DE4025077C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Magnetronkathode
für eine Kathodenzerstäubungsanlage für Reaktivprozesse
mit einer Targethalterung zur Aufnahme eines
Targets, dessen Erosionszone ein Substrat
gegenübersteht.
Es ist bereits eine Magnetronkathode der eingangs auf
geführten Art für eine Kathodenzerstäubungsanlage mit
einer Targethalterung zur Aufnahme eines Targets be
kannt (EP 2 10 473 A2), dessen Erosionszone einem
Substrat gegenüberliegt. Das zugehörige Magnetsystem
weist einen Polschuh und ein Joch auf, wobei die
magnetischen Feldlinien das Target durchdringen und im
Entladungsraum von den elektrischen Feldlinien
überlagert werden, so daß die Elektronen sich
unmittelbar vor dem Target konentrieren. Beim
Reaktivsputtern mit aggressiven Reaktivgasen können
Arcing-Probleme auftreten, weil nichtsputternde
Targetflächen durch Reaktion langsam mit einer
dielektrischen Schicht überzogen werden. Insbesondere
bei ZPT-Kathoden kann das dazu führen, daß sich die
Targetoberfläche umwandelt, insbesondere an den
Flächenteilen, die der elektrisch floatenden Magnetanordnung
gegenüberliegen.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde,
bei einer Magnetronkathode der eingangs genannten Art
die Targetoberfläche an den kritischen Stellen derart
auszubilden, daß die dielektrische Schichtbildung bei
Reaktivsputtern vermieden wird.
Diese Aufgabe ist dadurch gelöst worden, daß für Reaktivsputtern die nicht
sputternden Targetoberflächen mit
einer elektrisch leitfähigen Schutzschicht überzogen sind,
die während der Sputtervorgangs ihre Leitfähigkeit
nicht verliert. Überzieht man die nicht sputternden Targetoberflä
chen mit einer elektrisch leitfähigen Schicht, die schwer oder
gar nicht mit dem Reaktivgas reagiert oder trotz Reak
tion weiterhin leitfähig bleibt, können die Arcing-
Probleme verhindert bzw. sehr stark reduziert werden.
Da diese Targetflächen nicht mitsputtern, werden auch
keine Fremdatome in der Schicht auf dem Substrat er
halten. Es wird verhindert, daß sich
die nicht sputternde Targetoberfläche mit einer
dielektrischen Schicht überzieht. Hierdurch wird auch
verhindert, daß der Ladungsträger die Schicht durch
schlagen. Das Durchschlagen der Schicht hängt unter an
derem auch vom elektrischen Feld und von der Schicht
dichte ab. Das elektrische Feld kann bei der beschrie
benen Anordnung ca. 1011 Volt/m aufweisen. Derartige
Feldstärken aufrechtzuerhalten, ist nicht einfach, wenn
die Schicht nicht leitend wird. In
vorteilhafter Weise liegt die nicht sputternde Target
oberfläche mit der Schutzschicht einer elektrisch floatenden Ma
gnetabschirmung gegenüber. Hierzu ist es vorteilhaft,
daß die nicht sputternde Targetoberfläche mit einer
Metallschicht überzogen ist.
Besonders vorteilhaft ist es, daß die auf der nicht
sputternden Targetoberfläche aufgebrachte Metallschicht
aus Kupfer, Zinn, Titan oder aus Zink besteht und daß
die Schutzschicht nur an den Außenseiten des Targets
vorgesehen ist. Wird Sauerstoff als Reaktivgas
verwendet, bildet sich beim Sputterbetrieb Kupferoxyd
bzw. Zinn- oder Zinkoxyd an besagter Oberfläche, die
aber weiterhin elektrisch leitfähig bleibt.
Eine weitere Ausbildung der Magnetronkathode ist im Anspruch 6
gekennzeichnet.
In den Figuren ist die Erfindung an einer Ausführungs
form beispielsweise dargestellt.
Es zeigt
Fig. 1 eine Schnittdarstellung eines Rund
magnetrons,
Fig. 2 eine schematische Darstellung des Tar
gets in einer Ausnehmung,
Fig. 3 eine Draufsicht der Magnetronkathode
gemäß Fig. 1,
Fig. 4 eine Unteransicht der Magnetronkathode
gemäß Fig. 1,
Fig. 5 eine perspektivische Darstellung des
Magnetrons gemäß Fig. 1,
Fig. 6 den Verlauf der Magnetfeldlinien in einer
Magnetronanordnung.
