DE29802062U1 - Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage - Google Patents

Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage

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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
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    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3423Shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

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Description

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LEYBOLD MATERIALS QnbH Wilhelm-Rohn-Straße 25
63450 Hanau
Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage
Die Neuerung betrifft ein Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Grundplatte und einem mit dieser fest verbundenen Verbrauchsmaterial.
Um eine bessere Kühlung bei der Kathodenzerstäubung von Targets zu erreichen, ist es bekannt (DE-A-36 03 646), das plattenförmig ausgeformte Verbrauchsmaterial mit Hilfe von Klemmen oder Pratzen auf der Kathodengrundplatte, die im allgemeinen mit einer Wasserkühlung versehen ist, fest zu verbinden.
Bekannt ist weiterhin eine Targetanordnung für eine Kathodenzerstäubungsanlage mit geschlossener Kathodengestalt, mit einem Verbrauchsmaterial, das mittels einer lösbaren Befestigungseinrichtung an ein Kühlsystem ankoppelbar ist, wobei zwischen dem
Verbrauchsmaterial und dem Kühlsystem eine Trennmembran vorgesehen ist, die zum einen mit dem Kühlsystem und zum anderen mit dem Verbrauchsmaterial durch getrennte Befestigungseinrichtungen in Verbindung steht (DE-A-43 01 516).
Bekannt ist auch eine Zerstäubungskathode (DE-A-42 01 551), die nach dem Magnetronprinzip arbeitet, mit einem Kathodenkörper,, der mit einem eine Zerstäubungsfläche und eine Umfangsflache aufweisenden Target ausgestattet ist, wobei hinter' dem Target ein Magnetsystem mit ineinander liegenden Polen entgegengesetzter Polarität zur Erzeugung von magnetischen Feldlinien vorgesehen . ist, wobei die außerhalb der Erosionszone liegenden Randbereiche des Targets von einem parallel zur Zerstäubungsfläche verlaufenden, einen Innenrand aufweisenden Fortsatz der Dunkelraumabschirmung überdeckt sind. Die Dunkelraumabschirmung ist elektrisch schwimmend angeordnet und durch einen Spalt vom Target getrennt.
Bekannt -ist weiterhin eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung mit hoher Zerstäubungsrate (EP-A-O 431 253) mit einer . Kathode, die auf einer ihrer Oberflächen das zu zerstäubende und auf einem Substrat abzulagernde Material aufweist, mit einer derart angeordneten Magneteinrichtung, daß von der Zerstäubungsfläche ausgehende ■ und zu ihr zurückkehrende Magnetfeldlinien einen Entladungsbereich bilden, der die Form einer ■ in sich geschlossenen Schleife hat und mit einer außerhalb der Bahnen des zerstäubten und sich von der Zer-
stäubungsflache zum Substrat bewegenden Materials angeordneten Anode, wobei an der Kathode eine Trägerplatte fest angeordnet ist, deren der Kathode zugewandte Seitenfläche von nutenförmigen Kanälen durchzogen ist, wobei in die Kanäle von Kühlmitteln durchflossene Rohre eingelegt sind, deren Querschnittsprofile den Querschnittsprofilen der Kanäle entsprechen, so daß die Rohre mit ihren Außenwänden Kontakt mit den Innenwänden der Kanäle bzw. der Außenfläche'der Kathode haben.
Weiterhin ist ein Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung bekannt (DE 195 35 894) mit einem das zu zerstäubende. Material zumindest teilweise umschließenden Rahmen zur Halterung des plattenförmig ausgebildeten Verbrauchsmaterials auf der Kathodenrückenplatte und mit einer zwischen Rahmen und der Kathodenrückenplatte angeordneten Trennfolie oder. Zwischenlage aus nachgiebigem Werkstoff, beispielsweise einer Kohlenstoffolie, und mit einer Vielzahl sich vom -Rahmen aus zu einer zur Ebene des Verbrauchsmaterials parallelen Ebene jeweils ein Stück weit in das Verbrauchsmaterial hinein erstrecken, mit den Rahmenteilen fest verbundenen Bolzen, Zungen oder leistenförmigen Vorsprüngen zur Halterung .des Verbrauchsmaterials in den von den Rahmenteilen umschlossenen Zwischenräumen.
