JPH07115361B2 - デイスク基板の成形方法 - Google Patents
デイスク基板の成形方法Info
- Publication number
- JPH07115361B2 JPH07115361B2 JP12611386A JP12611386A JPH07115361B2 JP H07115361 B2 JPH07115361 B2 JP H07115361B2 JP 12611386 A JP12611386 A JP 12611386A JP 12611386 A JP12611386 A JP 12611386A JP H07115361 B2 JPH07115361 B2 JP H07115361B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- molding
- mold
- double bond
- carbon double
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプラスチック透明基板の成形方法に関するもの
であり、例えば光で記録再生を行う方式のディスク（光
ディスク、光磁気ディスク等）のディスク基板などに利
用されるプラスチック透明ディスク基板の成形方法に関
する。
であり、例えば光で記録再生を行う方式のディスク（光
ディスク、光磁気ディスク等）のディスク基板などに利
用されるプラスチック透明ディスク基板の成形方法に関
する。
従来の技術 プラスチック透明基板は、光学的性質の基本的性能とも
いえる低複屈折率に優れる特徴を有することから近年、
注目をあびている。
いえる低複屈折率に優れる特徴を有することから近年、
注目をあびている。
一般に、このプラスチック透明基板は、ポリアリルカー
ボネート、ポリオールポリ（メタ）アクリレート、エポ
キシアクリレート等の重合性液状材料を型のキャビティ
内に注入し、これを型内でラジカル重合させて透明基板
を得る注型成形法が用いられている（特開昭58−130450
号、同58−137150号）。
ボネート、ポリオールポリ（メタ）アクリレート、エポ
キシアクリレート等の重合性液状材料を型のキャビティ
内に注入し、これを型内でラジカル重合させて透明基板
を得る注型成形法が用いられている（特開昭58−130450
号、同58−137150号）。
また、両面ガラス型内で光重合させる方法（特開昭60−
202557号）や、真空注型や注液完了後、加圧を加えて液
状樹脂を熱重合させる方法（特開昭60−203414号）など
がある。
202557号）や、真空注型や注液完了後、加圧を加えて液
状樹脂を熱重合させる方法（特開昭60−203414号）など
がある。
発明が解決しようとする問題点 従来のプラスチック透明ディスク基板の注型成形法は、
使用する型が反応性液状材料の注入時よりプラスチック
透明基板成形完了まで約24時間位必要とするため、型の
利用効率が極めて悪く、溝、信号などを転写させるスタ
ンバー型数を多くしており、プラスチック透明ディスク
基板の生産性に大きな障害となっている。
使用する型が反応性液状材料の注入時よりプラスチック
透明基板成形完了まで約24時間位必要とするため、型の
利用効率が極めて悪く、溝、信号などを転写させるスタ
ンバー型数を多くしており、プラスチック透明ディスク
基板の生産性に大きな障害となっている。
また、硬化時間を短縮するために、光エネルギーにより
ラジカル重合させて得たプラスチック透明ディスク基板
は、短時間で硬化でき形状は得られるものの、残存炭素
２重結合量が多く、基板の吸水率を上げたり、耐熱性を
低下させるという問題があった。この問題は、特に吸水
率が大きい場合、記録膜寿命を低下させた。
ラジカル重合させて得たプラスチック透明ディスク基板
は、短時間で硬化でき形状は得られるものの、残存炭素
２重結合量が多く、基板の吸水率を上げたり、耐熱性を
低下させるという問題があった。この問題は、特に吸水
率が大きい場合、記録膜寿命を低下させた。
さらに、硬化収縮率の大きな多官能アクリレートの場
合、型内で光エネルギーによるラジカル重合を完了させ
てしまうと、硬化反応収縮率が大きいため基板が割れ、
成形品として得られないという問題も生じた。
合、型内で光エネルギーによるラジカル重合を完了させ
てしまうと、硬化反応収縮率が大きいため基板が割れ、
成形品として得られないという問題も生じた。
本発明は、ラジカル重合から得られるプラスチック透明
ディスク基板が、吸水率が大きく、光ディスクの記録膜
