DE19806879A1 - Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Description
Die Erfindung betrifft ein Target für die Sputter
kathode einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einem
das Verbrauchsmaterial umschließenden, aus einer
Bodenpartie und mehreren Seitenpartien gebildeten
Träger und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Um eine bessere Kühlung bei der Kathodenzerstäu
bung von Targets zu erreichen, ist es üblich
(DE-A-36 03 646), den plattenförmig ausgeformten
Targetwerkstoff mit Hilfe von Klemmen oder Pratzen
auf der Kathodengrundplatte, die im allgemeinen
mit einer Wasserkühlung versehen ist, fest zu ver
binden.
Bekannt ist weiterhin eine Targetanordnung für ei
ne Kathodenzerstäubungsanlage mit geschlossener
Kathodengestalt, mit einem Targetkörper, der mit
tels einer lösbaren Befestigungseinrichtung an ein
Kühlsystem ankoppelbar ist, wobei zwischen dem
Targetkörper und dem Kühlsystem eine Trennmembran
vorgesehen ist, die zum einen mit dem Kühlsystem
und zum anderen mit dem Targetkörper durch ge
trennte Befestigungseinrichtungen in Verbindung
steht (DE-A-43 01 516).
Bekannt ist auch eine Zerstäubungskathode
(DE-A-42 01 551), die nach dem Magnetronprinzip
arbeitet, mit einem Kathodenkörper, der mit einem
eine Zerstäubungsfläche und eine Umfangsfläche
aufweisenden Target ausgestattet ist, wobei hinter
dem Target ein Magnetsystem mit ineinander liegen
den Polen entgegengesetzter Polarität zur Erzeu
gung von magnetischen Feldlinien vorgesehen ist,
die aus dem Target austreten und nach Durchlaufen
von bogenförmigen Bahnen wieder in das Target ein
treten, wobei die außerhalb der Erosionszone lie
genden Randbereiche des Targets von einem parallel
zur Zerstäubungsfläche verlaufenden, einen Innen
rand aufweisenden Fortsatz der Dunkelraumabschir
mung überdeckt sind. Die Dunkelraumabschirmung ist
elektrisch schwimmend angeordnet und durch einen
Spalt vom Target getrennt, der derart groß ist,
daß zwischen Target und Dunkelraumabschirmung kein
Plasma zünden kann, so daß nur das frei liegende
Target zerstäubt wird.
Bekannt ist weiterhin eine Kathodenzerstäubungs
vorrichtung mit hoher Zerstäubungsrate
(EP-A-0 431 253) mit einer Kathode, die auf einer
ihrer Oberflächen das zu zerstäubende und auf ei
nem Substrat abzulagernde Material aufweist, mit
einer derart angeordneten Magneteinrichtung, daß
von der Zerstäubungsfläche ausgehende und zu ihr
zurückkehrende Magnetfeldlinien einen Entladungs
bereich bilden, der die Form einer in sich ge
schlossenen Schleife hat und mit einer außerhalb
der Bahnen des zerstäubten und sich von der Zer
stäubungsfläche zum Substrat bewegenden Materials
angeordneten Anode, wobei an der Kathode eine Trä
gerplatte fest angeordnet ist, deren der Kathode
zugewandte Seitenfläche von nutenförmigen Kanälen
durchzogen ist, wobei in die Kanäle von Kühlmit
teln durchflossene Rohre eingelegt sind, deren
Querschnittsprofile den Querschnittsprofilen der
Kanäle entsprechen, so daß die Rohre mit ihren Au
ßenwänden Kontakt mit den Innenwänden der Kanäle
bzw. der Außenfläche der Kathode haben.
Schließlich hat man bereits ein Target für die
Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsvorrich
tung vorgeschlagen (DE 195 35 894 A1) mit einem
das zu zerstäubende Material zumindest teilweise
umschließenden Rahmen zur Halterung des platten
förmig ausgebildeten Targets auf der Kathodenrücken
platte und mit einer zwischen Rahmen und der
Kathodenrückenplatte angeordneten Trennfolie oder
Zwischenlage aus nachgiebigem Werkstoff, bei
spielsweise einer Kohlenstoffolie, und mit einer
Vielzahl sich vom Rahmen aus zu einer zur Target
ebene parallelen Ebene jeweils ein Stück weit in
den Targetwerkstoff hinein erstreckenden, mit den
Rahmenteilen fest verbundenen Bolzen, Zungen oder
leistenförmigen Vorsprüngen zur Halterung des Tar
getwerkstoffs in den von den Rahmenteilen um
schlossenen Zwischenräumen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, ein Target besonderer Größe zu schaffen,
das sich zum einen zum Beschichten von großflächi
gen Substraten, z. B. Fensterscheiben eignet und
zum anderen preiswert herstellbar ist. Insbesonde
re aber soll die Wiederaufarbeitung des abgesput
terten Targets rasch und preiswert möglich sein.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein
Target gelöst mit einem das zu zerstäubende Mate
rial, das sogenannte Verbrauchsmaterial umschlie
ßenden, aus einer Bodenpartie und mehreren, diese
umrandenden Seitenpartien und einer Mittelpartie
bestehenden, ein nach oben zu offenes, schalen-
oder ringschalenförmiges Gefäß bildenden Träger
mit sich von den einander zugewandten Innenflächen
der Seitenpartien und der Mittelpartie aus in ei
ner zur Ebene der Bodenpartie parallelen Ebene er
streckenden Vorsprüngen mit prismatischer Konfigu
ration, wobei zwei sich jeweils gegeneinander er
streckende Vorsprünge einen Spalt miteinander bil
den, der den Raum oberhalb mit dem Raum unterhalb
der Vorsprünge verbindet, und der von den Seiten
partien, der Mittelpartie und der Bodenpartie ge
bildete Raum mit verflüssigtem Verbrauchsmaterial
ausgegossen ist.
Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung
sind in den Patentansprüchen näher beschrieben und
gekennzeichnet.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh
rungsmöglichkeiten zu; eine davon ist in den an
hängenden Zeichnungen näher dargestellt, und zwar
zeigen:
Fig. 1 das Endstück eines Gefäßes für das zu
zerstäubende Material mit Kühlkanälen
in perspektivischer Ansicht und im
Querschnitt und
Fig. 2 das Endstück der Ausführungsform gemäß
Fig. 1, jedoch mit mit Targetwerkstoff
ausgefüllten Zwischenräumen.
Das Target besteht aus vier Seitenpartien 3, 4, 5, . . .,
die zusammen einen länglichen, rechteckigen Rahmen
bilden, einer kürzer bemessenen Mittelpartie 6,
die so zwischen den Seitenpartien 3, 4, 5, . . . angeord
net ist, daß sie sich einerseits parallel zu den
beiden Seitenpartien 3, 5 erstreckt und anderer
seits Spalte A, . . . mit den beiden Kopfpartien 4, . . .
bildet und einer alle Seitenpartien 3, 4, 5, . . . ein
stückig miteinander verbindenden Bodenpartie 8.
Die Seitenpartien 3, 5 und die Mittelpartie 6 sind
jeweils mit seitlich abstehenden, keilstumpfförmi
gen Vorsprüngen 3a, 5a, 6a, 6b versehen, die sich bis
in die von der Mittelpartie 6 und den Seitenparti
en 3, 5 gebildeten Zwischenräume B bzw. C erstrecken
und Spalte D, E miteinander bilden.
Gemäß Fig. 2 sind bei einem komplettierten Target
die in Fig. 1 erkennbaren Partien oder Räume zwi
schen den Seitenpartien 3, 4, 5, . . . bzw. der Mittel
partie 6 und den Vorsprüngen 3a, 5a, 6a, 6b und der
Bodenpartie 8 mit Targetwerkstoff 7 ausgegossen.
Wie die Zeichnungen zeigen, kann das ringschalen
förmige, aus der Bodenpartie 8, den Seitenpartien
3, 4, 5, . . . und der Mittelpartie 6 gebildete Gefäß mit
einer Jochplatte 9 verschraubt werden, hinter der
die für eine planare Magnetronkathode erforderli
chen Magneten angeordnet sein können. Die Vor
sprünge 3a, 6a, 6b, 5a, . . . haben zweckmäßigerweise ei
nen trapezförmigen Querschnitt, während die Innen
fläche der Bodenpartie 8 eben ausgebildet ist.
Zwei jeweils einander gegenüberliegend angeordnete
Vorsprünge, z. B. 3a und 6b oder 6a und 5b, bilden
dann zusammen mit den übrigen Flächen der Seiten
partien 3, 5, der Mittelpartie 6 und der Bodenpar
tie 8 jeweils einen Querschnitt, der dem sich in
folge des Sputtervorganges im Verbrauchsmaterial 7
ausbildenden Sputtergraben SG (der in Fig. 2 mit
strichlierten Linien angedeutet ist) ähnlich ist
bzw. entspricht. Im Falle der Wiederaufbereitung
eines abgenutzten Targets (d. h. eines Targets,
bei dem das oberhalb der strichlierten Linie SG
befindliche Verbrauchsmaterial abgesputtert ist)
kann das Ersatz-Material einfach in den Sputter
graben eingegossen werden.
