DE19708344A1 - Sputterkathode - Google Patents

Sputterkathode

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DE19708344A1
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Germany
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sheet metal
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Withdrawn
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DE19708344A
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English (en)
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Joerg Krempel-Hesse
Martin Dr Baehr
Rolf Adam
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leybold Systems GmbH
Original Assignee
Leybold Systems GmbH
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405Magnetron sputtering
    • H01J37/3408Planar magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

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Description

Die Erfindung betrifft eine Sputterkathode mit ei­ nem Kathodengrundkörper mit einem aus mindestens einem Teil gebildeten ebenen, plattenförmigen Tar­ get sowie mit einem hinter dem Target angeordneten Magnetjoch mit zwei in ovaler oder in rechteckiger Konfiguration und parallel zueinander in einer zur Targetebene parallelen Ebene angeordneten Reihen von Magneten unterschiedlicher Polung zur Erzeu­ gung eines in sich geschlossenen Tunnels aus bo­ genförmig gekrümmten Feldlinien vor der dem Substrat zugekehrten Targetfläche
Es ist eine Sputterkathode des in Frage stehenden Typs bekannt (US 4,865,708), bei der zwischen dem Target einerseits und dem Magnetjoch andererseits in der Ebene der Magnetreihen, und zwar unterhalb der Ebene der dem Target zugewandten vorderen Ma­ gnetflächen Segmente aus permeablem Werkstoff an­ geordnet sind, um den sich vor dem Target ausbil­ denden Tunnel aus gekrümmten Feldlinien konkav ab­ zulenken, um so einen breiteren Orosionsgraben am Target und damit eine höhere Targetstandzeit zu ermöglichen.
Bekannt ist auch ein Target im wesentlichen glei­ cher Konfiguration (US 5,415,754), bei dem jedoch die Segmente oder Blechzuschnitte aus permeablem Werkstoff etwas oberhalb der Ebene der dem Target zugewandten vorderen Magnetflächen angeordnet sind.
In der Praxis hat sich jedoch gezeigt, daß die Ab­ flachung der Magnetfeldlinien des magnetischen Tunnels nicht bei beiden Ausführungsformen in der erwünschten Art erfolgt, nämlich derart, daß sich die Feldlinien im unmittelbaren Bereich der Tar­ getvorderseite über einen möglichst großen Bereich parallel zur Ebene des Targets ausrichten.
Bekannt ist weiterhin eine Kathodenkonfiguration (JP 1-14 70 63 A, in: Patent Abstracts of Japan, C-634, Sept. 8, 1989, Vol. 13, No. 408), bei der Blechzuschnitte aus magnetisch leitfähigem Materi­ al in Vertiefungen eingelegt sind, die auf der dem Targetwerkstoff zugewandten Seite der Targetrüc­ kenplatte in diese eingeschnitten sind. Die Blech­ zuschnitte sind dabei sowohl oberhalb der Stirn­ seiten der Permanentmagnete, als auch in den Be­ reichen zwischen den Reihen von Magneten vorgese­ hen. Diese Ausführungsform hat jedoch den Nach­ teil, daß die Fertigung der Rückenplatte mit den in diese eingelegten Segmenten schwierig ist, wo­ bei auch das erzeugte Magnetfeld noch nicht voll befriedigend ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu­ grunde, die Magnete und die Segmente bzw. Blechzu­ schnitte so anzuordnen, daß sich ein möglichst flacher und besonders breiter Orosionsgraben wäh­ rend des Sputterbetriebs ausbildet, ein möglichst optimaler Targetabtrag erfolgt und eine möglichst geringe Bauhöhe der Kathode ermöglicht wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch in den Targetwerkstoff eingelegte, von diesem all­ seits umschlossene Blechzuschnitte aus magnetisch leitfähigem Material, wobei mindestens zwei dieser streifenförmigen Blechzuschnitte im Abstand zu den Seitenflächen des plattenförmigen Targets und par­ allel zu diesen ausgerichtet vorgesehen sind und mindestens ein weiterer streifenförmiger Blechzu­ schnitt in einer Ebene parallel der Bodenfläche des Targets und im Abstand zu dieser.