寿命を低下させているという問題を解決する成形方法を
提供するものである。
ディスク基板が、吸水率が大きく、光ディスクの記録膜
寿命を低下させているという問題を解決する成形方法を
提供するものである。
問題点を解決するための手段・作用 本発明は、多官能性（メタ）アクリレート化合物を注型
成形法にてラジカル重合してプラスチック基板を得る方
法において、型内でラジカル重合してプラスチック透明
基板を得る方法において、型内でラジカル重合して得た
プラスチックディスク基板のガラス移転温度（Tg）が10
〜100℃に達した時点で、この基板を離型した後に、更
に、この基板を後硬化させてTgが110℃以上の基板を得
るものであり、残存炭素２重結合量が30％以下のプラス
チックディスク基板を得る成形方法を提供するものであ
り、更に好ましくは型内でラジカル重合して得たプラス
チック基板が残存炭素２重結合量（＞Ｃ＝Ｃ＜）50％以
上で離型し、更に後硬化して残存炭素２重結合量が30％
以下の基板を得ることを特徴とするプラスチックディス
ク基板の成形方法であり、更に好ましくは型内でのラジ
カル重合方法が紫外線を用いた重合であり、後硬化が熱
重合方法であることを特徴とするプラスチックディスク
基板の成形方法である。
成形法にてラジカル重合してプラスチック基板を得る方
法において、型内でラジカル重合してプラスチック透明
基板を得る方法において、型内でラジカル重合して得た
プラスチックディスク基板のガラス移転温度（Tg）が10
〜100℃に達した時点で、この基板を離型した後に、更
に、この基板を後硬化させてTgが110℃以上の基板を得
るものであり、残存炭素２重結合量が30％以下のプラス
チックディスク基板を得る成形方法を提供するものであ
り、更に好ましくは型内でラジカル重合して得たプラス
チック基板が残存炭素２重結合量（＞Ｃ＝Ｃ＜）50％以
上で離型し、更に後硬化して残存炭素２重結合量が30％
以下の基板を得ることを特徴とするプラスチックディス
ク基板の成形方法であり、更に好ましくは型内でのラジ
カル重合方法が紫外線を用いた重合であり、後硬化が熱
重合方法であることを特徴とするプラスチックディスク
基板の成形方法である。
又、更に好ましくは後硬化の温度が少なくとも最終得ら
れるプラスチック基板のガラス移転温度（Tg）より±10
0℃で熱重合させることを特徴とするプラスチック基板
の成形方法であり、更に好ましくは最終得られるプラス
チック基板のガラス転移温度が150℃以上で、かつ後硬
化温度を150℃以上であることを特徴とするプラスチッ
クディスク基板の成形方法である。
れるプラスチック基板のガラス移転温度（Tg）より±10
0℃で熱重合させることを特徴とするプラスチック基板
の成形方法であり、更に好ましくは最終得られるプラス
チック基板のガラス転移温度が150℃以上で、かつ後硬
化温度を150℃以上であることを特徴とするプラスチッ
クディスク基板の成形方法である。
上記多官能性アクリレート化合物としては下記一般式
（１） 〔式中、R1は炭素数２〜50のアルコール残基であり、R2
はＨまたはCH3であり、ｎは２〜６の数である。〕 で表される化合物で、これをラジカル重合して得られる
硬化物のガラス転移温度が110℃以上を有する化合物が
使用される。
（１） 〔式中、R1は炭素数２〜50のアルコール残基であり、R2
はＨまたはCH3であり、ｎは２〜６の数である。〕 で表される化合物で、これをラジカル重合して得られる
硬化物のガラス転移温度が110℃以上を有する化合物が
使用される。
かかる多官能性アクリレート化合物の具体例としては、
2,2′−ビス［４−（β−メタクハイルオキシ）シクロ
ヘキシル］プロパン、2,2′−ビス［４−（β−メタク
ロイルオキシジエトキシ）シクロヘキシル］プロパン、
ビス（オキシメチル）トリシクロ［5,2,1,02.5］デカン
ジメタクリレート、1,4−ビス（メタクロイルオキシメ
チル）シクロヘキサン、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ネオベンチルグリコールジ（メ
タ）アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ（メタ
（アクリレート）1,3−ブタンジオールジ（メタ）アク
リレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、２、２′−ビス［４−メタアクロイルジエトキシ）
フェニルプロパン等メタクリル酸エステル及びアクリル
