JPS6274074A - スパツタ用タ−ゲツトアセンブリ - Google Patents
スパツタ用タ−ゲツトアセンブリInfo
- Publication number
- JPS6274074A JPS6274074A JP21603685A JP21603685A JPS6274074A JP S6274074 A JPS6274074 A JP S6274074A JP 21603685 A JP21603685 A JP 21603685A JP 21603685 A JP21603685 A JP 21603685A JP S6274074 A JPS6274074 A JP S6274074A
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- JP
- Japan
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- magnet
- target
- film
- plate
- target plate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、産ｌユｊ冴Ｕ止分升
この発明は、いわゆるマグネトロンスパッタ装置におけ
るターゲットアセンブリに係り、特にターゲット板の材
質に関係なく、ベルジャ内に供給された反応ガスのイオ
ン化を促進するように改良したスパッタ用ターゲットア
センブリに関する。
るターゲットアセンブリに係り、特にターゲット板の材
質に関係なく、ベルジャ内に供給された反応ガスのイオ
ン化を促進するように改良したスパッタ用ターゲットア
センブリに関する。
従来立投丘
近年、例えば半導体基板に薄膜を生成するスパッタ装置
において、スパッタリングレートを高めるために、ベル
ジャ内に供給された反応ガスのイオン化を促進させるマ
グネトロン方式が採用されている。
において、スパッタリングレートを高めるために、ベル
ジャ内に供給された反応ガスのイオン化を促進させるマ
グネトロン方式が採用されている。
どのようなスパッタ装置のターゲットアセンブリを第３
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
同図において、１は被成膜部材２に生成させるべき膜の
材料となるターゲット板である。このターゲット板１は
、その表面が例えば半導体基板等の被成膜部材２の成膜
面２ａと相対向するように、銅等の熱良導体からなるバ
ッキングプレート３に環状のリテーナ４で位置決め固定
されている。つまり、バッキングプレート３にリテーナ
４がねじ止めされており、リテーナ４の鍔部でターゲ・
ノド板１の周縁部分がバッキングプレート３に押さえつ
けられるようになっている。このバ・ソキングプレート
３は、有底筒状のハウジング５の開口部を閉塞するもの
で、当該ハウジング５の上端にねし止め固定されている
。このハウジング５の底部には磁性体からなる円板状の
ヨーク６が敷設されている。
材料となるターゲット板である。このターゲット板１は
、その表面が例えば半導体基板等の被成膜部材２の成膜
面２ａと相対向するように、銅等の熱良導体からなるバ
ッキングプレート３に環状のリテーナ４で位置決め固定
されている。つまり、バッキングプレート３にリテーナ
４がねじ止めされており、リテーナ４の鍔部でターゲ・
ノド板１の周縁部分がバッキングプレート３に押さえつ
けられるようになっている。このバ・ソキングプレート
３は、有底筒状のハウジング５の開口部を閉塞するもの
で、当該ハウジング５の上端にねし止め固定されている
。このハウジング５の底部には磁性体からなる円板状の
ヨーク６が敷設されている。
そして、ヨーク６とバッキングプレート３との間の空間
領域、特にハウジング５の略中央部分には丸棒或いは角
棒状の第１磁石７が配設されている。この第１磁石７の
Ｎ極面はヨーク６側に、またＳ極面はバッキングプレー
ト３側に位置づけされている。さらに、ハウジング５の
内側面近傍には、環状の第２磁石８が配設されていて、
第１磁石７を囲んでいる。この第２磁石８のＮ極面はバ
ッキングプレート３側に、またＳ極面はヨーク６側に位
置づけされている。一方、第１磁石７および第２磁石８
が配設されたハウジング５の空間領域には冷却水が循環
供給され、ターゲット板１が冷却される。
領域、特にハウジング５の略中央部分には丸棒或いは角
棒状の第１磁石７が配設されている。この第１磁石７の
Ｎ極面はヨーク６側に、またＳ極面はバッキングプレー
ト３側に位置づけされている。さらに、ハウジング５の
内側面近傍には、環状の第２磁石８が配設されていて、
第１磁石７を囲んでいる。この第２磁石８のＮ極面はバ
ッキングプレート３側に、またＳ極面はヨーク６側に位
置づけされている。一方、第１磁石７および第２磁石８
が配設されたハウジング５の空間領域には冷却水が循環
供給され、ターゲット板１が冷却される。
