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Technisches Gebiet
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Diese
Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung, die eine
Bearbeitungsvorrichtung zum Aufbringen einer bestimmten Flächenbehandlung
auf ein zu bearbeitendes Objekt wie einen Flüssigkeitskristalldisplaysubstrat
oder ein Halbleitersubstrat ist.
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Stand der Technik
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Bei
der Herstellung eines Flüssigkeitskristalldisplayelements,
eines Halbleiterelements wie einem IC oder dergleichen, ist ein
Dünnfilmbildungsvorgang unverzichtbar notwendig, um so
einen Dünnfilm aus einem Metall, einem Isolationsmaterial
oder dergleichen auf einem Substrat auszubilden. Bei diesem Vorgang
wird ein Filmbildungsverfahren oft durch eine Sputter-Vorrichtung
ausgeführt, die ein Rohmaterial für die Bildung
eines Dünnfilms, also ein Target, verwendet, ein Argongas
oder dergleichen durch eine Gleichstromhochspannung oder eine Hochfrequenzleistung
in ein Plasma wandelt und das Target durch das zu einem Plasma konvertierte
Gas aktiviert, so dass das Target geschmolzen und zum Beschichten
auf dem zu bearbeiteten Substrat verteilt wird.
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Ein
solches Filmbildungsverfahren durch Sputtern neigt dazu, hauptsächlich
auf ein Filmbildungsverfahren gerichtet zu werden, das eine Magnetron-Sputter-Vorichtung
verwendet, um die Filmbildungsrate zu erhöhen. Insbesondere
hat die Magnetnron-Sputter-Vorrichtung Magnete, die auf der Rückseite
eines Targets angeordnet sind, um die Linien der Magnetkraft parallel
zu einer Targetfläche zu erzeugen und dadurch das Plasma
auf der Targetfläche zum Gewinnen eines Plasmas mit hoher
Dichtigkeit zu begrenzen.
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16 ist
ein Diagramm zum Erläutern der Struktur des Hauptteiles
einer Magnetron-Sputter-Vorrichtung nach dem oben beschriebenen
Stand der Technik, wobei 101 ein Target, 102 ein
zu bearbeitendes Substrat, d. h., mit einem Film zu versehenen Substrats, 103 eine Mehrzahl
von Magneten, 104 Linien der Magnetkraft, 105 Bereiche,
an denen das Target 101 geschmolzen und getrennt wird,
d. h., die Erosionsbereiche zeigt.
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Wie
in 16 gezeigt, sind die Mehrzahl von Magneten 103 auf
der Rückseite des Target 101 angeordnet, wobei
ihre N-Pole und ihre S-Pole in vorgegebene Richtungen ausgerichtet
sind und die Hochfrequenzleistung (RF-Leistung) 106 oder
die DC Hochspannungsleistung 107 ist zwischen dem Target 101 und
dem Substrat 102 angelegt, um das Plasma auf dem Target 101 zu
erregen.
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Andererseits
werden um die Mehrzahl von Magneten 103, die auf der Rückseite
des Targets 101 angeordnet sind, die Linien der Magnetkraft 104 in Richtung
auf die S Pole von den benachbarten N-Polen erzeugt. An einer Position,
an der ein vertikales Magnetfeld (Magnetkraftlinienkomponenten senkrecht
zu einer Targetfläche) auf einer Targetfläche null
ist, wird das horizontale Magnetfeld (die Magnetkraftlinienkomponenten
parallel zu der Targetfläche) ein lokales Maximum. In einem
Bereich, wo die Menge der horizontalen Magnetfeldkomponenten groß ist,
werden Elektronen nahe der Targetfläche eingefangen zum
Bilden des hochdichten Plasmas und so wird der Erosionsbereich 105 an
der zentrierten Position gebildet.
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Da
die Erosionsbereiche 105 jeweils hochdichtem Plasma ausgesetzt
sind verglichen mit den anderen Bereichen, wird das Target 101 intensiv
verbraucht. Wenn die Filmbildung derart fortgesetzt wird, dass das
Targetmaterial in diesen Berichn verwendet wird, ist es nötig,
das gesamte Target zu ersetzen. Infolgedessen wird die Verwendungseffizienz des
Targets 101 gering und es besteht weiter eine Tendenz dass,
auch bezüglich der Dicke des Dünnfilms der Fläche 102,
die zu dem Target 101 hinweisend angeordnet ist, die Filmdicke
an Positionen, die zu den Erosionsbereichen 105 weisen,
größer wird, so dass die Gleichförmigkeit
der Filmdicke über das gesamte zu behandelnde Substrat 102 zerstört
wird.
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Im
Hinblick darauf wurden üblicherweise Techniken der Verwendung
von Stangenmagneten als Magneten zum Erzeugen von magnetischen Feldern
und Bewegen von Erosionsbereichen über die Zeit durch Bewegen
oder Rotieren der Stangenmagneten vorgeschlagen, wodurch der lokale
Verbrauch eines Targets über den zeitlichen Durchschnitt
und weiteres Verbessern der Gleichförmigkeit der Dicke auf
einem Substrat vorgeschlagen (siehe Patentdokumente 1–3).
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Bei
diesen Techniken hat jeder Stangenmagnet auf seinen gegenüberliegenden
Flächen in Richtung des Durchmessers ein N-Polfeld und
ein S-Polfeld, die jeweils dieselben magnetischen Pole haben, angeordnet
parallel zu der Längsrichtung oder hat, auf seinen gegenüberliegenden
Flächen in Richtung des Durchmessers, ein N-Polfeld und
ein S-Polfeld, die jeweils dieselben Magnetpole haben, schraubenförmig
bezüglich ihrer Längsachse angeordnet. Weiter
sind, um es Erosionsbereichen zu erlauben, einen engen Kreis in
dem Target zu bilden, feste Stangenmagnete um die beweglichen oder
rotierbaren Stangenmagnete angeordnet. Jeder der festen Stangenmagnete
hat auf seiner gegenüberliegenden Fläche der Durchmesserrichtung,
ein N-Polfeld und ein S-Polfeld, die jeweils dieselben magnetischen
Pole haben, parallel zu ihrer Längsrichtung angeordnet. Ionen/Elektronen
werden auf eine Frontfläche des Substrats in einem plötzlichen
transienten Zustand ausgestrahlt, wenn das Plasma zur Filmbildung
gezündet oder gelöscht wird.
- Patent
Dokument 1: JP-A-H5-148642
- Patent Dokument 2: JP-A-2000-309867
- Patent Dokument 3: JP-B-3566327
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Offenbarung der Erfindung
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Durch die Erfindung zu lösende
Probleme
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Bei
den oben genannten bekannten Techniken ist es jedoch dann, wenn
versucht wird, die Moment-zu-Moment-Dichten der Erosion zu erhöhen,
d. h., die Dichten der Erosionsbereiche sowie dem gesamten Targetbereich
zu erhöhen, um die Rate der Filmbildung auf dem Substrat
zu erhöhen, notwendig, die Stärke der Stangenmagneten
zu erhöhen und weiter die kompakten Stangenmagnete zu veranlassen,
sich einander anzunähern. Wenn eine derartige Struktur
verwendet wird, besteht jedoch das Problem, dass die Magneten oder
Befestigungsstangen aufgrund des Abstoßens oder des Anziehens zwischen
den Magneten deformiert werden oder es schwierig wird, eine Bewegung
oder eine Rotation gegen eine solche Kraft auszuüben.
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Weiter
erscheint dann, wenn die rotierbaren Magnete mit den Stangenmagneten
rotieren, die befestigt sind und angeordnet sind benachbart den Stangenmagneten,
dieselbe Phase unvermeidbar zwischen den Magnetpolen der rotierbaren
Magneten und die magnetischen Pole des besten Stangenmagneten. In
diesem Fall wird keine geschlossene Erosionsschleife gebildet. Weiter
besteht das Problem der Aufladebeschädigung wie eines Durchbruchs
des Isolationsfilms aufgrund der Aufladung des Substrats, die verursacht
wird durch eine Strahlung von Ionen/Elektronen des Plasmas auf dem Substrat
in einen plötzlichen Übergangszustand, wenn das
Plasma gezündet oder gelöscht wird.
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Weiter
hat es das Problem gegeben, dass dann, wenn gesputterte Partikel
an einem Abschirmelement anhaften, etwa einer eine Ablagerung verhindernde
Platte oder eine Grundierungsplatte anderes als das Substrat und
der zeitlich lange Betrieb angewendet wird, ein Klebefilm dick wird
und in einen Bereich separiert wird, wo viele Partikel erreichen,
so dass Verschmutzungen erzeugt werden. Wenn Verschmutzungen erzeugt
werden, ist es notwendig, eine Prozesskammer gegenüber
der Atmosphäre zu öffnen und das Abschirmelement
oder dergleichen, das mit einem Film in großen Mengen belegt
ist, zu öffnen und es kann so ein Vorgang einer hocheffizienten
Filmbildung nicht erreicht werden.
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Die
Erfindung wurde daher durchgeführt in Hinblick auf die
oben genannten üblichen Probleme und es ist eine Aufgabe
der Erfindung, eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung zu schaffen, die
die Filmbildungsrate durch Erhöhen der Moment-zu-Moment-Erosionsdichte
auf einem Target zu erhöhen.
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Weiter
ist es eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
zu schaffen, die die Lebensdauer eines Targets erhöht durch Bewegen
eines Erosionsbereichs über die Zeit unter Verhinderung
einer lokalen Abnutzung des Targets, wodurch ein gleichförmiger
Verbrauch bewirkt wird.
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Es
ist weiter eine weitere Aufgabe der Erfindung, eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
zu schaffen, die das Auftreten einer Aufladebeschädigung
an einem zu behandelnden Substrat verhindert.
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Es
ist weiter eine andere Aufgabe der Erfindung, eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
zu schaffen, die einen hocheffizienten Filmbildungsvorgang durch
Verwirklichen eines Abschirmelements, von dem ein Klebefilm schwierig
abzutrennen ist, oder durch Separieren eines anhaftenden Films von
einem Abschirmelement ohne Öffnen einer Prozesskammer zu
der Atmosphäre.
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Es
ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren des Reinigens
der Innenseite einer Magnetron-Sputter-Vorrichtung zu schaffen.
