CN101970713B - 旋转磁铁溅射装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种旋转磁铁溅射装置。该旋转磁铁溅射装置具备等离子体遮蔽构件和被接地了的外壁，在等离子体遮蔽构件与外壁之间，具有串联谐振电路及并联谐振电路。串联谐振电路仅在谐振频率下具有非常低的阻抗，并联谐振电路仅在谐振频率下具有非常高的阻抗。通过制成此种结构，基板RF电力与等离子体遮蔽构件之间的阻抗就变得非常高，可以抑制在被处理基板(10)与等离子体遮蔽构件之间的等离子体的产生。另外，由于靶子与地之间设有串联谐振电路，因此仅在被处理基板穿过靶子下方的区域有效地供给RF电力，产生自偏压。

Description

旋转磁铁溅射装置

技术领域

本发明涉及在金属或绝缘物的成膜中广泛使用的溅射装置，特别是涉及使用了旋转磁铁的溅射装置。

背景技术

溅射装置在光盘的制造、液晶显示元件或半导体元件等电子装置的制造中，及其他一般性的金属薄膜或绝缘物薄膜的制作中被广泛地使用。溅射装置以薄膜形成用的原材料作为靶子，利用直流高电压或高频功率使氩气等等离子体化，利用该等离子体化气体使靶子活化而使之融解、飞散，覆盖在被处理基板上。

在溅射成膜法中，为了提高成膜速度，采用如下的磁控溅射装置的成膜法为主流，即，通过在靶子的背面侧配置磁铁，使磁力线与靶子正面平行，而将等离子体封闭在靶子的正面，得到高密度的等离子体。

为了提高靶子利用效率降低生产成本，或实现稳定的长期运转，发明人等提出了旋转磁铁溅射装置。它采用如下的构成，即，在柱状旋转轴上连续地配设多个板磁铁，通过使之旋转，靶子正面的磁场图案就会随时间变动，使靶子材料的使用效率大幅度提高并且消除了等离子体所致的充电损伤、离子照射损伤的划时代的溅射装置。(参照专利文献1)。

专利文献1：PCT国际公开编号WO2007/043476号公报

此外，专利文献1中记载的旋转磁铁溅射装置具备如下的优点，即，可以防止靶子的局部的磨损，从而可以长时间地使用靶子。

可以推测，提高了利用该旋转磁铁溅射装置成膜的薄膜的致密性、使溅射粒子到达细小孔的内部而提高填孔特性这也是今后所要求的。

发明内容

具体来说，本发明提供一种旋转磁铁溅射装置，其可以有效地抑制到达基板的离子照射能量，不产生污染或充电损伤地提高所形成的薄膜的致密性，此外还可以使溅射粒子到达细小孔的内部而提高填孔特性。

本发明人等为了增大在等离子体中生成的氩离子等的离子照射能量，在旋转磁铁溅射装置中，进行了对基板施加RF电力而在基板正面产生负的自偏压的实验。

在实验中，使用了专利文献1中记载的旋转磁铁溅射装置中的如下的旋转磁铁溅射装置，即，具备遮蔽构件，其按照覆盖靶子的端部的方式与靶子分离，并且相对于螺旋状板磁铁组在相反的一侧被电接地。在该形式的旋转磁铁溅射装置中，当对基板施加RF电力时，就会在设于靶子周边的遮蔽构件与基板之间产生并非所期的激发出等离子体的现象。其结果是，发现如下的现象，即，构成遮蔽构件的原子附着于基板上，从而无法避免基板的污染。此外，显而易见，由并非所期地激发出的等离子体引起的充电损伤也成为问题。