ところで、上記した構成のターゲットアセンブリにおい
て、ターゲット板１をＡ１等とした場合、例えば第２磁
石８のＮ極からの磁力線はほとんどバッキングプレート
３およびリテーナ４を介して被成膜部材２との間で曲線
を描いて、ターゲット板１を貫き第１磁石７のＳ極に入
る。前記磁力線が曲線を描くときに生じる渦電流により
、図示省略したベルジャ内に供給された反応ガスの＋イ
オンを回転運動させ、反応ガスのイオン化を促進させて
いる。
て、ターゲット板１をＡ１等とした場合、例えば第２磁
石８のＮ極からの磁力線はほとんどバッキングプレート
３およびリテーナ４を介して被成膜部材２との間で曲線
を描いて、ターゲット板１を貫き第１磁石７のＳ極に入
る。前記磁力線が曲線を描くときに生じる渦電流により
、図示省略したベルジャ内に供給された反応ガスの＋イ
オンを回転運動させ、反応ガスのイオン化を促進させて
いる。
主絣が鵬癩、肛−Ｕ澗り
ところが、上述したターゲット板１にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ
等の磁性体を用いる場合、例えば第２磁石８のＮ極から
のほとんどの磁力線は、第２図矢印Ａのように、ターゲ
ット板１内を通じて第１磁石７に短絡する。つまり、第
２磁石８と第１磁石７における磁力線が、ターゲット板
１と被成膜部材２との間で曲線を描かないから、反応ガ
スの＋イオンを回転運動させることができず、マグネト
ロン放電が起こらなくなる。
等の磁性体を用いる場合、例えば第２磁石８のＮ極から
のほとんどの磁力線は、第２図矢印Ａのように、ターゲ
ット板１内を通じて第１磁石７に短絡する。つまり、第
２磁石８と第１磁石７における磁力線が、ターゲット板
１と被成膜部材２との間で曲線を描かないから、反応ガ
スの＋イオンを回転運動させることができず、マグネト
ロン放電が起こらなくなる。
このような現象は、通常用いられる肉厚３〜５ｎｏｗの
ターゲット板１の場合に生じるが、比較的肉厚の薄いタ
ーゲット板１を用いれば、前記のような現象は起こり難
いことが分かった。それでも、比較的肉厚の薄いターゲ
ット板１を用いると、当該ターゲット板１を頻繁に交換
しなければならなかった。
ターゲット板１の場合に生じるが、比較的肉厚の薄いタ
ーゲット板１を用いれば、前記のような現象は起こり難
いことが分かった。それでも、比較的肉厚の薄いターゲ
ット板１を用いると、当該ターゲット板１を頻繁に交換
しなければならなかった。
よって、この発明の目的は、比較的肉厚の厚い磁性体か
らなるターゲット板を用いても、マグネトロン放電を良
好に起こしうるスパッタ用ターゲットアセンブリを提供
することにある。
らなるターゲット板を用いても、マグネトロン放電を良
好に起こしうるスパッタ用ターゲットアセンブリを提供
することにある。
口 占 ′ るた の
上記目的を達成するため、この発明にかかるスパッタ用
ターゲットアセンブリを下記の構成にした。つまり、表
面側が被成膜部材に相対ｎするようにバッキングプレー
トに取り付けられる磁性体よりなるターゲット板と、こ
′のターゲット板の裏面側の略中央部分に配備される第
１磁石と、この第１磁石の側面を囲む環状の第２磁石と
を備え、しかも、前記ターゲット板よりも被成膜部材側
に磁石面が突出する補助磁石を前記第２磁石の磁石面と
対応するように配備させた。
ターゲットアセンブリを下記の構成にした。つまり、表
面側が被成膜部材に相対ｎするようにバッキングプレー
トに取り付けられる磁性体よりなるターゲット板と、こ
′のターゲット板の裏面側の略中央部分に配備される第
１磁石と、この第１磁石の側面を囲む環状の第２磁石と
を備え、しかも、前記ターゲット板よりも被成膜部材側
に磁石面が突出する補助磁石を前記第２磁石の磁石面と
対応するように配備させた。
皿
第２磁石と第１磁石間に及ぶ磁力線において、例えば第
２磁石からの磁力線は、ターゲット板内を短絡して第１
磁石に入らずに、はとんど補助磁石に入る。しかも補助
磁石の磁石面がターゲット板の表面よりも被成膜部材側
に突出しているため、補助磁石からの磁力線はターゲッ
ト板と被成膜部材との間で曲線を描き、ターゲラ１−板
を貫いて第１磁石に入る。
２磁石からの磁力線は、ターゲット板内を短絡して第１
磁石に入らずに、はとんど補助磁石に入る。しかも補助
磁石の磁石面がターゲット板の表面よりも被成膜部材側
に突出しているため、補助磁石からの磁力線はターゲッ
ト板と被成膜部材との間で曲線を描き、ターゲラ１−板
を貫いて第１磁石に入る。
災止皿
第１図はこの発明の一実施例を示す断面説明図である。
図において、１０は被成膜部材２０に生成すべき模によ
って材料が選択される円板状のターゲット板で、この実
施例ではＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等の磁性体からなるものとす
る。このターゲット板１０は、その表面が例えば半導体