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Mittel zum Lösen
des Problems
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Ein
ersten Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
mit einem zu bearbeitenden Substrat, einem Target, das zu dem Substrat
weist und einem Magneten, der auf einer Seite des Targets, die dem
Substrat gegenüberliegt, angeordnet ist und dazu eingerichtet
ist, das Plasma auf einer Targetfläche durch Bilden eines
Magnetfelds auf der Targetfläche unter Verwendung des Magneten
einzuschließen, wobei:
- – der
Magnet eine Drehmagnetgruppe mit einer Mehrzahl von plattenartigen
Magneten, die auf einer säulenförmigen Rotationswelle
angeordnet ist und einen fixierten Außenumfangsrahmenmagnet,
der parallel zu der Targetfläche um die Drehmagnetgruppe
angeordnet ist und in einer Richtung senkrecht zu der Targetoberfläche
magnetisiert ist, aufweist;
- – ein Magnetfeldmuster auf der Targetfläche
sich über die Zeit durch Drehung der Drehmagnetgruppe gemeinsam
mit der säulenförmigen Rotationswelle bewegt;
- – die Magnetron-Sputter-Vorrichtung ein Abschirmelement
aufweist, das an der gegenüberliegenden Seite des Targets
bezüglich der Drehmagnetgruppe angeordnet ist, um so einen
Endabschnitt des Targets abzudecken und von dem Target beabstandet
zu sein, wobei das Abschirmelement elektrisch geerdet ist und das
Abschirmelement sich in einer Richtung, die mit der axialen Richtung
der säulenförmigen Rotationswelle übereinstimmt
und eine Schlitzöffnung bildet, die das Target zu dem Substrat öffnet,
erstreckt; und
- – das Substrat auf einer Substratplatzierungsbühne
platziert ist, und, während das Plasma auf der Targetfläche
durch Anlegen einer DC-Leistung, einer RF-Leistung oder einer DC-Leistung
und einer RF-Leistung gleichzeitig an das Target, erregt wird, der
Abstand zwischen dem Substrat und der Substratplatzierungsstufe
und dem Abschirmelement kürzer ist als eine Schichtdicke
des Plasmas an der Position des Abschirmelements.
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Ein
zweiter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
mit einem zu bearbeitenden Substrat, einem Target, das zu dem Substrat
weist und einem Magneten, der auf einer Seite des Targets, die dem
Substrat gegenüberliegt, angeordnet ist und dazu eingerichtet
ist, das Plasma auf einer Targetfläche durch Bilden eines
Magnetfelds auf der Targetfläche unter Verwendung des Magneten
einzuschließen, wobei:
- – der
Magnet eine Drehmagnetgruppe mit einer Mehrzahl von plattenartigen
Magneten, die auf einer säulenförmigen Rotationswelle
angeordnet ist und einen fixierten Außenumfangsrahmenmagnet,
der parallel zu der Targetfläche um die Drehmagnetgruppe
angeordnet ist und in einer Richtung senkrecht zu der Targetoberfläche
magnetisiert ist, aufweist;
- – ein Magnetfeldmuster auf der Targetfläche
sich über die Zeit durch Drehung der Drehmagnetgruppe gemeinsam
mit der säulenförmigen Rotationswelle bewegt;
- – die Magnetron-Sputter-Vorrichtung ein Abschirmelement
aufweist, das an der gegenüberliegenden Seite der Drehmagnetgruppe
angeordnet ist, um so einen Endabschnitt des Targets abzudecken
und von dem Target beabstandet zu sein, wobei das Abschirmelement
elektrisch geerdet ist und das Abschirmelement sich in einer Richtung, die
mit der axialen Richtung der säulenförmigen Rotationswelle übereinstimmt
und eine Schlitzöffnung bildet, die das Target zu dem Substrat öffnet, erstreckt;
und
- – das Substrat auf einer Substratplatzierungsbühne
platziert ist, und, während das Plasma auf der Targetfläche
durch Anlegen einer DC-Leistung, einer RF-Leistung oder einer DC-Leistung
und einer RF-Leistung gleichzeitig an das Target, erregt wird, der
Abstand zwischen dem Substrat und der Substratplatzierungsstufe
und dem Abschirmelement kürzer ist als der mittlere freie
Weg der Elektronen in dem Plasma an der Position des Abschirmelements.
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Ein
dritter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
mit einem zu bearbeitenden Substrat, einem Target, das zu dem Substrat
weist und einem Magneten, der auf einer Seite des Targets, die dem
Substrat gegenüberliegt, angeordnet ist und dazu eingerichtet
ist, das Plasma auf einer Targetfläche durch Bilden eines
Magnetfelds auf der Targetfläche unter Verwendung des Magneten
einzuschließen, wobei:
- – der
Magnet eine Drehmagnetgruppe mit einer Mehrzahl von plattenartigen
Magneten, die auf einer säulenförmigen Rotationswelle
angeordnet ist und einen fixierten Außenumfangsrahmenmagnet,
der parallel zu der Targetfläche um die Drehmagnetgruppe
angeordnet ist und in einer Richtung senkrecht zu der Targetoberfläche
magnetisiert ist, aufweist;
- – ein Magnetfeldmuster auf der Targetfläche
sich über die Zeit durch Drehung der Drehmagnetgruppe gemeinsam
mit der säulenförmigen Rotationswelle bewegt;
- – die Magnetron-Sputter-Vorrichtung ein Abschirmelement
aufweist, das an der gegenüberliegenden Seite des Targets
bezüglich der Drehmagnetgruppe angeordnet ist, um so einen
Endabschnitt des Targets abzudecken und von dem Target beabstandet
zu sein, wobei das Abschirmelement elektrisch geerdet ist und das
Abschirmelement sich in einer Richtung, die mit der axialen Richtung
der säulenförmigen Rotationswelle übereinstimmt
und eine Schlitzöffnung bildet, die das Target zu dem Substrat öffnet,
erstreckt; und
- – das Substrat auf einer Substratplatzierungsbühne
platziert ist, und, während das Plasma auf der Targetfläche
durch Anlegen einer DC-Leistung, einer RF-Leistung oder einer DC-Leistung
und einer RF-Leistung gleichzeitig an das Target, erregt wird, der
Abstand zwischen dem Substrat und der Substratplatzierungsstufe
und dem Abschirmelement kürzer ist als der mittlere freie
Weg der Elektronen in dem Plasma an der Position des Abschirmelements,
und, bei Zünden oder Erlöschen des Plasmas, der
Abstand zwischen dem Substrat oder der Substratplatzierungsstufe
und dem Abschirmelement an ihren Teilen, die in vertikaler Richtung
gesehen am nächsten zueinander sind, länger ist
als der mittlere freie Weg der Elektronen an der Position des Abschirmelements.
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Ein
vierter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
mit einem zu bearbeitenden Substrat, einem Target, das zu dem Substrat
weist, und weiter mit einem Magneten, der auf einer Seite des Targets,
die dem Substrat gegenüberliegt, angeordnet ist und eingerichtet
ist, um das Plasma auf einer Targetfläche durch Bilden
eines Magnetfelds auf der Targetfläche unter Verwendung
des Magnets einzuschließen, wobei:
- – der
Magnet eine Drehmagnetgruppe mit einer Mehrzahl von plattenartigen
Magneten, die auf einer säulenförmigen Rotationswelle
angeordnet ist und einen fixierten Außenumfangsrahmenmagnet,
der parallel zu der Targetfläche um die Drehmagnetgruppe
angeordnet ist und in einer Richtung senkrecht zu der Targetoberfläche
magnetisiert ist, aufweist;
- – ein Magnetfeldmuster auf der Targetfläche
sich über die Zeit durch Drehung der Drehmagnetgruppe gemeinsam
mit der säulenförmigen Rotationswelle bewegt;
- – die Magnetron-Sputter-Vorrichtung ein Abschirmelement
aufweist, das an der gegenüberliegenden Seite des Targets
bezüglich der Drehmagnetgruppe angeordnet ist, um so einen
Endabschnitt des Targets abzudecken und von dem Target beabstandet
zu sein, wobei das Abschirmelement sich in einer Richtung, die mit
der axialen Richtung der säulenförmigen Rotationswelle übereinstimmt
und eine Schlitzöffnung bildet, die das Target zu dem Substrat öffnet,
erstreckt; und
- – das Abschirmelement entweder in einen ersten elektrischen
Zustand versetzt werden kann, in der es an der Prozesskammer geerdet
ist, und einen zweiten elektrischen Zustand, in der es von der Prozesskammer
und dem Target elektrisch isoliert ist, und, in den zweiten Zustand
unter Verwendung des Abschirmelements als eine Elektrode durch Aufbringen
einer RF-Leistung, einer DC-Leistung oder einer RF-Leistung und
einer DC-Leistung auf das Abschirmelement. ein Plasma erregt werden
kann.
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Ein
fünfter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
mit einem zu bearbeitenden Substrat, einem Target, das zu dem Substrat
weist, und weiter mit einem Magneten, der auf einer Seite des Targets,
die dem Substrat gegenüberliegt, angeordnet ist und eingerichtet
ist, um das Plasma auf einer Targetfläche durch Bilden
eines Magnetfelds auf der Targetfläche unter Verwendung
des Magnets einzuschließen, wobei:
- – der
Magnet eine Drehmagnetgruppe mit einer Mehrzahl von plattenartigen
Magneten, die auf einer säulenförmigen Rotationswelle
angeordnet ist und einen fixierten Außenumfangsrahmenmagnet,
der parallel zu der Targetfläche um die Drehmagnetgruppe
angeordnet ist und in einer Richtung senkrecht zu der Targetfläche
magnetisiert ist, aufweist;
- – ein Magnetfeldmuster auf der Targetfläche
sich über die Zeit durch Drehung der Drehmagnetgruppe gemeinsam
mit der säulenförmigen Rotationswelle bewegt;
- – die Magnetron-Sputter-Vorrichtung ein Abschirmelement
aufweist, das an der gegenüberliegenden Seite des Targets
bezüglich der Drehmagnetgruppe angeordnet ist, um so einen
Endabschnitt des Targets abzudecken und von dem Target beabstandet
zu sein, wobei das Abschirmelement sich in einer Richtung, die mit
der axialen Richtung der säulenförmigen Rotationswelle übereinstimmt
und eine Schlitzöffnung bildet, die das Target zu dem Substrat öffnet,
erstreckt; und
- – das Abschirmelement einen inneren Teil hat, der ein
Leiter ist, und eine Fläche, die ein Isolator ist und eingestellt
werden kann in einen ersten Zustand, in dem der Leiter der innere
Teil ist, elektrisch an der Prozesskammer geerdet ist und einen
zweiten Zustand, in dem der Leiter, der der innere Abschnitt ist,
elektrisch von der Prozesskammer und dem Target getrennt ist und,
in dem zweiten Zustand, das Magnetronplasma erzeugt werden kann
durch Anlegen einer DC-Leistung an den Leiter, der der innere Teil
ist, zur Bildung einer Stromschleife in dem Abschirmelement, um
so ein magnetisches Feld um das Abschirmelement zu erzeugen und
durch gleichzeitiges Anlegen von RF-Leistung an das Abschirmelement über
eine Kapazität.
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Ein
sechster Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach Anspruch 4 oder 5, wobei auf einer Fläche des Abschirmelements
wenigstens ein Bereich, an dem Partikel des Targets gescattert werden,
um anzuhaften, wenn das Plasma auf der Targetfläche erregt
wird, durch lediglich eine gekrümmte Fläche oder
durch eine flache Fläche gebildet ist.
