WO2009110404A1 - 回転マグネットスパッタ装置 - Google Patents

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substrate
power
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忠弘 大見
哲也 後藤
孝明 松岡
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国立大学法人東北大学
東京エレクトロン株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
    • H01J37/3455—Movable magnets
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3497—Temperature of target

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering apparatus widely used for forming a metal or an insulator, and more particularly to a sputtering apparatus using a rotating magnet.
  • Sputtering devices are widely used in the manufacture of optical discs, the manufacture of electronic devices such as liquid crystal display elements and semiconductor elements, and generally in the production of metal thin films and insulator thin films.
  • Sputtering equipment uses a raw material for forming a thin film as a target, turns argon gas or the like into plasma by DC high voltage or high frequency power, activates the target with the plasma gas, melts and scatters, and deposits it on the substrate to be processed. is there.
  • a magnet is placed on the back side of the target, and magnetic lines of force are run parallel to the target surface, thereby confining plasma on the target surface and generating high-density plasma.
  • the film forming method using the magnetron sputtering apparatus to be obtained has become the mainstream.
  • Inventors and others proposed a rotating magnet sputtering device in order to improve target utilization efficiency and reduce production costs, and to enable stable long-term operation.
  • This is a configuration in which the magnetic field pattern on the target surface moves with time by continuously arranging and rotating a plurality of plate magnets on the columnar rotation axis, and greatly improves the use efficiency of the target material.
  • This is a revolutionary sputtering device that eliminates charge-up damage and ion irradiation damage caused by plasma. (See Patent Document 1).
  • the rotating magnet sputtering apparatus described in Patent Document 1 has the advantage that local wear of the target can be prevented and the target can be used for a long time.
  • the present invention can efficiently control the ion irradiation energy that reaches the substrate, improves the denseness of the thin film formed without causing contamination and charge-up damage, and is thinner.
  • An object of the present invention is to provide a rotating magnet sputtering apparatus capable of improving the hole filling characteristics by causing sputtered particles to reach the inside of the hole.
  • the present inventors apply RF power to the substrate and generate a negative self-bias voltage on the substrate surface in the rotating magnet sputtering apparatus. The experiment was conducted.
  • the present invention is to solve the problem.
  • It has a configuration in which plasma is excited on the target surface by applying at least one of the electric powers, and further, an RF application electrode is provided on the substrate to be processed, and the RF application electrode is formed during the sputtering process.
  • the substrate RF power is applied to the application electrode so that a self-bias voltage can be generated in the substrate to be processed placed on the substrate mounting table. Rotating magnet sputtering apparatus is obtained, wherein.
  • an impedance at a frequency of the substrate RF power between the shielding member and the ground is 1 k ⁇ or more, and the substrate RF power between the target and the ground.
  • the impedance between the shielding member and the ground is 10 ⁇ or less at all frequencies of one or two RF powers applied to the target.
  • the substrate RF power between the shielding member and the ground is 10 k ⁇ or more at the frequency of the substrate RF power and the substrate RF power is between the target and the ground.
  • the impedance between the shielding member and the ground is 1 ⁇ or less at all frequencies of one or two RF powers applied to the target.
  • an LC parallel resonant circuit is provided between the shielding member and the ground, and the resonant frequency of the LC parallel resonant circuit is substantially equal to the frequency of the substrate RF power,
  • all the frequencies of one or two RF powers applied to the target are frequencies selected from regions other than the resonance frequency and the half-value width region.
  • an LC parallel resonance circuit is provided between the shielding member and the ground, and a resonance frequency of the LC parallel resonance circuit is substantially equal to a frequency of the substrate RF power,
  • One or two LC series resonance circuits are provided between the shielding member and the ground, and one or two resonance frequencies of the one or two LC series resonance circuits are applied to the target.
  • a rotating magnet sputtering apparatus according to one of the first to third aspects is obtained, wherein the frequency is substantially equal to the one or each frequency of the plasma excitation power consisting of.
  • the target substrate mounting table on which the target substrate is placed the means for setting the target so as to face the target substrate, and the portion on which the target is placed,
  • the substrate mounting table is provided with an RF application electrode, and a substrate RF power is applied to the RF application electrode during the sputtering process.
  • a sputtering apparatus characterized in that a self-bias voltage can be generated on the substrate to be processed placed on the substrate to be processed mounting table is obtained.
  • a shielding member that is separated from the target so as to cover an end portion of the target and is provided on the opposite side of the target with respect to the magnet, and the shielding member
  • the sputtering apparatus according to the sixth aspect is provided, wherein a slit for opening the target to the substrate to be processed is provided.
  • the target surface is applied by applying at least one of DC power, RF power having a first frequency, and RF power having a second frequency to the target.
  • the sputtering apparatus according to the sixth aspect or the seventh aspect is characterized in that plasma is excited in the substrate.
  • the sputtering apparatus according to one of the sixth to eighth aspects, wherein the shielding member is grounded in a direct current manner.
  • At least one power of RF power having a first frequency and RF power having a second frequency is applied to the target, and the shielding member is a first member.
  • the RF power having one frequency and the RF power having a second frequency are substantially grounded to the frequency of one or two RF powers applied to the target.
  • the target material is deposited on the substrate to be processed using the sputtering apparatus according to any one of the first to eleventh aspects.
  • a sputtering method is obtained.
  • an electronic device manufacturing method including a step of forming a sputter film on a substrate to be processed using the sputtering method according to the twelfth aspect.
  • a rotating magnet sputtering apparatus it is possible to efficiently control the irradiation energy of ions such as argon ions reaching the substrate, and the thin film formed without causing contamination or charge-up damage.
  • ions such as argon ions reaching the substrate, and the thin film formed without causing contamination or charge-up damage.
  • FIG. 2 is an enlarged view of the vicinity of a plasma shielding member 16 in FIG. 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an embodiment of a magnet rotating sputtering apparatus according to the present invention.