基于本发明人等对旋转磁铁溅射装置得到的如上所述的新的见解，本发明意欲解决该问题。

根据本发明的第一方式，提供一种旋转磁铁溅射装置，其特征在于，具备如下的构成，即，具有：载放被处理基板的被处理基板设置台、与该被处理基板相面对地载置靶子的机构、设置于相对于靶子被放置的部分与上述被处理基板设置台相反的一侧的磁铁，通过利用该磁铁在靶子正面形成磁场而将等离子体封闭在靶子正面，上述磁铁包括：将多个板磁铁连续地设于柱状旋转轴上的旋转磁铁组、在旋转磁铁组的周边与靶子面平行地设置并且在与靶子面垂直的方向磁化的磁铁或未被预先磁化的强磁性体构成的固定外周体，通过使上述旋转磁铁组与上述柱状旋转轴一起旋转，上述靶子正面的磁场图案就会随时间变动，此外，还具备遮蔽构件，其按照覆盖上述靶子的端部的方式与上述靶子分离，并且设置在相对于上述旋转磁铁组与上述靶子相反的一侧，在上述遮蔽构件中设有沿与上述柱状旋转轴的轴向相同的方向延伸，使上述靶子面对上述被处理基板进行而开口的狭缝，并且通过对上述靶子施加DC电力、具有第一频率的RF电力、以及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，而在靶子正面激发出等离子体，此外，在上述被处理基板设置台中设有RF施加电极，在溅射过程中，对上述RF施加电极施加基板RF电力，从而可以使上述被处理基板设置台产生自偏压。

本发明的第二方式，根据第一方式中记载的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，上述遮蔽构件与地之间的在上述基板RF电力的频率下的阻抗为1kΩ以上，并且上述靶子与地之间的在上述基板RF电力的频率下的阻抗为10Ω以下，此外，上述遮蔽构件与地之间的阻抗在由对上述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率下为10Ω以下。

本发明的第三方式，根据第一方式中记载的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，上述遮蔽构件与地之间的在上述基板RF电力的频率下的阻抗为10kΩ以上，并且上述靶子与地之间的在上述基板RF电力的频率下的阻抗为1Ω以下，此外，上述遮蔽构件与地之间的阻抗在由对上述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率下为1Ω以下。

本发明的第四方式，根据第一至第三方式中任意一项记载的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，在上述遮蔽构件与地之间设有LC并联谐振电路，上述LC并联谐振电路的谐振频率与上述基板RF电力的频率实质上相等，并且由对上述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率是选自上述谐振频率及半值宽度的区域以外的频率中的频率。

本发明的第五方式，根据第一至第三方式中任意一项记载的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，在上述遮蔽构件与地之间设有LC并联谐振电路，上述LC并联谐振电路的谐振频率与上述基板RF电力的频率实质上相等，并且在上述遮蔽构件与地之间，设有一个或两个LC串联谐振电路，上述一个或两个LC串联谐振电路的谐振频率与由对靶子施加的一个或两个构成的等离子体激发电力的该一个或各个频率实质上相等。

本发明的第六方式，提供一种溅射装置，其特征在于，具备如下的构成，即，具有：载放被处理基板的被处理基板设置台、与该被处理基板相面对地载置靶子的机构、设置在相对于靶子所设置的部分与上述被处理基板设置台相反的一侧的磁铁，通过利用该磁铁在靶子正面形成磁场而将等离子体封闭在靶子正面，上述被处理基板设置台被设为可以相对于上述靶子变化位置地移动，并且在上述被处理基板设置台中设有RF施加电极，在溅射过程中，对上述RF施加电极施加基板RF电力，从而可以使上述被处理基板设置台产生自偏压。

本发明的第七方式，根据第六方式中记载的溅射装置，其特征在于，具备遮蔽构件，其按照覆盖上述靶子的端部的方式与上述靶子分离，并且设置在相对于上述磁铁与上述靶子相反的一侧，上述遮蔽构件被开口设有狭缝，以使上述靶子面对上述被处理基板。

本发明的第八方式，根据第六或第七方式中记载的溅射装置，其特征在于，通过对上述靶子施加DC电力、具有第一频率的RF电力、以及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，在靶子正面激发出等离子体。

本发明的第九方式，根据第七或第八方式记载的溅射装置，其特征在于，上述遮蔽构件被直流接地。

本发明的第十方式，根据第七至第九方式中任意一项记载的溅射装置，其特征在于，对上述靶子施加具有第一频率的RF电力及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，并且上述遮蔽构件相对于具有第一频率的RF电力及具有第二频率的RF电力中的对上述靶子施加的一个或两个RF电力的频率实质上接地。

本发明的第十一方式，根据第七至第十方式中任意一项记载的溅射装置，其特征在于，上述遮蔽构件相对于上述基板RF电力的频率实质上绝缘。

本发明的第十二方式，提供一种溅射方法，其特征在于，使用第一至第十一方式中任意一项记载的溅射装置，在被处理基板上使上述靶子的材料形成膜。

本发明的第十三方式，提供一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括使用第十二方式中记载的溅射方法在被处理基板上溅射成膜的工序。

