DE29801666U1 - Vorrichtung für die Herstellung von Targets für Zerstäubungskathoden - Google Patents
Vorrichtung für die Herstellung von Targets für ZerstäubungskathodenInfo
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 12
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Description
LEYBOLD MATERIALS GmbH
Wilhelm-Rohn-Straße 25
63450 Hanau
Vorrichtung für die Herstellung von Targets für
Zerstäubungskathoden
Die Erfindung betrifft- eine Vorrichtung zur Herstellung
von Targets für Zerstäubungskathoden mit einer, Targetgrundplatte und mit einem auf dieser
aufgesetzten, zusammen mit der Targetgrundplatte eine Schmelzwanne bildenden Rahmen.
Bekannt ist ein Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung (DE 195 35 894)
mit einem das zu zerstäubende Material zumindest teilweise umschließenden Rahmen zur Halterung des
plattenförmig ausgebildeten Targets auf der Kathodenrückenplatte und ■ mit . einer zwischen Rahmen und
der Kathodenrückenplatte angeordneten Trennfolie oder Zwischenlage aus nachgiebigem Werkstoff, beispielsweiseeiner
Kohlenstof folie, und mit einer Vielzahl sich vom Rahmen aus zu einer zur Targetebene
parallelen Ebene .jeweils ein Stück weit in
den Targetwerkstoff hinein erstreckenden, mit den Rahmenteilen fest verbundenen Bolzen, Zungen oder
leistenförmigen Vorsprüngen zur Halterung des Targetwerkstoffs
in den von den Rahmenteilen umschlossenen Zwischenräumen.
Die Herstellung dieses Targets erfolgt in einem ersten Verfahrensschritt, in dem der Rahmen aus
einem metallischen Werkstoff, vorzugsweise aus Kupfer, auf eine aufheizbare, horizontal ausgerichtete
ebene Platte,, vorzugsweise aus Edelstahl, aufgelegt und mit dieser verschraubt oder verpratzt
wird, wobei in einem zweiten Verfahrensschritt der vom Rahmen umgriffene Raum mit aufgeschmolzenem
- Targetwerkstoff, beispielsweise mit flüssigem· Zinn/ ausgegossen wird, bis der Schmelzenspiegel
die Oberseite des Rahmens erreicht hat, worauf hin in einem dritten Schritt die Schmelze
gleichmäßig auf Raumtemperatur abgekühlt und anschließend der Rahmen mit dem erstarrten Target
von der Edelstahlplatte abgelöst wird.
Bekannt ist weiterhin ein Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsvorrichtung
(DE 197 35 4 69) mit einem das zu zerstäubende Material zumindest teilweise umschließenden Rahmen
zur Halterung des plattenförmig ausgebildeten Targets auf der Kathodenrückenplatte und mit sich vom
Rahmen aus ein Stück weit in den Targetwerkstoff hinein erstreckenden und vom Targetwerkstoff umschlossenen,
Kühlkanäle bildenden Hohlprofilen, wobei die Hohlprofile eine symmetrische Konfiguration
aufweisen und die Symmetrieebene parallel zur
Targetebene verläuft und von der Targetvorderfläche den gleichen Abstand aufweist wie von der Targetrückfläche.
Auch in diesem Falle erfolgt die Herstellung des Targets, indem in einem ersten Verfahrensschritt
der Rahmen aus einem metallischen Werkstoff, vorzugsweise aus Kupfer, auf eine aufheizbare, horizontal
ausgerichtete ebene Platte, vorzugsweise aus Edelstahl, aufgelegt und mit dieser verschraubt
oder verpratzt wird und in einem zweiten Verfahrensschritt der vom Rahmen umgriffene Raum
mit aufgeschmolzenem Targetwerkstoff, beispielsweise mit flüssigem Zinn, ausgegossen wird, bis
der Schmelzenspiegel die Oberseite des Rahmens erreicht hat, worauf hin in einem dritten· Schritt
die Schmelze gleichmäßig auf Raumtemperatur abgekühlt und anschließend der Rahmen mit dem erstarrten
Targetwerkstoff von der Edelstahlplatte abgelöst und auf die Kathodenrückenplatte aufgeschraubt
oder aufgepratzt wird.
