DE19735469A1 - Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/34—Sputtering
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Description
Die Erfindung betrifft ein Target für die Sputter
kathode einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einem
das zu zerstäubende Material zumindest teilweise
umschließenden Rahmen zur Halterung des platten
förmigen Targets auf der Kathodengrund- oder Rüc
kenplatte und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Um eine bessere Kühlung bei der Kathodenzerstäu
bung von Targets zu erreichen, ist es bekannt
(DE-A-36 03 646), den plattenförmig ausgeformten
Targetwerkstoff mit Hilfe von Klemmen oder Pratzen
auf der Kathodengrundplatte, die im allgemeinen
mit einer Wasserkühlung versehen ist, fest zu ver
binden.
Bekannt ist weiterhin eine Targetanordnung für ei
ne Kathodenzerstäubungsanlage mit geschlossener
Kathodengestalt, mit einem Targetkörper, der mit
tels einer lösbaren Befestigungseinrichtung an ein
Kühlsystem ankoppelbar ist, wobei zwischen dem
Targetkörper und dem Kühlsystem eine Trennmembran
vorgesehen ist, die zum einen mit dem Kühlsystem
und zum anderen mit dem Targetkörper durch ge
trennte Befestigungseinrichtungen in Verbindung
steht (DE-A-43 01 516).
Bekannt ist auch eine Zerstäubungskathode
(DE-A-42 01 551), die nach dem Magnetronprinzip
arbeitet, mit einem Kathodenkörper, der mit einem
eine Zerstäubungsfläche und eine Umfangsfläche
aufweisenden Target ausgestattet ist, wobei hinter
dem Target ein Magnetsystem mit ineinander liegen
den Polen entgegengesetzter Polarität zur Erzeu
gung von magnetischen Feldlinien vorgesehen ist,
die aus dem Target austreten und nach Durchlaufen
von bogenförmigen Bahnen wieder in das Target ein
treten, wobei die außerhalb der Erosionszone lie
genden Randbereiche des Targets von einem parallel
zur Zerstäubungsfläche verlaufenden, einen Innen
rand aufweisenden Fortsatz der Dunkelraumabschir
mung überdeckt sind. Die Dunkelraumabschirmung ist
elektrisch schwimmend angeordnet und durch einen
Spalt vom Target getrennt, der derart groß ist,
daß zwischen Target und Dunkelraumabschirmung kein
Plasma zünden kann, so daß nur das frei liegende
Target zerstäubt wird.
Schließlich ist eine Kathodenzerstäubungsvorrich
tung mit hoher Zerstäubungsrate bekannt
(EP-A-0 431 253) mit einer Kathode, die auf einer
ihrer Oberflächen das zu zerstäubende und auf ei
nem Substrat abzulagernde Material aufweist, mit
einer derart angeordneten Magneteinrichtung, daß
von der Zerstäubungsfläche ausgehende und zu ihr
zurückkehrende Magnetfeldlinien einen Entladungs
bereich bilden, der die Form einer in sich ge
schlossenen Schleife hat und mit einer außerhalb
der Bahnen des zerstäubten und sich von der Zer
stäubungsfläche zum Substrat bewegenden Materials
angeordneten Anode, wobei an der Kathode eine Trä
gerplatte fest angeordnet ist, deren der Kathode
zugewandte Seitenfläche von nutenförmigen Kanälen
durchzogen ist, wobei in die Kanäle von Kühlmit
teln durchflossene Rohre eingelegt sind, deren
Querschnittsprofile den Querschnittsprofilen der
Kanäle entsprechen, so daß die Rohre mit ihren Au
ßenwänden Kontakt mit den Innenwänden der Kanäle
bzw. der Außenfläche der Kathode haben.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, ein planes Target besonderer Größe und mit
hoher Lebensdauer zu schaffen, das sich zum einen
zum Beschichten von großflächigen Substraten, z. B.