发明效果

根据本发明，在旋转磁铁溅射装置中，可以有效地控制到达基板的氩离子等的离子照射能量，可以不产生污染或充电损伤地提高所形成的薄膜的致密性，此外还可以使溅射粒子到达细小孔的内部而提高填孔特性。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的旋转磁铁溅射装置的概略构成图。

图2是用于更为详细地说明图1所示的旋转磁铁溅射装置的磁铁部分的立体图。

图3是说明本发明的等离子体环的形成的图。

图4是图1的等离子体遮蔽构件16附近的放大图。

附图标记说明：1靶子，2柱状旋转轴，3螺旋状板磁铁组，4固定外周板磁铁，5外周顺磁性体，6背板，8制冷剂通道，9绝缘构件，10被处理基板，11处理室内空间，12供电线，13外罩，14外壁，15顺磁性金属导电体，16等离子体遮蔽构件，17绝缘构件，18狭缝，19设置台，20磁性体，21基板RF电极，22RF电源，23阻直电容器，26串联谐振电路，41第一串联谐振电路，42第二串联谐振电路。

具体实施方式

下面，使用附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是说明本发明的旋转磁铁溅射装置的实施方式的构成的剖面图。

在图1中，1是靶子，2是柱状旋转轴，3是在柱状旋转轴2的表面以螺旋状配置的多个螺旋状板磁铁组，4是配置于3的外周的固定外周板磁铁，5是在固体外周板磁铁4上在与靶子的相反的一侧相面对地配置的外周顺磁性体，6是与靶子1粘接的背板(热传导良好的导电体，例如铜制)，15是形成对柱状旋转轴2及螺旋状板磁铁组3除上述靶子1侧以外的部分进行覆盖的结构的顺磁性金属导电体(例如不锈钢或A1制，其中，其下摆的部分15a采用热传导良好的材料，例如铜制)，8是流通制冷剂的通道，9是绝缘构件(例如石英)，10是被处理基板，19是设置被处理基板的设置台(可以沿图的左右方向移动)，11是处理室内空间，12是供电线，13是与处理室电连接的金属制外罩，14是形成处理室的外壁(例如铝或铝合金制)，16是金属制的等离子体遮蔽构件，17是耐等离子体性优异的绝缘构件，18是设于等离子体遮蔽构件16上的狭缝，20是用于形成磁回路而在靶子1上形成强磁场的磁性体(例如铁(STCC)制)。

而且，以下虽然对在多个螺旋状板磁铁组3的外周配置了与靶子1面垂直地磁化的固定外周板磁铁4的例子进行说明，然而该固定外周板磁铁4也可以由未预先磁化的强磁性体置换。即，只要在多个螺旋状板磁铁组3的外周，配置由磁铁或未预先磁化的强磁性体构成的固定外周体即可。

24是等离子体激发用的第一RF电源，25是阻直电容器。而且，虽然未图示，然而除了处理阻直电容器25之外还附带地利用电容器或电感器形成匹配电路。电源24的电力频率为40MHz。另外，虽然未图示，然而从供电线12与电源24并联地同样经由阻直电容器、匹配电路连接有第二RF电源。第二RF电源的电力频率为2MHz。第一RF电源24的频率被设定得比较高，为40MHz，有助于在靶子正面激发的等离子体的高密度化、低电子温度化。特别是，如果等离子体高密度化，则提高了向被处理基板10的离子照射量，从而带来膜质的提高。

另外，第二RF电源的电力频率被设定为比较低的值，为2MHz。通过从第二RF电源施加电力，就会在负侧产生大的等离子体激发中的靶子的自偏压。由此就会带来成膜速率的提高。通过使用此种双频率激发等离子体，膜质或成膜速率的控制就会变得非常容易。此种方式在使用绝缘物的靶子时是非常有效的。需要说明的是，在靶子为导电性的情况下，也可以取代第二RF电源而将DC电源与供电线12并联地连接，利用DC电源来控制靶子的自偏压。本实施例中，虽然在第一RF电源的电力频率中使用了40MHz，在第二RF电源的电力频率中使用了2MHz，然而对于频率并不限定于它们，可以根据所需的等离子体密度或成膜速率适当地使频率变化。

