JPH028365A - スパッター被覆装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、基板を被覆するためのスパッタ被覆陰極に係
り、特にペニング型スパッター陰極に関するものである
。

（従来の技術） 提案されている堅い磁気ディスクメモリーを被覆するた
めの成形加工法では、強磁性体をターゲットから基板に
スパッターし、制御された厚さと均一性を得るようにし
ている。このスノくツタ−被覆は、イオン化ガス濃度を
調節しである低圧のチャンバ内で達成される。チャンノ
（内の磁界によって制限された範囲で動く電子は、ター
ゲット上方の部分でガスをイオン化する。

そして、電界は、帯電したイオンを十分な運動量でター
ゲットへと加速させ、イオンがターゲットに衝突すると
、ターゲット物質が放出される。

スパッター被覆には、強磁性体以外も使用できる。例え
ば、集積回路は、一つ以上の導電層をターゲットから非
導電基板へとスパッターし、一つ以上の導電層を選択的
に腐食することによって製作される。

ヘルマー（Ｈｅｌｍｅｒ　）の米国特許明細書第４．６
２９、５４８号、名称「平面ペニング磁電管スパッタ装
置（ＰＬＡＮＡＲＰＥＮＮＩＮＧ　ＭＡＧＮＥＴＲＯＮ
ＳＰＵＴＴＥＲＩＮＧ　ＤＥＶＩＣＥ）Ｊでは、陰極に
対して所定位置にある基板に物質をスパッタするペニン
グ陰極を開示している。従来のマグネトロン陰極とは異
なり、ペニング型陰極は、陰極／陽極構造と磁石との組
合せを用いるため、磁力線は陰極スパッタリング面をほ
ぼ直角に交差する。陰極付近に十分な量のイオン化可能
なガスが存在すると、イオン化電子が磁界を渦巻状に動
き、ガス原子をイオン化する。帯電したガスイオンが陰
極に引きつけられ、陰極に衝突すると、陰極物質を放出
して基板を被覆する。

ヘルマー特許では、２つのスパッタリング陰極ターゲッ
トと１つの陽極とは、一方の陰極ターゲット内を通る中
心軸に対し対称に間隔を置いている。ヘルマー特許の第
４図に示すように、２つの陰極ターゲットのスパッター
表面は、少なくとも始めのうちは、はぼ同一平面上とな
る。

細い円筒形の陽極が２つのターゲットを分離し、ターゲ
ットと同一平面を越えて、２つの陰極ターゲットが共有
する「視線」同一平面を横切るように延びている。

ヘルマー特許の第３図は、異なる陽極の配置による電流
対電圧の関係を示すグラフであシ、これによると、ター
ゲット物質に印加する電圧は、基本的には高電圧での電
流とは独立するようになる。第５図は、この電流と電圧
の独立はガス圧が異なっても同様であることを示す。該
ターゲットで測定した電流は、ターゲットでのイオン衝
撃によるターゲット腐食速度を示すので、ヘルマーの構
造は、結局ターゲット腐食であって、ターゲット電位を
調節しても、被覆速度を制御することはできない（少な
くとも、高電流の場合は）システムである。

（発明が解決しようとする課題） このようガ事情に鑑みて、本発明の目的はターゲット電
位を調節して被覆速度を容易に制御して均一な被膜を形
成するようにしたスノくツタ−被覆装置を提供すること
にある。

（課題を解決するための手段および作用）上記目的を達
成するため、本発明は請求項１〜１０に記載の構成を有
する。

そして特に本発明は、請求項１又は８に記載する構成要
素、即ち、陽極、第１、第２消耗陰極ターゲット、磁界
形成手段、支持手段、励磁手段を備えている。

本発明のスパッター被覆装置はほぼ平らな、円形の放射
面を具備する第１消耗陰極ターゲ・ントがあシ、これは
基板被膜平面とほぼ平行方向となっている。この第１平
面放射面又はターゲットの外周は環状の陽極であり、イ
オン化ガス原子をターゲットに引き寄せる電界を生成し
易くする。中央ターゲットの外部を放射状に取り巻く第
二消耗ターゲットには、被覆平面に対して角度をつけた
スパッター表面がある。