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Ein
siebter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
mit einem zu bearbeitenden Substrat, einem Target, das zu dem Substrat
weist, und weiter mit einem Magneten, der auf einer Seite des Targets,
die dem Substrat gegenüberliegt, angeordnet ist und eingerichtet
ist, um das Plasma auf einer Targetfläche durch Bilden
eines Magnetfelds auf der Targetfläche unter Verwendung
des Magnets einzuschließen, wobei:
- – der
Magnet eine Drehmagnetgruppe mit einer Mehrzahl von plattenartigen
Magneten, die auf einer säulenförmigen Rotationswelle
angeordnet ist und einen fixierten Außenumfangsrahmenmagnet,
der parallel zu der Targetfläche um die Drehmagnetgruppe
angeordnet ist und in einer Richtung senkrecht zu der Targetoberfläche
magnetisiert ist, aufweist;
- – ein Magnetfeldmuster auf der Targetfläche
sich über die Zeit durch Drehung der Drehmagnetgruppe gemeinsam
mit der säulenförmigen Rotationswelle bewegt;
- – die Magnetron-Sputter-Vorrichtung ein Abschirmelement
aufweist, das an der gegenüberliegenden Seite des Targets
bezüglich der Drehmagnetgruppe angeordnet ist, um so einen
Endabschnitt des Targets abzudecken und von dem Target beabstandet
zu sein, wobei das Abschirmelement sich in einer Richtung, die mit
der axialen Richtung der säulenförmigen Rotationswelle übereinstimmt
und eine Schlitzöffnung bildet, die das Target zu dem Substrat öffnet,
erstreckt; und
- – wenigstens ein Bereich auf einer Fläche
des Abschirmelements, wo die Partikel des Targets gescattert sind,
um anzuhaften, wenn das Plasma auf der Targetfläche erregt
ist, nur durch eine gekrümmte Oberfläche oder
eine flache Oberfläche gebildet wird.
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Ein
achter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
mit einem zu bearbeitenden Substrat, einem Target, das zu dem Substrat
weist, und weiter mit einem Magneten, der auf einer Seite des Targets,
die dem Substrat gegenüberliegt, angeordnet ist und eingerichtet
ist, um das Plasma auf einer Targetfläche durch Bilden
eines Magnetfelds auf der Targetfläche unter Verwendung
des Magnets einzuschließen, wobei:
- – der
Magnet eine Drehmagnetgruppe mit einer Mehrzahl von plattenartigen
Magneten, die auf einer säulenförmigen Rotationswelle
angeordnet ist und einen fixierten Außenumfangsrahmenmagnet,
der parallel zu der Targetfläche um die Drehmagnetgruppe
angeordnet ist und in einer Richtung senkrecht zu der Targetoberfläche
magnetisiert ist, aufweist;
- – ein Magnetfeldmuster auf der Targetfläche
sich über die Zeit durch Drehung der Drehmagnetgruppe gemeinsam
mit der säulenförmigen Rotationswelle bewegt;
- – die Magnetron-Sputter-Vorrichtung ein Abschirmelement
aufweist, das an der gegenüberliegenden Seite des Targets
bezüglich der Drehmagnetgruppe angeordnet ist, um so einen
Endabschnitt des Targets abzudecken und von dem Target beabstandet
zu sein, wobei das Abschirmelement sich in einer Richtung, die mit
der axialen Richtung der säulenförmigen Rotationswelle übereinstimmt
und eine Schlitzöffnung bildet, die das Target zu dem Substrat öffnet,
erstreckt; und
- – ein plattenförmiges Element, das lediglich
durch eine gekrümmte Fläche oder eine flache Fläche gebildet
ist, lösbar in wenigstens einem Bereich auf einer Fläche
des Abschirmelements vorgesehen ist, wobei die Partikel des Targets
gescattert werden um anzuhaften, wenn das Plasma auf der Targetfläche
erregt wird.
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Ein
neunter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach dem achten Aspekt, wobei das Plattenelement einen Endabschnitt hat,
der eine gekrümmte Oberflächenform hat und dessen
anderer Endabschnitt lösbar an dem Abschirmelement vorgesehen
ist.
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Nach
einem zehnten Aspekt der Erfindung betrifft diese eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung nach
einem des 1–9 Aspekts, wobei:
- – die
rotatorische Magnetgruppe schraubenförmige plattenartige
Magnetgruppen sind, die eine Mehrzahl von Wendeln bilden durch spiraliges Anordnen
der plattenartigen Magnete auf der säulenförmigen
Drehwelle derart, dass die in der axialen Richtung der säulenförmigen
Drehwelle zueinander benachbarten Wendel gegeneinander unterschiedliche
Magnetpole der N-Pole und der F-Pole an den äußeren
Seiten in einer Richtung des Durchmessers der säulenförmigen
Drehwelle haben; und
- – der feste äußere Umfangsrahmenmagnet
gesehen von der Seite des Targets konfiguriert ist zum Umgeben der
rotatorischen Magnetgruppe und einen magnetischen Pol des N-Pols
oder des S-Pols auf der Targetseite bildet.
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Ein
elfter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem des 1.–10. Aspekts, wobei wenigstens ein Teil
der säulenförmigen Rotorwelle eine paramagnetische
Substanz ist.
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Ein
zwölfter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem der vorangehenden Aspekte, wobei ein fixiertes äußeres umfangsparamagnetisches
Element benachbart dem fixierten äußeren Umfangsrahmenmagnet
auf einer zu den feste äußeren Umfangsrahmenmagnet
relativ zu dem Target gegenüberliegenden Seite angeordnet
ist.
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Ein
dreizehnter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem der vorangehenden Aspekte, weiter mit Mitteln zum Schwachen
des Magnetflusses der auf die äußere Seite des
Targets von dem fixierten äußeren Umfangsrahmenmagneten
gerichtet ist im Vergleich zu dem Magnetfluss, der von dem festen äußeren
Umfangsrahmenmagnet auf die Innenseite des Targets gerichtet ist.
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Ein
vierzehnter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach Anspruch 13, wobei die Mittel ein paramagnetisches Element aufweisen,
das zum kontinuierlichen Abdecken- der Seitenfläche auf
einer Außenseite gesehen von der Targetseite und eines
Teiles der Fläche auf der Targetseite eingerichtet ist.
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Ein
fünfzehnter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach dem 13. oder 14. Aspekt, wobei die Mittel durch den fixierten äußeren
Umfangsrahmenmagnets gebildet werden derart dass – aus
den Flächen des fixierten äußeren Umfangsrahmenmagnets – die
Fläche auf der Targetseite in Richtung auf die innere Seite
des Targets vorragt.
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Ein
sechzehnter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem der vorangehenden Aspekte, wobei das Abschirmelement
sich in derselben Richtung wie die axiale Richtung der säulenförmigen
Rotationswelle erstreckt und den Schlitz bildet, der das Target
zu dem Substrat öffnet und die Breite und die Länge
des Schlitzes derart gewählt sind, dass dann, wenn die
Rotationsmagnetgruppe mit einer konstanten Frequenz gedreht wird,
ein Bereich gesehen von dem Substrat derart geöffnet wird,
dass die Magnetfeldstärke 75% oder mehr des Maximalwerts
in einer zeitlichen Durchschnittsverteilung der magnetischen Feldstärken
der Komponenten parallel zu der Targetfläche in einem Magnetfeld,
das auf der Targetoberfläche gebildet wird, beträgt.
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Ein
siebzehnter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem der vorangehenden Aspekte, wobei das Abschirmelement
sich in derselben Richtung wie die axiale Richtung der rohrförmigen
Rotationswelle erstreckt und entlang dieser den Schlitz bildet,
der das Target des Substrats gegenüber dem Substrat öffnet
und die Breite und die Länge des Schlitzes derart gewählt sind,
dass dann, wenn das Substrat fixiert ist und die plattenförmige
Magnetgruppe mit einer konstanten Frequenz gedreht wird, ein Bereich
des Substrats derart abgeschirmt wird, dass eine auszubildende Filmdicke
pro Zeiteinheit gebildet wird, die 80% oder weniger der maximal
auf dem Substrat pro Einheitszeit, wenn ein Endabschnitt des Endabschnitts
nicht abgeschirmt ist, beträgt.
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Ein
achtzehnter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem der Ansprüche vorangehenden Aspekte, wobei die
Drehmagnetgruppe und der fixierte äußere Umfangsrahmenmagnet
in einer Richtung senkrecht zu der Targetfläche beweglich
sind.
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Ein
neunzehnter Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung,
wobei die Drehmagnetgruppe und der fixierte äußere
Umfangsrahmenmagnet in einem von dem Targetelement umgebenen Raum
angeordnet sind, wobei eine Rückplatte, an der das Targetelement
gehalten ist, und eine Wandfläche, die sich kontinuierlich
von dem Umfang der Rückplatte erstrecken und der Raum durch
Druck reduziert werden können.
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Ein
zwanzigster Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach dem neunzehnten Aspekt der Erfindung, bei der die Rückplatte eine
Dicke hat, die geringer ist als die anfängliche Dicke des
Targets.
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Ein
einundzwanzigster Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem der vorangehendens Aspekte, mit Mitteln zum relativen
Bewegen des Substrats in einer Richtung, die die axiale Richtung
der säulenförmigen Rotationswelle kreuzt.
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Ein
zweiundzwanzigster Aspekt der Erfindung betrifft eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
mit einer Mehrzahl von Magnetron-Sputter-Vorrichtungen, von denen
jede in Übereinstimmung mit einem der vorangehenden Aspekte
ausgebildet ist und die parallel zu der axialen Richtung zu der
säulenförmigen Drehwelle angeordnet ist, wobei
Mittel vorgesehen sind zum relativen Bewegen des Substrats in einer
Richtung, die die axiale Richtung der säulenförmigen
Drehwelle kreuzt.
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Ein
dreiundzwanzigster Aspekt der Erfindung betrifft ein Sputter-Verfahren,
das eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung nach einem der vorangehenden
Aspekte verwendet und die eine Filmablagerung eines Materials des
Targets auf einem zu behandelnden Substrat bewirkt, während
die säulenförmige Rotationswelle gedreht wird.
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Ein
vierundzwanzigster Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum
Herstellen eines elektronischen Geräts mit einem Schritt
des Ausbildens einer Sputterfilmbildung auf einem zu behandelnden
Substrat unter Verwendung des Sputterverfahrens nach dem 23. Aspekt
der Erfindung.
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Weiter
wird nach der Erfindung ein Verfahren des Herstellens eines elektronischen
Geräts (das ein Halleitergerät, ein Flachdisplay
oder ein anderes elektronisches Gerät repräsentieren
kann) mit einem Schritt des Ausführens der Sputter-Filmbildung
auf einem Substrat unter Verwendung des oben genannten Sputter-Verfahrens
geschaffen.
