DE29802062U1 - Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage - Google Patents
Target für die Sputterkathode einer VakuumbeschichtungsanlageInfo
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Description
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LEYBOLD MATERIALS QnbH
Wilhelm-Rohn-Straße 25
63450 Hanau
Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage
Die Neuerung betrifft ein Target für die Sputterkathode
einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Grundplatte und einem mit dieser fest verbundenen
Verbrauchsmaterial.
Um eine bessere Kühlung bei der Kathodenzerstäubung von Targets zu erreichen, ist es bekannt
(DE-A-36 03 646), das plattenförmig ausgeformte Verbrauchsmaterial mit Hilfe von Klemmen oder
Pratzen auf der Kathodengrundplatte, die im allgemeinen mit einer Wasserkühlung versehen ist, fest
zu verbinden.
Bekannt ist weiterhin eine Targetanordnung für eine Kathodenzerstäubungsanlage mit geschlossener
Kathodengestalt, mit einem Verbrauchsmaterial, das mittels einer lösbaren Befestigungseinrichtung an
ein Kühlsystem ankoppelbar ist, wobei zwischen dem
Verbrauchsmaterial und dem Kühlsystem eine Trennmembran vorgesehen ist, die zum einen mit dem
Kühlsystem und zum anderen mit dem Verbrauchsmaterial durch getrennte Befestigungseinrichtungen in
Verbindung steht (DE-A-43 01 516).
Bekannt ist auch eine Zerstäubungskathode (DE-A-42 01 551), die nach dem Magnetronprinzip
arbeitet, mit einem Kathodenkörper,, der mit einem eine Zerstäubungsfläche und eine Umfangsflache
aufweisenden Target ausgestattet ist, wobei hinter' dem Target ein Magnetsystem mit ineinander liegenden
Polen entgegengesetzter Polarität zur Erzeugung von magnetischen Feldlinien vorgesehen . ist,
wobei die außerhalb der Erosionszone liegenden Randbereiche des Targets von einem parallel zur
Zerstäubungsfläche verlaufenden, einen Innenrand aufweisenden Fortsatz der Dunkelraumabschirmung
überdeckt sind. Die Dunkelraumabschirmung ist elektrisch schwimmend angeordnet und durch einen
Spalt vom Target getrennt.
Bekannt -ist weiterhin eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung
mit hoher Zerstäubungsrate (EP-A-O 431 253) mit einer . Kathode, die auf einer ihrer Oberflächen das zu zerstäubende und auf einem
Substrat abzulagernde Material aufweist, mit einer derart angeordneten Magneteinrichtung, daß
von der Zerstäubungsfläche ausgehende ■ und zu ihr
zurückkehrende Magnetfeldlinien einen Entladungsbereich bilden, der die Form einer ■ in sich geschlossenen
Schleife hat und mit einer außerhalb der Bahnen des zerstäubten und sich von der Zer-
stäubungsflache zum Substrat bewegenden Materials angeordneten Anode, wobei an der Kathode eine Trägerplatte
fest angeordnet ist, deren der Kathode zugewandte Seitenfläche von nutenförmigen Kanälen
durchzogen ist, wobei in die Kanäle von Kühlmitteln durchflossene Rohre eingelegt sind, deren
Querschnittsprofile den Querschnittsprofilen der Kanäle entsprechen, so daß die Rohre mit ihren Außenwänden
Kontakt mit den Innenwänden der Kanäle bzw. der Außenfläche'der Kathode haben.
Weiterhin ist ein Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung bekannt
(DE 195 35 894) mit einem das zu zerstäubende. Material zumindest teilweise umschließenden Rahmen
zur Halterung des plattenförmig ausgebildeten Verbrauchsmaterials
auf der Kathodenrückenplatte und mit einer zwischen Rahmen und der Kathodenrückenplatte
angeordneten Trennfolie oder. Zwischenlage aus nachgiebigem Werkstoff, beispielsweise einer
Kohlenstoffolie, und mit einer Vielzahl sich vom
-Rahmen aus zu einer zur Ebene des Verbrauchsmaterials parallelen Ebene jeweils ein Stück weit in
das Verbrauchsmaterial hinein erstrecken, mit den Rahmenteilen fest verbundenen Bolzen, Zungen oder
leistenförmigen Vorsprüngen zur Halterung .des Verbrauchsmaterials
in den von den Rahmenteilen umschlossenen Zwischenräumen.
Auch hat man bereits vorgeschlagen, die dem Substrat zugekehrte Fläche des Verbrauchsmaterials,
insbesondere deren Randzonen mit einer Rändelung, Kordierung oder Riffelung zu versehen (DE
297 14 532), um die während des Beschichtungsvorganges erzeugten Depotrückstände daran zu hindern,
sich vom Verbrauchsmaterial abzulösen und auf die zu beschichtenden Flächen, d. h. auf das Substrat
herabzurieseln. '
Schließlich ist es bekannt (US 5,632,869), die Außenfläche
von Targets, deren dem Substrat zugekehrte Fläche kalottenartig ausgeformt ist, mit
künstlichen Unebenheiten, beispielsweise mit Drehringen oder einem Fräsmuster zu versehen, um ein
möglichst intensives Plasma erzeugen zu können.