  • reference numeral 1 denotes a target
  • 2 denotes a columnar rotating shaft
  • 3 denotes a plurality of helical plate magnet groups arranged spirally on the surface of the columnar rotating shaft
  • 4 denotes a fixed outer plate magnet arranged on the outer periphery of 3
  • 5 Is the outer peripheral paramagnetic material disposed opposite to the target on the fixed outer peripheral plate magnet
  • 6 is a backing plate (electrically conductive material having good heat conductivity, for example, copper) to which the target 1 is bonded
  • 15 is a columnar rotation
  • a paramagnetic metal conductor for example, made of stainless steel or Al, which has a structure covering the shaft 2 and the spiral plate magnet group 3 with respect to portions other than the target 1 side, however, the skirt portion 15a is made of, for example, copper having good heat conduction.
  • 8 is a passage through which the refrigerant passes
  • 9 is an insulating material (for example, quartz)
  • 10 is a substrate to be processed
  • 19 is an installation table on which the substrate to be processed is installed (movable in the horizontal direction of the drawing)
  • 11 is processing Inner space
  • 12 is a feeder wire
  • 13 is a metal cover electrically connected to the processing chamber
  • 14 is an outer wall (for example, made of aluminum or aluminum alloy) forming the processing chamber
  • 16 is a metal plasma shielding member
  • 17 is an insulating material excellent in plasma resistance
  • 18 is a slit provided in the plasma shielding member 16
  • 20 is a magnetic material (for example, iron (STCC) for forming a magnetic circuit to form a strong magnetic field on the target 1. ))).
  • STCC iron
  • the fixed outer peripheral plate magnet 4 magnetized perpendicularly to the surface of the target 1 is arranged on the outer periphery of the plurality of spiral plate magnet groups 3 . It may be replaced by a non-ferromagnetic material. That is, a fixed outer periphery made of a magnet or a ferromagnetic material that is not magnetized in advance may be disposed on the outer periphery of the plurality of spiral plate magnet groups 3.
  • the 24 is a first RF power source for plasma excitation, and 25 is a blocking capacitor.
  • the blocking capacitor 25 is additionally formed with a matching circuit by a capacitor and an inductor.
  • the power frequency of the power supply 24 is 40 MHz.
  • a second RF power source is connected in parallel with the power source 24 from the feeder line 12 through a blocking capacitor and a matching circuit.
  • the power frequency of the second RF power supply is 2 MHz.
  • the first RF power source 24 is set to a relatively high frequency of 40 MHz, and contributes to higher density and lower electron temperature of plasma excited on the target surface. In particular, when the plasma density is increased, the ion irradiation amount to the substrate 10 to be processed is improved, which leads to an improvement in film quality.
  • the power frequency of the second RF power supply is set to a relatively low value of 2 MHz.
  • the self-bias voltage of the target during plasma excitation is greatly increased negatively. This leads to an improvement in the film formation rate.
  • Such a system is very effective when an insulator target is used.
  • a DC power source can be connected in parallel with the feeder line 12 instead of the second RF power source, and the target's self-bias voltage can be controlled by the DC power source.
  • 40 MHz is used for the power frequency of the first RF power source and 2 MHz is used for the second RF power source.
  • the frequency is not limited to these, depending on the desired plasma density and film formation rate. The frequency may be changed as appropriate.
  • 21 is a substrate RF electrode embedded in the installation table 19
  • 22 is an RF power source for supplying RF power to the substrate RF electrode 21
  • 23 is a blocking capacitor.
  • a matching circuit is formed by a capacitor and an inductor accompanying the blocking capacitor 23.
  • the power frequency of the RF power source 22 is 400 kHz. This frequency may be the same frequency as the power used for plasma excitation. In that case, it is desirable to apply the power by shifting the phase so as not to interfere with the plasma excitation power. In this case, the series resonance circuit 26 described later is unnecessary.
  • This series resonant circuit is composed of an inductor having an inductance L1 and a capacitor having a capacitance C1, and the resonant frequency f2 (see the following formula) is set to be equal to the substrate RF power frequency.
  • the paramagnetic material 15 has the effect of magnetic shielding of the magnetic field generated by the magnet installed therein, and the effect of reducing the fluctuation of the magnetic field due to disturbance near the target.
  • FIG. 2 shows a perspective view of the columnar rotating shaft 2, the plurality of spiral plate magnet groups 3, and the fixed outer peripheral plate magnet 4 in order to explain the magnet portion in more detail.
  • the plurality of spiral plate magnet groups 3 constitute a rotating magnet group that rotates according to the rotation of the columnar rotating shaft 2.
  • the material of the columnar rotating shaft 2 may be normal stainless steel or the like, but it is desirable that a part or all of it is composed of a paramagnetic material having a low magnetic resistance, such as a Ni-Fe high permeability alloy.
  • the columnar rotating shaft 2 is made of a Ni—Fe high permeability alloy.
  • the columnar rotating shaft 2 can be rotated by a gear unit and a motor (not shown).
  • the cross section of the columnar rotating shaft 2 is a regular hexagon, and the length of one side is 16.7 mm.
  • a large number of rhomboid plate magnets are attached to each surface to constitute a plurality of spiral plate magnet groups 3.
  • the columnar rotating shaft 2 has a structure in which a magnet is attached to the outer periphery, and can be easily thickened and has a structure that is strong against bending due to the magnetic force applied to the magnet.
  • Each of the plate magnets constituting the spiral plate magnet group 3 is preferably a magnet having a high residual magnetic flux density, coercive force, and energy product in order to stably generate a strong magnetic field.
  • an Sm having a residual magnetic flux density of about 1.1 T -Co-based sintered magnets and Nd-Fe-B-based sintered magnets having a residual magnetic flux density of about 1.3 T are suitable.
  • an Nd—Fe—B based sintered magnet is used.
  • Each plate magnet of the spiral plate magnet group 3 is magnetized in a direction perpendicular to the plate surface, and is affixed to the columnar rotation shaft 2 in a spiral manner to form a plurality of spirals, and is adjacent to the axial direction of the columnar rotation shaft.
  • the spirals form different magnetic poles, that is, an N pole and an S pole, on the radially outer side of the columnar rotation shaft. Note that one of the N pole and the S pole may be provided with a ferromagnetic material without giving a polarity.