酸エステル化合物単独及びそれらの混合物等があげられ
るが光学的性質上、特に好ましくは2,2′−ビス［４−
（β−メタクロイルオキシエトキシ）シクロヘキシル］
プロパン、ビス（オキシメチル）トリシクロ［5,2,1,0
2.5］デカンジメタクリレート、1,4−ビス（メタクロイ
ルオキシメチル）シクロヘキサンが利用できる。ここで
（メタ）アクリレートとはアクリレートとメタクリレー
トの両者を総称して示す。
2,2′−ビス［４−（β−メタクハイルオキシ）シクロ
ヘキシル］プロパン、2,2′−ビス［４−（β−メタク
ロイルオキシジエトキシ）シクロヘキシル］プロパン、
ビス（オキシメチル）トリシクロ［5,2,1,02.5］デカン
ジメタクリレート、1,4−ビス（メタクロイルオキシメ
チル）シクロヘキサン、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、ネオベンチルグリコールジ（メ
タ）アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ（メタ
（アクリレート）1,3−ブタンジオールジ（メタ）アク
リレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、２、２′−ビス［４−メタアクロイルジエトキシ）
フェニルプロパン等メタクリル酸エステル及びアクリル
酸エステル化合物単独及びそれらの混合物等があげられ
るが光学的性質上、特に好ましくは2,2′−ビス［４−
（β−メタクロイルオキシエトキシ）シクロヘキシル］
プロパン、ビス（オキシメチル）トリシクロ［5,2,1,0
2.5］デカンジメタクリレート、1,4−ビス（メタクロイ
ルオキシメチル）シクロヘキサンが利用できる。ここで
（メタ）アクリレートとはアクリレートとメタクリレー
トの両者を総称して示す。
更に、上記の如き一般式（Ｉ）化合物を加えて、一般的
に粘度調整剤として用いられるラジカル重合性モノマー
を10重量％以下の範囲で使用することが可能である。か
かる他の重合性モノマーとしては、例えばスチレン、ク
ロルスチレン、ジクロルスチレン、ビニルトルエン、ジ
ビニルベンゼン、酢酸ビニル、塩化ビニル等のビニル化
合物、メチルメタアクリレート、フェニル（メタ）アク
リレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−フェノ
キシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）
アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタ
ン（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル化合物、
ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、ジアリ
ルフタレート等アリル化合物が挙げられる。
に粘度調整剤として用いられるラジカル重合性モノマー
を10重量％以下の範囲で使用することが可能である。か
かる他の重合性モノマーとしては、例えばスチレン、ク
ロルスチレン、ジクロルスチレン、ビニルトルエン、ジ
ビニルベンゼン、酢酸ビニル、塩化ビニル等のビニル化
合物、メチルメタアクリレート、フェニル（メタ）アク
リレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−フェノ
キシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）
アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタ
ン（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル化合物、
ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、ジアリ
ルフタレート等アリル化合物が挙げられる。
これらのモノマーの重合の際に使用されるラジカル開始
剤は限定されず、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソプロ
ピルパーオキシカーボネート、ラウロイルパーオキサイ
ド、ターシャリーブチルパーオキシビバレート等の過酸
化物、アゾイソブチロニトリル等アゾ化合物、ベンゾフ
ェノン、ベンゾインエチルエーテル、ベンジル、アセト