In Fig. 1 ist eine Stromzuführungsplatte 1 darge
stellt, die über einen in der Zeichnung dargestellten
Stützisolator 2 mit einer Vakuumkammer 3 verbunden ist,
die ihrerseits an Masse 4 liegt. Mit der Stromzufüh
rungsplatte 1 ist ein Magnetjoch 5 isoliert aber fest
verbunden, das im wesentlichen gleichfalls platten
förmig ausgebildet ist. Das Magnetjoch 5 besitzt auf
seiner Oberseite eine ebene Fläche 6, in der ringförmig
geschlossene Auflageflächen 6a und 6b für eine Magnet
anordnung 7 liegen. Das Magnetsystem 7 besteht aus
einem inneren Ringmagneten 7a und einer geschlossenen
äußeren Reihe von Stabmagneten 7b, die sämtlich in
Bezug auf die Achse A des Systems axial magnetisiert
sind, und zwar derart, daß die Polungsrichtung des
inneren Ringmagneten 7a umgekehrt zu derjenigen der
äußeren Stabmagneten 7b verläuft. Die Pollage ist in
Fig. 1 ausdrücklich eingezeichnet. Das Magnetsystem 7
besitzt auf der dem Magnetjoch 5 abgekehrten Seite
Polflächen 7c und 7d, die in einer gemeinsamen Ebene
liegen.
Das Prinzip und der Verlauf der Magnetfeldlinien ist in
Fig. 6 im Prinzip dargestellt.
Fig. 6 zeigt einen Schnitt durch eine Magnetanordnung
mit dem idealisierten Verlauf der Magnetfeldlinien und
der Richtung des elektrischen Feldes. In der Fig. 6
sind verschiedene Zonen des Feldlinienverlaufs durch
einen Rahmen gekennzeichnet. Diese Bereiche sind für
die Bewegung geladener Teilchen und ganz besonders für
die Bewegung von Elektronen in der Anordnung von In
teresse. Es wird im weiteren in diesen Zonen nur auf
die Bewegung der Elektronen eingegangen, da nur sie auf
die Ionisierung des Inertgases und somit auf den
Betrieb des Magnetrons einen Einfluß haben.
In Zone 1 gilt E↑↓B, das heißt, die Feldlinien des elektrischen
und des magnetischen Feldes besitzen nur Komponenten,
die entgegengesetzt parallel gerichtet sind.
Ein Elektron, das in diesen Bereich von der Kathode aus
startet, wird eine Schraubenlinie um die Magnetfeldlinie
herum beschreiben. Mit zunehmendem Abstand wird das
Magnetfeld schwächer. Die Abschwächung des Magnetfeldes
macht sich durch eine zunehmende Ganghöhe der Schraubenlinie
bemerkbar. In einigem Abstand zur Kathode beginnen
sich die Magnetfeldlinien zu biegen, es entsteht
eine Horizontalkomponente, die senkrecht zur
elektrischen Feldkomponente verläuft. Aufgrund der Horizontalkomponente
wird es zu einer E×B-Drift des
Elektrons kommen. Gleichzeitig wirkt auf das Elektron
durch die Krümmung der Magnetfeldlinie eine Krümmungsdrift
ein.
Für ein Elektron sind die Richtungen der E×B-Driften
gleich, sie summieren sich zu einer Gesamtdrift. Im Bereich
der Zone 2 auf der rechten Targethälfte geht die
Driftrichtung in die Papierebene hinein. Auf der linken
Targethälfte in der Zone 2 geht sie aus der Papierebene
heraus. Die Bahn, die das Elektron beschreibt, ist eine
Überlagerung der Schraubenlinien und der Drift. Das
Elektron folgt bei seiner Bewegung der Biegung der Magnetfeldlinien.
Die Schraubenlinie beschreibt dabei
einen ständig größer werdenden Radius und geht mit zunehmender
Horizontalkomponente in eine Zykloide über.
