DE19708344A1 - Sputterkathode - Google Patents
SputterkathodeInfo
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Description
Die Erfindung betrifft eine Sputterkathode mit ei
nem Kathodengrundkörper mit einem aus mindestens
einem Teil gebildeten ebenen, plattenförmigen Tar
get sowie mit einem hinter dem Target angeordneten
Magnetjoch mit zwei in ovaler oder in rechteckiger
Konfiguration und parallel zueinander in einer zur
Targetebene parallelen Ebene angeordneten Reihen
von Magneten unterschiedlicher Polung zur Erzeu
gung eines in sich geschlossenen Tunnels aus bo
genförmig gekrümmten Feldlinien vor der dem
Substrat zugekehrten Targetfläche
Es ist eine Sputterkathode des in Frage stehenden
Typs bekannt (US 4,865,708), bei der zwischen dem
Target einerseits und dem Magnetjoch andererseits
in der Ebene der Magnetreihen, und zwar unterhalb
der Ebene der dem Target zugewandten vorderen Ma
gnetflächen Segmente aus permeablem Werkstoff an
geordnet sind, um den sich vor dem Target ausbil
denden Tunnel aus gekrümmten Feldlinien konkav ab
zulenken, um so einen breiteren Orosionsgraben am
Target und damit eine höhere Targetstandzeit zu
ermöglichen.
Bekannt ist auch ein Target im wesentlichen glei
cher Konfiguration (US 5,415,754), bei dem jedoch
die Segmente oder Blechzuschnitte aus permeablem
Werkstoff etwas oberhalb der Ebene der dem Target
zugewandten vorderen Magnetflächen angeordnet
sind.
In der Praxis hat sich jedoch gezeigt, daß die Ab
flachung der Magnetfeldlinien des magnetischen
Tunnels nicht bei beiden Ausführungsformen in der
erwünschten Art erfolgt, nämlich derart, daß sich
die Feldlinien im unmittelbaren Bereich der Tar
getvorderseite über einen möglichst großen Bereich
parallel zur Ebene des Targets ausrichten.
Bekannt ist weiterhin eine Kathodenkonfiguration
(JP 1-14 70 63 A, in: Patent Abstracts of Japan,
C-634, Sept. 8, 1989, Vol. 13, No. 408), bei der
Blechzuschnitte aus magnetisch leitfähigem Materi
al in Vertiefungen eingelegt sind, die auf der dem
Targetwerkstoff zugewandten Seite der Targetrüc
kenplatte in diese eingeschnitten sind. Die Blech
zuschnitte sind dabei sowohl oberhalb der Stirn
seiten der Permanentmagnete, als auch in den Be
reichen zwischen den Reihen von Magneten vorgese
hen. Diese Ausführungsform hat jedoch den Nach
teil, daß die Fertigung der Rückenplatte mit den
in diese eingelegten Segmenten schwierig ist, wo
bei auch das erzeugte Magnetfeld noch nicht voll
befriedigend ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, die Magnete und die Segmente bzw. Blechzu
schnitte so anzuordnen, daß sich ein möglichst
flacher und besonders breiter Orosionsgraben wäh
rend des Sputterbetriebs ausbildet, ein möglichst
optimaler Targetabtrag erfolgt und eine möglichst
geringe Bauhöhe der Kathode ermöglicht wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch in
den Targetwerkstoff eingelegte, von diesem all
seits umschlossene Blechzuschnitte aus magnetisch
leitfähigem Material, wobei mindestens zwei dieser
streifenförmigen Blechzuschnitte im Abstand zu den
Seitenflächen des plattenförmigen Targets und par
allel zu diesen ausgerichtet vorgesehen sind und
mindestens ein weiterer streifenförmiger Blechzu
schnitt in einer Ebene parallel der Bodenfläche
des Targets und im Abstand zu dieser.
Weitere Merkmale und Einzelheiten sind in den Pa
tentansprüchen näher beschrieben und gekennzeich
net.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh
rungsmöglichkeiten zu; eine davon ist in der an
hängenden Zeichnung rein schematisch näher darge
stellt, die den Schnitt quer durch die eine Hälfte
einer Kathode zeigt.