２つのターゲットと陽極の組合せによって、ガスイオン
化付近を境界とする凹状構造が形成される。イオン化は
、内部及び外部ターゲットを交差する磁力線を有する磁
界を生成する磁石により限定された部分に集中する。こ
の磁界の方向性によって、イオン化電子が磁力線に沿っ
て渦巻状に動くため、ガスイオン化の集中部分を生じる
。陽極ターゲットと陰極ターゲット間に生じた電界によ
って、イオンは２つのターゲットに引き寄せられる。

陽極には、２つの陰極ターゲット間の「視線」相互作用
を分裂しない基板の平面に対向する傾斜した環状面があ
る。ターゲットと基板の間の部分に生じる磁力線を調整
すれば、陰極ターゲット物質をよシ有効に利用できる。

更に、開示されている陰極のスパッタリングイオン化電
流は、陰極と陽極間のバイアスに敏感なため、被覆速度
を簡単に制御することができる。

本発明の好ましい実施例に従って、スパッター陰極の支
持構造には、磁界を形成する磁極部材があり、磁極部材
と同軸上に取りつけられた電磁コイルの電流を制御する
ことによって磁界を調節できる。この電磁コイルを通し
て電流を調節すると、内部及び外部ターゲット付近の磁
界の強さが制御される。好ましい陰極構造では、傾斜し
た環状ターゲットよシも内部ターゲット上の磁界の方が
強くなる。

（発明の効果） 上述の構成および作用により、本発明はイオンを２つの
陰極ターゲットに衝突させ、ターゲット物質を基板にス
パッタ被覆するので、このスパッタ被膜中のターゲット
の利用性を大きくし、さらに励磁手段によって磁界の強
さを制御して均一な被覆を形成する。

（実施例） 図面を見ると、第１図は、スバッオー被覆装置の概略図
であシ、この装置１０は基板１６に対して所定位置にあ
る、基板１６を被覆するための２つのターゲラ）１２．
１４を備えている。

第１図で、磁力線２０によって図示される磁界は、ター
ゲラ）　１２．１４によって一部に限定されるチャンバ
１１に導入されるガス（例えばアルゴン）のイオン化に
集中する。

第１図に示す磁界の磁力線２０は、強磁性の電極材２２
，２４、及び中央の磁極部材２２を取り囲む電磁コイル
２６から影響を受けた磁界とＫよって生じる。コイルを
励磁することと同じ意味である電磁コイル２６を通る電
流はコイル２６に接続された電源（図示せず）によって
調整される。

２つのターゲラ）　１２．１４を分離するのはターゲラ
）　１２．１４と絶縁した環状の陽極６ｏであり、基板
１６に対向する２つのターゲット１２．１４の表面に衝
突するように、イオン化ガス原子を加速するための電界
を形成するのに役立つ。このイオン衝撃によって、ター
ゲットの物質がターゲットから離れ基板へと移動し、基
板を適切な厚さに被覆する。このような被覆工程は、集
積回路の製造に使用したり、磁気コンピー−ターディス
クメモリーの被覆にも使用される。

２つのターゲット１２，１４、陽極３０．及び基板は全
て、中央のターゲット１２を横切る中心軸線３２に関し
て対称な位置となっている。

基板に対向するターゲット表面は、始めはほぼ平面だが
、使用しているうちに、これらの表面は、基板１６とタ
ーゲラ）　１２．１４間の領域における磁界構成によっ
て大いに制御されて様々なパターンに腐食する。コイル
２６を通過する電流を変更することで、磁界構成が調整
されて２つのターゲラ）１２．１４におけるターゲット
の腐食を加減する。コイル２６が励磁されると磁力線２
０が生じ、陽極３０と交差せずに、内部および外部のタ
ーゲラ）　１２．１４を接続する。