21是埋设于设置台19中的基板RF电极，22是向基板RF电极21供给RF电力的RF电源，23是阻直电容器。需要说明的是，虽然未图示，然而在阻直电容器23之外还附带地利用电容器或电感器形成匹配电路。RF电源22的电力频率为400kHz。该频率也可以使用与等离子体激发中所用的电力相同的频率。该情况下，最好按照不与等离子体激发电力干扰的方式，错开相位地施加电力，另外在该情况下，不需要后述的串联谐振电路26。

26是LC串联谐振电路，设于供电线12与地之间。该串联谐振电路由具有电感L1的电感器、具有电容C1的电容器构成，谐振频率f1(参照下式)被设定为与基板RF电力频率相等。

$f1=1/\left(2\mathrm{\π}\sqrt{L1C1}\right)$ ...式1

顺磁性体15具有对由设于其内部的磁铁产生的磁场磁屏蔽的效果及减少由靶子附近的扰动造成的磁场变动的效果。

为了更为详细地说明磁铁部分，在图2中表示了柱状旋转轴2、多个螺旋状板磁铁组3、固定外周板磁铁4的立体图。这里，多个螺旋状板磁铁组3构成随着柱状旋转轴2的旋转而旋转的旋转磁铁组。

作为柱状旋转轴2的材质，可以是普通的不锈钢等，然而优选用磁阻低的顺磁性体，例如用Ni-Fe系高导磁率合金等来构成一部分或全部。本实施方式中，用Ni-Fe系高导磁率合金构成柱状旋转轴2。柱状旋转轴2可以通过未图示的齿轮单元及电机来旋转。

柱状旋转轴2的截面形成正十六角形，一边的长度设为16.7mm。在各个面上安装有多个菱形的板磁铁，构成多个螺旋状板磁铁组3。

该柱状旋转轴2是在外周安装磁铁的结构，很容易变粗，形成对由施加在磁铁上的磁力所引起的弯曲耐受性强的结构。为了使构成螺旋状板磁铁组3的各板磁铁稳定地产生强磁场，优选为剩磁通密度、顽磁力、最大能积高的磁铁，例如优选为剩磁通密度为1.1T左右的Sm-Co系烧结磁铁，更优选剩磁通密度有1.3T左右的Nd-Fe-B系烧结磁铁等。本实施方式中，使用Nd-Fe-B系烧结磁铁。螺旋状板磁铁组3的各板磁铁被沿其板面的垂直方向磁化，在柱状旋转轴2上以螺旋状贴附而形成多个螺旋，在柱状旋转轴的轴向上相邻的螺旋之间在上述柱状旋转轴的径向外侧形成相互不同的磁极，即形成N极和S极。需要说明的是，也可以是N极和S极的哪一方都不赋予极性，而设置强磁性体的材料。

固定外周板磁铁4如果从靶子1侧看，则形成将由螺旋状板磁铁组3构成的旋转磁铁组包围的结构，被按照使靶子1一侧变为S极的方式磁化。对于固定外周板磁铁4，也是基于与螺旋状板磁铁组3的各板磁铁相同的理由，使用Nd-Fe-B系烧结磁铁。而且，也可以不是设为S极，而是设为N极，还可以不赋予极性，而设置强磁性体的材料。

下面，使用图3对本实施方式的等离子体环形成说明其详细情况。如参照图2所说明的那样，在柱状旋转轴2上配置多个板磁铁而构成螺旋状板磁铁组3的情况下，如果从靶子侧观看螺旋状板磁铁组3，则近似地形成将板磁铁的N极的周围用配置于该板磁铁的两个相邻的板磁铁的S极及固定外周板磁铁4的S极包围的配置。图3是其示意图。此种构成下，从板磁铁的N极产生的磁力线终结于周边的S极。作为其结果，在与板磁铁面分开一定程度的靶子面中形成多个封闭的等离子体环区域301。此外，通过旋转柱状旋转轴2，多个等离子体环区域301就随着旋转而移动。图3中，等离子体环区域301朝向箭头所示的方向移动。像这样，靶子的全部正面就由等离子体区域301均等地扫描。而且，在板磁铁的端部，从端部的一方起依次产生等离子体环区域301，在另一方的端部依次消失。

而且，由于即使是在取代S极的螺旋状板磁铁组及S极的固定外周板磁铁的任一方或双方，不赋予极性地设置强磁性体的材料的情况下，从板磁铁的N极产生的磁力线也是终结于周边的该强磁性体，因此动作是相同的。