Fensterscheiben eignet und zum anderen preiswert
herstellbar ist. Insbesondere soll die Kühlung der
Targetwerkstoffe während des Sputterbetriebs be
sonders effektiv sein.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein
Target gelöst mit einem das zu zerstäubende Mate
rial zumindest teilweise umschließenden Rahmen zur
Halterung des plattenförmig ausgebildeten Targets
auf der Kathodenrückenplatte und mit sich vom Rah
men aus ein Stück weit in den Targetwerkstoff hin
ein erstreckenden und vom Targetwerkstoff um
schlossenen, Kühlkanäle bildenden Hohlprofilen,
wobei die Hohlprofile eine im Querschnitt symme
trische Konfiguration aufweisen und die Symme
trieebene parallel zur Target ebene verläuft und
von der Targetvorderfläche den gleichen Abstand
aufweist wie von der Targetrückfläche.
Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung
sind in den Patentansprüchen näher beschrieben und
gekennzeichnet.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh
rungsmöglichkeiten zu; eine davon ist in den an
hängenden Zeichnungen näher dargestellt, und zwar
zeigen:
Fig. 1 das Endstück eines Targetrahmens mit
Kühlkanälen in perspektivischer Ansicht
und im Querschnitt,
Fig. 2 das Endstück der Ausführungsform gemäß
Fig. 1, jedoch mit mit Targetwerkstoff
ausgefüllten Zwischenräumen,
Fig. 3 eine Ausführungsform des Targets nach
Fig. 1 und 2, jedoch ohne Rüc
kenplatte, bereit entweder in der dar
gestellten Lage oder in einer um 180°
gedrehten Lage montiert zu werden.
Das Target besteht aus vier Profilzuschnitten 3,
4, 5, . . ., die alle zusammen einen länglichen,
rechteckigen Rahmen bilden und einen kürzer bemes
senen Mittelsteg 7, der so zwischen den Rahmentei
len 3, 4, 5, . . . angeordnet ist, daß er sich einer
seits parallel zu den beiden Seitenteilen 3, 4 er
streckt und andererseits Spalte A, . . . mit den bei
den Kopfteilen 5, . . . bildet. Die seitlichen Rah
menteile 3, 4 und auch die beiden Kopfteile 5, . . .
sind jeweils mit seitlich abstehenden Vorsprüngen
bzw. Zungen 3a, . . ., 4a, . . ., 5a, . . . versehen, die
sich bis in die vom Mittelteil und den Seitentei
len gebildeten Zwischenräume B bzw. C erstrecken.
Auch das Mittelteil 7 ist mit sich in die Zwi
schenräume B, C erstreckenden Zungen 7a, . . . bzw.
7a', . . . versehen, die sich bis in die Zwischenräu
me B, C erstrecken.
Gemäß Fig. 2 sind bei einem komplettierten Target
die in Fig. 1 erkennbaren Partien oder Räume zwi
schen den Profilzuschnitten, den einander zuge
kehrten Seitenwänden der Rahmen- bzw. Kopfteile 3
bis 5, dem Mittelsteg 7 und den Zungen 3a, 4a,
. . ., 7a, 7a' mit Targetwerkstoff 23 ausgegossen.
Zur Herstellung eines Targets ähnlich demjenigen
nach Fig. 2 werden zunächst die Rahmenteile 3, 4,
5, . . ., 7 auf eine Edelstahlplatte mit Hilfe aufge
schraubt, derart, daß die Rahmenteile spaltenfrei
auf der Oberseite der Edelstahlplatte aufliegen.
Danach werden Edelstahlplatte und Rahmenteile 3,
4, 5, . . . 7 auf eine Temperatur erwärmt, die etwa
der Schmelztemperatur des Targetwerkstoffs 23 ent
spricht; anschließend wird dann das aufgeschmolze
ne Targetmaterial 23 von oben her in die Zwischen
räume eingegossen, bis der Schmelzenspiegel diese
Zwischenräume- vollständig ausfüllt. Nach dem Gieß
vorgang und dem Erkalten des Targetwerkstoffs 23
und der Edelstahlplatte können die Schrauben ge
löst und der Rahmen zusammen mit dem Targetwerk
stoff 23 als eine einzige kompakte Einheit von der
Edelstahlplatte abgehoben werden und anschließend
mit der Kathodengrundplatte 9 verschraubt werden
(wie dies am Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 dar
gestellt ist).