フェノン、アントラキノン等光増感剤、ジフェニルスフ
ィット、チオカーバーメート等硫黄化合物など公知のラ
ジカル開始剤である。
剤は限定されず、例えば過酸化ベンゾイル、ジイソプロ
ピルパーオキシカーボネート、ラウロイルパーオキサイ
ド、ターシャリーブチルパーオキシビバレート等の過酸
化物、アゾイソブチロニトリル等アゾ化合物、ベンゾフ
ェノン、ベンゾインエチルエーテル、ベンジル、アセト
フェノン、アントラキノン等光増感剤、ジフェニルスフ
ィット、チオカーバーメート等硫黄化合物など公知のラ
ジカル開始剤である。
又、上記ラジカル重合条件は、一般的なラジカル重合条
件（加熱，光照射，電子線照射等）で行なうことが可能
である。ラジカル開始剤の添加量は多官能性アクリレー
ト化合物100重合部に対し、0.01〜10重量部であり、重
合温度は10〜200℃で、好ましくは30〜150℃である。そ
してそれらの重合雰囲気は、空気中もしくは不活性ガス
中で行なうことができる。
件（加熱，光照射，電子線照射等）で行なうことが可能
である。ラジカル開始剤の添加量は多官能性アクリレー
ト化合物100重合部に対し、0.01〜10重量部であり、重
合温度は10〜200℃で、好ましくは30〜150℃である。そ
してそれらの重合雰囲気は、空気中もしくは不活性ガス
中で行なうことができる。
上記多官能性アクリレートを注型成形法にてラジカル重
合して得られるプラスチック透明ディスク基板の離型時
のガラス転移温度は10〜100℃である。10℃未満では硬
化が不十分である為、プラスチック透明ディスク基板に
変形が生じ、又、100℃を越えては反応硬化収縮により
基板に割れ、欠けが生じ易くなるので離型が困難にな
り、不適当であり、離型時の基板樹脂のTg範囲としては
10〜100℃であり、好ましくは20〜80℃である。又残存
炭素２重結合量が50％以上の時点で離型することが好ま
しく、50％を下まわる時点では硬化収縮により部分的な
離型が起こり、離型部と密着部の境界に段差が生じ光学
的不良となる。かかることにより、型内での多官能アク
リレートのラジカル重合時間を２時間以下、好ましくは
１時間以下とすることができる。又、光重合を行うと数
十秒で離型することが可能である。離型されたプラスチ
ック透明ディスク基板は、平な場所に置かれ、Tgが110
℃以上となるまで後硬化される。さらに好ましくは、残
存炭素２重結合量が30％以下になるまで後硬化するのが
良い。30％を越える残存炭素２重結合量が、特にディス
クの場合記録膜の劣化が速く実用に耐えない。型内硬化
および後硬化の手段としては、加熱、紫外線照射、電子
線照射等があり、スタンバー型占有時間の低減の観点で
は型内重合は光エネルギー重合が好ましい。
合して得られるプラスチック透明ディスク基板の離型時
のガラス転移温度は10〜100℃である。10℃未満では硬
化が不十分である為、プラスチック透明ディスク基板に
変形が生じ、又、100℃を越えては反応硬化収縮により
基板に割れ、欠けが生じ易くなるので離型が困難にな
り、不適当であり、離型時の基板樹脂のTg範囲としては
10〜100℃であり、好ましくは20〜80℃である。又残存
炭素２重結合量が50％以上の時点で離型することが好ま
しく、50％を下まわる時点では硬化収縮により部分的な
離型が起こり、離型部と密着部の境界に段差が生じ光学
的不良となる。かかることにより、型内での多官能アク
リレートのラジカル重合時間を２時間以下、好ましくは
１時間以下とすることができる。又、光重合を行うと数
十秒で離型することが可能である。離型されたプラスチ
ック透明ディスク基板は、平な場所に置かれ、Tgが110
℃以上となるまで後硬化される。さらに好ましくは、残
存炭素２重結合量が30％以下になるまで後硬化するのが
良い。30％を越える残存炭素２重結合量が、特にディス
クの場合記録膜の劣化が速く実用に耐えない。型内硬化
および後硬化の手段としては、加熱、紫外線照射、電子
線照射等があり、スタンバー型占有時間の低減の観点で
は型内重合は光エネルギー重合が好ましい。
後硬化は、温度、照射量などを段階的に行なうのが好ま
しく、少なくとも後硬化温度として最終得られるプラス
チック透明基板のTgの±100℃で熱重合させるのが好ま
しい。Tg−100℃以下では硬化時間がかかり過ぎ、Tg＋1
00℃以上では形状が保てなくなったり300℃以上ではカ
ッ色に変色することさえあった。さらに好ましくは、Tg
が150℃以上の良質なプラスチック透明基板を得るため
には、150℃以上で加熱するのが好ましく、さらに、200