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Effekt der Erfindung
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Nach
dieser Erfindung ist es möglich, die Filmbildungsrate zu
verbessern und die Lebensdauer eines Targets zu verlängern
durch Verhindern der lokalen Abnutzung des Targets zur Verwirklichung
dessen gleichförmigen Verbrauchs und es ist gleichzeitig möglich,
eine Filmbildung zu erreichen, die keine Aufladungsbeschädigung
verursacht.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist
ein schematisches Diagramm, das eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
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2 ist
eine perspektivische Ansicht, die einen Magnetabschnitt der in 1 gezeigten
Magnetron-Sputter-Vorrichtung zeigt.
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3 ist
ein Diagramm zum konzeptionellen Erläutern einer Anordnung
der Magnetpole, wenn schraubenförmige plattenartige Magnetgruppen
von der Seite des Targets gesehen werden, wobei die S-Pole punktiert
dargestellt sind.
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4 ist
eine Darstellung, die die Beziehung zwischen der horizontalen magnetischen
Stärke eines Erosionsbereichs und der relativen magnetischen
Permeabilität einer säulenförmigen Drehwelle zeigt.
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5 ist
ein Graph zum Erläutern eines Vergleichs zwischen den horizontalen
Magnetfeldstärken, wenn ein äußeres peripheres
paramagnetisches Element vorgesehen ist und wenn dies nicht vorgesehen
ist.
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6 ist
ein Diagramm zum Erläutern der zeitabhängigen Änderungen
des Plasmas auf der Targetfläche.
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7 ist
ein Diagramm, das einen Verbrauchszustand eines Targets nach einer
langzeitigen Entladung zeigt.
-
8 ist
ein Graph, der die Beziehung zwischen der Breite eines Schlitzes,
der durch ein Plasmaabschirmelement gebildet wird, und der Aufladebeschädigung
zeigt.
-
9 ist
ein schematisches Diagramm, das eine Magnetron-Sputtervorrichtung
nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
-
10 ist
ein Graph, der die Beziehung zwischen einer Schlitzbreite und der
Filmbildungsrate zeigt.
-
11 ist
ein Diagramm zur eingehenderen Erläuterung des Abstands
zwischen einem zu behandelnden Substrat und einem Abschirmelement.
-
12 ist
ein Konturdiagramm, das die Verteilung des horizontalen Magnetfeldes
auf einer Targetfläche zeigt.
-
13 ist
ein schematisches Diagramm, das eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
-
14 ist
ein Diagramm, das die Struktur eines Plasmaabschirmelements in einer
Magnetron-Sputter-Vorrichtung nach einem vierten Ausführungsbeispiel
der Erfindung zeigt.
-
15 ist
ein Diagramm zum Erläutern eines Plasmaschirmelements in
einer Magnetron-Sputter-Vorrichtung nach einem fünften
Ausführungsbeispiel der Erfindung.
-
16 ist
ein schematisches Diagramm zum Erläutern einer konventionellen
Magnetron-Sputter-Vorrichtung.
-
17 ist
ein schematisches Diagramm, das eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung
nach einem siebenten Ausführungsbeispiel der Erfindung
zeigt.
-
- 1
- Target
- 2
- säulenförmige
Rotationswelle
- 3
- schraubenförmige
plattenartige Magnetgruppe
- 4
- fester äußerer
Umfangsrahmenmagnet
- 5
- äußeres
peripheres paramagnetisches Element
- 6
- Rückplatte
- 8
- Kühlmittelpassage
- 9
- Isolationselement
- 10
- zu
bearbeitendes Substrat
- 11
- Prozesskammerraum
- 12
- Speiselinie
- 13
- Abdeckung
- 14
- äußere
Wand
- 15
- paramagnetisches
Element
- 16
- Plasmaabschirmelement
- 16a
- Plattenelement
- 17
- Isolationselement
- 18
- Schlitz
- 19
- Platzierungsbühne
zum Platzieren eines zu behandelnden Substrats
-
Beste Art und Weise zum Ausführen
der Erfindung
-
Im
Folgenden werden Ausführungsbeispiele dieser Erfindung
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
-
(Erstes Ausführungsbeispiel)
-
Ein
erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird in ihren
Einzelheiten unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
-
1 ist
eine Schnittansicht zum Erläutern der Struktur einer Drehmagnet-Sputter-Vorrichtung nach
einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
-
In 1 bezeichnet 1 ein
Target, 2 eine säulenförmige Rotationswelle, 3 eine
Mehrzahl von schraubenförmigen plattenartigen Magnetgruppen, die
wendelförmig auf einer Fläche der Drehwelle 2 angeordnet
sind, 4 einen fixierten Außenumfangsrahmenmagneten,
der an der äußeren Peripherie angeordnet ist, 5 ein
paramagnetisches Element an dem äußeren Umfang,
der an der Seite gegenüberliegend zu dem Target angeordnet
ist und zu dem festen äußeren Umfangsrahmenmagnet 4 angeordnet
ist, 6 eine Rückplatte, an den das Target 1 angebondet
und gehalten ist, 15a ein paramagnetisches Element, das
ausgebildet ist zum Abdecken der säulenförmigen
Drehwelle 2 und der schraubenförmigen plattenartigen
Magnetgruppen 3 an Positionen anders als an der Targetseite, 8 eine
Passage zum Führen eines Kühlmittels durch diese, 9 ein
Isolationselement, 10 ein zu behandelndes Substrat, 19 eine
Platzierungsbühne zum Platzieren eines Substrats aus dieser, 11 einen
Bearbeitungskammerraum, 12 eine Speiselinie, 13 eine
Abdeckung, die elektrisch mit einer Prozesskammer verbunden ist, 14 Außenwandungen,
die die Prozesskammer bilden, 16a ein Plasmaabschirmungselement,
das an der Außenwand 14 angeordnet ist, um so
mit dieser elektrisch verbunden zu sein, und 17 ein Isolationselement,
das einen ausgezeichneten Plasmawiderstand hat.
-
Eine
DC Leistungsquelle, eine RF Leistungsquelle und ein Anpassungsgerät
sind mit der Speiseleitung 12 verbunden. Die Plasmaerregungsleistung wird
zu der Rückplatte 6 und dem Target 1 von
der DC Leistungsquelle und die RF Leistungsquelle über das
Anpassgerät und weiter über die Speiseleitung 12 und
das Gehäuse geführt, so dass das Plasma auf eine
Targetfläche erregt wird. Das Plasma kann nur durch die
DC Leistung oder RF Leistung erregt werden, in Hinblick auf die
Steuerbarkeit der Filmqualität und der Kontrollfähigkeit
der Filmbildungsrate ist es bevorzugt, beides zu verwenden. Die
Frequenz der RF Leistung wird normalerweise gewählt zwischen mehreren
hundert MHz und mehreren Hundert MHz in Hinblick auf das Erhöhen
der Plasmadichte und das Reduzieren der Plasmaelektronentemperatur
ist eine hohe Frequenz bevorzugt. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist die Frequenz auf 13,56 MHz eingestellt. Das Abschirmelement 16 wirkt
auch als Grundplatte für die RF Leistung. Mit dieser Grundplatte kann
das Plasma effizient erregt werden, auch wenn das Verarbeitungssubstrat 10 in
einem elektrisch fließendem Zustand ist. Das paramagnetische
Element 15 hat den Effekt der Magnetabschirmung des magnetischen
Feldes, das von den Magneten erzeugt wird und den Effekt des Reduzierens
einer Änderung des magnetischen Feldes aufgrund der Störung
nahe dem Target.
-
Um
einen Magnetabschnitt in weiteren Einzelheiten zu erläutern,
zeigt 2 eine perspektivische Ansicht einer säulenförmigen
Rotationswelle 2, die Mehrzahl von schraubenförmigen
plattenartigen Magnetgruppen 3 und den fixierten Rahmenmagnet 4 am äußeren
Umfang. Hier bildet die Mehrzahl von schraubenförmigen
plattenartigen Magnetgruppen 3 eine Rotationsmagnetgruppe,
die sich gemeinsam mit der Drehung der säulenförmigen
Rotationswelle 2 dreht.
-
Das
Material der säulenförmigen Rotationswelle 2 kann
ein gewöhnlicher Edelstahl oder dergleichen sein, es ist
jedoch bevorzugt, dass die säulenförmige Rotationswelle 2 teilweise
oder vollständig aus einer paramagnetischen Substanz mit
einem geringen magnetischen Widerstand, wie, beispielsweise, einer
auf Ni-Fe-basierenden Legierung mit hoher magnetischer Permeabilität,
besteht. Die rohrförmige Rotationswelle 2 kann
von einem nichtgezeigten Getriebe und einem Motor rotiert werden.
-
Die
säulenförmige Rotationswelle 2 hat einen
regelmäßigen hexadekagonalen Querschnitt, deren
eine Seite eine Länge von 16,7 mm hat. Viele rhombischen
plattenartige Magnete sind an den jeweiligen Flächen unter
Bildung der Mehrzahl von schraubenförmigen plattenartigen
Magnetgruppen 3 angebracht. Die säulenförmige
Rotationswelle 2 ist derart ausgebildet, dass sie mit den
Magneten an seinem äußeren Umfang angebracht sind,
sie können leicht dick gemacht werden und haben eine Struktur, die
stark ist gegenüber einer Biegung aufgrund der magnetischen
Kräfte, die von den Magneten aufgebracht werden. Um ein
starkes Magnetfeld stabil zu erzeugen, ist jeder der plattenartigen
Magneten, die die schraubenförmige plattenartigen Magnetgruppen 3 bilden,
vorzugsweise ein Magneten mit einer hohen residualen magnetischen
Flussdichte, hohen Koerzitivkraft und einem Energieprodukt, wie
zum Beispiel, ein Sm-Co-basierter gesinterter Magnet mit einer residualen
Magnetflussdichte von etwa 1,1 T oder ein Nd-Fe-B-basierter gesinterter
Magnet mit einer residualen Magnetflussdichte von etwa 1,3 T. Bei
diesem Ausführungsbeispiel wird der Nd-Fe-basierter gesinterter
Magnet verwendet. Die plattenartigen Magnete der schraubenfförmigen
plattenartigen Magnetgruppen 3 sind jeweils in einer Richtung
senkrecht zu seiner Plattenfläche magnetisiert und sind
schraubenförmig an der säulenförmigen
Rotationswelle 2 gebondet zur Bildung von Wänden
derart, dass die Wände benachbart zu einander in einer
axialen Richtung der säulenförmigen Rotationswelle
gegenseitig unterschiedliche Magnetpole bilden, d. h., N-Pole und
S-Pole auf der äußeren Seite in einer Durchmesserrichtung
der säulenförmigen Drehwelle.