基板等の被成膜部材２０の成膜面２１と相対向するよう
に、銅等の熱良導体からなるバッキングブレーＩ・３０
に環状のリテーナ４０で位置決め固定されている。つま
り、ハソキングブレート３０にリテーナ４０がねじ止め
されており、リテーナ４０の鍔部４１でターゲット板１
０の周縁部分がバンキングプレート３０に押さえつけら
れるようになっている。このバッキングプレート３０は
、ステンレス等からなる有底筒状のハウジング５０の開
口面を閉塞するもので、当該ハウジング５０の上端にね
し止め固定されている。このハウジング５０の底部には
磁性体からなる円板伏のヨーク６０が敷設されている。
って材料が選択される円板状のターゲット板で、この実
施例ではＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ等の磁性体からなるものとす
る。このターゲット板１０は、その表面が例えば半導体
基板等の被成膜部材２０の成膜面２１と相対向するよう
に、銅等の熱良導体からなるバッキングブレーＩ・３０
に環状のリテーナ４０で位置決め固定されている。つま
り、ハソキングブレート３０にリテーナ４０がねじ止め
されており、リテーナ４０の鍔部４１でターゲット板１
０の周縁部分がバンキングプレート３０に押さえつけら
れるようになっている。このバッキングプレート３０は
、ステンレス等からなる有底筒状のハウジング５０の開
口面を閉塞するもので、当該ハウジング５０の上端にね
し止め固定されている。このハウジング５０の底部には
磁性体からなる円板伏のヨーク６０が敷設されている。
そして、ヨーク６０とバッキングプレート３０との間の
空間でハウジング５０の略中央部分には丸棒或いは角棒
状の第１磁石７０が配設されている。この第１磁石７０
のＮ極面はヨーク６０側に、またＳ極面はバッキングプ
レート３０側に位置づけされているさらに、ハウジング
５０の′内側面近傍には、環状の第２磁石８０が配設さ
れていて、第１磁石７０を囲んでいる。この第２磁石８
０のＮ極面はパフキングプレート３０側に、またＳ極面
はヨーク６０側に位置ブけされている。これら第１磁石
７０および第２磁石８０が配設されたハウジング５０の
空間領域には冷却水が循環供給され、ターゲット板ＩＯ
の冷却をするようになっている。
空間でハウジング５０の略中央部分には丸棒或いは角棒
状の第１磁石７０が配設されている。この第１磁石７０
のＮ極面はヨーク６０側に、またＳ極面はバッキングプ
レート３０側に位置づけされているさらに、ハウジング
５０の′内側面近傍には、環状の第２磁石８０が配設さ
れていて、第１磁石７０を囲んでいる。この第２磁石８
０のＮ極面はパフキングプレート３０側に、またＳ極面
はヨーク６０側に位置ブけされている。これら第１磁石
７０および第２磁石８０が配設されたハウジング５０の
空間領域には冷却水が循環供給され、ターゲット板ＩＯ
の冷却をするようになっている。
さらに、ターゲット板１０をバッキングプレート３０に
位置決めするリテーナ４０には、環状の補助磁石９０が
嵌合されている。この補助磁石９０は、そのＳ極が被成
膜部材２０の成膜面２１と相対向するように、Ｎ極がバ
ンキングプレート３０を介して第２磁石８０のＮ極面と
相対向するように位置づけされている′。しかも、この
補助磁石９０は、ターゲット板１０よりも被成膜部材２
０側に突出しており、補助磁石９０の磁石面の面積は、
第１磁石７０の２倍位に設定されている。ここでは、リ
テーナ４０に補助磁石９αを嵌合させたとしているが、
リテーナ４０の周縁に配置させてもよい。
位置決めするリテーナ４０には、環状の補助磁石９０が
嵌合されている。この補助磁石９０は、そのＳ極が被成
膜部材２０の成膜面２１と相対向するように、Ｎ極がバ
ンキングプレート３０を介して第２磁石８０のＮ極面と
相対向するように位置づけされている′。しかも、この
補助磁石９０は、ターゲット板１０よりも被成膜部材２
０側に突出しており、補助磁石９０の磁石面の面積は、
第１磁石７０の２倍位に設定されている。ここでは、リ
テーナ４０に補助磁石９αを嵌合させたとしているが、
リテーナ４０の周縁に配置させてもよい。
次に動作を説明する。
第２磁石８０のＮ極からの磁力線は、バッキングプレー
ト３０を介して補助磁石９０のＳ極に入る。この補助磁
石９０のＮ極からの磁力線は、ターゲット板１０内を介
して第１磁石７０に短絡することなく、矢印Ｂのように
被成膜部材２０とターゲット板１０との間で曲線を描い
てターゲット板１０を貫いて第１磁石７０のＳ極に入る
。この第１磁石７０のＮ極からの磁力線は、ヨーク５０
内を通って第２磁石８０のＳ極に入る。
ト３０を介して補助磁石９０のＳ極に入る。この補助磁
石９０のＮ極からの磁力線は、ターゲット板１０内を介
して第１磁石７０に短絡することなく、矢印Ｂのように
被成膜部材２０とターゲット板１０との間で曲線を描い
てターゲット板１０を貫いて第１磁石７０のＳ極に入る