设置了被处理基板10的设置台19具有穿过靶子1下方的移动机构，在靶子正面激发等离子体期间，通过使被处理基板10向图1所示的狭缝18的正下方移动而进行成膜。

下面，对于图1的等离子体遮蔽构件16，使用图4进行详细说明。在等离子体遮蔽构件16与形成了被接地的处理室的金属制的外壁14之间，设有第一串联谐振电路41、第二串联谐振电路42、并联谐振电路43。第一串联谐振电路41及第二串联谐振电路42的各自的谐振频率通过调整电感、电容，分别被设定为作为第一等离子体激发电力的电力频率的40MHz、作为第二等离子体激发电力的电力频率的2MHz。另外，并联谐振电路43由具有电感L2、电容C2的电感器、电容器构成，其谐振频率f2(参照下式)被设定为基板RF电力的频率400kHz。

$[f2=1/\left(2\mathrm{\π}\sqrt{L2C2}\right)]$ ...式2

串联谐振电路仅在谐振频率下具有非常低的阻抗，作为带通滤波器发挥作用。在本实施例的情况下，等离子体遮蔽构件16与地之间的阻抗为1Ω以下。另一方面，并联谐振电路中，仅在谐振频率下具有非常高的阻抗，在其他的频率带中为低阻抗。本实施例中，在谐振频率下阻抗地10kΩ以上。使用此种结构，在使被处理基板10移动而成膜时施加基板RF电力。虽然在移动之时，被处理基板10穿过等离子体遮蔽构件16的下方，然而由于基板RF电力与遮蔽构件16之间的阻抗非常高，因此可以抑制在被处理基板10与等离子体遮蔽构件16之间产生等离子体。

另外，靶子1与地之间设有串联谐振电路26，在基板RF电力的频率下的阻抗为1Ω以下。由此，仅在被处理基板10穿过靶子1的下方的区域有效地供给RF电力，产生自偏压。这样，就可以通过调整基板RF电力来控制离子照射能量，形成填孔特性优异并且致密的膜。另外，在等离子体遮蔽构件16与靶子1之间的、为了等离子体激发而对靶子1施加的电力频率，设有与各个频率对应的串联谐振电路，形成非常低的阻抗，因此等离子体遮蔽构件16作为地面发挥作用。由此，就可以有效地稳定地激发等离子体。另外，即使在没有与各个频率对应的串联谐振电路的情况下，如果等离子体激发中所用的电力频率是与上述并联谐振电路的谐振频率以及其半值宽度的区域频率不同的频率，则并联谐振电路也是作为地面发挥作用，因此即使在没有串联谐振电路的情况下，等离子体遮蔽构件16也是作为地面发挥作用，可以实现有效的等离子体激发。

而且，由于等离子体遮蔽构件16是在直流上经由并联谐振电路43的电感器与外壁14连接而接地，因此还可以实现DC偏置，从而还可以实现利用DC电源的等离子体激发。在不使用DC电源的情况下，也可以将等离子体遮蔽构件16在直流上与外壁14绝缘。

另外，虽然用于向被处理基板10供给RF电力的基板RF电极21是埋设在陶瓷制的设置台19中而形成的，然而也可以取而代之，在金属制(例如铝合金或不锈钢制)的设置台上设置陶瓷板，在该陶瓷板中埋设基板RF电极21而设置。该情况下，被处理基板10被载放于陶瓷板上，电极被与被处理基板10或金属制设置台在直流上绝缘。作为陶瓷，例如可以使用氧化铝或氮化铝，作为电极可以使用Mo等耐热性金属材料。

以上，利用实施方式对本发明进行了说明，然而磁铁的构成或各种电力频率等并不限定于实施例。特别是，固定外周板磁铁4和/或螺旋状板磁铁组的一方也可以由未被磁化的强磁性体的材料构成。

工业上的利用可能性

本发明的磁控溅射装置不仅可以用于在半导体晶片等上形成绝缘膜或导电性膜，而且还可以适用于在平板显示器装置的玻璃等基板上形成各种被膜，可以在存储装置、磁记录装置或其他的电子装置的制造中，更一般地说可以在金属薄膜或绝缘物薄膜等的形成中用于溅射成膜。

Claims (9)

1.一种旋转磁铁溅射装置，其特征在于，具有：载放被处理基板的被处理基板设置台、按照与该被处理基板相面对的方式设置靶子的机构、设置在相对于靶子所放置的部分与所述被处理基板设置台相反的一侧的磁铁，通过利用该磁铁在靶子正面形成磁场而将等离子体封闭在靶子正面，

