JPS59116376A - 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 - Google Patents
対向タ−ゲツト式スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS59116376A JPS59116376A JP22389982A JP22389982A JPS59116376A JP S59116376 A JPS59116376 A JP S59116376A JP 22389982 A JP22389982 A JP 22389982A JP 22389982 A JP22389982 A JP 22389982A JP S59116376 A JPS59116376 A JP S59116376A
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- JP
- Japan
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- target
- targets
- magnetic field
- core
- facing
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スパッタ装置、更に詳しくは高速。
低温スパッタが可能な対向ターゲット式スパッタ装置の
改良に関する。
改良に関する。
近年、研究・開発の盛んな超ＬＳ Ｉ、 光五信用機
能デバイス、超高密度記録用素子などでは、真空蒸着法
ではとても作製できないような高融点あるいは活性的な
材料の膜をその組成９寸法。
能デバイス、超高密度記録用素子などでは、真空蒸着法
ではとても作製できないような高融点あるいは活性的な
材料の膜をその組成９寸法。
特性を制御しながら作製するという強い要望があり、ど
のような利料でもほとんどの基板上に膜形成ができる技
術としてスパッタ法が見直され、その欠点の克服のため
に精力的な研究、開発がなされている。そして、その方
向は高速化。
のような利料でもほとんどの基板上に膜形成ができる技
術としてスパッタ法が見直され、その欠点の克服のため
に精力的な研究、開発がなされている。そして、その方
向は高速化。
低温化にあり、マグネトロンスパッタ法等既に多くの提
案がある。
案がある。
その中でも、「応用物理」第４８巻（１９７９）第６号
Ｐ５５８〜Ｐ５５９等に提案されている対向ターゲット
式スパッタ装置は、高速・低温のスパッタができる上、
磁性材料にも適用できる非常に優れたものである。この
対向ターゲット式スパッタ装置は第１図に示すように構
成される。すなわち、従来の真空槽内に基板とターゲッ
トを対向させだ２極スパツタ装置と異なり、真空槽１０
内に一対のターゲラ） Ｔ、 、 Ｔ、をスノくツタさ
れるスパッタ面Ｔｌｓ 、 Ｔ２ｓが空間を隔てて平行
に対面するように配置すると共に、基板２０はターゲラ
） ＴＩ ｌ Ｔ２の側方に設けた基板ホルダー２１に
よりタブゲットＴＩ、Ｔ２の空間の側方に核空間に対面
するように配置する。そして、＾空槽１０の回りに設け
たコイル３０によりスパッタ面Ｔ４ｓ 、 Ｔ２ｓに垂
直な方向の磁界Ｈを発生させるようにしである。なお、
図の１１．１２は鉄からなるターゲットホルダー、１３
．１４は保護のためのシールドである。
Ｐ５５８〜Ｐ５５９等に提案されている対向ターゲット
式スパッタ装置は、高速・低温のスパッタができる上、
