DE19611433A1 - Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines SputtertargetsInfo
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel
lung eines Targets mit Targetrückenplatte und
Kühlkörper für die Sputterkathode einer Vakuumbe
schichtungsanlage
Es ist ein Verfahren zum Befestigen von in Schei
ben- oder Plattenform vorliegenden Targetmateria
lien auf Kühltellern für Aufstäubanlagen bekannt
(DE 29 33 835), bei dem die in Scheiben- oder
Plattenform vorliegenden Targetmaterialien mittels
Plasmaspritzen mit einer Kupfer-, Kupfer-Glas-
oder Silberschicht über eine dem Targetmaterial
angepaßte Haftschicht lösbar beschichtet und an
schließend mit dem Kühlteller weichgelötet werden.
Bekannte Verfahren, bei denen die einzelnen Teile
durch Weichlöten miteinander verbunden werden, ha
ben den großen Nachteil, daß bei mehreren Lötstel
len an einem Target die Gefahr besteht, daß sich
die erste Lötstelle wieder löst, wenn die zweite
Lötung vorgenommen wird. Dieser Nachteil ist ins
besondere dann problematisch, wenn das Targetmate
rial mit der Rückenplatte verlötet werden soll;
die an der Rückenplatte vorgesehenen Kühlrohre
aber ebenfalls mit der Rückenplatte mittels
Weichlot befestigt worden sind.
Bekannt ist auch ein Verfahren (US 5,009,765) bei
dem das kreisscheibenförmige Targetmaterial mit
einer flanschförmigen Rückenplatte oder Träger
verschweißt wird. Dieses bekannte Target ist je
doch nicht mit einer Rohrkühlung ausgestattet, so
daß sich das oben geschilderte Problem hier nicht
stellt. Die Kühlflüssigkeit tritt vielmehr unmit
telbar mit der Rückseite des Targetwerkstoffs in
Kontakt, was unter anderem die große Gefahr des
Kühlmitteleinbruchs in die Prozeßkammer birgt,
wenn das Target durchgesputtert wird.
Im übrigen besteht bei diesem vorbekannten Target
der Targetwerkstoff aus einem schweißbaren Werk
stoff, so daß dieses Verfahren grundsätzlich nicht
für z. B. Zinn-Targets geeignet ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Tar
gets anzugeben, das die sichere Befestigung von
Kühlrohren an der Rückenplatte ermöglicht, ohne
daß die Gefahr besteht, daß beim späteren Auflöten
(oder Ablöten) des Targetwerkstoffs sich die Kühl
rohre wieder von der Rückenplatte ablösen. Die
Verbindung der Kühlrohre mit der Rückenplatte soll
außerdem so ausgeführt werden, daß der Wärmeein
trag bei der Befestigung der Kühlrohre so gering
bleibt, daß ein Verformen der Rückenplatte ausge
schlossen wird.
Insbesondere soll das Verfahren geeignet sein,
sehr lange, schmale Targets zur Beschichtung von
Flachglas mit Zinn bzw. Zinnoxid herzustellen, die
höchste Anforderungen an die Formtreue
(Welligkeit, Verwindung, etc.) der Rückenplatte
erfüllen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß in die Targetrückenplatte eine die eine Wand
eines Kühlkanals bildende erste Nut und eine zur
ersten Nut mit geringem Abstand parallele zweite
Nut und eine auf der der zweiten Nut abgewandten
Seite der die Kühlkanalwand bildenden ersten Nut
verlaufende parallele dritte Nut eingeschnitten
wird, daß die Targetrückenplatte mit einer Heiz
platte lösbar verbunden, beispielsweise mit dieser
verschraubt oder verpratzt und auf etwa 300°C er
hitzt wird, daß ein die beiden Seitenwände und die
andere Kühlkanalwand bildender U-Profil-Zuschnitt
in die erste Nut eingesetzt wird, wobei die Sei
tenwände des Profilzuschnitts an den Seitenwänden
der ersten Nut bündig anliegen, daß der mit dem
Profilzuschnitt gebildete Kanal mit Inertgas ge
füllt wird und die beiden von den Nuten gebildeten
Stege der Targetrückenplatte im Wolfram-Inertgas-
Schweißverfahren mit den Schenkeln des Profilzu
schnitts fest verbunden werden, und daß auf die
dem Profilzuschnitt abgekehrte Seite der Targe
trückenplatte ein Rahmen aufgesetzt und die so mit
der Targetrückenplatte gebildete trogförmige Ver
tiefung mit dem Sputterwerkstoff, beispielsweise
Zinn, ausgegossen wird.