流体ラインが陽極を横切る場合、磁界を渦巻状に動く閉
じ込められたイオン化電子が陽極３ＯＫ衝突して消失す
る。これによって陰極のイオン化効率が低下する。第１
図に示すようＫ、磁力線２０は陽極５０に隣接して曲げ
られるので、陽極磁界の形成面は、必要なイオン化電子
を遮ることなく、わずかに凸状になることさえある。

従って、この必要事項を満たす理由として、ターゲット
間の「視線」分裂に関する説明をする必要がある。

次に、第２図を見てみると、第１図に図示しタスハッタ
ー被覆システム１ｏの断面図では、ターゲラ）１２．１
４の取付に適したほぼ円形の開口部を形成するプロセス
チャンバ壁５ｏＫ取りつけられている。

基板プラテン（図面には図示しない）が、はぼ垂直方向
に基板を支持し、基板１６とターゲラ）１２．１４間の
領域を絶縁し易くするため、イオン化ガス濃度を調整す
ることができる。使用する場合は、調整したガスイオン
のプラズマが、イオン電子の磁界閉じ込めによって、基
板１６とターゲット１２．１４の間のチャンバ１１に形
成される。

第２図において最も明らかなように、陰極支持部６０は
、支持部６０を通ってプロセスチャンバ壁５０に係合す
るねじ込みコネクター６２によって、チャンバ壁５０に
結合されている。

プロセスチャンバ１１内の環境は、陰極支持部６０に機
械加工された婢で支持されている０リングシール６４に
よって絶縁されている。この支持部６０は接地されてい
る。

２つのターゲット１２．１４は、約４００■の負電位に
保たれる。このターゲラ）　１２．１４は互いに絶縁さ
れている場合には、負電圧は不必要で、−船釣にそのよ
うになっていない。内部ターゲット１２は、３つの絶縁
スペーサ部材によシ支持部６０から電気的に絶縁されて
おシ、このスペーサ部材７０は中央に位置するターゲッ
ト１２と陰極支支持部６０との間の小さなギャップを維
持する。

スペーサ部材７０は、ターゲット１２のねじ込み開口部
にねじ嵌合されて、第１図および第２図に示すように、
ターゲット１２を垂直方向に支持する。

内部ターゲット１２は、平面図ではほぼ円形であり、鉄
、アルミニウム、又はその他の基板の被覆に適した物質
で構成されている。陽極３０は、ねじ付絶縁材７２の第
２セツトによってから隔置され、この絶縁材７２は陽極
５０と内部ターゲット１２を電気的に絶縁し、更にター
ゲット１２が支持部６０とは間隔のあいた配置となるよ
うに支持するようになっている。

陽極６０の磁界形成面３０ａは、基板１６に対して傾斜
し、基板に対向するほぼ凹型の陰極の環状部分を形成す
る。陽極表面３０ａとターゲット１２の垂直方向を向い
た表面との間の角度は、約１５°が好ましい。陽極３０
は、支持部６０に付いているスタッド７５を係合する、
均等に間隔を置いた４つのねじ込みコネクター７４によ
って、支持部６０に結合する。これらのコネクター７４
は円筒状くほみ部７６の磁界形成面３０ａの下方に埋め
こまれていて、コネクター７４が陽極３０付近のイオン
加速電界に及ばず影響を減するようにしている。

第３Ａ図の断面図には、好まし１陽極表面３０ａと代用
のノツチの入った陽極表面３０ｂの両方を図示している
。ノツチの入った構造の場合、陽極表面３０ｂの内部は
、内部ターゲット１２の外部対向面と実質上同一平面と
なって込る。そして、陽極表面３０ｂは、基板の方へ好
ましい陽極構造と代用の陽極構造が会う点まで傾斜して
いる。