℃以上の温度では、真空又は窒素や不活性ガス雰囲気中
で硬化し、最終硬化物の残存炭素２重結合量が30％以下
の基板を得ることが好ましい。
しく、少なくとも後硬化温度として最終得られるプラス
チック透明基板のTgの±100℃で熱重合させるのが好ま
しい。Tg−100℃以下では硬化時間がかかり過ぎ、Tg＋1
00℃以上では形状が保てなくなったり300℃以上ではカ
ッ色に変色することさえあった。さらに好ましくは、Tg
が150℃以上の良質なプラスチック透明基板を得るため
には、150℃以上で加熱するのが好ましく、さらに、200
℃以上の温度では、真空又は窒素や不活性ガス雰囲気中
で硬化し、最終硬化物の残存炭素２重結合量が30％以下
の基板を得ることが好ましい。
実施例 実施例１ 2,2′−ビス［４−（β−メタクロイルオキシエトキ
シ）シクロヘキシル］プロパン100部に対して、光増感
剤（イルガキュア184（チバ・ガイギー社製）0.5部とベ
ンゾイルパーオキサイド0.5部加えて液状樹脂を調製し
た。これを、60℃に加熱して均一に撹拌、混合した後、
脱泡し、この液を直径120mmのガラス板とシリコーンゴ
ムと金属スタンバーで構成された型のキャビティ中に注
入し、紫外線を20回照射し、残存炭素２重結合量が50％
以上の段階の状態１（第１図）の離型ができ、割れ、欠
けのないプラスチック透明ディスク基板を得た。その
後、この基板を平板上に置き更に、80℃で後硬化を行な
ったところ、最終のTgが148℃のプラスチック基板が得
られた。この基板の残存炭素２重結合は40％程度であ
り、これを150℃２時間後硬化すると30％まで低下した
（第１図状態４……ただし、この状態は、縦軸の残存炭
素２重結合量を示しているだけであり、横軸とは関係が
ない）。
シ）シクロヘキシル］プロパン100部に対して、光増感
剤（イルガキュア184（チバ・ガイギー社製）0.5部とベ
ンゾイルパーオキサイド0.5部加えて液状樹脂を調製し
た。これを、60℃に加熱して均一に撹拌、混合した後、
脱泡し、この液を直径120mmのガラス板とシリコーンゴ
ムと金属スタンバーで構成された型のキャビティ中に注
入し、紫外線を20回照射し、残存炭素２重結合量が50％
以上の段階の状態１（第１図）の離型ができ、割れ、欠
けのないプラスチック透明ディスク基板を得た。その
後、この基板を平板上に置き更に、80℃で後硬化を行な
ったところ、最終のTgが148℃のプラスチック基板が得
られた。この基板の残存炭素２重結合は40％程度であ
り、これを150℃２時間後硬化すると30％まで低下した
（第１図状態４……ただし、この状態は、縦軸の残存炭
素２重結合量を示しているだけであり、横軸とは関係が
ない）。
第１図の点線は同一方法（液状からUVを20回照射して80
℃で後硬化した後、150℃で２時間硬化させた）で得ら
れた別のプラスチック基板（残存炭素２重結合量が30％
以下にならなかったもの）に、さらに５回（状態５）、
20回（状態６で状態４とオーバーラップ）50回（状態
７）とUVを照射した結果を示す図である。すなわち、熱
硬化後においては、残存炭素２重結合量に多少にバラツ
キが生じ、場合によっては30％以下にならない場合があ
る。このような場合、UVを照射すると残存炭素２重結合
量が30％以下になる。第１図の点線においてはUVを５回
照射した時点で30％になることを示している。
℃で後硬化した後、150℃で２時間硬化させた）で得ら
れた別のプラスチック基板（残存炭素２重結合量が30％
以下にならなかったもの）に、さらに５回（状態５）、
20回（状態６で状態４とオーバーラップ）50回（状態
７）とUVを照射した結果を示す図である。すなわち、熱
硬化後においては、残存炭素２重結合量に多少にバラツ
キが生じ、場合によっては30％以下にならない場合があ
る。このような場合、UVを照射すると残存炭素２重結合
量が30％以下になる。第１図の点線においてはUVを５回
照射した時点で30％になることを示している。
比較例１ 第１図状態３は、熱硬化を全くせず、紫外線硬化のみで
後硬化させた状態を示す図で、最終的に残存炭素２重結
合量は43％（状態２）となり、その後何回紫外線を照射
しても40％程度であった。
後硬化させた状態を示す図で、最終的に残存炭素２重結
合量は43％（状態２）となり、その後何回紫外線を照射
しても40％程度であった。
実施例２ 実施例１の2,2′−ビス［４−（β−メタクロイルオキ
シエトキシ）シクロヘキシル］プロパンの代りにビス
（オキシメチル）トリシクロ［5,2,1,02.5］デカンジメ