Die Sputterkathode nach der Erfindung besteht aus
einem Kathodengrundkörper 2 mit einer etwa paral
lelepipeden Konfiguration, in den eine Nut 4 ein
geschnitten ist, die ein in der Draufsicht gesehen
etwa geschlossenes Oval bildet. In diese Nut 4 ist
ein im Querschnitt U-förmiges Magnetjoch 3 einge
legt, dessen Schenkel 9,10 jeweils eine endlose
Reihe 5 bzw. 6 von stabförmigen Permanentmagneten
7, 7', . . . bzw. 8, 8', . . . tragen. Oberhalb des Ma
gnetjochs 3 mit seinen Magnetreihen 5 bzw. 6 ist
ein Target 11 in einem Targetrahmen oder Target
wanne 1 angeordnet, wobei in die Targetwanne 1 das
Target 11 direkt eingeformt, beispielsweise einge
gossen ist. Zu diesem Zweck ist der für die Wanne
1 gewählte Werkstoff verschieden von demjenigen
des Targets 11 gewählt. Im dargestellten Ausfüh
rungsbeispiel könnte die Wanne aus Edelstahl und
das Target aus Zinn gebildet sein. Vor dem Eingie
ßen des flüssigen Targetmaterials werden in die
Targetwanne 1 streifenförmige Blechzuschnitte 12,
13, 14 eingelegt, wobei zwei der Blechzuschnitte
jeweils im Abstand a von den Seitenflächen 1a, 1b
der Targetwanne 1 und in Ebenen parallel der Ebe
nen der Seitenflächen 1a, 1b vorgesehen sind und
ein dritter Blechzuschnitt 14 in einer Ebene par
allel der Bodenfläche 1c der Targetwanne 1 im Ab
stand b zur Bodenfläche 1c.
Um sicherzustellen, daß die Blechzuschnitte 12,
13, 14 während des Eingießens des flüssigen Tar
getwerkstoffs in die Targetwanne 1 in der ge
wünschten Position verharren, sind die Blechzu
schnitte 12, 13, 14 mit sehr dünnen Stegen oder
Drähten 15, 15a bzw. 16, 16a versehen, die in ent
sprechende Vertiefungen oder Bohrungen in den
Wandpartien der Targetwanne 1 eingeschoben und
dort gehalten sind. Es ist klar, daß diese Drähte
15, 15a bzw. 16, 16a auch so gestaltet sein kön
nen, daß sie nach dem Eingießen des geschmolzenen
Targetwerkstoffs in die aus einem anderen Werk
stoff bestehende Targetwanne 1 und nach dem Er
starren der Schmelze entfernbar sind.
Herkömmliche Magnetronkathoden, bestehend aus ei
ner einfachen Magnetanordnung (zwei Magnetreihen,
deren Polarität gegenläufig ist), erzeugen in ih
rem Target im allgemeinen einen spitz zulaufenden
Sputtergraben. Dieser ist in der Regel um so
schmaler, je tiefer er wird. Das Wesen der Erfin
dung besteht nun darin, daß ein Magnetfeld mit Ma
gnetfeldlinien 17, 17', . . . geformt wird, das
oberhalb der Targetstirnfläche 18 und im Target 11
unterschiedlich ist. Das Feld oberhalb der Target
stirnfläche 18 entspricht dem herkömmlicher Magne
tronkathoden und verläuft annähernd parallel zur
Targetstirnfläche 18 und tritt an den beiden Sei
ten des Targets 11 aus bzw. ein.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Kathoden wird im
Target nach der Erfindung ein Feld erzeugt, das
aus einem flachen Dachfeld besteht. Damit verbrei
tet sich das Plasma auf der Targetoberfläche, wes
halb verstärkt nicht mehr der Mittelbereich des
Targets, sondern die Randbereiche abgetragen wer
den. Dies führt zu einer erheblichen Erhöhung der
Targetausnutzung und damit zur Erhöhung der Stand
zeit, da der Sputtergraben damit deutlich breiter
ausfällt.