  • the fixed outer peripheral plate magnet 4 When viewed from the target 1, the fixed outer peripheral plate magnet 4 has a structure surrounding a rotating magnet group composed of the spiral plate magnet group 3, and is magnetized so that the target 1 side becomes the S pole. Also for the fixed outer peripheral plate magnet 4, Nd—Fe—B based sintered magnets are used for the same reason as the plate magnets of the helical plate magnet group 3. In addition, it is good also as an N pole instead of an S pole, and you may provide the thing of a ferromagnetic material without giving polarity.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram thereof. Under such a configuration, the magnetic field lines generated from the north pole of the plate magnet terminate at the surrounding south pole. As a result, a large number of closed plasma loop regions 301 are formed on the target surface that is somewhat distant from the plate magnet surface.
  • the multiple plasma loop regions 301 move with the rotation.
  • the plasma loop region 301 moves in the direction indicated by the arrow.
  • the entire surface of the target is evenly scanned by the plasma loop 301.
  • the plasma loop region 301 is sequentially generated from one of the ends, and disappears sequentially at the other end.
  • the N-pole of the plate magnet is provided. Since the magnetic field lines generated from the end terminate in the surrounding ferromagnetic material, the operation is the same.
  • the mounting table 19 on which the substrate to be processed 10 is installed has a moving mechanism that passes under the target 1, and while the plasma is excited on the surface of the target, the substrate 10 to be processed is the slit shown in FIG.
  • the film is formed by moving it directly below 18.
  • a first series resonance circuit 41, a second series resonance circuit 42, and a parallel resonance circuit 43 are provided between the plasma shielding member 16 and a metal outer wall 14 forming a processing chamber grounded to the ground.
  • the resonance frequency of each of the first series resonance circuit 41 and the second series resonance circuit 42 is 40 MHz which is the power frequency of the first plasma excitation power by adjusting the inductance and capacitance, and the second plasma excitation.
  • the power frequency is set to 2 MHz.
  • the parallel resonance circuit 43 is configured by an inductor and a capacitor having an inductance L2 and a capacitance C2, and the resonance frequency f2 (see the following formula) is set to a frequency of the substrate RF power of 400 kHz.
  • the series resonant circuit has a very low impedance only at the resonant frequency and functions as a bandpass filter.
  • the impedance between the plasma shielding member 16 and the ground is 1 ⁇ or less.
  • the parallel resonance circuit has a very high impedance only at the resonance frequency, and has a low impedance in other frequency bands.
  • the impedance is 10 k ⁇ or more at the resonance frequency.
  • a series resonance circuit 26 is provided between the target 1 and the ground, and the impedance at the frequency of the substrate RF power is 1 ⁇ or less. Therefore, the RF power is efficiently supplied only to the region where the substrate to be processed 10 passes under the target 1, and a self-bias voltage is generated. Thereby, it became possible to control the ion irradiation energy by adjusting the substrate RF power, and to form a dense film having excellent hole filling characteristics.
  • a series resonance circuit corresponding to each frequency is provided and has a very low impedance. Therefore, the plasma shielding member 16 functions as a ground plane.
  • the parallel resonance circuit is also used. Since it functions as a ground plane, the plasma shielding member 16 functions as a ground plane even when there is no series resonance circuit, and efficient plasma excitation is possible.
  • the plasma shielding member 16 is connected to the outer wall 14 via the inductor of the parallel resonance circuit 43 and grounded in a direct current, a DC bias is possible, and plasma excitation by a DC power source is also possible. Yes.
  • the plasma shielding member 16 may be insulated from the outer wall 14 in a direct current manner.
  • the substrate RF electrode 21 for supplying RF power to the substrate to be processed 10 is formed by being embedded in a ceramic mounting table 19, but instead made of metal (for example, aluminum alloy or stainless steel). It is also possible to install a ceramic plate on the installation table and embed the electrode 21 in the ceramic plate. In this case, the substrate 10 to be processed is placed on a ceramic plate, and the electrodes are galvanically insulated from the substrate 10 to be processed and the metal installation base. For example, alumina or aluminum nitride is used as the ceramic, and a heat-resistant metal material such as Mo is used as the electrode.
  • one of the fixed outer peripheral plate magnet 4 and / or the spiral plate magnet group may be made of a non-magnetized ferromagnetic material.
  • the magnetron sputtering apparatus can be used not only to form an insulating film or a conductive film on a semiconductor wafer or the like but also to form various films on a substrate such as glass of a flat panel display device. It can be applied and used for sputter deposition in the manufacture of storage devices, magnetic recording devices and other electronic devices, and more generally in the formation of metal thin films, insulator thin films and the like.