タクリレート100部に対して、実施例１と同様の光増感
剤を0.5部とベンゾイルパーオキサイド0.5部加えて調製
した重合性溶液を、実施例１と同様の操作で前硬化さ
せ、残存炭素２重結合量が50％以上の段階で型と硬化物
を離型したところ容易に離型ができ、割れや欠けのない
プラスチック基板を得た。そのプラスチック透明ディス
ク基板のTgを測定したところ38℃であった。
シエトキシ）シクロヘキシル］プロパンの代りにビス
（オキシメチル）トリシクロ［5,2,1,02.5］デカンジメ
タクリレート100部に対して、実施例１と同様の光増感
剤を0.5部とベンゾイルパーオキサイド0.5部加えて調製
した重合性溶液を、実施例１と同様の操作で前硬化さ
せ、残存炭素２重結合量が50％以上の段階で型と硬化物
を離型したところ容易に離型ができ、割れや欠けのない
プラスチック基板を得た。そのプラスチック透明ディス
ク基板のTgを測定したところ38℃であった。
その後、この基板を平板上に置き、更に100℃で後硬化
を行なったところ最終のTgが251℃でスタンバー信号の
転写性も良好なプラスチック透明ディスク基板を得た。
この基板の残存炭素２重結合量は、38％程度であり、こ
の基板を紫外線を照射しつづけても実施例１と同様にそ
れほど変化しない。ところが一方この基板に第２図に示
した通りそれぞれ150℃,200℃およびN2中で300℃２時間
処理すると残存炭素２重結合量は28％,17％,8％（状態1
0,11,12）と減少した。
を行なったところ最終のTgが251℃でスタンバー信号の
転写性も良好なプラスチック透明ディスク基板を得た。
この基板の残存炭素２重結合量は、38％程度であり、こ
の基板を紫外線を照射しつづけても実施例１と同様にそ
れほど変化しない。ところが一方この基板に第２図に示
した通りそれぞれ150℃,200℃およびN2中で300℃２時間
処理すると残存炭素２重結合量は28％,17％,8％（状態1
0,11,12）と減少した。
比較例２ 実施例1,2の重合性溶液を、型中で重合を完成しようと
したら、両方共割れて、形状を保ったプラスチック透明
基板は得られなかった。
したら、両方共割れて、形状を保ったプラスチック透明
基板は得られなかった。
実施例３ 実施例２の結果得られたサンプル（状態10.11,12のプラ
スチック基板）を60℃水に浸漬し飽和吸水率をプロット
すると横軸に残存炭素２重結合量、縦軸に吸水率（％）
としてプロットすると第３図に示した結果が得られた。
残存炭素２重結合量が減少するに従って低吸水化が実現
できている。低吸水化は、記録膜の安定化に必須である
ことから、長寿命化の可能性があり、第２図に示した通
り、ガラス転移温度が150℃以上のプラスチック透明デ
ィスク基板の特性向上には、硬化後を150℃以上で処理
することが極めて重要である。
スチック基板）を60℃水に浸漬し飽和吸水率をプロット
すると横軸に残存炭素２重結合量、縦軸に吸水率（％）
としてプロットすると第３図に示した結果が得られた。
残存炭素２重結合量が減少するに従って低吸水化が実現
できている。低吸水化は、記録膜の安定化に必須である
ことから、長寿命化の可能性があり、第２図に示した通
り、ガラス転移温度が150℃以上のプラスチック透明デ
ィスク基板の特性向上には、硬化後を150℃以上で処理
することが極めて重要である。
発明の効果 本発明により、型内でラジカル重合して得たプラスチッ
クディスク基板のガラス転移温度（Tg）が10℃〜100℃
に達した時点又は、好ましくは残存炭素２重結合量が50
％以上の時点でこの板を離型することにより、割れ、境
界段差による光学特性の不良のない基板を得ることがで
き、後硬化によって残存炭素２重結合量が30％以下のデ
ィスク用基板に適したプラスチックディスク基板を得る
ことができる。後硬化温度は、最終得られるプラスチッ
ク基板のTgより±100℃の範囲内であることが良い。型
内でのラジカル重合を光重合で行い、残存炭素２重結合
量が50％以上の時点で離型することにより、転写スタン
バー型の占有時間が少くなり生産性が向上する。尚、後
硬化を熱硬化にすることにより、残存炭素２重結合量30
％以下のプラスチックディスク基板を得ることができ
る。
クディスク基板のガラス転移温度（Tg）が10℃〜100℃
に達した時点又は、好ましくは残存炭素２重結合量が50
％以上の時点でこの板を離型することにより、割れ、境
界段差による光学特性の不良のない基板を得ることがで
き、後硬化によって残存炭素２重結合量が30％以下のデ