Schließlich hat man bereits eine Vorrichtung vorgeschlagen (Patentanmeldung DE 196 27 533.4) mit
einem Rahmen zur Halterung des Targets auf der Kathodenrückenplatte und mit zumindest einem auf der
Kathodenrückenplatte oder einer Trennfolie aufliegenden oder unmittelbar oberhalb dieser angeordneten
und sich ein Stück weit in den Targetwerkstoff hinein erstreckenden und vom .Targetwerkstoff zumindest
auf den den Targetvorderflächen und den. den Rahmenteilen zugekehrten Seiten umschlossenen,
die Kühlkanäle bildenden Hohlprofilzuschnitten.
Auch dieses Target wird hergestellt, indem in einem ersten Verfahrensschritt der Rahmen aus einem
metallischen Werkstoff auf eine aufheizbare, horizontal ausgerichtete ebene Platte aus Edelstahl
aufgelegt und mit dieser verschraubt oder verpratzt wird und in einem zweiten Verfahrensschritt
der vom Rahmen umgriffene Raum mit aufgeschmolzenem Targetwerkstoff ausgegossen wird, bis der
Schmelzenspiegel die Oberseite des Rahmens erreicht hat, und indem in einem dritten Schritt die
Schmelze gleichmäßig auf Raumtemperatur abgekühlt und anschließend der Rahmen mit. dem erstarrten
Targetwerkstoff von der Edelstahlplatte abgelöst und auf die Kathodenrückenplatte aufgeschraubt
oder aufgepratzt wird.
Die bekannten Verfahren und Vorrichtungen zum Herstellen
von Targets haben den Nachteil, daß sich die Bodenplatte zusammen mit dem auf ihr befestigten
Rahmen regelmäßig infolge der für den Schmelzvorgang notwendigen Aufheizung auf Schmelztemperatur
verformt mit dem Ergebnis, daß die erstarrten Targetplatten Verformungen aufweisen, die oftmals
so gravierend sind, daß diese auch durch anschließende spanabhebende Nacharbeit nicht behebbar
sind.
Der vorliegenden Neuerung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen direkt kühlbaren Gießtisch bzw.
eine Targetgrundplatte zu schaffen, die die Herstellung von großflächigen Targets des in Frage
stehenden Typs ermöglicht, ohne daß Verformungen an den fertigen Targets auftreten.
Diese Aufgabe wird- erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Targetgrundplatte aus einer Kopfplatte und
einer zu dieser in einer parallelen Ebene und mit Abstand zur Kopfplatte angeordneten Fußplatte gebildet
ist, wobei in den Raum zwischen beiden Platten Hohlprofilzuschnitte mit rechteckigem
Querschnitt eingelegt sind, deren Längskanten mit den beiden Platten verlötet oder verschweißt sind.
Vorzugsweise sind die Kopfplatte und Fußplatte etwa gleich groß'bemessen und mit einer rechteckigen
Konfiguration versehen, wobei parallel den umlaufenden Kanten -der beiden Platten zwischen diesen
Hohlprofilzuschnitte angeordnet sind, die zusammen einen in den von ihnen begrenzten Raum eingelegten
weiteren, kürzer bemessenen Hohlprofilzuschnitt
umschließen und so zusammen mit den beiden Platten einen ringförmigen Kanal bilden, der über ■ in ,der
Fußplatte vorgesehene Stutzen mit einer Kühlmittelquelle verbunden ist.
Die Neuerung läßt die verschiedensten Ausführungsmöglichkeiten
zu; eine davon ist in der anhängenden Zeichnung schematisch :näher dargestellt, die
eine Targetgrundplatte mit integriertem Kühlsystem in perspektivischer Ansicht und im Schnitt zeigt.