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Abstract

　プラズマ遮蔽部材とグランドに接続された外壁とを備え、プラズマ遮蔽部材と外壁間に、直列共振回路、及び、並列共振回路を有する回転マグネットスパッタ装置が得られる。直列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に低いインピーダンスを有し、並列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に高いインピーダンスを有する。このような構造とすることにより、基板ＲＦ電力とプラズマ遮蔽部材との間のインピーダンスが非常に高くなり、被処理基板１０とプラズマ遮蔽部材との間でのプラズマ発生を抑制することができる。また、ターゲットとグランドとの間は、直列共振回路が設けられているため、被処理基板がターゲットの下を通過する領域のみに効率よくＲＦ電力が供給され、セルフバイアス電圧が発生する。

Description

回転マグネットスパッタ装置
　本発明は、金属や絶縁物の成膜に広く使用されているスパッタ装置に関し、特に、回転マグネットを用いたスパッタ装置に関する。
　スパッタ装置は光ディスクの製造、液晶表示素子や半導体素子などの電子装置の製造、その他一般的に金属薄膜や絶縁物薄膜の作成において、広く使われている。スパッタ装置は薄膜形成用の原材料をターゲットとして、直流高電圧あるいは高周波電力によりアルゴンガス等をプラズマ化し、そのプラズマ化ガスによりターゲットを活性化して融解し飛散させ、被処理基板に被着させるものである。
　スパッタ成膜法においては、成膜速度を高速化するために、ターゲットの裏側に磁石を配置し、ターゲット表面に磁力線を平行に走らせることにより、ターゲット表面にプラズマを閉じ込め、高密度なプラズマを得るマグネトロンスパッタ装置による成膜法が主流となっている。
　ターゲット利用効率を向上させて生産コストを低減することや、安定した長期運転を可能とするために、発明者等は回転マグネットスパッタ装置を発案した。これは、柱状回転軸に複数の板磁石を連続的に配設してこれを回転させることによりターゲット表面の磁場パターンが時間とともに動くような構成とし、ターゲット材料の使用効率を大幅に向上させるとともに、プラズマによるチャージアップダメージ、イオン照射ダメージを無くした画期的なスパッタ装置である。（特許文献１参照）。
ＰＣＴ国際公開番号ＷＯ２００７／０４３４７６号公報
　更に、特許文献１に記載された回転マグネットスパッタ装置は、ターゲットの局所的磨耗を防止でき、ターゲットを長い時間に亘って使用できると言う利点を備えている。
　当該回転マグネットスパッタ装置によって成膜される薄膜の緻密性を向上させることや、細い穴の内部までスパッタ粒子を到達させて穴埋め特性を向上させることも、今後要求されるものと推測される。
　具体的には、本発明は、基板へ到達するイオン照射エネルギーを効率的に制御することが可能で、コンタミネーションやチャージアップダメージを発生させずに形成する薄膜の緻密性を向上させ、さらに細い孔の内部までスパッタ粒子を到達させて穴埋め特性を向上させることが可能な回転マグネットスパッタ装置を提供することにある。
　本発明者等は、プラズマ中に生成されるアルゴンイオン等のイオン照射エネルギーを増大させるために、回転マグネットスパッタ装置において、基板にＲＦ電力を印加し、基板表面に負のセルフバイアス電圧を発生させる実験を行った。
　実験には、特許文献１に記載された回転マグネットスパッタ装置のうち、ターゲットの端部を覆うようにターゲットから離隔し、且つ、螺旋状板磁石群に対して反対側に電気的に接地される遮蔽部材を備えた回転マグネットスパッタ装置を使用した。この形式の回転マグネットスパッタ装置において、基板にＲＦ電力を印加すると、ターゲット周辺に設けられた遮蔽部材と基板との間にプラズマが不所望に励起される現象が発生した。この結果、遮蔽部材を構成する原子が基板へ付着してしまい、基板のコンタミネーションは避けられないと言う現象が見出された。更に、不所望に励起されたプラズマに起因するチャージアップダメージも問題になることが明らかになった。
　回転マグネットスパッタ装置について本発明者等が得た上記のような新規な知見にもとづき、本発明は、その問題点を解決せんとするものである。
　本発明の第１の態様によれば、被処理基板を載置する被処理基板設置台と該被処理基板に対向するようにターゲットを設置する手段と、ターゲットの置かれる部分に対して前記被処理基板設置台とは反対側に設置された磁石とを有し、この磁石によってターゲット表面に磁場を形成することによりターゲット表面にプラズマを閉じ込める構成を備え、前記磁石は、複数の板磁石が柱状回転軸に連続して設けられた回転磁石群と、回転磁石群の周辺にターゲット面と平行に設置されかつターゲット面と垂直方向に磁化した磁石又は予め磁化されていない強磁性体からなる固定外周体とを含み、前記回転磁石群を前記柱状回転軸とともに回転させることにより、前記ターゲット表面の磁場パターンが時間と共に動くように構成し、更に、前記ターゲットの端部を覆うように前記ターゲットから離隔してかつ前記回転磁石群に対して前記ターゲットと反対側に設けられた遮蔽部材を具備し、前記遮蔽部材には前記柱状回転軸の軸方向と同じ方向に延在して前記ターゲットを前記被処理基板に対して開口するスリットが設けられ、且つ、前記ターゲットに、ＤＣ電力、第一の周波数をもつＲＦ電力、および第二の周波数をもつＲＦ電力のうちの少なくとも１つの電力を印加することによりターゲット表面にプラズマを励起させる構成を有し、更に、前記被処理基板設置台にＲＦ印加電極が設けられており、スパッタプロセス中に、前記ＲＦ印加電極に基板ＲＦ電力を印加して、前記被処理基板設置台に載置される被処理基板にセルフバイアス電圧を発生させることができるようにしたことを特徴とする回転マグネットスパッタ装置が得られる。
　本発明の第２の態様によれば、前記遮蔽部材とグランドとの間の、前記基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスが１ｋΩ以上であり、且つ、前記ターゲットとグランドとの間の、前記基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスが１０Ω以下であり、更に、前記遮蔽部材とグランドとの間のインピーダンスが、前記ターゲットに印加される一つまたは二つからなるＲＦ電力の全ての周波数において１０Ω以下であることを特徴とする第１の態様に記載の回転マグネットスパッタ装置が得られる。