外部ターゲット１４は、外部ターゲット１４を陽極３０
から電気的に分離する小さな円形の＄７８があるので、
陽極６０との間隔がおいている。電極部材２４を伸長す
るための軟鋼で構成されている第２のターゲット支持部
８０は、平面基板に対して約４５度の角度を成す支持表
面８０ａを具備している。最初ターゲット１４は、基板
１６とターゲット１２の両方に対して４５度の角度を成
す、傾斜した物質放出面１４ａを形成する。

第２支持部８０は、絶縁リング８２があるので接地支持
部６０との間隔がおいていて、外へ広がるフランジ８４
が支持部８０の外部周辺から伸びていて、また支持部８
０を支持部６０に固定するねじ込みコネクター８８に適
合する等間隔にあいた３つの開口部を形成する。支持部
８０は、外部ターゲット１４の負電位でバイアスをかけ
られるので、絶縁ワッシャー９０によって支持フランジ
８４から接地コネクター８８を分離する。

第２図で最も明らかなように、磁極部材２２゜２４は、
中心軸線３２に関して対称となるように配置され、コネ
クター１００，１０２　で支持部６０に連結されている
。磁極部材２２．２４は、軟鋼で構成されるのが好まし
い。同心円上に巻きつけた電磁コイルは、中心磁極部材
２２で支持され、電気的に励磁されることによって、チ
ャンバ１１内の磁界を変更する。このコイルは、磁極部
材２２．２４に固定した磁石端板１１０を通る導体によ
って、電源（図示せず）に接続される。本発明の好まし
い実施例において、電磁コイルは磁極部材２２．２４の
間のギャップに固定した主軸上に支持される連続マルチ
ターンコイルである。

第２図及び第３図に開示されるペニング型陰極の動作中
は、２つのターゲラ）１２．１４は、高エネルギーイオ
ンによる衝撃を受けて、これらのイオンから熱エネルギ
ーを吸収する。中央ターゲット１２を冷却するには、タ
ーゲットとの熱接点に冷却剤（水が好ましい）を供給す
る。

コンジット１１２が、入口連結部１２１を通って支持部
の入口通路１２０　（第３Ｂ図）へ冷却剤を運ぶ。第２
のコンジット１１３が、絶縁ワッシャー１２３によって
支持部６０との間に間隔がおいている第２連結部１２２
を係合する。

コンジット１１５は、外部ターゲット支持部８゜および
陽極３０各々の通路１２４，１２５を通過する経路を定
める。コンジット　１１３は、環状やコイルのような形
に湾曲し、ターゲット１２の外部対向面をほとんど接触
及び囲繞する。

陽極６０と支持部８ｏも通路を画成し、陽極３０と支持
部８０を経て、コンジット　１１３を、ターゲット１２
によって暖められた冷却剤がチャンバ１１から送られる
支持部６０を通って出口通路１２６へと経路を定める。

Ｑ　＋）ング１２８が入口および出口通路１２０．ｊ２
６を囲繞することによってチャンバを絶縁状態に保つ。

これらのＯリング１２８は、連結部１２１，１２２及び
ワッシャー１２３の溝に嵌合する。

第３Ａ図で最も明らかなように、中央に位置するターゲ
ット１２は、絶縁コンダクタ−１３２によってＤＣ約４
００Ｖの１ＳＩＩｉＩ整負電圧にバイアスされている。

電気コネクター１６４がコンダクタ−１５２をターゲッ
ト１２に連結し、第２電気コネクター１３６は、支持部
６ｏを通るコネクター１３８に連結される。負電圧搬送
コネクター１３８と支持部６０間の絶縁は、支持部６ｏ
とコネクター１３８の間に間隔をあける絶縁ワッシャー
１４０ＦＣよって維持される。チャンバの絶縁は、コネ
クター１３８とワッシャー１４０．およびワッシャー１
４０と支持部６ｏとの間のＱＩＪングシール１４２，１
４４によって維持される。

第２コンジツ）ｆ５０は、第２の外部ターゲット１４と
熱的に接触する冷却剤を供給するため支持部８０に機械
加工した通路１５２を通り、支持部８０に機械加工され
た環状＃１５４へと冷却剤を導くようになっている。こ
の環状＠１５４は、冷却剤（水が好ましい）をターゲラ
）１４に直接接触させ、ターゲット１４のイオン衝撃に
より蓄積した熱を吸収したシ取シ去ることができる。