Die als Parallelflach konfigurierte Targetgrundplatte
besteht im wesentlichen aus fünf Hohlprofilzuschnitten, von denen die drei Hohlprofile
• · I
4,5,6 in Längsrichtung der Targetgrundplatte parallel zueinander und beabstandet zwischen einer
Kopfplatte 7' und einer Fußplatte 3 und die beiden Hohlprofile 8,9 quer zu den Hohlprofilen 4,5,6 angeordnet
sind, wobei die beiden Hohlprofile 8,9 kürzer als die drei Hohlprofile 4,5,6 und das
mittlere 5 der drei Hohlprofile 4,5,6 kürzer . als die beiden äußeren bemessen sind. Durch diese Anordnung
der fünf Hohlprofile 4,5,6 bzw'. 8,9 zwischen den beiden gleich bemessenen Platten 3,7 ergibt
sich ein geschlossener, rechteckig verlaufender Kanal 10, der über zwei Stutzen 11,12 an eine
Kühlmittelquelle anschließbar ist, wozu . die Stutzen 11,12 mit der Fußplatte 3 verschweißt
sind. Die Hohlprofilzuschnitte 4,5,6 bzw. 8,9 sind
aus Kupfer-Vierkantrohr gebildet, wobei ihre einander parallelen Kanten mit den aus Kupfer bestehenden
Platten 3 bzw. 7 verschweißt sind. Das Verschweißen erfolgt zweckmäßigerweise unter Formiergas
(&zgr;. &Bgr;. Argon), wobei jeweils die Stirnflächen 3a, 7a der Platten 3,7 mit den jeweils korrespondierenden,
einander gegenüberliegenden Flächen 4a,4b bzw. 6a,6b usw. der Hohlprofile 4,6 bzw. 8,9
verschweißt sind, so daß zwei umlaufende Schweißnähte
13,14 entstehen. Die Kopfplatte 7 ist mit Reihen von Schraubbolzen 15,15',... versehen, derenuntere
Enden mit der Kopfplatte 7 verschweißt sind. Diese Schraubbolzen 15,15',... dienen der Befestigung
eines Rahmens 16 und eines Mittelsteges 17; zwei Teile, die zusammen mit der Kopfplatte 7
eine Wanne zum Eingießen des Targetwerkstoffs bilden.
Es ist klar, daß an Stelle von mit der Kopfplatte 7 verschweißten Schraubbolzen auch in die Kopfplatte
eingeschnittene Gewindelochbohrungen vorgesehen sein können, in die dann nach dem Aufsetzen
des Rahmens 16 und des Mittelstegs 17 Maschinenschraube eingedreht werden können.
Schließlich können an Stelle der quer zu.den Profilzuschnitten
4,5,6 eingesetzten beiden Profile 8,9 auch zwei rechteckige Blechzuschnitte (nicht
dargestellt) mit den Stirnseiten der beiden Profile 4,6 und den korrespondierenden Stirnflächen der
Platten 3,7 verschweißt werden, die dann den Kanal 10 an beiden Enden verschließen.
Claims (2)
1. Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Zerstäubungskathoden mit einer 'Targetgrundplatte
und mit einem auf diese aufgesetzten, zusammen mit der Targetgrundplatte eine
Schmelzwanne bildenden Rahmen (16), wobei die Targetgrundplatte. aus einer Kopfplatte (7)
und einer zu dieser in einer parallelen Ebene und mit Abstand zur Kopfplatte (7) angeordneten
Fußplatte (3) gebildet ist, wobei in den Rahmen zwischen beiden Platten (3,7) Hohlprofilzuschnitte
(4,5,6 bzw. 8,9) mit rechteckigem .Querschnitt eingelegt sind, deren Längskanten
mit den beiden Platten (3,7) verlötet oder verschweißt sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Kopfplatte (7) und Fußplatte
(3) etwa gleich groß bemessen sind und eine rechteckige' Konfiguration aufweisen, wobei
parallel den umlaufenden Kanten der beiden Platten (3,7) zwischen diesen Hohlprofilzuschnitte
(4,6 bzw. 8,9) angeordnet sind, die zusammen einen in den von ihnen begrenzten Raum eingelegten weiteren, kürzer bemessenen
Hohlprofilzuschnitt (5) umschließen und so zusammen mit den Platten (3,7) einen ringförmigen
Kanal (10) bilden, der über in der Fußplatte (3) vorgesehene Stutzen (11,12) mit
einer Kühlmittelguelle verbunden ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE29801666U DE29801666U1 (de) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | Vorrichtung für die Herstellung von Targets für Zerstäubungskathoden |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE29801666U DE29801666U1 (de) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | Vorrichtung für die Herstellung von Targets für Zerstäubungskathoden |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE29801666U1 true DE29801666U1 (de) | 1998-04-02 |
Family
ID=8052045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE29801666U Expired - Lifetime DE29801666U1 (de) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | Vorrichtung für die Herstellung von Targets für Zerstäubungskathoden |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE29801666U1 (de) |
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-
1998
- 1998-02-02 DE DE29801666U patent/DE29801666U1/de not_active Expired - Lifetime
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R207 | Utility model specification |
Effective date: 19980514 |
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R163 | Identified publications notified |
Effective date: 19980602 |
|
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Effective date: 20010215 |
|
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Effective date: 20040901 |