磁性材料にも適用できる非常に優れたものである。この
対向ターゲット式スパッタ装置は第１図に示すように構
成される。すなわち、従来の真空槽内に基板とターゲッ
トを対向させだ２極スパツタ装置と異なり、真空槽１０
内に一対のターゲラ） Ｔ、 、 Ｔ、をスノくツタさ
れるスパッタ面Ｔｌｓ 、 Ｔ２ｓが空間を隔てて平行
に対面するように配置すると共に、基板２０はターゲラ
） ＴＩ ｌ Ｔ２の側方に設けた基板ホルダー２１に
よりタブゲットＴＩ、Ｔ２の空間の側方に核空間に対面
するように配置する。そして、＾空槽１０の回りに設け
たコイル３０によりスパッタ面Ｔ４ｓ 、 Ｔ２ｓに垂
直な方向の磁界Ｈを発生させるようにしである。なお、
図の１１．１２は鉄からなるターゲットホルダー、１３
．１４は保護のためのシールドである。
従って、図示省略した排気系により排気口４０を通して
真空槽ｌＯ内を排気した後、図示省略したガス導入系か
ら導入口５０全通し、てアルゴン等のスパッタガスを導
入し、図示の如く直流電源からなるスパッタ電源６０に
よりシールド１３．１４従って真空槽１０を陽極（接地
）に、ターゲラＦ ”Ｉ ＋ Ｔｌを陰極にしてスパッ
タ電力を供給し、コイル３０により前述の磁界Ｆｌを発
生させることにより２バツタが行なわれ、基板２０上に
ターゲラＦ Ｔｌ ＋ ”２に対応した組成の薄膜が形
成される。
真空槽ｌＯ内を排気した後、図示省略したガス導入系か
ら導入口５０全通し、てアルゴン等のスパッタガスを導
入し、図示の如く直流電源からなるスパッタ電源６０に
よりシールド１３．１４従って真空槽１０を陽極（接地
）に、ターゲラＦ ”Ｉ ＋ Ｔｌを陰極にしてスパッ
タ電力を供給し、コイル３０により前述の磁界Ｆｌを発
生させることにより２バツタが行なわれ、基板２０上に
ターゲラＦ Ｔｌ ＋ ”２に対応した組成の薄膜が形
成される。
この際、前述の構成によりスパッタ面Ｔ１．。
Ｔ２ｓに垂直に磁界が印加されているので、対向するタ
ーゲラ） Ｔ、、 ’Ｉ”２間の空間内に高エネルギー
電子が閉じ込められ、ここでのスパッタガスのイオン化
が促進されてスパッタ速度が高くなり高速の膜形成がで
きる。その上、基板２０は従来のスパッタ装置の如くタ
ーゲットに対向せずターゲラ） Ｔ、 、 Ｔ２の側方
に配置されているので、基板２０上への高いエネルギー
を有するイオンや電子の衝突がほとんどなくなり、かつ
ターゲラ）ＴＩ、Ｔ２からの熱輻射も小さく基板温度の
上昇の小さい、よって低温の膜形成ができる。
ーゲラ） Ｔ、、 ’Ｉ”２間の空間内に高エネルギー
電子が閉じ込められ、ここでのスパッタガスのイオン化
が促進されてスパッタ速度が高くなり高速の膜形成がで
きる。その上、基板２０は従来のスパッタ装置の如くタ
ーゲットに対向せずターゲラ） Ｔ、 、 Ｔ２の側方
に配置されているので、基板２０上への高いエネルギー
を有するイオンや電子の衝突がほとんどなくなり、かつ
ターゲラ）ＴＩ、Ｔ２からの熱輻射も小さく基板温度の
上昇の小さい、よって低温の膜形成ができる。
更に磁界は全体としてターゲラ）ＴＩ、Ｔｚの垂直方向
に印加しであるので、ターゲット’ｒ、、’ｒ２に磁性
材料を用いても有効に磁界が作用し、高速膜形成ができ
る。
に印加しであるので、ターゲット’ｒ、、’ｒ２に磁性
材料を用いても有効に磁界が作用し、高速膜形成ができ
る。
本発明は、上述の対向ターゲット式スノくツタ装置の改
良を目的としたもので、（１）ターゲットの使用効率の
向上（ターゲットのエロージョンパターンの改善） 、
（２）ターゲットホルダーの構成の簡略化を可能とす