　本発明の第３の態様によれば、前記遮蔽部材とグランドとの間の、前記基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスが１０ｋΩ以上であり、且つ、前記ターゲットとグランドとの間の、前記基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスが１Ω以下であり、更に、前記遮蔽部材とグランドとの間のインピーダンスが、前記ターゲットに印加される一つまたは二つからなるＲＦ電力の全ての周波数において１Ω以下であることを特徴とする第１の態様に記載の回転マグネットスパッタ装置が得られる。
　本発明の第４の態様によれば、前記遮蔽部材とグランドとの間にＬＣ並列共振回路が設けられ、前記ＬＣ並列共振回路の共振周波数が、前記基板ＲＦ電力の周波数と実質的に等しく、且つ、前記ターゲットに印加される一つまたは二つからなるＲＦ電力の全ての周波数が、前記共振周波数、及び半値幅の領域以外から選ばれる周波数であることを特徴とする第１の態様１乃至３の態様の一つに記載の回転マグネットスパッタ装置が得られる。
　本発明の第５の態様によれば、前記遮蔽部材とグランドとの間にＬＣ並列共振回路が設けられ、前記ＬＣ並列共振回路の共振周波数が、前記基板ＲＦ電力の周波数と実質的に等しく、且つ、前記遮蔽部材とグランドとの間に、一つまたは二つのＬＣ直列共振回路が設けられ、前記一つまたは二つのＬＣ直列共振回路の共振周波数が、ターゲットに印加される一つまたは二つからなるプラズマ励起電力の該一つまたはそれぞれの周波数と実質的に等しいことを特徴とする第１の態様乃至第３の態様の一つに記載の回転マグネットスパッタ装置が得られる。
　本発明の第６の態様によれば、被処理基板を載置する被処理基板設置台と該被処理基板に対向するようにターゲットを設置する手段と、ターゲットの置かれる部分に対して前記被処理基板設置台とは反対側に設置された磁石とを有し、この磁石によってターゲット表面に磁場を形成することによりターゲット表面にプラズマを閉じ込める構成を備え、前記被処理基板設置台は前記ターゲットに対して位置が変化できるように移動可能とされ、且つ、前記被処理基板設置台にはＲＦ印加電極が設けられており、スパッタプロセス中に、前記ＲＦ印加電極に基板ＲＦ電力を印加して、前記被処理基板設置台に載置される被処理基板にセルフバイアス電圧を発生させることができるようにしたことを特徴とするスパッタ装置が得られる。
　本発明の第７の態様によれば、前記ターゲットの端部を覆うように前記ターゲットから離隔してかつ前記磁石に対して前記ターゲットと反対側に設けられた遮蔽部材を具備し、前記遮蔽部材には前記ターゲットを前記被処理基板に対して開口するスリットが設けられたことを特徴とする第６の態様に記載のスパッタ装置が得られる。
　本発明の第８の態様によれば、前記ターゲットに、ＤＣ電力、第一の周波数をもつＲＦ電力、および第二の周波数をもつＲＦ電力のうちの少なくとも１つの電力を印加することによりターゲット表面にプラズマを励起させることを特徴とする第６の態様または第７の態様に記載のスパッタ装置が得られる。
　本発明の第９の態様によれば、前記遮蔽部材は直流的に接地されていることを特徴とする第６の態様乃至第８の態様の一つに記載のスパッタ装置が得られる。
　本発明の第１０の態様によれば、前記ターゲットには、第一の周波数をもつＲＦ電力および第二の周波数をもつＲＦ電力のうちの１つの電力が少なくとも印加され、かつ前記遮蔽部材は第一の周波数をもつＲＦ電力および第二の周波数をもつＲＦ電力のうちの前記ターゲットに印加される１つまたは２つのＲＦ電力の周波数に対して実質的に接地されていることを特徴とする請求項６乃至９の一つに記載のスパッタ装置が得られる。
　本発明の第１１の態様によれば、前記遮蔽部材は前記基板ＲＦ電力の周波数に対して実質的に絶縁されていることを特徴とする請求項６乃至１０の一つに記載のスパッタ装置が得られる。
　本発明の第１２の態様によれば、第１の態様から第１１の態様のいずれかに記載のスパッタ装置を用いて、前記被処理基板に前記ターゲットの材料を成膜することを特徴とするスパッタ方法が得られる。
　本発明の第１３の態様によれば、第１２の態様に記載のスパッタ方法を用いて被処理基板にスパッタ成膜する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法が得られる。
　本発明によれば、回転マグネットスパッタ装置において、基板へ到達するアルゴンイオン等のイオン照射エネルギーを効率的に制御することが可能となり、コンタミネーションやチャージアップダメージを発生させずに形成する薄膜の緻密性を向上させ、さらに細い孔の内部までスパッタ粒子を到達させて穴埋め特性を向上させることが可能となる。
本発明の実施形態に係るマグネット回転スパッタ装置を示す概略構成図である。 図１に示されたマグネット回転スパッタ装置の磁石部分をより詳細に説明するための斜視図である。 本発明におけるプラズマループ形成を説明する図である。 図１のプラズマ遮蔽部材１６付近の拡大図である。
符号の説明
１　　　ターゲット
２　　　柱状回転軸
３　　　螺旋状板磁石群
４　　　固定外周板磁石
５　　　外周常磁性体
６　　　バッキングプレート
８　　　冷媒通路
９　　　絶縁材
１０　　被処理基板
１１　　処理室内空間
１２　　フィーダ線
１３　　カバー
１４　　外壁
１５　　常磁性金属導電体
１６　　プラズマ遮蔽部材
１７　　絶縁材
１８　　スリット
１９　　設置台
２０　　磁性体
２１　　基板ＲＦ電極
２２　　ＲＦ電源
２３　　ブロッキングコンデンサ
２４　　第一のＲＦ電源
２５　　ブロッキングコンデンサ
２６　　直列共振回路
４１　　第一の直列共振回路
４２　　第二の直列共振回路
　以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。
　図１は本発明によるマグネット回転スパッタ装置の実施の形態の構成を説明する断面図である。