Es ist klar, daß die Werkstoffe für die Edelstahl
platte und die Rahmenteile (3, 4, 5, . . ., 7) so ge
wählt werden müssen, daß sich der Targetwerkstoff
23 nicht mit dem Werkstoff der Rahmenteile und der
Platte untrennbar verbindet.
Vor der Montage des aus dem Targetwerkstoff 23,
Rahmenteilen 3, 4, 5, . . . 7 gebildeten kompak
ten Blocks auf der Kathodenrückenplatte 9 mit Hil
fe der Schrauben 11 bis 19 kann auch eine Trennfo
lie 20 auf die Rückenplatte 9 aufgelegt werden.
Wie die Zeichnungen zeigen, sind die Zungen 3a,
4a, 5a, 7a, 7a', . . . der Profilzuschnitte 3, 4, 5,
7 als Hohlprofile ausgebildet, so daß sie Kanäle
21, 22 bilden, durch die ein geeignetes Kühlmittel
geleitet werden kann, (z. B. in Pfeilrichtung
A-B bzw. C-D), wozu die aneinander anliegenden
Schnittflächen der Hohlprofile druckfest miteinan
der verklebt werden.
Der mit Targetwerkstoff 23 ausgegossene Rahmen (3,
4, 5, 7, . . .) kann mit einem (nicht dargestellten)
Kathodengrundkörper (oder dessen Rückenplatte 9)
verbunden werden, daß sowohl die Fläche 16 dem
Substrat zugekehrt ist, als auch die Rückseite 16'
mit dem Vorteil, daß das in Fig. 3 dargestellte
Target praktisch eine zweifache Lebensdauer hat.
Zweckmäßigerweise weisen die Hohlprofile 3a, 4a,
5a, . . ., 7a, 7a' einen symmetrischen Querschnitt
auf, wobei die gemeinsame Symmetrieebene S paral
lel und zwischen den beiden Targetflächen 16, 16'
verläuft, wobei der Abstand der Ebene S von der
einen Fläche 16 zur parallelen Fläche 16' gleich
groß bemessen ist.
3
Profilzuschnitt, Seitenteil
3
a Zunge, Hohlprofil
4
Profilzuschnitt, Seitenteil
4
a Zunge, Hohlprofil
5
Kopfteil
5
a Zunge, Hohlprofil
7
Profilzuschnitt, Mittelsteg
7
a Zunge, Hohlprofil
7
a Zunge, Hohlprofil
9
Rückenplatte
11
Schraube
12
Schraube
13
Schraube
14
Schraube
15
Schraube
16
Targetfläche, Vorderseite
16
' Targetfläche, Rückseite
17
Schraubenbohrung
18
Schraubenbohrung
19
Schraubenbohrung
20
Folie, Trenn-, Isolierfolie
21
Kühlkanal
22
Kühlkanal
23
Targetwerkstoff
Claims (7)
1. Target für die Sputterkathode einer Vakuumbe
schichtungsvorrichtung mit einem das zu zer
stäubende Material (23) zumindest teilweise
umschließenden Rahmen (3, 4, 5, 7) zur Halte
rung des plattenförmig ausgebildeten Targets
auf der Kathodenrückenplatte (9) und mit sich
vom Rahmen (3, 4, 5, 7) aus ein Stück weit in
den Targetwerkstoff (23) hinein erstreckenden
und vom Targetwerkstoff umschlossenen, Kühl
kanäle bildenden (21, 22) Hohlprofilen (3a,
4a, 5a, . . . 7a, 7a'), wobei die Hohlprofile
(3a, 4a, 5a, . . . 7a, 7a') eine symmetrische
Konfiguration aufweisen und die Symmetrieebe
ne (S) parallel zur Targetebene verläuft und
von der Targetvorderfläche (16) den gleichen
Abstand aufweist wie von der Targetrückfläche
(16').