る装置を提供する。
良を目的としたもので、（１）ターゲットの使用効率の
向上（ターゲットのエロージョンパターンの改善） 、
（２）ターゲットホルダーの構成の簡略化を可能とす
る装置を提供する。
すなわち、本発明は、陰極となるターゲットをそのスパ
ッタ面が空間を隔てて平行に対面するように設けると共
に該スパッタ面に垂直な方向の磁界を発生する磁界発生
手段を設け、前記ターゲット間の空間の側方に該空間に
対面するように配置した基板−Ｈに膜形成するようにな
しだ対向ターゲット式スパッタ装置において、前記磁界
発生手段が、前記ターゲットの各々の周囲に設けたコア
と、該コアに磁束を発生させるために該コアの各々に配
置した永久磁石とからなり、前記ターゲット間の空間を
囲繞するように前記磁界を発生させることを特徴とする
ものである。
ッタ面が空間を隔てて平行に対面するように設けると共
に該スパッタ面に垂直な方向の磁界を発生する磁界発生
手段を設け、前記ターゲット間の空間の側方に該空間に
対面するように配置した基板−Ｈに膜形成するようにな
しだ対向ターゲット式スパッタ装置において、前記磁界
発生手段が、前記ターゲットの各々の周囲に設けたコア
と、該コアに磁束を発生させるために該コアの各々に配
置した永久磁石とからなり、前記ターゲット間の空間を
囲繞するように前記磁界を発生させることを特徴とする
ものである。
上述の本発明は、対向ターゲット式スパッタ法において
はターゲツト面に垂直な方向に印加する磁界が高エネル
ギーの電子やイオンをターゲット間の空間に閉じ込める
ものであれば高速膜形成ができ、前記磁界は前述の従来
装置如く真空槽の全断面は勿論ターゲット全面に互って
も形成する心数がないことを見出しなされたものである
。
はターゲツト面に垂直な方向に印加する磁界が高エネル
ギーの電子やイオンをターゲット間の空間に閉じ込める
ものであれば高速膜形成ができ、前記磁界は前述の従来
装置如く真空槽の全断面は勿論ターゲット全面に互って
も形成する心数がないことを見出しなされたものである
。
以下、本発明の詳細を１面により説明する。
第２図は本発明に係わる対向ターゲット式スパッタ装置
Ｎの要部の概略側断面図で、図示部以外の構成は第１図
の従来装置上同様であり説明を省略する。
Ｎの要部の概略側断面図で、図示部以外の構成は第１図
の従来装置上同様であり説明を省略する。
図示の通り、短形若しくは円形の板状体のターゲットＴ
Ｉ＋ ”２は、前述の従来装置と同様に真空槽１０内に
対面するように設けたターゲットホルダー１１．１２に
装置され、対向配置されている。ターゲットホルダー１
１．１２は、ターゲラ）ＴＩ、Ｔ２を冷却するために冷
却水等の循環が可能なように冷却配管１１ａ、１２ａを
設けた構造となっている。
Ｉ＋ ”２は、前述の従来装置と同様に真空槽１０内に
対面するように設けたターゲットホルダー１１．１２に
装置され、対向配置されている。ターゲットホルダー１
１．１２は、ターゲラ）ＴＩ、Ｔ２を冷却するために冷
却水等の循環が可能なように冷却配管１１ａ、１２ａを
設けた構造となっている。
ところで、ターゲットＴＩ、Ｔ２の垂直な方向に磁界を
発生させる磁界発生手段は、従来装置の真空槽１０の回
りに設けたコイル３０に替えて、以下のようになってい
る。
発生させる磁界発生手段は、従来装置の真空槽１０の回
りに設けたコイル３０に替えて、以下のようになってい
る。
図の３０１，３０２がターゲットＴｌ ＋ Ｔ２の間の
空間を囲繞するような磁界Ｈを発生させるだめのコアで