-
Der
fixierte äußere Umfangsrahmenmagnet 4 ist,
gesehen von dem Target 1, konfiguriert, um die Rotationsmagnetgruppe
zu umgeben, die aus den schraubenförmigen plattenartigen
Magnetgruppen 3 bestehen und ist derart magnetisiert, dass
die Seite des Targets 2 ein S-Pol wird. Ein Nd-Fe-B-basierter gesinterter
Magnet wird weiter als fixierter äußerer Umfangsrahmenmagnet 4 verwendet
aus demselben Grund wie die plattenartigen Magnete der schraubenförmigen
plattenartigen Magnetgruppen 3.
-
Im
Folgenden wird eine Beschreibung der Einzelheiten unter Bezugnahme
von 3 bezüglich der Erosionsbildung nach
diesem Ausführungsbeispiel erfolgen.
-
Die
schraubenförmig plattenartigen Magnetgruppen 3 werden
durch Anordnen der mehreren plattenartigen Magnete auf der säulenförmigen
Rotationswelle 2 gebildet, wie oben erwähnt. Wenn
die schraubenförmigen plattenartigen Magnetgruppen 3 von
der Targetseite aus gesehen werden, ergibt sich eine Anordnung derart,
dass die S-Pole der plattenartigen Magnete annähernd einen
N-Pol jedes der anderen plattenartigen Magnete umgeben. 3 ist ein
konzeptuelles Diagramm davon. Bei dieser Ausbildung sind die Linien
der Magnetkraft, die von den N-Polen der plattenartigen Magnete 3 erzeugt
werden, an den peripheren S-Polen begrenzt. Infolgedessen sind viele
geschlossene Erosionsbereiche 301 an der Targetfläche
ausgebildet, die mit einem Abstand von den Flächen der
plattenartigen Magnete angeordnet sind. Weiter bewegen sich durch
Drehung der säulenförmigen Rotationswelle 2 die
vielen Erosionsbereiche 301 gemeinsam mit der Rotation. In 3 bewegen
sich die Erosionsbereiche in einer Richtung, die durch einen Pfeil
angegeben wird. An den Endabschnitten jeder drehbaren Magnetgruppe 3 sind
die Erosionsbereiche 301 sequentiell erzeugt von einem
der Endabschnitte und sequentiell ausgelöscht an dem anderen
Endbereich.
-
Bei
diesem Ausführungsbeispiel hat die säulenförmige
Rotationswelle 2 einen regelmäßigen oktagonalen
Querschnitt und die plattenartigen Elemente sind an die jeweiligen
Flächen gebondet. Es kann jedoch so konfiguriert sein,
dass, um eine sanftere Schraubenform zu verwirklichen, die Form
des Querschnitts auf ein regelmäßiges Mehreck
mit mehreren Ecken und schmaleren plattenartigen Magneten an dieses
angebondet sind, oder, um benachbarte plattenartige Elemente zu
verursachen, die Wände bilden, um diese einander anzunähern,
die Form des Querschnitts jedes plattenartigen Magneten nicht in ein
Rechteck sondern in ein Trapezoid eingestellt wird, mit einer längeren
Außenseite in Richtung des Durchmessers der Rotationswelle.
-
Nachfolgend
wird unter Verwendung von 4 eine Beschreibung
eines Effekts gegeben, der durch Ausbilden der säulenartigen
Rotationswelle 2 aus der paramagnetischen Substanz erreicht
wird.
-
In 4 repräsentieren
die Ordinatenachse und die Abszissenachse die horizontalen Feldstärken
des Erosionsbereichs 301 bzw. die relative magnetische
Permeabilität der säulenartigen Rotationswelle,
wodurch die Abhängigkeit der horizontalen magnetischen
Feldstärke von der relativen magnetischen Permeabilität
der säulenförmigen Rotationswelle 2 gezeigt
wird. In 4 wird die Normalisierung durchgeführt,
wenn die relative magnetische Permeabilität 1 ist.
Aus 4 ergibt sich, dass bei Zunahme der relativen
magnetischen Permeabilität der säulenförmigen
Rotationswelle 2 auch die horizontale magnetische Feldstärke
zunimmt und, insbesondere, wenn die relative magnetische Permeabilität 100 oder
mehr beträgt, eine Zunahme der magnetischen Feldstärke
auf etwa 60% erreicht werden könnte. Dies liegt daran,
dass die magnetischen Widerstände auf Seiten der säulenförmigen
Rotationswelle der plattenartigen Magnete, die die Schrauben bilden, derart
reduziert sind, dass die Linien der Magnetkräfte effizient
in Richtung auf die Targetseite gerichtet werden können.
Dies macht es möglich, den Begrenzungseffekt zu verbessern,
wenn das Plasma erregt wird, so dass die Plasmaelektronentemperatur
zunimmt, um die Zerstörung des Substrats weiter zu verringern
und die Plasmadichte zunimmt, um die Filmbildungsrate zu verbessern.
-
Weiter
zeigt es sich, wie in 5 dargestellt ist, dass dann,
wenn das fixierte äußere periphere paramagnetische
Element unter dem fixierten äußeren Umfangsrahmenmagneten 4 vorgesehen
ist, die horizontale magnetische Feldstärke um etwa 10% zunimmt,
verglichen mit dem Fall, wo es nicht vorgesehen ist, und das weiter
dann, wenn ein Teil des fixierten äußeren peripheren
paramagnetischen Elements hin zu einem Abschnitt benachbart der
säulenförmigen Rotationswelle 2 erstreckt
wird und an einen magnetischen Körperabschnitt der säulenförmigen
Rotationswelle 2 durch einen Magnetfluss angebracht ist
zum Bilden eines magnetischen Kreises mit einem geringen magnetischen
Widerstand zwischen der Rotationsmagnetgruppe und dem äußeren
Umfangsrahmenmagneten, die horizontale magnetische Feldstärke
um etwa 30% zunimmt, so dass die Filmbildungseigenschaft verbessert
wird.
-
Bei
diesem Ausführungsbeispiel ist erkennbar, dass die horizontale
magnetische Feldstärke des Erosionsbereichs 301,
d. h., die magnetische Feldstärke parallel zu der Targetfläche,
500 Gauß übersteigt und dass dort eine Stärke
erreicht wird, die zum Einschließen des Plasmas ausreichend
ist. 6 zeigt photographische Darstellungen der zeitabhängigen Änderungen
des Plasmas auf der Plasmafläche. Plasmaerregungszustände
waren derart, dass ein Argongas eingeführt worden ist mit
1000 c3 pro Minute und 13,56 MHz RF Leistung
von 800 W wurde aufgebracht. Die säulenförmige
Rotorwelle wurde mit 1 Hz gedreht. Wie die Fotographie erkennbar
macht (die einen Zustand von Änderungen über die
Zeit von oben nach unten wiedergibt) auf der linken Seite von 6,
wird eine Plasmaschleife 601 (Erosionsschleife) stabil
erzeugt von dem linken Ende der Rotationswelle, bewegt sich sodann
entlang dieser mit der Rotation und, gesehen von der Fotographie
auf der rechten Seite von 6) (die
einen Zustand von Änderungen über die Zeit von
oben nach unten zeigt) wird stabil gelöscht von dem rechten
Ende der Rotationswelle. 7 zeigt eine Fotographie eines
Verbrauchszustands des Targets nach langzeitiger Entladung. Aus
der Fig. ist erkennbar, dass die Targetfläche nicht lokal
verbraucht wird sondern gleichförmig.
-
Bei
diesem Ausführungsbeispiel ist auf der Seite des Targets 1 gegenüberliegend
zu den schraubenförmigen plattenartigen Magnetgruppen 3,
d. h., auf der Seite des Targets 1, wo das Verarbeitungssubstrat
angeordnet ist, ein Element, das sich gegenüberliegend
in eine Richtung, die dieselbe ist wie die axiale Richtung der schraubenförmigen
plattenartigen Magnetgruppen erstreckt, geöffnet und elektrisch
geerdet, d. h., dass Plasmaabschirmungselement 16 von 1 ist
verbunden mit und vorgesehen an der Prozesskammerwand 14,
um so die Endabschnitte des Targets 1 abzudecken und mit
Abstand von dem Target 1 angeordnet zu sein, wodurch ein
Schlitz 18, der das Target 1 freigibt, gebildet
wird. Das heißt, der Schlitz 18 wird durch die
das geerdete Plasma abschirmende Element 16 gebildet.
-
Wie
in 1 gezeigt, wird das Verarbeitungssubstrat 10 von
rechts unter dem Schlitz 18 rückgezogen, wenn
das Plasma gezündet oder gelöscht wird und nach
der Zündung des Plasmas, wird die Platzierungsbühne 19 entfernt,
um das Substrat kontinuierlich zu dem Schlitzöffnungsbereich
zu bewegen, d. h., einen Filmbereich, wodurch die Filmbildung ausgeführt
wird. Dabei kann eine Vielzahl von Malen eine Reprozität
ausgeführt werden zum Erhöhen der Dicke des zu
bildenden Films. Das Substrat ist von dem Schlitz 18 zu
einem Zeitpunkt rückgezogen, wenn das Plasma gezündet
oder gelöscht wird.
-
Weiter
ist in dem dargestellten Ausführungsbeispiel der Abstand
W zwischen der Platzierungsbühne 19 und dem Plasmaabschirmelement 16 kürzer
als der mittlere freie Weg der Plasmaelektronen. Unkontrollierte
Elektronen, die durch Bogenbildung oder unnormale Entladung in einem Übergangszustand
bei der Zündung oder dem Löschen des Plasmas erzeugt
werden, können daher das Substrat nicht erreichen. Wenn
der Abstand W dagegen größer ist als der mittlere
freie Elektronenweg, erreicht viel Plasma das Substrat 10.
Der mittlere freie Weg λen ist gegeben durch λen
= 0,4/P in einer Argonatmosphäre. Die Einheit von λen
beträgt mm und P ist ein Argondruck, der ausgedrückt
wird in der Einheit von Torr. Da der Argondruck auf 5 mTorr bei
der Filmbildung eingesetzt worden ist, betrug der freie Weg 8 mm.
-
8 zeigt
die Auswertungsresultate der Aufladebeschädigung an den
thermischen Filmantennen MOS-Kapazitäten (Oxidfilmdicke
4 nm), die in einer großen Anzahl an einem Wafer mit einem Durchmesser
von 200 mm ausgebildet sind. Die Antennen sind jeweils an die MOS-Kapazitäten
angeschlossen. Die Figur zeigt normale Plots des Leckstroms, wenn
das Antennenverhältnis (das Verhältnis des Antennenbereichs
zu dem aktiven Gereicht) 1.000.000 beträgt und 5 V an das
Gatter angelegt wird. Wenn 10–9 A
oder mehr fließen, wird dies als Fehler definiert.