1
Targetrahmen, Targetwanne
2
Kathodengrundkörper
3
Magnetjoch
4
Nut
5
Magnetreihe
6
Magnetreihe
7
,
7
',. . . Permanentmagnet
8
,
8
',. . . Permanentmagnet
9
Schenkel
10
Schenkel
11
Target
12
Segment, Blechzuschnitt
13
Segment, Blechzuschnitt
14
Segment, Blechzuschnitt
15
,
15
a Steg, Draht
16
,
16
a Steg, Draht
17
,
17
', . . . Magnetfeldlinie
18
Targetoberfläche, Targetstirnfläche
Claims (2)
1. Sputterkathode mit einem Kathodengrundkörper
(2) mit einem aus mindestens einem Teil ge
bildeten ebenen, plattenförmigen Target (11)
sowie mit einem hinter dem Target (11) ange
ordneten Magnetjoch (3) mit zwei in ovaler
oder in rechteckiger Konfiguration und paral
lel zueinander in einer zur Targetebene pa
rallelen Ebene angeordneten Reihen von Magne
ten (7, 7', . . .; 8, 8', . . .) unterschiedlicher
Polung zur Erzeugung eines in sich geschlos
senen Tunnels aus bogenförmig gekrümmten
Feldlinien vor der dem Substrat zugekehrten
Targetfläche (18), gekennzeichnet durch in
den Targetwerkstoff (11) eingelegte, von die
sem allseits umschlossene Blechzuschnitte
oder Segmente (12, 13, 14) aus magnetisch
leitfähigem Material, wobei mindestens je
weils einer dieser streifenförmigen Blechzu
schnitte (12 bzw. 13) im Abstand (a) zu jeder
Seitenfläche (1a, 1b) des plattenförmigen
Targets (11) und parallel zu dieser ausge
richtet vorgesehen und mindestens ein weite
rer streifenförmiger Blechzuschnitt (14) in
einer Ebene parallel der Bodenfläche (17) des
Targets (11) und im Abstand (b) zu dieser
vorgesehen ist.
2. Sputterkathode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Segmente oder Blechzu
schnitte (12, 13, 14) an ihren den Seitenflä
chen (1a, 1b, 17) der Targetwanne (1) zuge
kehrten Seitenflächen (12a, 13a, 14a) mit
fingerartigen Drahtenden (15, 15a, 16, 16a)
oder Stegen versehen sind, mit denen sie an
der Targetwanne (1) abgestützt und gehalten
sind.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19708344A DE19708344A1 (de) | 1997-03-01 | 1997-03-01 | Sputterkathode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19708344A DE19708344A1 (de) | 1997-03-01 | 1997-03-01 | Sputterkathode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19708344A1 true DE19708344A1 (de) | 1998-09-03 |
Family
ID=7821933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19708344A Withdrawn DE19708344A1 (de) | 1997-03-01 | 1997-03-01 | Sputterkathode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19708344A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1744347A1 (de) * | 2005-07-11 | 2007-01-17 | Heraeus, Inc. | Verbessertes Magnetron-Sputtertarget |
EP2631328A1 (de) * | 2012-02-24 | 2013-08-28 | Sumika Technology Co., Ltd. | Verbund-Target und Verfahren zur Herstellung davon |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4964968A (en) * | 1988-04-30 | 1990-10-23 | Mitsubishi Kasei Corp. | Magnetron sputtering apparatus |
DE3433166C2 (de) * | 1983-09-12 | 1990-10-25 | Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col., Us | |
EP0645798A1 (de) * | 1989-01-30 | 1995-03-29 | Mitsubishi Kasei Corporation | Magnetronsputteranlage |
WO1995012003A2 (en) * | 1993-10-22 | 1995-05-04 | Manley Barry W | Method and apparatus for sputtering magnetic target materials |
US5415754A (en) * | 1993-10-22 | 1995-05-16 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Method and apparatus for sputtering magnetic target materials |
-
1997
- 1997-03-01 DE DE19708344A patent/DE19708344A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3433166C2 (de) * | 1983-09-12 | 1990-10-25 | Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col., Us | |
US4964968A (en) * | 1988-04-30 | 1990-10-23 | Mitsubishi Kasei Corp. | Magnetron sputtering apparatus |
EP0645798A1 (de) * | 1989-01-30 | 1995-03-29 | Mitsubishi Kasei Corporation | Magnetronsputteranlage |
WO1995012003A2 (en) * | 1993-10-22 | 1995-05-04 | Manley Barry W | Method and apparatus for sputtering magnetic target materials |
US5415754A (en) * | 1993-10-22 | 1995-05-16 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Method and apparatus for sputtering magnetic target materials |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
2- 22467 A.,C-706,April 3, 1990,Vol. 14,No. 171 * |
JP Patents Abstracts of Japan: 2-194171 A.,C-769,Oct. 15, 1990,Vol. 14,No. 470 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1744347A1 (de) * | 2005-07-11 | 2007-01-17 | Heraeus, Inc. | Verbessertes Magnetron-Sputtertarget |
EP2631328A1 (de) * | 2012-02-24 | 2013-08-28 | Sumika Technology Co., Ltd. | Verbund-Target und Verfahren zur Herstellung davon |
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