、ターゲラＦ ＴＩ ＋ Ｔ２の周面及びターゲットホ
ルダー１１．１２を囲む筒状体とし、それらに数Ｕの間
隔を有するように絶縁スペーサー１５．１６を介して設
け、その端面３０１ａ。
空間を囲繞するような磁界Ｈを発生させるだめのコアで
、ターゲラＦ ＴＩ ＋ Ｔ２の周面及びターゲットホ
ルダー１１．１２を囲む筒状体とし、それらに数Ｕの間
隔を有するように絶縁スペーサー１５．１６を介して設
け、その端面３０１ａ。
３０２ａが互いに対向するように配置される。
そして、コア３０１，３０２を真空槽１Ｇと電気的に接
続し、従来装置のシールドリング１３゜１４の機能をコ
ア３０１，３０２に代替させ、構成の簡略化を計っであ
る。なお、コア３０１゜３０２の材質は、軟釧、ケイ素
鋼、・（−マロイ等の透磁率の大きな軟磁性体が好まし
く用いられる。
続し、従来装置のシールドリング１３゜１４の機能をコ
ア３０１，３０２に代替させ、構成の簡略化を計っであ
る。なお、コア３０１゜３０２の材質は、軟釧、ケイ素
鋼、・（−マロイ等の透磁率の大きな軟磁性体が好まし
く用いられる。
そして、図の３０１’、３０２’がコア ３０１゜３０
２に磁界を発生させるための永久磁石で、図示の如く、
コア３０１，３０２の脚部３０１ｂ。
２に磁界を発生させるための永久磁石で、図示の如く、
コア３０１，３０２の脚部３０１ｂ。
３０２ｂの真空槽１０の外部に配置されている。
従って、コア３０１，３０２の端部３０１ａ。
３０２ａから図示の如く磁界Ｈを発生させることができ
る。すなわち、磁界Ｈはコア３０１゜３０２の端部３０
１ａ、３０２ａを磁極として発生するので、ターゲラ）
Ｔ、、Ｔ２の外縁周部に集中して、ターゲット’ｒ、、
’ｒ２間の空間を囲繞するように発生する。ところで、
永久磁石３０１’ 。
る。すなわち、磁界Ｈはコア３０１゜３０２の端部３０
１ａ、３０２ａを磁極として発生するので、ターゲラ）
Ｔ、、Ｔ２の外縁周部に集中して、ターゲット’ｒ、、
’ｒ２間の空間を囲繞するように発生する。ところで、
永久磁石３０１’ 。
３０２′は高温になり減磁することのないように、水冷
ホルダー３０１’ｇ、３０２’ａに収納し、水冷するよ
うにしである。なお、永久磁石３０１’。
ホルダー３０１’ｇ、３０２’ａに収納し、水冷するよ
うにしである。なお、永久磁石３０１’。
３０２′は真空ｍ１θ内に設けても良い。
以上の構成によれば、磁界Ｈが対向するコア端面３０１
ａ、３０２ａを磁極としてターゲットＴｌ 、 Ｔｘの
周縁を囲繞するように形成され、妙・つターゲットＴＩ
＋ Ｔ２の内側、すなわちターゲットＴＩ、Ｔ２間の
空間には磁界Ｈは形成されない。ところでターゲットＴ
Ｉ ＋ Ｔ２の表面７５−らスノくツタされる高いエネ
ルギーを持つγ電子は前言己対向ターゲット空間に放射
されるが、前述のターゲラＦ ＴＩ ＋ １２の周縁部
の磁界Ｈの拘束力によってとのγ電子は磁界と平行にな
るような力を受けて従来装置と同様にターゲット空間を
往復する。
ａ、３０２ａを磁極としてターゲットＴｌ 、 Ｔｘの
周縁を囲繞するように形成され、妙・つターゲットＴＩ
＋ Ｔ２の内側、すなわちターゲットＴＩ、Ｔ２間の
空間には磁界Ｈは形成されない。ところでターゲットＴ
Ｉ ＋ Ｔ２の表面７５−らスノくツタされる高いエネ
ルギーを持つγ電子は前言己対向ターゲット空間に放射
されるが、前述のターゲラＦ ＴＩ ＋ １２の周縁部
の磁界Ｈの拘束力によってとのγ電子は磁界と平行にな
るような力を受けて従来装置と同様にターゲット空間を
往復する。