Anstelle eines direkt auf die Targetrückenplatte
aufgegossenen Targetwerkstoffs kann dieser auch
erfindungsgemäß in Form eines flachen, plattenför
migen Zuschnitts aufgelötet werden, ohne daß die
Gefahr des Ablösens der Kühlrohre von der Targe
trückenplatte infolge des Aufheizens der Targe
trückenplatte auf Löttemperatur besteht.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh
rungsmöglichkeiten zu; eine davon ist in den an
hängenden Zeichnungen rein schematisch wiedergege
ben und zwar zeigen:
Fig. 1 die Draufsicht auf ein Target mit aufge
löteten oval konfigurierten Kühlrohren
und mit diesen verbundenen Anschlußstut
zen,
Fig. 2 den Schnitt nach den Linien A-A gemäß
Fig. 1,
Fig. 3 den Teilschnitt durch das Target gemäß
Fig. 1 und 2, jedoch in vergrößerter
Darstellung und
Fig. 4 den Schnitt durch einen Gießrahmen zum
Aufgießen des Targetwerkstoffs auf die
Targetrückenplatte.
Wie Fig. 1 zeigt, ist auf der Targetrückenplatte 3
ein Rohrpaar in Gestalt von U-Profil-Zuschnitten
4, 4′ angeordnet, das über die Stutzen 17, 18 an
eine Kühlmittelquelle anschließbar ist. Parallel
jedem Profilzuschnitt 4 bzw. 4′ sind jeweils auf
beiden Seiten Nuten 7, 8 in die Rückenplatte 3
eingearbeitet, wobei auch jeder Profilzuschnitt 4,
4′ selbst in eine vergleichsweise breite Nut 6,
6′, . . . eingesetzt ist. Die beiderseits jedes Pro
filzuschnitts 4, 4′ verbleibenden Stege 5, 5′, . . .
sind mittels Wolfram-Inertgas-Schweißverfahren mit
den Seitenwänden des jeweiligen Profilzuschnitts
4, 4′ verschweißt, so daß sich mit den Innenwänden
der Seitenteile 10, 11 der Profilzuschnitte 4, 4′,
. . . Schweißwurzeln 19, 20 bilden. Während des
Schweißvorgangs sind die von den Profilzuschnitten
4, 4′ gebildeten Kanäle mit einem Inertgas ge
füllt, wobei die Schweißnähte 21, 22 jeweils so
bemessen sind, daß der aufgeschmolzene Werkstoff
die Nuten 7, 8 ausfüllt. Um ein Verziehen der Tar
getrückenplatte 3 auszuschließen, wird während des
Schweißvorgangs die Targetrückenplatte 3 auf eine
in der Zeichnung nicht näher dargestellte Heiz
platte aufgelegt und von dieser auf etwa 300°C
erhitzt. Der Targetwerkstoff 9 selbst kann nach
dem Schweißvorgang entweder als solide Platte
weich aufgelötet oder aber auf die Targetrücken
platte 3 aufgegossen werden, wozu der Rahmen 15
auf die Targetrückenplatte 3 aufgesetzt und mit
dieser fest verschraubt wird. Nach dem Abguß kann
der Rahmen 15 wieder entfernt werden.