Wird die Vertikalkomponente des Magnetfeldes null,
folgt das Elektron einer reinen Zykloide, es befindet
sich in Zone 2. Elektronen, die von Magnetfeldlinien
beeinflußt werden, die vom Magnetron wegführen, driften
aus der Anordnung heraus und fließen zur Anode ab.
In Zone 2 gilt E⟂B, das heißt, die elektrischen Feldlinien
stehen senkrecht auf den Magnetfeldlinien. In
diesem Bereich ist die elektrische Drift (E×B) maximal.
Startet das Elektron aus der Ruhelage, ergibt sich
eine gestreckte Zykloide. Die Aufenthaltsdauer der
Elektronen in diesem Bereich ist aufgrund der Zykloidenbahnen
sehr groß, wodurch auch die Ionisinationswahrscheinlichkeit
der Inertgasatome steigt. Infolge
der erhöhten Ionisation kommt es in diesem Bereich zu
einer verstärkten Zerstäubung der Kathode, der Erosionszone.
In Zone 3 gilt E↑↓B, das heißt, die Komponenten der
Feldlinien des elektrischen und magnetischen Feldes
sind gleichsinnig parallel orientiert. Es existieren in
diesem Bereich nahe der Kathode nur Komponenten, die
senkrecht zur Oberfläche verlaufen. Elektronen, die in
Zone 3 starten, werden eine Bewegungslinie beschreiben,
die mit der Bahn von Elektronen, die in Zone 1 starten,
identisch ist.
Elektronen, die in Zone 1 starten und durch Zone 2 hindurchlaufen,
werden durch die gekrümmten Magnetfeldlinien
auf die Targetoberfläche zurückgeführt, d. h.
sie treten in Zone 3 ein. Bei der Annäherung an die
Targetoberfläche der Kathode werden die Elektronen
durch das elektrische Feld abgestoßen, da sie aber vom
Magnetfeld auf einer Schraubenlinie um die Feldlinien
gehalten werden und diese Bahn nur schwer verlassen
können, werden sie an der Targetoberfläche reflektiert
und bewegen sich unter Beibehaltung der Drehrichtung
entlang der Feldlinien zu Zone 2 und Zone 1 zurück, um
dort erneut reflektiert zu werden.
Zwischen den Auflageflächen 6a und 6b bzw. zwischen den
Polflächen 7c und 7d liegt eine ringförmig geschlos
sene, trogförmige Ausnehmung 8, die in das Magnetjoch 5
hineinragt und einen im wesentlichen rechteckigen Quer
schnitt aufweist. In dieser Ausnehmung ist ein kreis
ringförmiges Target 9 untergebracht, dessen Target
fläche 9a eben ist und mit den Polflächen 7c und 7d in
einer gemeinsamen Ebene liegt. Es ist jedoch sehr vor
teilhaft, durch entsprechende Wahl der Dicke der
Isolierkörper 11 die Polfächen 7c und 7d oberhalb der
Targetfläche 9a anzuordnen.
Die Ausnehmung 8 besitzt einen ebenen Grund 8a, auf dem
ein plattenförmiger Isolierkörper 11 aufliegt, der im
wesentlichen die gesamte Breite der Ausnehmung 8
ausfüllt.
Die Rückseite des aus metallischem Werkstoff be
stehenden Targets 9 ist mit einer umlaufenden Rippe 9b
versehen, in die, auf den Umfang verteilt, Gewinde für
mehrere Zugschrauben 10 eingeschnitten sind. Durch
diese Zugschrauben läßt sich das Target 9 gegen das
Magnetjoch 5 und die Stromzuführungsplatte 1 verspan
nen.
Zwischen dem Target 9 und dem Isolierkörper 11 befindet
sich ein Targetkühlsystem 12, welches in Form eines auf
zwei verschiedenen Radien liegenden, bifilar gewickel
ten Rohres ausgeführt sein kann, das einen quadrati
schen oder rechteckigen Querschnitt aufweist und bei
dem die Achsen der einzelnen Windungen in einer gemein
samen Ebene liegen. Die beiden Windungen sind durch ein
radial verlaufendes, auf Gehrung geschnittenes Rohr
stück 12a miteinander verbunden (Fig. 3). Die entge
gengesetzt liegenden Enden 12b und 12c sind senkrecht
abgewinkelt und mit ausreichenden Isolierabständen
durch nicht näher bezeichnete Bohrungen im Magnetjoch 5
bzw. durch eine radiale Ausnehmung 1a in der Strom
zuführungsplatte 1 hindurchgeführt.