チャンバ１１への出入コンジッ）　　１５０の経路を定
めるように、支持部６ｏへの通路の入口１５６および出
口１５８は、０リング１６０で密閉され、プロセスチャ
ンバの絶縁を保つ。支持部８０は、環状溝１５４を支持
表面８０ａから支持部８０本体に機械加工し、支持部８
ｏ内に密閉した環状溝を形成するために、スチールイン
サート部１６１を支持部８ｏに溶接することにょって組
み立てられる。

外部ターゲット１４は支持部８０にクリップ１６２によ
って固定されている。　このクリップはターゲット１４
上に間隔をおいて重なシ、ターゲットを交換する間に取
シ外されるねじ込みコネクター１６４によって支持部８
０に連結される。絶縁導体１６６は支持部６０へと経路
を定め、ターゲット１４の外面と電気的に連結される。

これによって外部タープ・ｙ　）　１４には、内部ター
ゲット１２とは異なるバイアスをかけることができる。

外部ターゲット１４と間隔のあいたシールド１７０は、
ターゲット１２．１４からスパッターされる物質が、タ
ーゲットの冷却およびバイアス構造体を被検するのを妨
げる。第２図で最も明らかなようＫ、ターゲットスパッ
タリングに続いて、支持部６０が取りはずされ、壁５０
に取シ付けである外部のシールド１７０をそのままにし
ておける。次に、２つのターゲット１２゜１４を取り換
えて、支持部６０を再び敗り付ける。

第１図に示す磁力線は、１０Ａのコイル電流で生じる。

内部および外部ターゲット１２．１４の真上で素早く測
定した磁界の強さが、コイル電流に対応して第４図に示
しである。第１図かられかるように、内部ターゲットを
出る一部の磁力線は外部ターゲットまで至らないが、外
部ターゲットが放出する各磁力線は内部ターゲットを横
切る。内部ターゲット１２からのスバ・ツタリングが、
外部ターゲット１４と同じような磁力線を含む平面部分
から優勢に生じる。

２種類のコイル電流での、放電電圧（Ｖ）に対する放電
電流（Ｉ）の曲線を第５図に示す。スパッタリング陰極
の電気作用は、普通、方程式■ＫＶｎ（Ｋは定数、ｎは
累乗指数で、先行技術の磁電管陰極の場合５〜９が一般
的である。）で説明される。本発明のペニング調整で得
られるｎの値はよシ高く、１６から６２の間だが、これ
は電子封じ込めが優れていることを示す。

薄膜の厚さの均一性を最適にするために、２つのスパッ
タリングターゲット１２．１４に印加する電力は、それ
ぞれ独立して制御できることが望まし込。表工（下記）
は、コイル電流１０Ａ。

アルゴン圧力５　Ｘ　１０−”　Ｔｏｒｒ、で得られた
電力分配例である。ターゲット物質はアルミニウム。

妥当なターゲット電圧を維持しながら、広範囲の出力比
が利用できることが明らかである。

表　　　Ｉ 内部ターゲット　　　　　　　　外部ターゲット電力　
　電圧 （キロワット）（ボルト） 電流　　電力　　　電圧　　　電流 （アンペア）（キロワット）　　　（ｄシレト）　　　
Ｃアンペア０α２　　　３０８　　　　１１６２　　　
　１．２　　　　６０６　　　　　１．９４０．４　　
　　４６８　　　　　　α８４　　　　　１．２　　　
　　４５０　　　　　２．６００．６　　　６５６　　
　　　α９０　　　　１．２　　　　　４２７　　　　
　２．７４第６図は、アルミニウムの薄膜の厚さとター
ゲット軸からの放出距離の関係を示すグラフ。