Es ist klar, daß die Vorsprünge 3a, 6b, 6a, 5a auch
eine Querschnittsfläche aufweisen können, die der
Bodenfläche eines Sputtergrabens, wie er sich bei
vollständiger Ausnutzung des Verbrauchsmaterials
ausbildet, angeglichen ist (d. h. der Linie SG ge
mäß Fig. 2). Die in der Zeichnung dargestellte
Ausführungsform der Vorsprünge ist mit Rücksicht
auf den notwendigen Fertigungsaufwand stark idea
lisiert.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung eines Targets für
die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungs
anlage mit einem das zu zerstäubende Materi
al, das sogenannte Verbrauchsmaterial (7) um
schließenden, aus einer Bodenpartie (8) und
diese umrandenden Seitenpartien (3, 4, 5, . . .) und
einer Mittelpartie (6) bestehenden, ein nach
oben zu offenes, schalen- oder ringschalen
förmiges Gefäß bildenden Träger aus hoch
schmelzendem Werkstoff mit sich von den ein
ander zugewandten Innenflächen der Seitenpar
tien (3, 4, 5, . . .) und der Mittelpartie (6) aus
in einer zur Ebene der Bodenpartie (8) paral
lelen Ebene erstreckenden Vorsprünge mit
prismoider Konfiguration (3a, 5a bzw. 6a, 6b),
wobei zwei sich jeweils gegeneinander er
streckende Vorsprünge (3a, 6b bzw. 5a, 6a) ei
nen Spalt (D, E) miteinander bilden, der den
Raum oberhalb mit dem Raum unterhalb der Vor
sprünge (3a, 5a, 6a, 6b) verbindet und der von
den Seitenpartien (3, 4, 5, . . .), der Mittelpartie
(6) und der Bodenpartie (8) gebildete Raum
mit verflüssigtem, niedrigschmelzendem Ver
brauchsmaterial (7) ausgegossen ist.
2. Vorrichtung zur Herstellung eines Targets für
die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungs
anlage mit einem das zu zerstäubende Materi
al, das sogenannte Verbrauchsmaterial (7) um
schließenden, aus einer Bodenpartie (8) und
diese umrandenden Seitenpartien (3, 4, 5, . . .) und
einer Mittelpartie (6) bestehenden, ein nach
oben zu offenes, schalen- oder ringschalen
förmiges Gefäß bildenden Träger aus hoch
schmelzendem Werkstoff mit sich von den ein
ander zugewandten Innenflächen der Seitenpar
tien (3, 4, 5, . . .) und der Mittelpartie (6) aus
in einer zur Ebene der Bodenpartie (8) paral
lelen Ebene erstreckenden Vorsprüngen in Ge
stalt von Prismoiden, beispielsweise Keil
stümpfen (3a, 6b, 6a, 5a), wobei zwei sich je
weils gegeneinander erstreckende Vorsprünge
einen Spalt (D, E) miteinander bilden, der den
Raum oberhalb mit dem Raum unterhalb der Vor
sprünge verbindet und der von den Seitenpar
tien (3, 4, 5, . . .), der Mittelpartie (6) und der
Bodenpartie (8) gebildete Raum mit verflüs
sigtem, niedrigschmelzendem Verbrauchsmateri
al ausgefüllt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998106879 DE19806879A1 (de) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1998106879 DE19806879A1 (de) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19806879A1 true DE19806879A1 (de) | 1999-08-26 |
Family
ID=7858235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1998106879 Withdrawn DE19806879A1 (de) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19806879A1 (de) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0127272A2 (de) * | 1983-05-25 | 1984-12-05 | Materials Research Corporation | Fokussierende Magneten-Zerstäubungsvorrichtung |
DE4436176A1 (de) * | 1993-10-13 | 1995-04-20 | Balzers Hochvakuum | Sputterquelle mit Targetanordnung und Halterung |
DE19535894A1 (de) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19537765A1 (de) * | 1995-10-11 | 1997-04-17 | Leybold Materials Gmbh | Feinkörniges Sputtertarget mit einem vorgegebenen Breiten- zu Dickenverhältnis sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19627533A1 (de) * | 1996-07-09 | 1998-01-15 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19648390A1 (de) * | 1995-09-27 | 1998-05-28 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
-
1998
- 1998-02-19 DE DE1998106879 patent/DE19806879A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0127272A2 (de) * | 1983-05-25 | 1984-12-05 | Materials Research Corporation | Fokussierende Magneten-Zerstäubungsvorrichtung |
DE4436176A1 (de) * | 1993-10-13 | 1995-04-20 | Balzers Hochvakuum | Sputterquelle mit Targetanordnung und Halterung |
DE19535894A1 (de) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19648390A1 (de) * | 1995-09-27 | 1998-05-28 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
DE19537765A1 (de) * | 1995-10-11 | 1997-04-17 | Leybold Materials Gmbh | Feinkörniges Sputtertarget mit einem vorgegebenen Breiten- zu Dickenverhältnis sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
DE19627533A1 (de) * | 1996-07-09 | 1998-01-15 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
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