Weitere Merkmale und Einzelheiten sind in den Pa­ tentansprüchen näher beschrieben und gekennzeich­ net.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh­ rungsmöglichkeiten zu; eine davon ist in der an­ hängenden Zeichnung rein schematisch näher darge­ stellt, die den Schnitt quer durch die eine Hälfte einer Kathode zeigt.
Die Sputterkathode nach der Erfindung besteht aus einem Kathodengrundkörper 2 mit einer etwa paral­ lelepipeden Konfiguration, in den eine Nut 4 ein­ geschnitten ist, die ein in der Draufsicht gesehen etwa geschlossenes Oval bildet. In diese Nut 4 ist ein im Querschnitt U-förmiges Magnetjoch 3 einge­ legt, dessen Schenkel 9,10 jeweils eine endlose Reihe 5 bzw. 6 von stabförmigen Permanentmagneten 7, 7', . . . bzw. 8, 8', . . . tragen. Oberhalb des Ma­ gnetjochs 3 mit seinen Magnetreihen 5 bzw. 6 ist ein Target 11 in einem Targetrahmen oder Target­ wanne 1 angeordnet, wobei in die Targetwanne 1 das Target 11 direkt eingeformt, beispielsweise einge­ gossen ist. Zu diesem Zweck ist der für die Wanne 1 gewählte Werkstoff verschieden von demjenigen des Targets 11 gewählt. Im dargestellten Ausfüh­ rungsbeispiel könnte die Wanne aus Edelstahl und das Target aus Zinn gebildet sein. Vor dem Eingie­ ßen des flüssigen Targetmaterials werden in die Targetwanne 1 streifenförmige Blechzuschnitte 12, 13, 14 eingelegt, wobei zwei der Blechzuschnitte jeweils im Abstand a von den Seitenflächen 1a, 1b der Targetwanne 1 und in Ebenen parallel der Ebe­ nen der Seitenflächen 1a, 1b vorgesehen sind und ein dritter Blechzuschnitt 14 in einer Ebene par­ allel der Bodenfläche 1c der Targetwanne 1 im Ab­ stand b zur Bodenfläche 1c.
Um sicherzustellen, daß die Blechzuschnitte 12, 13, 14 während des Eingießens des flüssigen Tar­ getwerkstoffs in die Targetwanne 1 in der ge­ wünschten Position verharren, sind die Blechzu­ schnitte 12, 13, 14 mit sehr dünnen Stegen oder Drähten 15, 15a bzw. 16, 16a versehen, die in ent­ sprechende Vertiefungen oder Bohrungen in den Wandpartien der Targetwanne 1 eingeschoben und dort gehalten sind. Es ist klar, daß diese Drähte 15, 15a bzw. 16, 16a auch so gestaltet sein kön­ nen, daß sie nach dem Eingießen des geschmolzenen Targetwerkstoffs in die aus einem anderen Werk­ stoff bestehende Targetwanne 1 und nach dem Er­ starren der Schmelze entfernbar sind.
Herkömmliche Magnetronkathoden, bestehend aus ei­ ner einfachen Magnetanordnung (zwei Magnetreihen, deren Polarität gegenläufig ist), erzeugen in ih­ rem Target im allgemeinen einen spitz zulaufenden Sputtergraben. Dieser ist in der Regel um so schmaler, je tiefer er wird. Das Wesen der Erfin­ dung besteht nun darin, daß ein Magnetfeld mit Ma­ gnetfeldlinien 17, 17', . . . geformt wird, das oberhalb der Targetstirnfläche 18 und im Target 11 unterschiedlich ist. Das Feld oberhalb der Target­ stirnfläche 18 entspricht dem herkömmlicher Magne­ tronkathoden und verläuft annähernd parallel zur Targetstirnfläche 18 und tritt an den beiden Sei­ ten des Targets 11 aus bzw. ein.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Kathoden wird im Target nach der Erfindung ein Feld erzeugt, das aus einem flachen Dachfeld besteht. Damit verbrei­ tet sich das Plasma auf der Targetoberfläche, wes­ halb verstärkt nicht mehr der Mittelbereich des Targets, sondern die Randbereiche abgetragen wer­ den. Dies führt zu einer erheblichen Erhöhung der Targetausnutzung und damit zur Erhöhung der Stand­ zeit, da der Sputtergraben damit deutlich breiter ausfällt.
Bezugszeichenliste
1
Targetrahmen, Targetwanne
2
Kathodengrundkörper
3
Magnetjoch
4
Nut
5
Magnetreihe
6
Magnetreihe
7
,
7
',. . . Permanentmagnet
8
,
8
',. . . Permanentmagnet
9
Schenkel
10
Schenkel
11
Target
12
Segment, Blechzuschnitt
13
Segment, Blechzuschnitt
14
Segment, Blechzuschnitt
15
,
15
a Steg, Draht
16
,
16
a Steg, Draht
17
,
17
', . . . Magnetfeldlinie
18
Targetoberfläche, Targetstirnfläche