基板は内部ターゲットの表面から２．４４インチ離れた
位置に置かれる。内部ターゲットの印加電力は０．６請
ｗ、外部ターゲ・ソトの印加電力は１．６ＫＷである。

曲線から、薄膜の厚さの均一性は、半径３インチ内で上
２゜２チとなっている。

この領域は、直径６インチの同心基板と一致していた。

まだ、曲線から、総電力２．２請に対し、平均蒸着率が
約４，７５０Ａ／分であることがわかる。

壕ず重要なことは、物質の転送効率、つまシ実際にスパ
ッターした物質が基板に付着する割合である。第６図に
示す被覆効率は、最低４５チ、つまυ従来の電磁管スパ
ッタリングターゲットでは到底達成できなかった比率の
高さを意味する。

マグネトロン型スパッタリングターゲットは、−船釣に
厚さの均−性及びターゲットの独立の両方に影響する、
深く比較的狭い腐食溝を利用している。限られた量の物
質のみがこの陰極を使ってスパッターされたが、通常の
場合よりも広い領域から腐食が生じているように思われ
た。

第６図は、ターゲットにアルミニウムを使用して出した
データである。強磁性ターゲットも使用できる。本発明
の１実施例を詳細に説明したが、本発明には添付の特許
請求の範囲に開示する構成の範囲内での変更および修正
したものを含むものとする。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるペニング型スパッター被膜隘極
の概略図、 第２図は、第１図を概略的に図示したペニング型被膜陰
極の断面図、 第３図は、第２図のペニング型被膜陰極の平面図、 第３Ａ図および第３Ｂ図は、第６図の３Ａ−３Ａ線と３
Ｂ−３Ｂ線を平面として見た断面図、第４図は、電磁コ
イルの励磁による磁界の強さの変化に伴う内部ターゲッ
ト及び外部ターゲット付近の磁界の強さを示すグラフ、 第５図は、ターゲット付近の磁界の強さが異なる場合の
、ターゲットの放電電圧に対するターゲットの放ｉＩＩ
’ｇ流を示すグラフ、第６図は、本発明によ多構成した
ペニング型陰極構造を利用して、基板上のアルミニウム
材被覆の均一性を示すグラフである。 １０・・・スパッター被覆装置　１１・・・チャンバ１
２・・・内部ターゲット１４・・・外部ターゲット１６
・・・基板　　　　　　　　２２．２４・・・磁極部材
２６・・・電磁コイル　　　　　３０・・・陽極３０ａ
・・・磁界形成面　　　　３２・・・中心軸線６０・・
・支持部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ａ）物質を基板表面上にスパッターするための被覆
   面に対してほぼ平行に向けられると ともに、隔置されたほぼ平らな円形の物質 放出面を具備する第１消耗陰極ターゲット （１２）を含んでいる基板を被覆する装置であって、 ｂ）第１消耗陰極ターゲットの外部周辺を境界とし、前
   記基板平面の側へ傾斜した電界 形成面を定める環状の陽極（３０）と、 ｃ）前記基板表面の被覆面に物質をスパッターするため
   に、前記被覆面に対して角度をなして傾斜した物質放射
   面を形成する環状リ ングを具備する第２消耗陰極ターゲット（１４）と、 ｄ）被覆面と第１、第２消耗陰極ターゲットの間の領域
   に磁界を生成し、該領域に生じ るイオン化電子を制限する磁界形成手段 （２２，２４，２６）と、 ｅ）前記第１消耗陰極ターゲットと前記被覆面の両方を
   横切る軸線（３２）と同軸上にある前記陽極および第１
   、第２消耗陰極ターゲッ トを所定の位置に定める支持手段（６０）と、ｆ）前記
   陽極および第１、第２消耗陰極ターゲットに、それぞれ
   独立制御可能なバイア ス電圧を電気的に加え、円形で傾斜した前記物質放出面