-
Aus 8 ergibt
sich, dass dann, wenn W = 20 mm, Elektronen, die bei dem Zünden
oder Erlöschen des Plasmas den Wafer erreichen und aufladen,
so dass ein Fehler bei nahezu 30% auftritt. Wenn, andererseits,
W = 5 mm, wird keine Antennen-MOS-Kapazität als fehlerhaft
beurteilt. Es ergibt sich daraus, dass die Aufladebeschädigung
des bearbeiteten Substrats erheblich eingeschränkt werden kann
auf einen Wert, der kürzer ist als der mittlere freie Weg.
-
Bei
diesem Ausführungsbeispiel ist W gleich oder geringer als
der mittlere freie Elektronenweg. Um die Plasmaabschirmung zuverlässiger
zu machen, ist es jedoch bevorzugt, dass dieser Abstand gleich oder
weniger als die Schichtdicke des Plasmas nahe dem Plasmaabschirmelement 16 gewählt
wird (normalerweise ist die Schichtdicke kleiner als der mittlere
freie Weg). da die Plasmadichte, die Elektronentemperatur und die
Schichtspannung an dem Plasmaabschirmelement 16 1010 cm–3 beträgt,
2 eV bzw. 12 V ist, W ist in diesem Fall mit 0,4 mm gewählt.
-
Die
horizontale Magnetfeldstärke an der Targetfläche 1 nimmt
auf der anderen Seite zu, wenn die Rückplatte 6 in
der Dicke abnimmt, da die Targetfläche näher an
die Magneten kommt. Wenn die horizontale Magnetfeldstärke
zunimmt, wird die Plasmaeinschließung verbessert, so dass
eine höhere Filmbildungsrate erreicht wird und die Plasmaerregungseffizienz
verbessert wird. Es wird daher eine weitere Verbesserung der Filmbildungsrate
erreicht durch Reduzieren eines Spaltes 20 unter Druck
und Einstellen der Dicke der Rückplatte 6 auf
einen geringeren Wert als die anfängliche Dicke des Targets.
-
Da
das Target 1 durch Bewegen der Magneten in einer vertikalen
Richtung gelmeinsam mit dem Verbrauch des Targets 1 gleichförmig
verbraucht wird, kann das horizontale Magnetfeld mit einer gleich
Stärke konstant an jeder Position der Targetfläche
mit einer ausgezeichneten Reproduzierbarkeit gebildet werden, so
dass die Filmbildungsreproduzierbarkeit bei einem langzeitlichen
kontinuierlichen Betrieb verbessert wird.
-
(Zweites Ausführungsbeispiel)
-
Ein
zweites Ausführungsbeispiel dieser Erfindung wird in ihren
Einzelheiten unter Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen erläutert.
Auf eine Beschreibung der Teile, die denen des oben genannten Ausführungsbeispiels
entsprechen, wird verzichtet. Bei diesem Ausführungsbeispiel,
das in 9 gezeigt ist, sind die Breite 20 und
die Länge des Schlitzes 18 so eingestellt, dass
dann, wenn ein zu behandelndes Substrat fixiert ist und schraubenförmige plattenartige
Magnetgruppen mit einer konstanten Frequenz gedreht werden, ein
Bereich des Substrats abgeschirmt, wo die Dicke des zu bildenden
Films pro Zeiteinheit 80% oder weniger der maximalen zu bildenden
Filmdicke auf dem Substrat pro Zeiteinheit, wenn dort kein Schlitz
ist, ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Material
des Targets reines Aluminium. Eine Beschreibung ergibt sich in weiteren Einzelheiten
unter Bezug auf 10.
-
10 zeigt
die Verteilung der Filmbildungsrate in eine Richtung senkrecht zu
einer Achse der rohrförmigen Rotorwelle, wenn ein Siliziumsubstrat angeordnet
ist an einer Position mit Abstand von einer Targetfläche
um 30 mm und zu der Targetfläche weist. Die Figur zeigt
den Fall, in dem die Schlitzbreite 20 114 mm und 60 mm
beträgt, wobei die Normalisierung ausgeführt wird
durch die mittlere maximale Filmbildungsrate. Ein Plasmaabschirmungselement (d.
h., eine Grundplatte) 16, die den Schlitz 18 ausbildet,
ist durch eine Edelstahlplatte gebildet, die eine Dicke von 2 mm
an einer Position hat, die von der Fläche des Targets um
25 mm beabstandet ist. Da die Breite des Targets 102 mm beträgt,
erreichen im Wesentlichen alle gescatterten Partikel des Targets 1 das
Siliziumsubstrat, das das zu behandelnde Substrat 10 ist,
ohne von dem Plasmaabschirmelement 16 abgeschirmt zu sein
und so zu einem Film gebildet zu werden, wenn die Schlitzbreite
114 mm beträgt. Wenn dagegen die Schlitzbreite 60 mm beträgt, schirmt
das Plasmaabschirmelement 16 einen Bereich ab, wo die Filmbildungsrate
80% oder weniger der maximalen Filmbildungsrate entspricht.
-
Es
wird jetzt auf 11 Bezug genommen. 1301 gibt
den vertikalen Abstand zwischen einer Platzierungsbühne
für das zu behandelnde Substrat und das Abschirmelement
an, wobei dieser Abstand kürzer gewählt ist, als
der mittlere freie Elektronenweg an einer Position des Abschirmelements. 1302 gibt
dagegen den horizontalen Abstand zwischen dem Substrat und dem Abschirmelement
an ihren Bereichen, die zueinander am nächsten sind, gesehen
in der vertikalen Richtung, wobei dieser Abstand größer
gewählt ist als der mittlere freie Elektronenweg an der
Position des Abschirmelements. Das heißt, der Abstand zwischen
dem Substrat an seiner rückgezogenen Position und dem Abschirmelement ist
ebenfalls größer gewählt als der mittlere
freie Elektronenweg an der Position des Abschirmelements. Bei dieser
Einstellung erreichen die Elektronen nicht das Substrat bei der
Plasmazündung oder der Plasmaauslöschung und,
da der mittlere freie Weg der Ionen größer ist
als Elektronen, kleiner ist als der mittlere freie Elektronenweg,
erreichen diese Ionen nicht das Substrat. Dies macht es möglich,
die Aufladezerstörung zu vermeiden.
-
12 zeigt
ein Konturendiagramm der horizontalen magnetischen Feldverteilung
auf der Targetfläche. Dies ist der Fall, wenn die säulenförmige Drehwelle
bei einer bestimmten Phase ist. Wenn der zeitliche Durchschnitt
in Bezug auf im Wesentlichen alle Phasen erreicht wird, ist die
maximale durchschnittliche horizontale Magnetfeldstärke
392G und, durch Wählen der Schlitzbreite auf 60 mm, ist
ein Bereich, gesehen von dem Substrat, abgeschirmt, wo die durchschnittliche
horizontale Magnetfeldstärke 295G beträgt, 75%
der maximalen durchschnittlichen horizontalen Magnetfeldstärke
oder weniger. Durch Wählen der Schlitzbreite auf 60 mm
werden bei der Filmbildung auf dem Substrat Aluminiumatome unmittelbar
als metallischer Film gleichzeitig mit Bestrahlen mit dem Plasma
geformt und es ist daher möglich, ein Aufladen des Substrats
zu vermeiden. Dies macht es möglich, eine Aufladezerstörung
zu vermeiden. Es folgt jetzt eine eingehendere Beschreibung unter
Verwendung von 8. In 8 ist W
gewählt auf gleich oder weniger als die mittlere freie
Elektronenlänge und die Schlitzbreite ist auf 60 mm gewählt.
Unter Bezugnahme auf die Antennen-MOS mit einem Antennenverhältnis
von 1.000.000 beträgt nicht nur die Fehlerrate 0 Prozent, es
ist auch gezeigt, dass nahezu derselbe Leckstrom besteht, wie vor
der Filmbildung. Dies bedeutet, dass bei Anwendung bei einem Metallfilmbildungsvorgang zum
Herstellen von MOS-Transistoren oder dergleichen, eine dramatische
Verringerung in der Variation unter den Schwellenwertspannungen
oder in Niederfrequenzrauschen verwirklicht wird.
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(Drittes Ausführungsbeispiel)
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Ein
drittes Ausführungsbeispiel wird in seinen Einzelheiten
unter Bezug auf die nachfolgenden Zeichnungen erläutert.
Auf eine Beschreibung der Dinge, die denjenigen der vorangehend
beschriebenen Ausführungsbeispiele entspricht, wird aus
Gründen der Vereinfachung der Beschreibung verzichtet. Wie
in 13 gezeigt, ist eine Drehmagnet-Sputter-Vorrichtung
nach dieser Erfindung besonders geeignet, wenn es als Filmbildungsvorrichtung
vom reziproken Typ verwendet wird.
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In 13 bezeichnet 401 eine
Verarbeitungskammer, 402 ein Gatterventil, 403 ein
Verarbeitungssubstrat eines zu behandelndes Substrat und 404 den
Drehmagnetplasmaerregungsabschnitt, der in dem dritten Ausführungsbeispiel
beschrieben worden ist. Anders als in dem ersten Ausführungsbeispiel,
bei dem der schraubenförmige Abschnitt 307 mm beträgt,
beträgt er bei diesem Ausführungsbeispiel 270
mm. Die Frequenz der Plasmaerregungsleistung ist auf 13,56 MHz gewählt.
In Bezug auf Erhöhen der Plasmadichte und des Reduzierens
der Plasmaelektronentemperatur ist eine hohe Frequenz, beispielsweise
etwa 100 MHz bevorzugt. Der Plasmaerregungsbereich beträgt
etwa 2,7 m, während die Wellenlänge von 100 MHz
gleich 3 m beträgt. Wenn die Länge des Erregungsbereichs
sich an die Wellenlänge annähert, besteht, wie
oben beschrieben, die Möglichkeit, dass eine stehende Welle gebildet
wird, die das Plasma ungleichförmig macht. Wenn die Frequenz
13,56 MHz beträgt, beträgt die Wellenlänge
22,1 m und die Länge des Plasmaerregungsbereichs ist ausreichend
kürzer als die Wellenlänge, so dass keine Möglichkeit
besteht, dass das Plasma aufgrund des Einflusses einer stehenden Welle
ungleichförmig wird.
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Auch
in diesem Beispiel ist das Substrat auf der Substratsplatzierungsbühne
angeordnet und, während das Plasma auf der Plasmafläche
durch Anlegen der DC-Leistung, der RF-Leistung oder der DC-Leistung
und der RF-Leistung gleichzeitig, erregt wird, ist der Abstand zwischen
dem Substrat oder der Substratplatzierungsbühne und dem
Abschirmelement kürzer als die mittlere freie Weglänge
der Elektronen in dem Plasma der Position des Abschirmelements.
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Bei
diesem Ausführungsbeispiel werden vier Drehmagnetplasmaerregungsabschnitte 404 verwendet.