2. Target nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß die sich in einer zur Targetvorder
fläche parallelen Ebene erstreckenden Zungen,
Vorsprünge oder Hohlprofile (3a, 4a, 7a, 7a')
mit den Rahmenteilen (3, 4, 5 . . . 7) ver
schraubt, verschweißt oder verklebt sind.
3. Target nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Rahmen (3, 4, 5 . . . 7)
aus mehreren Metallprofilzuschnitten gebildet
ist, wobei die einzelnen Zuschnitte vermit
tels Steckverbindungen zusammengefügt sind.
4. Target nach einem oder mehreren der vorherge
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die den Rahmen (3, 4, 5 . . . 7) bildenden Pro
filzuschnitte einen im wesentlichen rechtec
kigen Querschnitt aufweisen und die die Kanä
le (21, 22) bildenden Zungen oder leistenför
migen Vorsprünge (3a, 4a, 5a, 7a, 7a', . . .)
mit den dem Targetwerkstoff (23) zugekehrten
Seitenflächen der Rahmenteile verschweißt
oder verlötet sind.
5. Target nach einem oder mehreren der vorherge
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der Rahmen (3, 4, 5, . . . 7) eine längliche,
etwa rechteckige Konfiguration aufweist, wo
bei zwischen den langen, einander parallelen
Rahmenseitenteilen (3, 4) ein sich längs zu
diesem erstreckender Mittelsteg (7) vorgese
hen ist, dessen Länge kürzer bemessen ist als
die Länge der beiden Seitenteile (3, 4) des
Rahmens.
6. Target nach einem oder mehreren der vorherge
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die die Kühlkanäle (21, 22) bildenden Hohl
profilzuschnitte (3a, 4a, 5a, . . . 7a, 7a')
durch Löten oder Punktschweißen partiell mit
Rahmenteilen (3, 3, 5, . . . 7) verbunden
sind.
7. Verfahren zur Herstellung eines Targets für
die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungs
vorrichtung mit einem das zu zerstäubende Ma
terial (23) zumindest teilweise umschließen
den Rahmen (3, 4, 5, . . . 7) zur Halterung des
plattenförmig ausgebildeten Targets auf der
Kathodenrückenplatte (9) mit einem ersten
Verfahrensschritt, in dem der Rahmen (3, 4,
5, . . . 7) aus einem metallischen Werkstoff,
vorzugsweise aus Kupfer, auf eine aufheizba
re, horizontal ausgerichtete ebene Platte,
vorzugsweise aus Edelstahl, aufgelegt und mit
dieser verschraubt oder verpratzt wird und in
einem zweiten Verfahrens schritt der vom Rah
men (3, 4, 5 . . . 7) umgriffene Raum mit aufge
schmolzenem Targetwerkstoff (23), beispiels
weise mit flüssigem Zinn, ausgegossen wird,
bis der Schmelzenspiegel die Oberseite des
Rahmens (3, 4, 5, . . . 7) erreicht hat, worauf
hin in einem dritten Schritt die Schmelze
gleichmäßig auf Raumtemperatur abgekühlt und
anschließend der Rahmen mit dem erstarrten
Targetwerkstoff von der Edelstahlplatte abge
löst und auf die Kathodenrückenplatte (9)
aufgeschraubt oder aufgepratzt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997135469 DE19735469A1 (de) | 1997-08-16 | 1997-08-16 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997135469 DE19735469A1 (de) | 1997-08-16 | 1997-08-16 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19735469A1 true DE19735469A1 (de) | 1999-02-18 |
Family
ID=7839109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1997135469 Withdrawn DE19735469A1 (de) | 1997-08-16 | 1997-08-16 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19735469A1 (de) |
Cited By (2)
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1997
- 1997-08-16 DE DE1997135469 patent/DE19735469A1/de not_active Withdrawn
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