   からのターゲット物質をスパッ ターする間に、前記基板表面での物質の被 覆分配を制御する励磁手段を備えているこ とを特徴とするスパッター被覆装置。 ２．磁界生成装置は、磁界を発生する電磁石（２６）か
   ら成り、この磁界が前記第１、第２消耗陰極ターゲット
   をほぼ直角に交差し、円形で傾斜した前記物質放出面上
   方でイオン化電子を閉じ込めることを特徴とする請求項
   １記載のスパッター被覆装置。 ３．前記環状陽極（３０）の電界形成面（３０ａ）が、
   ほぼ平面で円形の前記物質放出面に対して傾斜し、円形
   の放出面と角度をなし、その角度が、前記第２消耗陰極
   ターゲットと前記物質放射面の間の角度よりも小さいこ
   とを特徴とする請求項１記載のスパッター被覆装置。 ４．第１及び第２消耗ターゲットが、強磁性物質で形成
   されることを特徴とする請求項１記載のスパッター被覆
   装置。 ５．陽極（３０）の電界形成面（３０ａ）が、前記第１
   消耗陰極ターゲット付近の点から第２消耗陰極ターゲッ
   ト付近の点までの基板被覆面と一定の角度を成すことを
   特徴とする請求項１記載のスパッター被覆装置。 ６．陽極（３０）の電界形成面（３０ａ）にノッチ（３
   ０ｂ）を設け、第１消耗陰極ターゲット実質上同一平面
   の第１平面部と、基板被覆面に対して角度をなす第２平
   面部とを形成することを特徴とする請求項１記載のスパ
   ッター被覆装置。 ７．陽極（３０）の電界形成面（３０ａ）がわずかに凸
   状になっているが、被覆面と第１、第２陰極ターゲット
   の間の領域でイオン化電子の動きをそれほど分裂させな
   いことを特徴とする請求項１記載のスパッター被覆装置
   。 ８．ａ）物質を基板表面にスパッターする被覆面に対し
   てほぼ平行に隔置されたほぼ平面で なる円形の物質放出面を具備する第１消耗 陰極ターゲット（１２）を含んでいる基板を被覆する装
   置であって、 ｂ）第１消耗陰極ターゲットの外部周辺を境界とし、前
   記基板平面の側へ傾斜する電界 形成面を定める陰極（３０）と、 ｃ）前記陽極の外部周縁と境界をなす傾斜した物質放射
   面を有する陽極外方へ放射状に 隔置され、前記基板表面上の被覆面に物質 をスパッターするために該被覆面に対して 角度をなして角度傾斜した第２消耗陰極タ ーゲット（１４）と、 ｄ）被覆面と第１、第２消耗陰極ターゲット間の領域に
   磁界を生成し、該領域内で１イ オン化電子を制限する磁界形成手段（２２，２４，２６
   ）と、 ｅ）前記陽極を第１、第２消耗陰極ターゲットから絶縁
   するとともに、前記陽極および 第１、第２消耗陰極ターゲットを、前記第 １消耗陰極ターゲットと前記被覆面の中心 部分を交差する軸線（３２）に関して対称関係に配置す
   る支持手段（６０）と、 ｆ）前記陽極および第１、第２消耗陰極ターゲットに、
   それぞれ独立制御可能なバイア ス電圧を電気的に加え、前記物質放出面か らターゲット物質をスパッターする間に、 前記基板表面上での物質の被覆分配を制御 する励磁手段を備えている特徴とする基板 被覆装置。 ９．支持手段（６０）が、陽極に基準電位でバイアスを
   かける平面導体部材と、該平面導体部材に対して隔置し
   た２つの消耗陰極ターゲットを支持する第１、第２絶縁
   スペーサー部材（７０，８２）を含み、前記磁界形成手
   段が、前記絶縁スペーサー部材のひとつと第２消耗陰極
   ターゲットとの間の強磁性支持部（８０）を含んでいる
   ことを特徴とする請求項８記載の装置。 １０．更に、第１、第２陰極ターゲットからスパッター
   される物質を遮る第２消耗陰極ターゲットから外方へ放
   射状に広がるシールド（１７０）を含んでいる請求項８
   記載の装置。