ィスク用基板に適したプラスチックディスク基板を得る
ことができる。後硬化温度は、最終得られるプラスチッ
ク基板のTgより±100℃の範囲内であることが良い。型
内でのラジカル重合を光重合で行い、残存炭素２重結合
量が50％以上の時点で離型することにより、転写スタン
バー型の占有時間が少くなり生産性が向上する。尚、後
硬化を熱硬化にすることにより、残存炭素２重結合量30
％以下のプラスチックディスク基板を得ることができ
る。
さらに好ましくは、Tgが150℃以上のプラスチック基板
では、後硬化温度が150℃以上で処理することにより、
残存炭素２重結合量30％以下のプラスチック透明ディス
ク基板を得ることができた。また、最終プラスチック基
板の残存炭素２重結合量が30％以下に減少し、基板の吸
水率も下がることにより、記録膜への影響が少なくな
り、光ディスク基板特性を向上させ寿命を延長する効果
を得た。
では、後硬化温度が150℃以上で処理することにより、
残存炭素２重結合量30％以下のプラスチック透明ディス
ク基板を得ることができた。また、最終プラスチック基
板の残存炭素２重結合量が30％以下に減少し、基板の吸
水率も下がることにより、記録膜への影響が少なくな
り、光ディスク基板特性を向上させ寿命を延長する効果
を得た。
第１図はUV硬化法と複合硬化法に関する検討図、第２図
は後硬化温度と残存炭素２重結合量との相関図、第３図
は残存炭素２重結合量と吸水率との相関を示す図であ
る。
は後硬化温度と残存炭素２重結合量との相関図、第３図
は残存炭素２重結合量と吸水率との相関を示す図であ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｋ 105:32 Ｂ２９Ｌ 11:00 17:00
Claims (6)
- 【請求項１】多官能性アクリレート化合物を注型成形法
にて、ラジカル重合してプラスチック基板を得る方法に
おいて、多官能性アクリレート組成物を型内でラジカル
重合して得たプラスチック基板のガラス移転温度が10〜
100℃に達した時点で、この基板を離型した後に、更
に、残存炭素２重結合量が少なくとも30％以下に達する
までこの基板を硬化することを特徴とするディスク基板
の成形方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、型内のラ
ジカル重合して得たプラスチック基板を残存炭素２重結
合量50％以上で離型し、更に硬化して残存炭素２重結合
量が30％以下の基板を得ることを特徴とするディスク基
板の成形方法。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項におい
て、型内でのラジカル重合方法が紫外線を用いた重合で
あり硬化が熱重合方法であることを特徴とするディスク
基板の成形方法。 - 【請求項４】硬化の温度が少なくとも最終的に得られる
プラスチック基板のガラス移転温度より上下100℃の範
囲内で熱重合させる特許請求の範囲第１項、第２項また
は第３項記載のディスク基板の成形方法。 - 【請求項５】特許請求の範囲第４項において、最終的に
得られるディスク基板はガラス転移温度が150℃以上の
ものとし、かつ硬化温度を150℃以上としたディスク基
板の成形方法。 - 【請求項６】多官能性アクリレート化合物が、下記の一
般式（１） 〔式中、R1は炭素数２〜50のアルコール残基であり、R2
はＨまたはCH3であり、ｎは２〜６の数である。〕 で表される化合物と、光重合開始剤と、熱重合開始剤と
の混合組成物である特許請求の範囲第１項記載のディス
ク基板の成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12611386A JPH07115361B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | デイスク基板の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12611386A JPH07115361B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | デイスク基板の成形方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62280008A JPS62280008A (ja) | 1987-12-04 |