Dies macht es möglich, dass die substantielle Filmbildungsrate
zu erhöhen. Die Anzahl der Erregungsabschnitte ist nicht
auf vier beschränkt. Das Substrat 403 ist ein
2,2 m × 2,5 m Glassubstrat. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist das Substrat mit einer Größe von 2,5 m in
der Längsrichtung platziert und ist derart konfiguriert,
dass das Substrat sich in eine Richtung senkrecht zu der säulenartigen
Rotationsachse des Rotationsmagnetplasmaerregungsabschnitt erstreckt,
so dass eine im Wesentlichen gleichförmige Filmbildung
auf dem Substrat erlaubt wird. Zur Vergleichmäßigung
der Filmbildung kann das Substrat 403 so eingestellt werden,
dass dieses nicht hin- und herbewegt werden kann sondern nur in eine
Richtung verfährt oder es kann Verwendung gemacht werden
von einem Verfahren des Bewegens des rotatorischen Magnetplasmaerregungsabschnitts 404.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist es durch Hin- und Herbewegen
des Substrats möglich, kontinuierliche einen Teil des Substrats
zu einem Plasmabereich freizulegen, der durch den Plasmaerregungsbereich
des rotatorischen Magnets erregt wird, um so einen Dünnfilm
gleichförmig zu bilden. Durch Einstellen der Drehgeschwindigkeit
der rotatorischen Elemente derart, dass die Zeit für eine
Rotation schneller ist als die Durchlaufzeit des Substrats ist es
möglich, eine gleichförmige Filmbildung zu erreichen,
die nicht durch Moment-zu-Moment-Erosionsmuster getroffen wird.
Typischerweise beträgt die Durchlaufgeschwindigkeit 60
Sekunden pro Substrat und die Drehgeschwindigkeit der Drehmagnete
beträgt 10 Hz. Obwohl das Substrat in diesem Ausführungsbeispiel
hin- und herbewegt wird, kann die Vorrichtung alternativ ausgebildet
sein als eine Vorrichtung vom Durchlauffilmbildungstyp, bei dem
ein Substrat veranlasst wird, durch einen oder eine Mehrzahl von
Drehmagnetplasmaerregungsabschnitte lediglich einmal zu durchlaufen.
-
(Viertes Ausführungsbeispiel)
-
Ein
viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird jetzt in
seinen Einzelheiten unter Bezugnahme auf die nachfolgenden Zeichnungen
erläutert. Eine Beschreibung der Bereiche, die denjenigen
in den obigen Ausführungsbeispielen entsprechen wird zur
Vereinfachung der Beschreibung verzichtet.
-
Bei
diesem Ausführungsbeispiel erstreckt sich das Plasmaabschirmelement 16,
das in 1 gezeigt ist, in der axialen Richtung der säulenförmigen
Rotorwelle 2 und hat den Schlitz 18, der sich
zu dem Target 1 in Bezug auf das Substrat 10 öffnet.
Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Breite und die Länge
des Schlitzes 18 so gewählt, dass bei einer Drehung
der rotatorischen Magnetgruppe 3 in einer konstanten Frequenz
ein Bereich, in dem die magnetische Feldstärke 75% des
Maximalwerts oder mehr beträgt in der zeitlichen Durchschnittsverteilung
der magnetischen Feldstärken von Komponenten parallel zu
der Fläche des Targets 1 in einem Magnetfeld, das
an der Fläche des Targets 1 ausgebildet ist, geöffnet
wird, gesehen von dem Substrat 10. Gleichzeitig sind die
Breite und die Länge des Schlitzes 18 so gewählt,
dass ein Bereich des Substrats 10 abgeschirmt wird, wo
die zu bildende Filmdicke pro Zeiteinheit 80% oder weniger der maximalen
Dicke des auf dem Substrat pro Zeiteinheit zu bildenden Filmdicke
ist, wenn die Endabschnitte des Targets 1 nicht abgeschirmt
sind. Ein Bereich, der von dem Plasmaabschirmelement 16 nicht
abgeschirmt wird (d. h., ein Bereich, der zu dem Target 1 durch
den Schlitz 18 geöffnet wird) ist ein Bereich,
wo die Magnetfeldstärke groß ist und das Plasma
so mit einer hohen Dichte und einer geringen Elektronentemperatur
erzeugt wird, so dass keine Aufladezerstörung oder Ionenstrahlenzerstörung
an dem Substrat bewirkt wird und es ist gleichzeitig ein Bereich,
wo die Filmbildungsrate hoch ist. Durch Abschirmen eines anderen
Bereichs als des Bereichs durch das Plasmaabschirmungselement 16 wird
eine Filmbildung ohne Zerstörung ermöglicht, ohne
die Filmbildungsrate erheblich zu reduzieren.
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Das
Plasmaabschirmungselement 16 wirkt weiter als Grundplatte
für die RF-Leistung. Mit dieser Grundplatte kann auch dann,
wenn das Substrat 10 in einem elektrisch fließenden
Zustand ist, das Plasma effizient erregt werden. Das paramagnetische Element 15 hat
den Effekt einer magnetischen Abschirmung eines Magnetfelds, das
von den Magneten erzeugt wird und den Effekt des Reduzierens einer Änderung
in dem Magnetfeld aufgrund der Störungen nahe dem Target.
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Es
wird jetzt weiter auf 14 Bezug genommen. Die Struktur
des Plasmaabschirmelelents 16 nach diesem Ausführungsbeispiel
wird eingehender beschrieben. Wie in 14 gezeigt,
sind das Plasmaabschirmelement 16 und die äußere
Wand 14 jeweils mit Anschlüssen versehen, die
ein Anschlusspaar 801 bilden. Durch Einstellen des Anschlusspaars 801 des
Plasmaabschirmelements 16 und der äußeren
Wand 14 in einen elektrisch verbundenen Zustand können
das Plasmaabschirmelement 16 und die äußere
Wand elektrisch miteinander verbunden werden. Durch Einstellen des
Anschlusspaares 16 des Plasmaabschirmelements 16 und
die äußere Wand 14 in einen elektrisch
isolierten Zustand sind das Plasmaabschirmelement 16 und
die äußere Wand 14 dagegen voneinander
elektrisch isoliert.
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Während
des Normalbetriebs, d. h., bei dem Bilden eines Dünnfilms
auf dem Substrat 10 durch den Sputter-Vorgang, wird das
elektrische Abschirmelement 16 elektrisch mit Masse verbunden,
um so als Massenfläche für die Leistung, die auf
das Target 1 aufgebracht wird, zu wirken. Zum Reduzieren
des Widerstands zu der Außenwand 14 so weit wie
möglich ist es bevorzugt, eine Mehrzahl von Anschlusspaaren 801 des
Plasmaabschirmelements 16 und der Außenwandung 14 vorzusehen.
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Es
wird jetzt der Grund für die Schaffung der Anschlüsse
an dem Plasmaabschirmelement 16 und bzw. der Außenwand 14 zur
Bildung des Anschlusspaares 801 erläutert. Wenn
die dargestellte Magnetron-Sputter-Vorrichtung für eine
lange Zeitdauer arbeitet, haftet eine große Menge an Film
an dem Plasmaabschirmelement 16 an und der anhängende
Film wird abgelöst. Dabei tritt ein Problem auf, das das
Innere der Prozesskammer mit dem separierten Film kontaminiert ist.
Nach der Erfindung wird, zum Lösen dieses Problems, ein
Reinigen ausgeführt ohne Öffnung des Prozesskammerraums 11 gegen
die Atmosphäre an einer Stufe, wo der Film an dem Plasmaabschirmelement
im gewissen Umfang anhängt.
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Bei
dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind bei dem Ausführen
des Reinigens das das Plasma abschirmende Element 16 und
die Außenwandung in einem elektrisch voneinander isolierten
Zustand. Sodann wird das Argongas zum Erregen des Plasmas dazu veranlasst,
in den Prozesskammerraum 16 zu strömen und die
Leistung wird an das Plasmaabschirmelement 16 durch eine
nicht dargestellte RF-Leistungsquelle angelegt, wodurch Plasma erregt
wird unter Verwendung des Plasmaabschirmelements 16 als
eine Elektrode. Da das Plasmaabschirmelement 16 als Elektrode
verwendet wird, erreicht nur ein Plasma mit geringer Dichte das Target 1 und
die Ionenstrahlenergie beträgt lediglich wenige Zehntel
von Volt, so dass das Target 1 nicht erheblich verbraucht
wird. Andererseits wird, da Hochenergieplasmaionen auf die Fläche
des Abschirmelements 16 ausgestrahlt werden, obwohl der Erzeugung
der Selbstvorspannung von minus mehreren Hunderstel Volt, ist es
möglich, den anhängenden Film zu reinigen. Bei
diesem Ausführungsbeispiel wird das Reinigen ausgeführt
nur durch RF-Leistung. Jedoch können die RF-Leistung und DC-Leistung
gleichzeitig aufgebracht werden zur positiven Steuerung der Selbstvorspannung
oder der Plasmaerregung oder es kann nur DC-Leistung angelegt werden.
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Wenn
das Reinigen ausgeführt wird, wird die Wellenlänge
der Lichtemission, die durch die anhaftenden Partikel (die Partikel
des Targetmaterials) gemessen und die Reinigung kann beendet werden, wenn
die Lichtemission verschwindet oder ausreichend schwach wird. Bei diesem
Ausführungsbeispiel haftet der Film wegen der Rotation
der Magneten gleichförmig in der axialen Richtung an und
es ist so möglich, das Reinigen effizient auszuführen.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird Argongas verwendet
zum Erregen des Plasmas. Es kann jedoch alternativ Verwendung gemacht
werden aus einem Gas mit einer Reaktivität und einer Ätzbarkeit
gegenüber dem anhaftenden Film.
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Ein
Material des Plasmaabschirmelements 16 muss ein Leiter
sein wie ein Edelstahl oder Aluminium, die äußere
Fläche ist jedoch vorzugsweise mit einem starken Schutzfilm
gebildet, um so eine Zerstörung zu dem Zeitpunkt der Beendigung
des Reinigens zu verhindern.
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Bei
diesem Ausführungsbeispiel ist ein Al2O3 Schutzfilm durch selektives Oxidieren um
etwa 100 nm gebildet, eine Fläche von austenischem Edelstahl mit
3% Aluminium. Der Schutzfilm ist darauf nicht beschränkt.
Beispielsweise kann ein Al2O3 Schutzfilm mit
einer Dicke von 0,5 μm durch eine nichtwässrige anodische
Oxidation an einer Al Fläche mit 0,1% Zr und etwa 2% Mg
oder einer Al2O3 oder
ein Y2O3 Schutzfilm
kann durch thermisches Aufsprühen aufgebracht werden.