Claims (2)

1. Sputterkathode mit einem Kathodengrundkörper (2) mit einem aus mindestens einem Teil ge­ bildeten ebenen, plattenförmigen Target (11) sowie mit einem hinter dem Target (11) ange­ ordneten Magnetjoch (3) mit zwei in ovaler oder in rechteckiger Konfiguration und paral­ lel zueinander in einer zur Targetebene pa­ rallelen Ebene angeordneten Reihen von Magne­ ten (7, 7', . . .; 8, 8', . . .) unterschiedlicher Polung zur Erzeugung eines in sich geschlos­ senen Tunnels aus bogenförmig gekrümmten Feldlinien vor der dem Substrat zugekehrten Targetfläche (18), gekennzeichnet durch in den Targetwerkstoff (11) eingelegte, von die­ sem allseits umschlossene Blechzuschnitte oder Segmente (12, 13, 14) aus magnetisch leitfähigem Material, wobei mindestens je­ weils einer dieser streifenförmigen Blechzu­ schnitte (12 bzw. 13) im Abstand (a) zu jeder Seitenfläche (1a, 1b) des plattenförmigen Targets (11) und parallel zu dieser ausge­ richtet vorgesehen und mindestens ein weite­ rer streifenförmiger Blechzuschnitt (14) in einer Ebene parallel der Bodenfläche (17) des Targets (11) und im Abstand (b) zu dieser vorgesehen ist.
2. Sputterkathode nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Segmente oder Blechzu­ schnitte (12, 13, 14) an ihren den Seitenflä­ chen (1a, 1b, 17) der Targetwanne (1) zuge­ kehrten Seitenflächen (12a, 13a, 14a) mit fingerartigen Drahtenden (15, 15a, 16, 16a) oder Stegen versehen sind, mit denen sie an der Targetwanne (1) abgestützt und gehalten sind.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1744347A1 (de) * 2005-07-11 2007-01-17 Heraeus, Inc. Verbessertes Magnetron-Sputtertarget
EP2631328A1 (de) * 2012-02-24 2013-08-28 Sumika Technology Co., Ltd. Verbund-Target und Verfahren zur Herstellung davon

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4964968A (en) * 1988-04-30 1990-10-23 Mitsubishi Kasei Corp. Magnetron sputtering apparatus
DE3433166C2 (de) * 1983-09-12 1990-10-25 Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col., Us
EP0645798A1 (de) * 1989-01-30 1995-03-29 Mitsubishi Kasei Corporation Magnetronsputteranlage
WO1995012003A2 (en) * 1993-10-22 1995-05-04 Manley Barry W Method and apparatus for sputtering magnetic target materials
US5415754A (en) * 1993-10-22 1995-05-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Method and apparatus for sputtering magnetic target materials

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3433166C2 (de) * 1983-09-12 1990-10-25 Vac-Tec Systems, Inc., Boulder, Col., Us
US4964968A (en) * 1988-04-30 1990-10-23 Mitsubishi Kasei Corp. Magnetron sputtering apparatus
EP0645798A1 (de) * 1989-01-30 1995-03-29 Mitsubishi Kasei Corporation Magnetronsputteranlage
WO1995012003A2 (en) * 1993-10-22 1995-05-04 Manley Barry W Method and apparatus for sputtering magnetic target materials
US5415754A (en) * 1993-10-22 1995-05-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Method and apparatus for sputtering magnetic target materials

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
2- 22467 A.,C-706,April 3, 1990,Vol. 14,No. 171 *
JP Patents Abstracts of Japan: 2-194171 A.,C-769,Oct. 15, 1990,Vol. 14,No. 470 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1744347A1 (de) * 2005-07-11 2007-01-17 Heraeus, Inc. Verbessertes Magnetron-Sputtertarget
EP2631328A1 (de) * 2012-02-24 2013-08-28 Sumika Technology Co., Ltd. Verbund-Target und Verfahren zur Herstellung davon

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