。この第１磁石７０のＮ極からの磁力線は、ヨーク５０
内を通って第２磁石８０のＳ極に入る。
なお、第１磁石７０、第２磁石８０および補助磁石９０
のＮ極、Ｓ極をこの実施例と全て反対にすることも可能
であり、この際の磁力線の移動方向は前述したものと反
対になることは言うまでもない。
のＮ極、Ｓ極をこの実施例と全て反対にすることも可能
であり、この際の磁力線の移動方向は前述したものと反
対になることは言うまでもない。
さらに、上述したターゲットアセンブリは、平面視略円
形であるが、方形状や多角形のものであってもよい。ま
た、第２磁石８０を用いずにこの第２磁石分だけヨーク
６を延長させたものを用いても上記実施例と同様の効果
が得られる。
形であるが、方形状や多角形のものであってもよい。ま
た、第２磁石８０を用いずにこの第２磁石分だけヨーク
６を延長させたものを用いても上記実施例と同様の効果
が得られる。
血皿豊立１
以上説明したように、この発明にかかるスパッタ用ター
ゲットアセンブリによれば、比較的肉厚の厚い磁性体か
らなるターゲット板を用いても、第１磁石と第２磁石と
の間における磁力線がターゲット板内を短絡せずに、は
とんどの磁力線が被成膜部材とターゲット板との間で曲
線を描いて第１磁石と第２磁石間を結び、ベルジャ内に
供給された反応ガスのイオン化を促進して、マグネトロ
ン放電を起こさせることとなる。したがって、従来のよ
うに肉厚の薄いターゲット板を用いなくていいから、タ
ーゲット板を頻繁に交換する必要がなくなる。
ゲットアセンブリによれば、比較的肉厚の厚い磁性体か
らなるターゲット板を用いても、第１磁石と第２磁石と
の間における磁力線がターゲット板内を短絡せずに、は
とんどの磁力線が被成膜部材とターゲット板との間で曲
線を描いて第１磁石と第２磁石間を結び、ベルジャ内に
供給された反応ガスのイオン化を促進して、マグネトロ
ン放電を起こさせることとなる。したがって、従来のよ
うに肉厚の薄いターゲット板を用いなくていいから、タ
ーゲット板を頻繁に交換する必要がなくなる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面説明図、第２図
および第３図は従来のスパッタ用ターゲットアセンブリ
を示す断面説明図である。 １０・・・ターゲット板、２０・・・被成膜部材、３０
・・・バッキングプレート、４０・・・リテーナ、７０
・・・第１磁石、８０・・・第２磁石、９０・・・補助
磁石。
および第３図は従来のスパッタ用ターゲットアセンブリ
を示す断面説明図である。 １０・・・ターゲット板、２０・・・被成膜部材、３０
・・・バッキングプレート、４０・・・リテーナ、７０
・・・第１磁石、８０・・・第２磁石、９０・・・補助
磁石。
Claims (1)
- （１）磁性体からなるターゲット板と、このターゲット
板の表面が被成膜部材の成膜面と相対向するように当該
ターゲット板をバッキングプレートに固定し、かつ内部
に環状の補助磁石が配設されたリテーナと、前記バッキ
ングプレートの略中央部分に配設された第１磁石と、こ
の第１磁石の側面を囲む環状の第２磁石とを具備してお
り、かつ、前記補助磁石の磁石面はターゲット板の表面
よりも被成膜部材側に突出されていることを特徴とする
スパッタ用ターゲットアセンブリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60216036A JP2602807B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | スパツタ用ターゲツトアセンブリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60216036A JP2602807B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | スパツタ用ターゲツトアセンブリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6274074A true JPS6274074A (ja) | 1987-04-04 |
| JP2602807B2 JP2602807B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=16682277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60216036A Expired - Lifetime JP2602807B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | スパツタ用ターゲツトアセンブリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602807B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229455U (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-26 | ||