Beim Anziehen der Zugschrauben 10 stützt sich das Tar
get 9 auf dem Targetkühlsystem 12 und dieses wiederum
auf dem Isolierkörper 11 bzw. dem Grund 8a der Ausneh
mung 8 ab.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, verläuft vom Grund 8a der
trogförmigen Ausnehmung 8 eine Bohrung 13 bis zur ge
genüberliegenden ebenen Fläche 14 des Magnetjochs 5.
Die in Fig. 1 dargestellte Bohrung 13 steht stellver
tretend für insgesamt sechs solcher Bohrungen, durch
die insgesamt sechs Zugschrauben 10 hindurchgeführt
sind, die sämtlich einerseits leitend mit dem Target 9
und andererseits leitend mit der Stromzuführungs
platte 1 verbunden sind.
Um zu verhindern, daß es zwischen der Stromzuführungs
platte 1 bzw. den Zugschrauben 10 und dem Magnetjoch 5
zu einem Kurzschluß kommt, ist in der Bohrung 13 ein
hülsenförmiger Isolierkörper 15 angeordnet, der außer
halb der Bohrung 13 und auf der ebenen Fläche 14 auf
liegend einen Kragen 15a aufweist. Auf diesem Kragen
stützt sich die Stromzuführungsplatte 1 unter der Kraft
der Zugschraube 10 ab.
Es ist erkennbar, daß auf diese Weise die Stromzufüh
rungsplatte 1 mit dem Target 9 sowohl gegenüber dem
Magnetjoch 5 mit der Magnetanordnung 7 als auch gegen
über der Vakuumkammer 3 bzw. der Masse 4 elektrisch
isoliert ist. Während das Target 9 über die Stromzu
führungsplatte 1 auf ein definiertes negatives Poten
tial gebracht werden kann und auch die Masse 4 ein de
finiertes Potential (Null-Potential) darstellt, ist die
Magnetanordnung 7 mit dem Magnetjoch 5 frei und kann
sich auf ein durch die Betriebsbedingung vorgegebenes
Zwischenpotential einstellen, bei dessen Erreichen sich
innerhalb kürzester Zeit selbsttätig der Effekt ein
stellt, daß eine Zerstäubung der Magnetanordnung 7
unterbleibt.
Die Zugschrauben 10 können im vorliegenden Fall als
Targethalterung bezeichnet werden. Während es möglich
ist, die Zugschrauben 10 in dem metallischen Werkstoff
des Targets 9 unmittelbar zu verankern, kann beim Zer
stäuben von nicht metallischen Targets, beispielsweise
von weichmetallischen Targets, so vorgegangen werden,
daß in der Ausnehmung 8 ein metallischer Ring ange
ordnet wird, auf dem das weichmetallische Targetmate
rial befestigt ist. Dieser metallische Ring stellt dann
eine gut wärmeleitende Verbindung mit dem Targetkühl
system 12 her und fängt außerdem die mechanischen
Kräfte auf, die ein sprödes, dielektrisches Target
nicht aufnehmen könnte.
Es ist aus Fig. 1 ferner zu entnehmen, daß die Magnet
anordnung 7 in einem Gehäuse 16 untergebracht ist, das
aus einem nicht ferromagnetischen Werkstoff besteht.
Das Gehäuse 16 besteht aus zwei rotationssymmetrischen
Teilen, nämlich aus einem topfförmigen zentralen
Gehäuseteil 16a, das den Ringmagneten 7a einschließt
und mittels einer Schraube 17 mit dem Magnetjoch 5
verspannt ist, sowie aus einem ringförmigen äußeren
Gehäuseteil 16b, welches - im Querschnitt gesehen - die
Stabmagnete 7b in einer endlosen, d. h. geschlossenen
Reihe umschließt. Mittels mehrerer Schrauben 18, von
denen nur eine gezeigt ist, wird das Magnetjoch 5
gesichert.