Bezugszeichenliste
3 Targetrückenplatte
4, 4′ Kühlrohr, Profilzuschnitt
5, 5′ Steg
6 erste Nut
7 zweite Nut
8 dritte Nut
9 Sputterwerkstoff
10 Seitenwand, Schenkel
11 Seitenwand, Schenkel
12 Kühlkanalwand
14 Kanal, Kühlkanal
15 Rahmen
16 Kühlkanalwand
17 Anschlußstutzen
18 Anschlußstutzen
19 Schweißwurzel
20 Schweißwurzel
21 Schweißnaht
22 Schweißnaht
4, 4′ Kühlrohr, Profilzuschnitt
5, 5′ Steg
6 erste Nut
7 zweite Nut
8 dritte Nut
9 Sputterwerkstoff
10 Seitenwand, Schenkel
11 Seitenwand, Schenkel
12 Kühlkanalwand
14 Kanal, Kühlkanal
15 Rahmen
16 Kühlkanalwand
17 Anschlußstutzen
18 Anschlußstutzen
19 Schweißwurzel
20 Schweißwurzel
21 Schweißnaht
22 Schweißnaht
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung eines Targets mit
Targetrückenplatte (3) und Kühlkörper (4) für
die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungs
anlage, dadurch gekennzeichnet, daß in die
Targetrückenplatte (3) eine die eine Wand
(16) eines Kühlkanals (14) bildende erste Nut
(6) und
eine zur ersten Nut (6) mit geringem Abstand parallele zweite Nut (7) und
eine auf der der zweiten Nut (7) abgewandten Seite der die Kühlkanalwand (16) bildenden ersten Nut (6) Verlaufende parallele dritte Nut (8) eingeschnitten wird,
daß die Targetrückenplatte (3) mit einer Heizplatte lösbar verbunden beispielsweise mit dieser verschraubt oder verpratzt und auf etwa 300°C erhitzt wird,
daß ein die beiden Seitenwände (10, 11) und die andere Kühlkanalwand (12) bildender U-Profil-Zuschnitt in die erste Nut (6) einge setzt wird, wobei die Seitenwände (10, 11) des Profilzuschnitts an den Seitenwänden der ersten Nut (6) bündig anliegen,
daß der mit dem Profilzuschnitt gebildete Ka nal (14) mit Inertgas gefüllt wird und die beiden von den Nuten (7, 8) gebildeten Stege (5, 5′, . . . ) der Targetrückenplatte (3) im Wolfram-Inertgas-Schweißverfahren mit den Schenkeln (10, 11) des Profilzuschnitts fest verbunden werden, und
daß auf die dem Profilzuschnitt abgekehrte Seite der Targetrückenplatte (3) ein Rahmen (15) aufgesetzt und die so mit der Targetrüc kenplatte (3) gebildete trogförmige Vertie fung mit dem Sputterwerkstoff (9), vorzugs weise mit Zinn, ausgegossen wird.
eine zur ersten Nut (6) mit geringem Abstand parallele zweite Nut (7) und
eine auf der der zweiten Nut (7) abgewandten Seite der die Kühlkanalwand (16) bildenden ersten Nut (6) Verlaufende parallele dritte Nut (8) eingeschnitten wird,
daß die Targetrückenplatte (3) mit einer Heizplatte lösbar verbunden beispielsweise mit dieser verschraubt oder verpratzt und auf etwa 300°C erhitzt wird,
daß ein die beiden Seitenwände (10, 11) und die andere Kühlkanalwand (12) bildender U-Profil-Zuschnitt in die erste Nut (6) einge setzt wird, wobei die Seitenwände (10, 11) des Profilzuschnitts an den Seitenwänden der ersten Nut (6) bündig anliegen,
daß der mit dem Profilzuschnitt gebildete Ka nal (14) mit Inertgas gefüllt wird und die beiden von den Nuten (7, 8) gebildeten Stege (5, 5′, . . . ) der Targetrückenplatte (3) im Wolfram-Inertgas-Schweißverfahren mit den Schenkeln (10, 11) des Profilzuschnitts fest verbunden werden, und
daß auf die dem Profilzuschnitt abgekehrte Seite der Targetrückenplatte (3) ein Rahmen (15) aufgesetzt und die so mit der Targetrüc kenplatte (3) gebildete trogförmige Vertie fung mit dem Sputterwerkstoff (9), vorzugs weise mit Zinn, ausgegossen wird.