所述磁铁包括：将多个板磁铁连续地设于柱状旋转轴上的旋转磁铁组、在旋转磁铁组的周边与靶子面平行地设置并且由沿与靶子面垂直的方向磁化的磁铁或未被预先磁化的强磁性体构成的固定外周体，通过使所述旋转磁铁组与所述柱状旋转轴一起旋转，使所述靶子正面的磁场图案随时间变动，

该旋转磁铁溅射装置具备遮蔽构件，该遮蔽构件按照覆盖所述靶子的端部的方式与所述靶子分离，并且设置在相对于所述旋转磁铁组与所述靶子相反的一侧，在所述遮蔽构件中设有沿与所述柱状旋转轴的轴向相同的方向延伸并使所述靶子面对所述被处理基板而开口的狭缝，

并且通过对所述靶子施加DC电力、具有第一频率的RF电力、以及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，在靶子正面激发出等离子体，

此外，在所述被处理基板设置台中设有RF施加电极，在溅射过程中，对所述RF施加电极施加基板RF电力，从而可以使载放于所述被处理基板设置台上的被处理基板产生自偏压，

所述遮蔽构件与地之间的在所述基板RF电力的频率下的阻抗为1kΩ以上，并且所述靶子与地之间的在所述基板RF电力的频率下的阻抗为10Ω以下，此外，所述遮蔽构件与地之间的阻抗在由对所述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率下为10Ω以下。

2.根据权利要求1所述的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，所述遮蔽构件与地之间的在所述基板RF电力的频率下的所述阻抗为10kΩ以上，并且所述靶子与地之间的在所述基板RF电力的频率下的所述阻抗为1Ω以下，而且所述遮蔽构件与地之间的所述阻抗在由对所述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率下为1Ω以下。

3.根据权利要求1所述的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，在所述遮蔽构件与地之间设有LC并联谐振电路，所述LC并联谐振电路的谐振频率与所述基板RF电力的频率实质上相等，并且由对所述靶子施加的一个或两个构成的RF电力的所有的频率是选自所述谐振频率及半值宽度的区域以外的频率中的频率。

4.根据权利要求1所述的旋转磁铁溅射装置，其特征在于，在所述遮蔽构件与地之间设有LC并联谐振电路，所述LC并联谐振电路的谐振频率与所述基板RF电力的频率实质上相等，并且在所述遮蔽构件与地之间设有一个或两个LC串联谐振电路，所述一个或两个LC串联谐振电路的谐振频率与由对所述靶子施加的一个或两个构成的等离子体激发电力的该一个或各个频率实质上相等。

5.一种溅射装置，其具有：载放被处理基板的被处理基板设置台、按照与该被处理基板相面对的方式设置靶子的机构、设置在相对于靶子被放置的部分与所述被处理基板设置台相反的一侧的磁铁，通过利用该磁铁在靶子正面形成磁场而将等离子体封闭在靶子正面，该溅射装置的特征在于，

所述被处理基板设置台相对于所述靶子可以变化位置地进行移动，并且所述被处理基板设置台设有RF施加电极，在溅射过程中，对所述RF施加电极施加基板RF电力，从而可以使载放于所述被处理基板设置台上的被处理基板产生自偏压，

并且，具备遮蔽构件，其按照覆盖所述靶子的端部的方式与所述靶子分离，并且设置在相对于所述磁铁与所述靶子相反的一侧，所述遮蔽构件被开口设有狭缝，用于使所述靶子面对所述被处理基板，

对所述靶子，施加具有第一频率的RF电力及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，并且所述遮蔽构件相对于具有第一频率的RF电力及具有第二频率的RF电力中的对所述靶子施加的一个或两个RF电力的频率实质上接地。

6.根据权利要求5所述的溅射装置，其特征在于，通过对所述靶子施加DC电力、具有第一频率的RF电力、以及具有第二频率的RF电力中的至少一种电力，而在靶子正面激发出等离子体。

7.根据权利要求5或6所述的溅射装置，其特征在于，所述遮蔽构件相对于所述基板RF电力的频率实质上绝缘。

8.一种溅射方法，其特征在于，使用权利要求1至3、5和6中任意一项所述的溅射装置，在所述被处理基板上形成所述靶子的材料的膜。

9.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括使用权利要求8所述的溅射方法在被处理基板上溅射成膜的工序。

Images