Es ist weiterhin zu erkennen, daß die beiden Gehäuse
teile 16a und 16b, von der Ebene ausgehend, in der die
Polflächen 7c und 7d liegen, in die Ausnehmung 8 hin
eingezogen ausgebildet sind und in Form zweier zylin
drischer Zargen die zylindrische Innenfläche und die
zylindrische Außenfläche des Targets 9 unter Belassung
zweier kreisringförmiger Luftspalte 19 und 20 über
greifen. Die betreffenden zargenförmigen Teile des Ge
häuses 16 können dabei ohne weiteres als Teile der
Luftspalte 19 und 20 angesehen werden, da sie aus nicht
ferromagnetischem Werkstoff bestehen.
Die beiden Gehäuseteile 16a und 16b sind im Bereich
ihrer inneren Ränder mit je einem zur Targetfläche 9a
bzw. zu deren Ebene parallelen, flanschförmigen Vor
sprung 16c bzw. 16d versehen. Jeder dieser flanschför
migen Vorsprünge überdeckt den plattenförmigen Iso
lierkörper 1 im Bereich seines inneren bzw. äußeren
Randes so weit, daß der Isolierkörper durch die Luft
spalte 19 und 20 zwischen Target 9 und den Gehäuse
hälften 16a und 16b nicht sichtbar ist. Dadurch wird
wirksam verhindert, daß sich im Falle eines Rücksput
terns leitendes Material auf dem Isolierkörper nieder
schlägt und dabei dessen Isolationseigenschaften be
einträchtigt. Hierbei ist zu berücksichtigen, daß die
verfügbaren Abstände relativ klein sind, so daß die
Isolationseigenschaften weitgehend auch über längere
Betriebszeiten erhalten bleiben müssen.
Beim Reaktivsputtern mit aggressiven Reaktivgasen kön
nen jedoch Arcing-Probleme auftreten, so daß nicht
sputternde Targetflächen durch Reaktion langsam mit
einer dielektrischen Schicht überzogen werden. Insbe
sondere bei ZPT-Kathoden kann das dazu führen, daß sich
die Targetoberfläche umwandelt, vor allem an den
Flächenteilen, die der floatenden Magnetabschirmung
gegenüberliegen. Hierzu ist es besonders vorteilhaft,
wenn die nicht sputternden Targetoberflächen 22 mit ei
ner elektrisch leitfähigen Schutzschicht 21 über
zogen sind. Die Schutzschicht 21 kann gegenüber der
floatenden Magnetabschirmung liegen. Es ist beispiels
weise möglich die Schutzschicht 21 reaktionsträge
auszubilden oder derart zu gestalten, daß sie während
des Sputtervorganges ihre Leitfähigkeit nicht verliert.
Ferner besteht die Möglichkeit, die auf der nicht
sputternden Targetoberfläche 22 aufgebrachte Schutz
schicht 21 aus Kupfer, Zinn, Titan oder aus Zink
auszubilden. Wie aus Fig. 2 hervorgeht, ist die
Schutzschicht nur an den kritischen Stellen, und zwar
an den nicht sputternden Seiten, d. h. an den
Außenseiten des Targets 9, vorgesehen.
Der besondere Vorteil des Gehäuses 16 besteht auch
darin, daß seine beiden Gehäuseteile 16a und b einen
sauberen Abschluß der Verbindungsteile der Magnetan
ordnung 7 mit dem Magnetjoch 5 darstellen, und die Ma
gnete 7a und 7b auch ohne Verwendung von Klebern zu
verlässig festhalten. Dies ist insbesondere im Hinblick
auf die Anordnung der außenliegenden Stabmagnete 7b von
Bedeutung, die gemäß Fig. 3 durch ihre ringförmige
Anordnung notwendigerweise keilförmige Spalte zwischen
sich einschließen.
Überzieht man die Flächen 22 mit einer metallischen
Schicht 21, die schwer oder gar nicht mit dem Reaktiv
gas reagiert oder trotz Reaktion weiterhin leitfähig
bleibt, können die Arcing-Probleme verhindert bzw. sehr
stark reduziert werden. Da diese Targetflächen nicht
mitsputtern, werden auch keine Fremdatome in der
Schicht auf dem Substrat auftreten.
Abweichend von der
Fig. 1 bis 3 dargestellten, weitgehend rotationssym
metrischen Anordnung kann die Magnetronkathode auch
eine langgestreckte
Rechteckkathode sein, wie sie beispielsweise für die Be
schichtung von großen Fensterscheiben verwendet wird.