| JPH07115361B2 true JPH07115361B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=14926953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12611386A Expired - Lifetime JPH07115361B2 (ja) | 1986-05-30 | 1986-05-30 | デイスク基板の成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07115361B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369183A (en) * | 1989-10-09 | 1994-11-29 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Composite and molding from the composite |
| JPH10151676A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Mitsubishi Chem Corp | 光硬化させた架橋樹脂シートの切断方法 |
| US6458908B1 (en) | 1999-06-01 | 2002-10-01 | Mitsui Chemicals, Inc. | Sulfur-containing unsaturated carboxylate compound and its cured products |
-
1986
- 1986-05-30 JP JP12611386A patent/JPH07115361B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62280008A (ja) | 1987-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4983335A (en) | Method for producing transparent plastic article | |
| JPS5845445B2 (ja) | 透明プラスチック成形体の製法 | |
| JPH0377577B2 (ja) | ||
| US4734477A (en) | Method for cast molding plastic substrate | |
| JPH07115361B2 (ja) | デイスク基板の成形方法 | |
| JPH0430410B2 (ja) | ||
| JPH01163201A (ja) | 透明プラスチック成形体の製造方法 | |
| JP2778988B2 (ja) | 光学材料の製造法 | |
| JPH0722934B2 (ja) | プラスチツク基板の成形方法 | |
| EP0240752A1 (en) | Erasable optical disk having an improved optically transparent substrate | |
| JPS6198734A (ja) | 硬化性組成物 | |
| JPS6218223A (ja) | プラスチツク基板の成形方法 | |
| JPH0782121B2 (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| JPH0729314B2 (ja) | 透明プラスチツク板の成形方法 | |
| JPH01167315A (ja) | 光ディスク基板 | |
| JP3225554B2 (ja) | 光カード基板の製造方法 | |
| JPH0729313B2 (ja) | 透明プラスチツク板の成形方法 | |
| JPH0716959B2 (ja) | 透明プラスチツク体の製造方法 | |
| JPH05255454A (ja) | 光学部品 | |
| JPH0729310B2 (ja) | 反応性液状材料の低歪重合方法 | |
| JPH03142205A (ja) | 光学式記録担体の製造方法 | |
| JPS62170045A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH0224308A (ja) | 光学材料用樹脂 | |
| JPH01282206A (ja) | 耐熱性樹脂組成物 | |
| JPS62169643A (ja) | 光学的情報記録媒体 |