　図１において、１はターゲット、２は柱状回転軸、３は柱状回転軸２の表面に螺旋状に配置した複数の螺旋状板磁石群、４は３の外周に配置した固定外周板磁石、５は固定外周板磁石４にターゲットとは反対側に対向して配置した外周常磁性体、６はターゲット１が接着されているバッキングプレート（熱伝導の良い導電体、たとえば銅製）、１５は柱状回転軸２及び螺旋状板磁石群３を、前記ターゲット１側以外の部分について覆う構造をなす常磁性金属導電体（たとえば、ステンレスまたはＡｌ製、ただし、その裾の部分１５ａは熱伝導の良い例えば銅製としている）、８は冷媒を通す通路、９は絶縁材（例えば石英）、１０は被処理基板、１９は被処理基板を設置する設置台（図面の左右方向に移動可能になっている）、１１は処理室内空間、１２はフィーダ線、１３は処理室と電気的に接続された金属製カバー、１４は処理室を形成する外壁（例えば、アルミニウム、又はアルミニウム合金製）、１６は金属製のプラズマ遮蔽部材、１７は耐プラズマ性に優れた絶縁材、１８はプラズマ遮蔽部材１６に設けられたスリット、２０は磁気回路を形成してターゲット１上に強磁場を形成するための磁性体（例えば鉄（ＳＴＣＣ）製）である。
　尚、以下では、複数の螺旋状板磁石群３の外周に、ターゲット１面と垂直に磁化した固定外周板磁石４を配置した例について説明するが、当該固定外周板磁石４は、予め磁化されていない強磁性体によって置き換えても良い。即ち、複数の螺旋状板磁石群３の外周には、磁石又は予め磁化されていない強磁性体からなる固定外周体が配置されれば良い。
　２４はプラズマ励起用の第一のＲＦ電源、２５はブロッキングコンデンサである。なお、図示してないが、ブロッキングコンデンサ２５には、付随してコンデンサやインダクタによりマッチング回路が形成されている。電源２４の電力周波数は４０ＭＨｚである。また、図示していないが、フィーダ線１２からは電源２４と並列に第二のＲＦ電源が、同じくブロッキングコンデンサ、マッチング回路を介して接続されている。第二のＲＦ電源の電力周波数は２ＭＨｚである。第一のＲＦ電源２４は、周波数が４０ＭＨｚと比較的高く設定されており、ターゲット表面に励起されるプラズマの高密度化、低電子温度化に寄与する。特に、プラズマが高密度化すると、被処理基板１０へのイオン照射量が向上し、膜質の向上につながる。
　また、第二のＲＦ電源の電力周波数は２ＭＨｚと比較的低い値に設定されている。第二のＲＦ電源から電力を印加することにより、プラズマ励起中のターゲットのセルフバイアス電圧が負に大きく発生する。これにより成膜レートの向上につながる。このような二周波励起プラズマを用いることで、膜質や成膜レートの制御が非常に容易になる。このような方式は絶縁物のターゲットを用いる時に非常に有効である。なお、ターゲットが導電性である場合は、第二のＲＦ電源の代わりにＤＣ電源をフィーダ線１２と並列に接続し、ターゲットのセルフバイアス電圧をＤＣ電源で制御することも可能である。本実施例においては、第一のＲＦ電源の電力周波数に４０ＭＨｚを、第二のそれに２ＭＨｚを用いたが、周波数について、これらに限られることは無く、所望のプラズマ密度や成膜レートに応じて適宜周波数を変化させて良い。
　２１は設置台１９に埋設された基板ＲＦ電極、２２は基板ＲＦ電極２１にＲＦ電力を供給するＲＦ電源、２３はブロッキングコンデンサである。なお、図示してないが、ブロッキングコンデンサ２３に付随してコンデンサやインダクタによりマッチング回路が形成されている。ＲＦ電源２２の電力周波数は４００ｋＨｚである。この周波数は、プラズマ励起に用いる電力と同じ周波数を用いても良い。その場合はプラズマ励起電力と干渉しないように、位相をずらして電力印加することが望ましく、またこの場合は後述の、直列共振回路２６は不要となる。
　２６は、ＬＣ直列共振回路であり、フィーダ線１２とグランドの間に設けられている。この直列共振回路は、インダクタンスL1をもつインダクタ、キャパシタンスC1をもつキャパシタにより構成されており、共振周波数ｆ２（下式参照）が、基板ＲＦ電力周波数と等しくなるように設定されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　常磁性体１５は、その内部に設置された磁石で発生した磁界の磁気シールドの効果及びターゲット近辺での外乱による磁場の変動を減少する効果を持つ。
　より詳細に磁石部分を説明するために、柱状回転軸２、複数の螺旋状板磁石群３、固定外周板磁石４の斜視図を図２に示す。ここで、複数の螺旋状板磁石群３は柱状回転軸２の回転にしたがって回転する回転磁石群を構成している。
　柱状回転軸２の材質としては通常のステンレス鋼等でも良いが、磁気抵抗の低い常磁性体、例えば、Ni-Fe系高透磁率合金等で一部または全てを構成することが望ましい。本実施の形態においては、Ni-Fe系高透磁率合金で柱状回転軸２が構成されている。柱状回転軸２は、図示しないギアユニットおよびモータにより回転させることが可能となっている。
　柱状回転軸２はその断面が正１６角形となっており、一辺の長さは16.7mmとした。それぞれの面に菱形の板磁石が多数取り付けられ、複数の螺旋状板磁石群３を構成している。
　この柱状回転軸２は外周に磁石を取り付ける構造であり、太くすることも容易であり磁石にかかる磁力による曲がりには強い構造となっている。螺旋状板磁石群３を構成する各板磁石は強い磁界を安定して発生させるために、残留磁束密度、保磁力、エネルギー積の高い磁石が望ましく、例えば、残留磁束密度が1.1T程度のSm-Co系焼結磁石、さらには残留磁束密度が1.3T程度あるNd-Fe-B系焼結磁石等が好適である。本実施の形態においては、Nd-Fe-B系焼結磁石を使用した。螺旋状板磁石群３の各板磁石はその板面の垂直方向に磁化されており、柱状回転軸２に螺旋状に貼り付けて複数の螺旋を形成し、柱状回転軸の軸方向に隣り合う螺旋同士が前記柱状回転軸の径方向外側に互いに異なる磁極、すなわちＮ極とＳ極を形成している。なお、Ｎ極とＳ極のどちらか一方は極性を附与せずに、強磁性体のものを設けても良い。
　固定外周板磁石４は、ターゲット１から見ると、螺旋状板磁石群３からなる回転磁石群を囲んだ構造をなし、ターゲット１の側がＳ極となるように磁化されている。固定外周板磁石４についても、螺旋状板磁石群３の各板磁石と同様の理由でNd-Fe-B系焼結磁石を用いている。なお、Ｓ極でなくＮ極としても良いし、極性を附与せずに、強磁性体のものを設けても良い。