Der vorliegenden Neuerung liegt die Aufgabe zugrunde,
ein Target zu schaffen, das preiswert herstellbar ist. Insbesondere soll die Kühlung des
Targetwerkstoffs während des Sputterbetriebs besonders effektiv sein, und es soll der Targetwerkstoff
besonders fest mit der Targetgrundplatte, verbunden sein.
Diese Aufgabe wird gemäß der Neuerung dadurch gelöst, daß die dem Verbrauchsmaterial zugekehrte
Fläche der Grundplatte mit zahllosen, sich wiederholenden Unebenheiten, beispielsweise einer Kordierung
oder Riffelung versehen ist, wobei das Verbrauchsmaterial mit der Kordierung oder Riffelung
'der Grundplatte durch Aufwalzen, Aufpressen oder Aufgießen innig verbunden ist und die Grund-,
platte aus einem gegenüber dem Verbrauchsmaterial höher schmelzenden und/oder härteren Material ausgebildet
, ist.
' 0 m
Die Neuerung läßt die verschiedensten Ausführungsmöglichke'iten zu; eine davon ist in der anhängenden
Zeichnung näher dargestellt, die ein Target in perspektivischer Ansicht und im Querschnitt zeigt,
wobei das Verbrauchsmaterial von der mit einer Kordierung versehenen Grundplatte . teilweise entfernt
ist.. '
Das Target besteht aus einer Grundplatte 3, deren Oberseite 3a mit einer Kordierung 4 versehen ist,
auf die das Verbrauchsmaterial 5 in Gestalt eines plattenförmigen Teils aufgepreßt ist. Die zahlreichen
pyramidenförmigen Partien der Kordierung tauchen mit ihren■spitzen in das Verbrauchsmaterial 5
ein, wodurch die Fläche der Grundplatte 3, die unmittelbaren Kontakt mit der Unterseite des plattenförmigen
Verbrauchsmaterials 5 hat, größer ist als die Grundfläche des Verbrauchsmaterials.
Claims (1)
- SchutzanspruchTarget für die : Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Grundplatte und einem mit dieser fest verbundenen Verbrauchsmaterial, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Verbrauchsmaterial zugekehrte Fläche der Grundplatte mit.zahllosen, sich wiederholenden Unebenheiten, beispielsweise einer Kordierung oder Riffelung versehen ist, wobei das Verbrauchsmaterial mit der Kordierung oder Riffelung der Grundplatte durch Aufwalzen oder Aufgießen eng verbunden ist und die Grundplatte aus einem gegenüber dem Verbrauchsmaterial höher schmelzenden und/oder härteren Material ausgebildet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE29802062U DE29802062U1 (de) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE29802062U DE29802062U1 (de) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE29802062U1 true DE29802062U1 (de) | 1998-04-02 |
Family
ID=8052323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE29802062U Expired - Lifetime DE29802062U1 (de) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE29802062U1 (de) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2641558A1 (de) * | 1976-09-15 | 1978-03-16 | Siemens Ag | Verfahren zum aufbringen von elektrisch isolierenden schichten auf ein substrat durch hf-zerstaeubung (sputtern) |
DD277471A1 (de) * | 1988-11-28 | 1990-04-04 | Mansfeld Kombinat W Pieck Veb | Verbundtarget |
WO1992004482A1 (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-19 | Materials Research Corporation | Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith |
WO1996033294A1 (en) * | 1995-04-21 | 1996-10-24 | Materials Research Corporation | Method of making sputter target/backing plate assembly |
EP0780487A1 (de) * | 1995-12-22 | 1997-06-25 | Applied Materials, Inc. | Target-Anordnung mit einer Flachdichtung |
-
1998
- 1998-02-06 DE DE29802062U patent/DE29802062U1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2641558A1 (de) * | 1976-09-15 | 1978-03-16 | Siemens Ag | Verfahren zum aufbringen von elektrisch isolierenden schichten auf ein substrat durch hf-zerstaeubung (sputtern) |
DD277471A1 (de) * | 1988-11-28 | 1990-04-04 | Mansfeld Kombinat W Pieck Veb | Verbundtarget |
WO1992004482A1 (en) * | 1990-08-30 | 1992-03-19 | Materials Research Corporation | Pretextured cathode sputtering target and method of preparation thereof and sputtering therewith |
WO1996033294A1 (en) * | 1995-04-21 | 1996-10-24 | Materials Research Corporation | Method of making sputter target/backing plate assembly |
EP0780487A1 (de) * | 1995-12-22 | 1997-06-25 | Applied Materials, Inc. | Target-Anordnung mit einer Flachdichtung |
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Legal Events
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R207 | Utility model specification |
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|
R163 | Identified publications notified |
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