Derartige Kathoden können bei einer Breite von etwa 30
bis 40 cm ohne weiteres Baulängen von etwa 4 m
erreichen. Auch sind alle Formen zwischen der Kreisform
und der Rechteckform denkbar. In Fig. 5 ist ein
Rundmagnetron 23 dargestellt.
Bezugzeichenliste
1 Stromzuführungsplatte
1a Ausnehmung
2 Stützisolator
3 Vakuumkammer
4 Masse
5 Magnetjoch
6 Fläche
6a Auflagefläche
6b Auflagefläche
7 Magnetsystem
7a Ringmagnet
7b Stabmagnet
7c Polfläche
7d Polfläche
8 Ausnehmung
8a Grund
9 Target
9a Targetoberfläche
9b Rippe
10 Zugschrauben
11 Isolierkörper
12 Targetkühlsystem
12a Rohrstück
12b Ende
12c Ende
13 Bohrung
14 Fläche
15 Isolierkörper
15a Kragen
16 Gehäuse
16a Gehäuseteil
16b Gehäuseteil
16c Vorsprung
16d Vorsprung
17 Schraube
18 Schraube
19 Luftspalt
20 Luftspalt
21 Barriereschicht, Schutzschicht
22 Targetoberfläche
23 Rundmagnetron
1a Ausnehmung
2 Stützisolator
3 Vakuumkammer
4 Masse
5 Magnetjoch
6 Fläche
6a Auflagefläche
6b Auflagefläche
7 Magnetsystem
7a Ringmagnet
7b Stabmagnet
7c Polfläche
7d Polfläche
8 Ausnehmung
8a Grund
9 Target
9a Targetoberfläche
9b Rippe
10 Zugschrauben
11 Isolierkörper
12 Targetkühlsystem
12a Rohrstück
12b Ende
12c Ende
13 Bohrung
14 Fläche
15 Isolierkörper
15a Kragen
16 Gehäuse
16a Gehäuseteil
16b Gehäuseteil
16c Vorsprung
16d Vorsprung
17 Schraube
18 Schraube
19 Luftspalt
20 Luftspalt
21 Barriereschicht, Schutzschicht
22 Targetoberfläche
23 Rundmagnetron
Claims (6)
1. Magnetronkathode für eine Kathodenzerstäubungs
anlage für Reaktivprozesse mit einer
Targethalterung zur Aufnahme eines Targets (9)
dessen Erosionszone ein Substrat gegenübersteht
steht, dadurch gekennzeichnet, daß für
Reaktivsputtern die nicht sputternden
Targetoberflächen (22) mit
einer elektrisch leitfähigen
Schutzschicht (21) überzogen sind, die während des Sputtervorgangs ihre
Leitfähigkeit nicht verliert.
2. Magnetronkathode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die nicht sputternde Target
oberfläche (22) mit der Schutzschicht (21) ge
genüber einer elektrisch floatenden Magnetanordnung liegt.
3. Magnetronkathode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die nicht sputternde Target
oberfläche (22) mit einer Metallschicht über
zogen ist.
4. Magnetronkathode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die auf der nicht sputternden
Targetoberfläche (22) aufgebrachte Schutz
schicht (21) aus Kupfer, Zinn, Titan oder aus
Zink besteht.
5. Magnetronkathode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Schutzschicht (21) nur an
den Außenseiten des Targets (9) vorgesehen ist.
6. Magnetronkathode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Schutzschicht (21) zwischen
einer Magnetanordnung (7) und dem Target (9) im
Bereich eines Luftspalts (19, 20) angeordnet ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4025077A DE4025077A1 (de) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Magnetronkathode |
US07/864,177 US5540823A (en) | 1990-08-08 | 1992-04-03 | Magnetron cathode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4025077A DE4025077A1 (de) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Magnetronkathode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4025077A1 DE4025077A1 (de) | 1992-02-20 |
DE4025077C2 true DE4025077C2 (de) | 1992-09-17 |
Family
ID=6411821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4025077A Granted DE4025077A1 (de) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Magnetronkathode |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5540823A (de) |
DE (1) | DE4025077A1 (de) |
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