、形状を保った15 ページ プラスチック透明基板は得られなかった。
実施例3
実施例2の結果得られたサンプル(状態10゜11.1
2のプラスチック基板)を60℃水に浸漬し飽和吸水率
をプロットすると横軸に残存2重結合、縦軸に吸水率(
イ)としてプロットすると第3図に示した結果が得られ
た。残存2重結合量が減少するに従って低吸水化が実現
できている。低吸水化は、記録膜の安定化に必須である
ことから、長寿命化の可能性があり、第2図に示しだ通
り、ガラス転移温度が150℃以上のプラスチック透明
ディスク基板の特性向上には、後硬化を150″C以上
で処理することが極めて重要である。
2のプラスチック基板)を60℃水に浸漬し飽和吸水率
をプロットすると横軸に残存2重結合、縦軸に吸水率(
イ)としてプロットすると第3図に示した結果が得られ
た。残存2重結合量が減少するに従って低吸水化が実現
できている。低吸水化は、記録膜の安定化に必須である
ことから、長寿命化の可能性があり、第2図に示しだ通
り、ガラス転移温度が150℃以上のプラスチック透明
ディスク基板の特性向上には、後硬化を150″C以上
で処理することが極めて重要である。
発明の効果
本発明により、型内でラジカル重合して得たプラスチッ
クディスク基板のガラス転移温度(T(J)が10℃〜
10o′Cに達した時点又は、好ましくは残存2重結合
が60%以上の時点でこの板を離型することにより、割
れ、境界段差による光学特性の不良のない基板を得るこ
とができ、後硬化によって残存2重結合が30%以下の
ディスク用基板に適したプラスチックディスク基板を得
ることができる。後硬化温度は、最終得られるプラスチ
ック基板のTqより±1oO′Cであることが良い。
クディスク基板のガラス転移温度(T(J)が10℃〜
10o′Cに達した時点又は、好ましくは残存2重結合
が60%以上の時点でこの板を離型することにより、割
れ、境界段差による光学特性の不良のない基板を得るこ
とができ、後硬化によって残存2重結合が30%以下の
ディスク用基板に適したプラスチックディスク基板を得
ることができる。後硬化温度は、最終得られるプラスチ
ック基板のTqより±1oO′Cであることが良い。
型内でのラジカル重合を光重合で行い、残存2重結合が
50%以上の時点で脱型することにより、転写スタンパ
−型の占有時間が少くなり生産性が向上する。尚、後硬
化を熱硬化にすることにより、残存2重結合量30%以
下のプラスチックディスク基板を得ることができる。
50%以上の時点で脱型することにより、転写スタンパ
−型の占有時間が少くなり生産性が向上する。尚、後硬
化を熱硬化にすることにより、残存2重結合量30%以
下のプラスチックディスク基板を得ることができる。
さらに好ましくは、Tqが150℃以上のプラスチック
基板では、後硬化温度が150℃以上で処理することに
より、残存2重結合量30%以下のプラスチック透明デ
ィスク基板を得ることができた。
基板では、後硬化温度が150℃以上で処理することに
より、残存2重結合量30%以下のプラスチック透明デ
ィスク基板を得ることができた。
また、最終プラスチック基板の残存2重結合量が30%
以下に減少し、基板の吸水率も下がることにより、記録
膜への影響が少なくなり、光デイスク基板特性を向上さ
せ寿命を延長する効果を得た。
以下に減少し、基板の吸水率も下がることにより、記録
膜への影響が少なくなり、光デイスク基板特性を向上さ
せ寿命を延長する効果を得た。
17 ページ
第1図はUV硬化法と複合硬化法に関する検討図、第2
図は後硬化温度と残存二重結合量との相関図、第3図は
残存二重結合量と吸水率との相関を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名区
図は後硬化温度と残存二重結合量との相関図、第3図は
残存二重結合量と吸水率との相関を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名区
Claims (6)
- (1)多官能性アクリレート化合物を注型成形法にて、
ラジカル重合してプラスチック基板を得る方法において
、多官能性アクリレート組成物を型内でラジカル重合し
て得たプラスチック基板のガラス転移温度が10〜10
0℃に達した時点で、この基板を離型した後に、更に、
この基板を硬化し残存2重結合量が30%以下の基板を
得ることを特徴とするディスク基板の成形方法。 - (2)特許請求の範囲第1項において、型内でラジカル
重合して得たプラスチック基板が残存2重結合量(>C
=C<)50%以上で脱型し、更に硬化して残存2重結
合量が30%以下の基板を得ることを特徴とするディス
ク基板の成形方法。 - (3)特許請求の範囲第1項また第2項において、型内
でのラジカル重合方法が紫外線を用いた重合であり硬化
が熱重合方法であることを特徴とするディスク基板の成
形方法。 - (4)硬化の温度が少なくとも最終的に得られるプラス
チック基板のガラス転移温度より上下100℃の範囲内
で熱重合させる特許請求の範囲第1項、または第2項ま
たは第3項記載のディスク基板の成形方法。 - (5)特許請求の範囲第4項において、最終的に得られ
るディスク基板はガラス転移温度が150℃以上のもの
とし、かつ硬化温度を150℃以上としたディスク基板
の成形方法。 - (6)多官能性アクリレート化合物が、下記の一般式(
I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) 〔式中、R_1は炭素数2〜50のアルコール残基であ
り、R_2はHまたはCH_3であり、nは2〜6の数
である。〕 で表わされる化合物と、光重合開始剤と、熱重合開始剤
との混合組成物である特許請求の範囲第1項記載のディ
スク基板の成形方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12611386A JPH07115361B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | デイスク基板の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12611386A JPH07115361B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | デイスク基板の成形方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62280008A true JPS62280008A (ja) | 1987-12-04 |
JPH07115361B2 JPH07115361B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=14926953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12611386A Expired - Lifetime JPH07115361B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | デイスク基板の成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07115361B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0423998A2 (en) * | 1989-10-09 | 1991-04-24 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Composite and moulded articles therefrom |
JPH10151676A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Mitsubishi Chem Corp | 光硬化させた架橋樹脂シートの切断方法 |
US6458908B1 (en) | 1999-06-01 | 2002-10-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Sulfur-containing unsaturated carboxylate compound and its cured products |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12611386A patent/JPH07115361B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0423998A2 (en) * | 1989-10-09 | 1991-04-24 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Composite and moulded articles therefrom |
JPH10151676A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Mitsubishi Chem Corp | 光硬化させた架橋樹脂シートの切断方法 |
US6458908B1 (en) | 1999-06-01 | 2002-10-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Sulfur-containing unsaturated carboxylate compound and its cured products |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07115361B2 (ja) | 1995-12-13 |
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