2. Verfahren zur Herstellung eines Targets mit
Targetrückenplatte (3) und Kühlkörper (4) für
die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungs
anlage, dadurch gekennzeichnet, daß in die
Targetrückenplatte (3) eine die eine Wand
(16) eines Kühlkanals (14) bildende erste Nut
(6) und
eine zur ersten Nut (6) mit geringem Abstand, parallele zweite Nut (7) und
eine auf der der zweiten Nut (7) abgewandten Seite der die Kühlkanalwand (16) bildenden ersten Nut (6) verlaufende parallele dritte Nut (8) eingeschnitten wird,
daß die Targetrückenplatte (3) mit einer Heizplatte lösbar verbunden beispielsweise mit dieser verschraubt oder verpratzt und auf etwa 300°C erhitzt wird,
daß der die beiden Seitenwände (10, 11) und die andere Kühlkanalwand (12) bildender U-Profil-Zuschnitt in die erste Nut (6) einge setzt wird, wobei die Seitenwände (10, 11) des Profilzuschnitts an den Seitenwänden der ersten Nut (6) bündig anliegen,
daß der mit dem Profilzuschnitt gebildete Ka nal (14) mit Inertgas gefüllt wird und die beiden von den Nuten (7, 8) gebildeten Stege (5, 5′, . . . ) der Targetrückenplatte (3) im Wolfram-Inertgas-Schweißverfahren mit den Schenkeln (10, 11) des Profilzuschnitts fest verbunden werden, und
daß auf die dem Profilzuschnitt abgekehrte Seite der Targetrückenplatte (3) der Target werkstoff (9) in Form eines flachen, platten förmigen Teils aufgelötet, aufgepratzt oder aufgeschraubt wird.
eine zur ersten Nut (6) mit geringem Abstand, parallele zweite Nut (7) und
eine auf der der zweiten Nut (7) abgewandten Seite der die Kühlkanalwand (16) bildenden ersten Nut (6) verlaufende parallele dritte Nut (8) eingeschnitten wird,
daß die Targetrückenplatte (3) mit einer Heizplatte lösbar verbunden beispielsweise mit dieser verschraubt oder verpratzt und auf etwa 300°C erhitzt wird,
daß der die beiden Seitenwände (10, 11) und die andere Kühlkanalwand (12) bildender U-Profil-Zuschnitt in die erste Nut (6) einge setzt wird, wobei die Seitenwände (10, 11) des Profilzuschnitts an den Seitenwänden der ersten Nut (6) bündig anliegen,
daß der mit dem Profilzuschnitt gebildete Ka nal (14) mit Inertgas gefüllt wird und die beiden von den Nuten (7, 8) gebildeten Stege (5, 5′, . . . ) der Targetrückenplatte (3) im Wolfram-Inertgas-Schweißverfahren mit den Schenkeln (10, 11) des Profilzuschnitts fest verbunden werden, und
daß auf die dem Profilzuschnitt abgekehrte Seite der Targetrückenplatte (3) der Target werkstoff (9) in Form eines flachen, platten förmigen Teils aufgelötet, aufgepratzt oder aufgeschraubt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996111433 DE19611433A1 (de) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996111433 DE19611433A1 (de) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19611433A1 true DE19611433A1 (de) | 1997-09-25 |
Family
ID=7789147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996111433 Withdrawn DE19611433A1 (de) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19611433A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE29801666U1 (de) * | 1998-02-02 | 1998-04-02 | Leybold Materials Gmbh, 63450 Hanau | Vorrichtung für die Herstellung von Targets für Zerstäubungskathoden |
DE19735469A1 (de) * | 1997-08-16 | 1999-02-18 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0654543A2 (de) * | 1993-11-24 | 1995-05-24 | Applied Materials, Inc. | Integrierte Sputtertarget-Anordnung |
-
1996
- 1996-03-22 DE DE1996111433 patent/DE19611433A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0654543A2 (de) * | 1993-11-24 | 1995-05-24 | Applied Materials, Inc. | Integrierte Sputtertarget-Anordnung |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19735469A1 (de) * | 1997-08-16 | 1999-02-18 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE29801666U1 (de) * | 1998-02-02 | 1998-04-02 | Leybold Materials Gmbh, 63450 Hanau | Vorrichtung für die Herstellung von Targets für Zerstäubungskathoden |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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