　次に、図３を用いて本実施の形態におけるプラズマループ形成についてその詳細を説明する。図２を参照して説明したように、柱状回転軸２に多数の板磁石を配置することによって螺旋状板磁石群３を構成した場合、ターゲット側から螺旋状板磁石群３を見ると、近似的に板磁石のＮ極の周りを、当該板磁石の両隣に配置された板磁石のＳ極および固定外周板磁石４のＳ極が囲んでいる配置となる。図３はその概念図である。このような構成の下、板磁石のＮ極から発生した磁力線は周辺のＳ極へ終端する。この結果として、板磁石面からある程度離れたターゲット面においては閉じたプラズマループ領域３０１が多数形成される。さらに、柱状回転軸２を回転させることで、多数のプラズマループ領域３０１は回転と共に動く。図３においては、矢印の示す方向へプラズマループ領域３０１が動くこととなる。こうして、ターゲットの全表面はプラズマループ３０１によって均等にスキャンされることになる。なお、板磁石の端部においては、端部の一方からプラズマループ領域３０１が順次発生し、他方の端部で順次消滅する。
　なお、Ｓ極の螺旋状板磁石群およびＳ極の固定外周板磁石のどちらか一方または両方の代わりに極性を附与せずに強磁性体のものを設けた場合でも、板磁石のＮ極から発生した磁力線は周辺の当該強磁性体へ終端するから、動作は同様のものとなる。
　被処理基板１０が設置された設置台１９は、ターゲット１の下を通過する移動機構を有し、ターゲット表面にプラズマを励起している間に、被処理基板１０を図１に示されたスリット１８の真下へ移動させることで成膜を行う。
　次に、図１におけるプラズマ遮蔽部材１６について、図４を用いて詳細に説明する。プラズマ遮蔽部材１６と、グランドに接地された処理室を形成する金属製の外壁１４との間に、第一の直列共振回路４１、第二の直列共振回路４２、並列共振回路４３が設けられている。第一の直列共振回路４１、及び第二の直列共振回路４２のそれぞれの共振周波数は、インダクタンス、キャパシタンスを調整することで、第一のプラズマ励起電力の電力周波数である４０ＭＨｚ、第二のプラズマ励起電力の電力周波数である２ＭＨｚにそれぞれ設定されている。また、並列共振回路４３は、インダクタンスL2、キャパシタンスC2を有するインダクタ、キャパシタにより構成されており、その共振周波数ｆ２（下式参照）が基板ＲＦ電力の周波数４００ｋＨｚに設定されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　直列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に低いインピーダンスを有しており、バンドパスフィルタとして機能する。本実施例の場合には、プラズマ遮蔽部材１６とグランドとの間のインピーダンスは１Ω以下となっている。一方、並列共振回路では、共振周波数においてのみ非常に高いインピーダンスを有し、その他の周波数帯では低インピーダンスである。本実施例においては、共振周波数においてインピーダンスは１０ｋΩ以上となっている。このような構造を用い、被処理基板１０を移動させて成膜する際に基板ＲＦ電力を印加する。移動する際に被処理基板１０はプラズマ遮蔽部材１６の下を通過するが、基板ＲＦ電力と遮蔽部材１６との間のインピーダンスが非常に高いため、被処理基板１０とプラズマ遮蔽部材１６との間でのプラズマ発生を抑制することが可能となった。
　また、ターゲット１とグランドとの間は、直列共振回路２６が設けられており、基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスは１Ω以下となっている。よって、被処理基板１０がターゲット１の下を通過する領域のみに効率よくＲＦ電力が供給され、セルフバイアス電圧が発生する。これにより、基板ＲＦ電力を調整することでイオン照射エネルギーを制御し、穴埋め特性に優れ、かつ緻密な膜を形成することが可能となった。また、プラズマ遮蔽部材１６とターゲット１との間の、プラズマ励起のためにターゲット１に印加する電力周波数においては、それぞれの周波数に対応する直列共振回路が設けられ、非常に低インピーダンスとなっているため、プラズマ遮蔽部材１６はグランド面として機能する。よって、効率良く安定にプラズマを励起することが可能である。また、それぞれの周波数に対応する直列共振回路が無い場合においても、プラズマ励起に用いる電力周波数が、前記並列共振回路の共振周波数、及びその半値幅の領域と異なる周波数であれば、並列共振回路もグランド面として機能するため、直列共振回路が無い場合でもプラズマ遮蔽部材１６はグランド面として機能し、効率良いプラズマ励起が可能である。
　なお、プラズマ遮蔽部材１６は直流的には並列共振回路４３のインダクタを介して外壁１４に接続され接地されているので、ＤＣバイアスも可能となっており、ＤＣ電源によるプラズマ励起も可能になっている。ＤＣ電源を用いない場合には、プラズマ遮蔽部材１６を直流的には外壁１４から絶縁するようにしてもよい。
　また、被処理基板１０にＲＦ電力を供給するための基板ＲＦ電極２１は、セラミックス製の設置台１９に埋設して形成されているが、その代わりに、金属製（たとえばアルミニウム合金やステンレス製）の設置台の上にセラミックス板を設置し、そのセラミックス板に電極２１を埋設して設けても良い。この場合、被処理基板１０はセラミックス板に載置され、電極は被処理基板１０や金属製設置台とは直流的に絶縁される。セラミックスとしては、たとえばアルミナや窒化アルミニウム、電極としてはＭｏ等の耐熱性金属材料が用いられる。
　以上、本発明を実施の形態によって説明したが、磁石の構成や各種電力周波数等は実施例に限定されるものではない。特に、固定外周板磁石４および／または螺旋状板磁石群の一方は磁化されていない強磁性体のものによって構成されても良い。
　本発明に係るマグネトロンスパッタ装置は、半導体ウェハ等に絶縁膜或いは導電性膜を形成するために使用できるだけでなく、フラットパネルディスプレイ装置のガラス等の基板に対して種々の被膜を形成するのにも適用でき、記憶装置、磁気記録装置やその他の電子装置の製造、更に一般的に金属薄膜や絶縁物薄膜等の形成においてスパッタ成膜のために使用することができる。

Claims (13)

