JPH0229455U - - Google Patents

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JPH0229455U
JPH0229455U JP10855788U JP10855788U JPH0229455U JP H0229455 U JPH0229455 U JP H0229455U JP 10855788 U JP10855788 U JP 10855788U JP 10855788 U JP10855788 U JP 10855788U JP H0229455 U JPH0229455 U JP H0229455U
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sputtering
target
magnetic field
space
field generating
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JP10855788U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る薄膜形成装置の構成図、
第２図及び第３図は磁性部材の位置による磁界分
布の変化を示す説明図、第４図は連続薄膜形成装
置の構成図、第５図及び第６図は従来装置の不具
合を示す説明図である。 １…真空槽、１０…スパツター空間、２，２１
…磁石、３…ターゲツト、４…基板、５…磁性部
材、５２…往復位置決め機構、９…磁束。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 スパツター空間１０を隔てて陰極となる一対
    のターゲツト３，３を対向配備し、両ターゲツト
    ３，３の背部には、夫々Ｎ極及びＳ極をスパツタ
    ー空間１０側に向けた一対の磁界発生部が配備さ
    れ、スパツター空間１０の側方に配置した基板４
    の表面に、スパツターによる薄膜を形成する装置
    に於て、前記磁界発生部は、ターゲツト３の外周
    部に向けて配置した複数の磁石２，２１と、ター
    ゲツト３の中心部に向けてターゲツト３との相対
    的な間隔調整が可能に配備した磁性部材５とから
    構成され、ターゲツト３の資材に応じて前記間隔
    を変更することにより、スパツター空間１０に最
    適な磁界を形成することを特徴とする薄膜形成装
    置。 複数段のスパツター装置から構成され、各ス
    パツター装置は、スパツター空間１０を隔てて陰
    極となる一対のターゲツト３，３を対向配備し、
    両ターゲツト３，３の背部には、夫々Ｎ極及びＳ
    極をスパツター空間１０側に向けた一対の磁界発
    生部が配備され、スパツター空間１０の側方に配
    置した基板４の表面に、スパツターによる薄膜を
    形成する装置に於て、前記複数段のスパツター装
    置の内、少なくとも任意の１段のスパツター装置
    に配備された磁界発生部は、ターゲツト３の外周
    部に向けて配置した複数の磁石２，２１と、ター
    ゲツト３の中心部に向けてターゲツト３との相対
    的な間隔調整が可能に配備した磁性部材５とから
    構成され、ターゲツト３の資材に応じて前記間隔
    を変更することにより、スパツター空間１０に最
    適な磁界を形成することを特徴とする連続薄膜形
    成装置。
JP10855788U 1988-08-18 1988-08-18 Pending JPH0229455U (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59116376A (ja) * 1982-12-22 1984-07-05 Teijin Ltd 対向タ−ゲツト式スパツタ装置
JPS60182711A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 磁性薄膜の形成方法およびその装置
JPS61183466A (ja) * 1985-02-12 1986-08-16 Teijin Ltd 対向タ−ゲツト式スパツタ装置
JPS6274074A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Shimadzu Corp スパツタ用タ−ゲツトアセンブリ

Patent Citations (4)

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