Auch hat man bereits vorgeschlagen, die dem Substrat zugekehrte Fläche des Verbrauchsmaterials, insbesondere deren Randzonen mit einer Rändelung, Kordierung oder Riffelung zu versehen (DE
297 14 532), um die während des Beschichtungsvorganges erzeugten Depotrückstände daran zu hindern, sich vom Verbrauchsmaterial abzulösen und auf die zu beschichtenden Flächen, d. h. auf das Substrat herabzurieseln. '
Schließlich ist es bekannt (US 5,632,869), die Außenfläche von Targets, deren dem Substrat zugekehrte Fläche kalottenartig ausgeformt ist, mit künstlichen Unebenheiten, beispielsweise mit Drehringen oder einem Fräsmuster zu versehen, um ein möglichst intensives Plasma erzeugen zu können.
Der vorliegenden Neuerung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Target zu schaffen, das preiswert herstellbar ist. Insbesondere soll die Kühlung des Targetwerkstoffs während des Sputterbetriebs besonders effektiv sein, und es soll der Targetwerkstoff besonders fest mit der Targetgrundplatte, verbunden sein.
Diese Aufgabe wird gemäß der Neuerung dadurch gelöst, daß die dem Verbrauchsmaterial zugekehrte Fläche der Grundplatte mit zahllosen, sich wiederholenden Unebenheiten, beispielsweise einer Kordierung oder Riffelung versehen ist, wobei das Verbrauchsmaterial mit der Kordierung oder Riffelung 'der Grundplatte durch Aufwalzen, Aufpressen oder Aufgießen innig verbunden ist und die Grund-, platte aus einem gegenüber dem Verbrauchsmaterial höher schmelzenden und/oder härteren Material ausgebildet , ist.
' 0 m
Die Neuerung läßt die verschiedensten Ausführungsmöglichke'iten zu; eine davon ist in der anhängenden Zeichnung näher dargestellt, die ein Target in perspektivischer Ansicht und im Querschnitt zeigt, wobei das Verbrauchsmaterial von der mit einer Kordierung versehenen Grundplatte . teilweise entfernt ist.. '
Das Target besteht aus einer Grundplatte 3, deren Oberseite 3a mit einer Kordierung 4 versehen ist, auf die das Verbrauchsmaterial 5 in Gestalt eines plattenförmigen Teils aufgepreßt ist. Die zahlreichen pyramidenförmigen Partien der Kordierung tauchen mit ihren■spitzen in das Verbrauchsmaterial 5 ein, wodurch die Fläche der Grundplatte 3, die unmittelbaren Kontakt mit der Unterseite des plattenförmigen Verbrauchsmaterials 5 hat, größer ist als die Grundfläche des Verbrauchsmaterials.

Claims (1)

  1. Schutzanspruch
    Target für die : Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Grundplatte und einem mit dieser fest verbundenen Verbrauchsmaterial, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Verbrauchsmaterial zugekehrte Fläche der Grundplatte mit.zahllosen, sich wiederholenden Unebenheiten, beispielsweise einer Kordierung oder Riffelung versehen ist, wobei das Verbrauchsmaterial mit der Kordierung oder Riffelung der Grundplatte durch Aufwalzen oder Aufgießen eng verbunden ist und die Grundplatte aus einem gegenüber dem Verbrauchsmaterial höher schmelzenden und/oder härteren Material ausgebildet ist.
DE29802062U 1998-02-06 1998-02-06 Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage Expired - Lifetime DE29802062U1 (de)

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2641558A1 (de) * 1976-09-15 1978-03-16 Siemens Ag Verfahren zum aufbringen von elektrisch isolierenden schichten auf ein substrat durch hf-zerstaeubung (sputtern)
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EP0780487A1 (de) * 1995-12-22 1997-06-25 Applied Materials, Inc. Target-Anordnung mit einer Flachdichtung

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