| JP2007173237A (ja) * | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Oc Oerlikon Balzers Ag | ターゲット構成、デバイスを製造する方法、およびマグネトロンスパッタ供給源 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575871A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-12 | Anelva Corp | Cathode part of magnetron type sputtering apparatus |
| JPS5893872A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
| JPS58199862A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-21 | Tdk Corp | マグネトロン形スパツタ装置 |
| JPS58221275A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
| JPS5996269A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-06-02 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | スパツタコ−テイング装置に使用する磁性タ−ゲツト |
| JPS6089571A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-20 | Ulvac Corp | マグネトロン型スパツタ装置 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60216036A patent/JP2602807B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575871A (en) * | 1980-06-16 | 1982-01-12 | Anelva Corp | Cathode part of magnetron type sputtering apparatus |
| JPS5893872A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
| JPS58199862A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-21 | Tdk Corp | マグネトロン形スパツタ装置 |
| JPS58221275A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
| JPS5996269A (ja) * | 1982-11-05 | 1984-06-02 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | スパツタコ−テイング装置に使用する磁性タ−ゲツト |
| JPS6089571A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-20 | Ulvac Corp | マグネトロン型スパツタ装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229455U (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-26 | ||
| JP2007173237A (ja) * | 2005-12-23 | 2007-07-05 | Oc Oerlikon Balzers Ag | ターゲット構成、デバイスを製造する方法、およびマグネトロンスパッタ供給源 |
| US8540850B2 (en) * | 2005-12-23 | 2013-09-24 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Target arrangement for mounting / dismounting and method of manufacturing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2602807B2 (ja) | 1997-04-23 |
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