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Bei
dem in 14 gezeigten Ausführungsbeispiel
wird, die bei 802 in einer vergrößerten
Weise gezeigt ist, ein Bereich des Plasmaabschirmelements 16,
wo Targetpartikel angescattert werden zum Anhaften, wenn das Plasma
auf der Targetfläche 1 erregt wird, wenigstens
in einem Bereich, der zu dem Target 1 zeigt, des Plasmaabschirmelements 16,
nur durch eine gekrümmte Fläche oder eine flache
Fläche gebildet. Mit anderen Worten, das Plasmaabschirmelement 16 nahe
dem Schlitz hat keien Turmform, wie eine abgewinkelte Form oder
eine spitzwinklige Form. Da die Filmtrennung an dem Plasmaabschirmelement 16 während
des Langzeitbetriebs zunächst beginnt aufzutreten an einem
bestimmten Abschnitt, verwendet diese Struktur eine Struktur, bei
der dies vermieden wird und die Filmabtrennung selbst kaum auftritt.
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Die
horizontale Magnetfeldstärke an der Fläche des
Targets 1 nimmt zu, wenn die Rückplatte 6 in der
Dicke abnimmt, das die Targetfläche sich näher an
die Magneten annähert. Wenn die horizontale Magnetfeldstärke
zunimmt, wird die Plasmaeinschließung verbessert, so dass
eine höhere Filmbildungsrate erreicht wird und die Plasmaerregung
effizient verbessert wird. Eine weitere Verbesserung der Filmbildungsrate
wird daher erreicht durch Ermöglichen einer Reduzierung
des Raumes 20, gezeigt in 2, und Bestimmen
der Dicke der Rückwand 6 auf einen geringeren
Wert als der ursprünglichen Dicke des Targets.
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Da
das Target 1 gleichförmig verbraucht wird kann
durch Bewegen der Magneten in einer vertikalen Richtung gemeinsam
mit dem Verbrauch des Targets 1 das horizontale magnetische
Feld mit einer gleichen Stärke konstant an jeder Position
der Targetfläche mit einer ausgezeichneten Reproduzierbarkeit
gebildet werden, so dass die Filmbildungsreproduzierbarkeit bei
langzeitlichem kontinuierlichem Betrieb verbessert wird.
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Entsprechend
wird es möglich, einen stabilen Langzeitfilmvorgang zu
schaffen, ohne den Prozesskammerraum gegen die Atmosphäre
zu öffnen und ohne das Abschirmelement zu ersetzen.
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(Fünftes Ausführungsbeispiel)
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Ein
fünftes Ausführungsbeispiel dieser Erfindung wird
in ihren Einzelheiten unter Bezugnahme auf die nachfolgenden Zeichnungen
erläutert. Eine Beschreibung von Teilen, die denen der
vorangehenden Ausführungsbeispiele entsprechen, folgt aus Gründen
der Vereinfachung der Beschreibung nicht. 15 zeigt
eine Drehmagnet-Sputter-Vorrichtung nach der Erfindung. Ein Plasmaabschirmelement 901 besteht
aus Kupfer mit einem geringen elektrischen Widerstand und ist mit
einem thermisch aufgesprühten Film aus Y2O3 an seiner Oberfläche ausgebildet.
Das heißt, der innere Bereich ist eine Leiter und der äußere
Bereich ist ein Isolator. Der innere Leiter ist mit einer Mehrzahl
von Anschlüssen versehen. Eine DC-Leistungsquelle 904 ist
zwischen dem Anschluss 902, der einer der Anschlüsse
ist, und dem Anschluss 903, der der andere der Anschlüsse ist,
angeordnet, so dass eine Gleichstromschleife in dem Plasmaabschirmteil 901 ausgebildet
werden kann. Gleichzeitig ist diese Gleichstromschleife mit einer
RF-Leistunsquelle 906 über einen Kondensator 905 versehen,
so dass die RF-Leistung ebenfalls auf die Stromschleife aufgebracht
werden kann.
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Durch
Bilden der Stromschleife unter Verwendung der DC-Leistungsquelle 904 ist
es möglich, ein Magnetfeld um das Plasmaabschirmelement 901 zu
erzeugen. Da der innere Leiter des dargestellten Plasmaabschirmelements 901 Kupfer
ist und damit der elektrische Widerstand gering ist, wird kaum eine Potentialdifferenz
zwischen den Anschlüssen 902 und 903 erzeugt.
Andererseits ist diese Stromschleife mit der RF-Leistungsquelle 906 über
die Kapazität 905 versehen. Durch Aufbringen der
RF-Leistung auf den inneren Leiter des Plasmaabschirmelements 901 unter
Verwendung dieser RF-Leistungsquelle ist es möglich, das
Plasma auf der Fläche des Plasmaabschirmelements 901 zu
erregen. Da dort ein Plasmaeinschließungseffekt durch das
Magnetfeld besteht, kann die Reinigungszeit weiter verkürzt
werden. Da die Fläche des Plasmaabschirmelements 901 der
Isolator ist, wird ein Plasmastrom daran gehindert, in der Stromschleife
zu fließen.
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(Sechstes Ausführungsbeispiel)
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Ein
sechstes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird jetzt in
ihren Einzelheiten unter Bezugnahme auf die nachfolgenden Zeichnungen
erläutert. Eine Beschreibung von Teilen, die denjenigen
der vorgenannten Ausführungsbeispiele entspricht, wird zur
Vereinfachung der Beschreibung weggelassen. Wie in 13 gezeigt,
ist eine Magneton-Sputter-Vorrichtung nach der Erfindung besonders
geeignet, wenn es als eine Filmbildungsvorrichtung vom sich hin-
und herbewegenden Typ verwendet wird.
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Nach
diesem in 13 gezeigten Ausführungsbeispiel
können das Abschirmelement und die äußere
Wandung elektrisch verbunden werden mit oder isoliert werden voneinander
und in dem isolierten Zustand kann die RF-Leistung auf die Fläche
des Abschirmelements aufgebracht werden und es ist daher möglich,
das Abschirmelement ohne Öffnen der Innenseite der Prozesskammer
zu der Atmosphäre zu reinigen.
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(Siebtes Ausführungsbeispiel)
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Ein
siebtes Ausführungsbeispiel der Erfindung wird in ihren
Einzelheiten unter Bezugnahme auf die nachfolgenden Zeichnungen
erläutert. Eine Beschreibung der Teile, die denen in den
vorangehend angeführten Ausführungsbeispielen
entsprechen, wird zur Vereinfachung der Beschreibung verzichtet. 17 zeigt
eine Drehmagnet-Sputter-Vorrichtung nach diesem Auführungsbeispiel.
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Bei
diesem Ausführungsbeispiel sind Plattenelemente, wie in 16a bezeichnet, mit jeweils einem Ende
einer gekrümmten Flächenform an ein Plasmaabschirmungselement 16 an
der Innenseite (Seite des Targets 1) angebracht.
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Insbesondere
hat jedes Plattenelement 16a einen Endabschnitt mit einer
gekrümmten Flächenform und der andere Endabschnitt
ist lösbar in einem Bereich des Plasmaabschirmelements 16 vorgesehen,
wo die Targetpartikel zum Anhaften gescattert sind.
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Das
Plattenelement 16a besteht zum Beispiel aus Edelstahl und
die Fläche auf der Targetseite kann edelmatiert sein.
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Das
Plattenelement 16a ist lösbar an dem Plasmaabschirmelement 16 angebracht
und nach dem Verlauf einer vorgegebenen Zeit wird das Plattenelement 16a abgelöst,
einer Reinigung der an seiner Fläche anhaftenden Teilchen
unterzogen und sodann wieder angebracht oder wird wieder durch ein neues
ersetzt.
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Wie
oben beschrieben, ist durch das Vorsehen des Plattenelements 16a,
dessen Endabschnitt die gekrümmte Kurvenform hat, an der
Innenseite des Plasmaabschirmelements 16 das Plattenelement 16a,
an das die Targetpartikel gescattert sind, um anzuhaften, nur durch
eine gekrümmte Fläche oder eine flache Fläche
gebildet.
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Das
heißt, wie bei dem vierten Ausführungsbeispiel,
kann die Struktur eine Filmabtrennung während eines langzeitigen
Betriebs verhindern und macht es schwer, dass eine Filmabtrennung
selbst erfolgt, wodurch der Wartungszyklus weiter verlängert
werden kann.
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Weiter
wird durch das lösbare Vorsehen des Plattenelements 16a das
Reinigen erleichtert.
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Obwohl
die Erfindung beschrieben worden ist in Verbindung mit bestimmten
Ausführungsbeispielen, sind die Magnetgrößen,
die Substratgrößen und dergleichen nicht auf die
Ausführungsbeispiele beschränkt.
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Industrielle Anwendbarkeit
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Eine
Magnetron-Sputter-Vorrichtung nach dieser Erfindung kann nicht nur
verwendet werden zum Bilden eines Isolationsfilms oder eines leitfähigen
Films oder eines Halbleiterwafers oder dergleichen, es kann vielmehr
auch verwendet werden zum Bilden verschiedener Filme auf einem Substrat
wie einem Glassubstrat oder einem flachen Display und kann verwendet
werden zum Sputtern einer Filmbildung bei der Herstellung von Speichereinrichtungen oder
anderen elektronischen Geräten.
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Diese
Anmeldung beansprucht die Priorität aus der
japanischen Anmeldung 2007-67940 vom 16.
März 2007 und der
japanischen
Patentanmeldung 2007-099778 vom 5. April 2007, deren Offenbarung
hier als Ganzes durch Bezugnahme einbezogen wird.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Bei
einer Magnetron-Sputter-Vorrichtung, die derart konfiguriert ist,
dass ein magnetisches Feldmuster aus einer Targetfläche
sich über die Zeit mittels einer Rotationsmagnetgruppe
bewegt, ist es die Aufgabe der Erfindung, das Problem zu lösen,
dass die Fehlerrate der zu behandelnden Substrate hoch wird bei
der Plasmazündung und -löschung, wodurch eine
Magnetron-Sputter-Vorrichtung geschaffen wird, bei der die Fehlerrate
der Substrate geringer ist als üblich.
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Bei
einer Magnetron-Sputter-Vorrichtung nach der Erfindung hat ein Plasmaabschirmelement einen
Schlitz, der auf der gegenüberliegenden Seite des Targets
in Bezug auf die Drehmagnetgruppe angeordnet ist. Der Abstand zwischen
dem Plasmaabschirmungselement und dem zu bearbeitenden Substrat
ist kleiner als der mittlere freie Elektronenweg oder die Abschirmbreite.
Weiter sind die Breite und die Länge des Schlitzes gesteuert,
um ein Auftreffen des Plasmas auf dem verarbeitenden Substrat zu vermeiden.
Dies macht es möglich, die Fehlerrate auf den Substraten
zu verringern.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 5-148642
A [0009]
- - JP 2000-309867 A [0009]
- - JP 3566327 B [0009]
- - JP 2007-67940 [0121]
- - JP 2007-099778 [0121]