  1. 　被処理基板を載置する被処理基板設置台と、該被処理基板に対向するようにターゲットを設置する手段と、ターゲットの置かれる部分に対して前記被処理基板設置台とは反対側に設置された磁石とを有し、この磁石によってターゲット表面に磁場を形成することによりターゲット表面にプラズマを閉じ込める構成を備えると共に、
    　前記磁石は、複数の板磁石が柱状回転軸に連続して設けられた回転磁石群と、回転磁石群の周辺にターゲット面と平行に設置されかつターゲット面と垂直方向に磁化した磁石又は予め磁化されていない強磁性体からなる固定外周体とを含み、前記回転磁石群を前記柱状回転軸とともに回転させることにより、前記ターゲット表面の磁場パターンが時間と共に動くように構成し、
    　前記ターゲットの端部を覆うように前記ターゲットから離隔し、且つ、前記回転磁石群に対して前記ターゲットと反対側に設けられた遮蔽部材を具備し、前記遮蔽部材には前記柱状回転軸の軸方向と同じ方向に延在して前記ターゲットを前記被処理基板に対して開口するスリットが設けられ、且つ、
    　前記ターゲットに、ＤＣ電力、第一の周波数をもつＲＦ電力、および第二の周波数をもつＲＦ電力のうちの少なくとも１つの電力を印加することによりターゲット表面にプラズマを励起させる構成を有し、
    　更に、前記被処理基板設置台にＲＦ印加電極が設けられており、スパッタプロセス中に、前記ＲＦ印加電極に基板ＲＦ電力を印加して、前記被処理基板設置台に載置される被処理基板にセルフバイアス電圧を発生させることができるようにしたことを特徴とする回転マグネットスパッタ装置。
  2. 　前記遮蔽部材とグランドとの間の、前記基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスが１ｋΩ以上であり、且つ、前記ターゲットとグランドとの間の、前記基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスが１０Ω以下であり、更に、前記遮蔽部材とグランドとの間のインピーダンスが、前記ターゲットに印加される一つまたは二つからなるＲＦ電力の全ての周波数において１０Ω以下であることを特徴とする請求項１に記載の回転マグネットスパッタ装置。
  3. 　前記遮蔽部材とグランドとの間の、前記基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスが１０ｋΩ以上であり、かつ前記ターゲットとグランドとの間の、前記基板ＲＦ電力の周波数におけるインピーダンスが１Ω以下であり、且つ、前記遮蔽部材とグランドとの間のインピーダンスが、前記ターゲットに印加される一つまたは二つからなるＲＦ電力の全ての周波数において１Ω以下であることを特徴とする請求項１に記載の回転マグネットスパッタ装置。
  4. 　前記遮蔽部材とグランドとの間にＬＣ並列共振回路が設けられ、前記ＬＣ並列共振回路の共振周波数が、前記基板ＲＦ電力の周波数と実質的に等しく、且つ、前記ターゲットに印加される一つまたは二つからなるＲＦ電力の全ての周波数が、前記共振周波数、及び半値幅の領域以外から選ばれる周波数であることを特徴とする請求項１乃至３の一つに記載の回転マグネットスパッタ装置。
  5. 　前記遮蔽部材とグランドとの間にＬＣ並列共振回路が設けられ、前記ＬＣ並列共振回路の共振周波数が、前記基板ＲＦ電力の周波数と実質的に等しく、且つ、前記遮蔽部材とグランドとの間に、一つまたは二つのＬＣ直列共振回路が設けられ、前記一つまたは二つのＬＣ直列共振回路の共振周波数が、前記ターゲットに印加される一つまたは二つからなるプラズマ励起電力の該一つまたはそれぞれの周波数と実質的に等しいことを特徴とする請求項１乃至３の一つに記載の回転マグネットスパッタ装置。
  6. 　被処理基板を載置する被処理基板設置台と該被処理基板に対向するようにターゲットを設置する手段と、ターゲットの置かれる部分に対して前記被処理基板設置台とは反対側に設置された磁石とを有し、この磁石によってターゲット表面に磁場を形成することによりターゲット表面にプラズマを閉じ込めるスパッタ装置であって、
    　前記被処理基板設置台は前記ターゲットに対して位置が変化できるように移動可能とされ、かつ前記被処理基板設置台にはＲＦ印加電極が設けられており、スパッタプロセス中に、前記ＲＦ印加電極に基板ＲＦ電力を印加して、前記被処理基板設置台に載置される被処理基板にセルフバイアス電圧を発生させることができるようにしたことを特徴とするスパッタ装置。
  7. 　前記ターゲットの端部を覆うように前記ターゲットから離隔してかつ前記磁石に対して前記ターゲットと反対側に設けられた遮蔽部材を具備し、前記遮蔽部材には前記ターゲットを前記被処理基板に対して開口するスリットが設けられたことを特徴とする請求項６に記載のスパッタ装置。
  8. 　前記ターゲットに、ＤＣ電力、第一の周波数をもつＲＦ電力、および第二の周波数をもつＲＦ電力のうちの少なくとも１つの電力を印加することによりターゲット表面にプラズマを励起させることを特徴とする請求項６または７に記載のスパッタ装置。
  9. 　前記遮蔽部材は直流的に接地されていることを特徴とする請求項６乃至８の一つに記載のスパッタ装置。
  10. 　前記ターゲットには、第一の周波数をもつＲＦ電力及び第二の周波数をもつＲＦ電力のうちの１つの電力が少なくとも印加され、且つ、前記遮蔽部材は第一の周波数をもつＲＦ電力および第二の周波数をもつＲＦ電力のうちの前記ターゲットに印加される１つまたは２つのＲＦ電力の周波数に対して実質的に接地されていることを特徴とする請求項６乃至９の一つに記載のスパッタ装置。
  11. 　前記遮蔽部材は前記基板ＲＦ電力の周波数に対して実質的に絶縁されていることを特徴とする請求項６乃至１０の一つに記載のスパッタ装置。
  12. 　請求項１から１１のいずれかに記載のスパッタ装置を用いて、前記被処理基板に前記ターゲットの材料を成膜することを特徴とするスパッタ方法。
  13. 　請求項１２に記載のスパッタ方法を用いて被処理基板にスパッタ成膜する工程を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
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