従って、従来装置と同様にこの往復の過程で、アルゴン
などのスノ（ツタ粒子をイオノイヒシ、イオン化された
アルゴン粒子は、ターゲラ）ＴＩ。
などのスノ（ツタ粒子をイオノイヒシ、イオン化された
アルゴン粒子は、ターゲラ）ＴＩ。
１２面近傍の強い電界で加速され、ターゲット物質をス
パッタし、高速な膜形成ができる。
パッタし、高速な膜形成ができる。
ところで、外部コイル３０を用い石従来の場合には、タ
ーゲラ）Ｔｓ、Ｔｚ全断面一様な磁界にかつているので
、ターゲット中央部にプラズマが集中しやすくなるため
、ターゲット中央部のみスパッタされ易くエロージョン
エリアカ！中央部に集中する（昭５３年度電子通信曽会
総合全国大会１−１１３ ）。これに対して、前述の通
り本実施例では磁界Ｈにターゲラ） Ｔ’ｌ 、 Ｔ２
の周縁部のみに形成されるので、放射されたγ電子は、
クーゲラ） Ｔ、 、 Ｔ、の周辺部に到る場合にのみ
、磁界ｔｒの拘束力を受ける。従って、ターゲットＴＩ
＋ Ｔ２の面精はｙ全域に渡ってプラズマ密度が一様
になる。この結果、クーゲラｌ−Ｔ、 、 Ｔ２のはｙ
全面がスパッタされてエロージョンパターンが均一なも
のに改善されるのでターゲットの使用効率を向上するこ
とができる。
ーゲラ）Ｔｓ、Ｔｚ全断面一様な磁界にかつているので
、ターゲット中央部にプラズマが集中しやすくなるため
、ターゲット中央部のみスパッタされ易くエロージョン
エリアカ！中央部に集中する（昭５３年度電子通信曽会
総合全国大会１−１１３ ）。これに対して、前述の通
り本実施例では磁界Ｈにターゲラ） Ｔ’ｌ 、 Ｔ２
の周縁部のみに形成されるので、放射されたγ電子は、
クーゲラ） Ｔ、 、 Ｔ、の周辺部に到る場合にのみ
、磁界ｔｒの拘束力を受ける。従って、ターゲットＴＩ
＋ Ｔ２の面精はｙ全域に渡ってプラズマ密度が一様
になる。この結果、クーゲラｌ−Ｔ、 、 Ｔ２のはｙ
全面がスパッタされてエロージョンパターンが均一なも
のに改善されるのでターゲットの使用効率を向上するこ
とができる。
また、永久磁石３０１’、３０２’は、ターゲットＴ、
、Ｔ２の背後に収納する必要がないので、ターゲットホ
ルダー １１．１２の構造が簡単となると共にターゲラ
）Ｔ、、Ｔ２の冷却が全面均一にできる。更に、永久磁
石３０１’、３０２’の股隘位置も比較的自由に選定で
きるので、構成の簡ｍ化、コンパクト化に有利である。
、Ｔ２の背後に収納する必要がないので、ターゲットホ
ルダー １１．１２の構造が簡単となると共にターゲラ
）Ｔ、、Ｔ２の冷却が全面均一にできる。更に、永久磁
石３０１’、３０２’の股隘位置も比較的自由に選定で
きるので、構成の簡ｍ化、コンパクト化に有利である。
ソノ上、コア３０１，３０２がターゲットボルダ−１１
，１２のンールドとなっているので、ターゲット部は何
ら構成が複雑化しない。そして、図示の如く、ターゲッ
トホルダー１１．１２の基部を細くして、該基部に永久
磁石３０１’。
，１２のンールドとなっているので、ターゲット部は何
ら構成が複雑化しない。そして、図示の如く、ターゲッ
トホルダー１１．１２の基部を細くして、該基部に永久
磁石３０１’。
３０２′を収納するようにすると全体として非常にコン
パクトな構成とガる。
パクトな構成とガる。
以上、本発明を真空構内に一対のターゲットを対向させ
た実施例に基いて説明したが、次に磁気テープ等の製造
の如き連続膜作成に適した実施例を第３図により説明す
る。
た実施例に基いて説明したが、次に磁気テープ等の製造
の如き連続膜作成に適した実施例を第３図により説明す
る。
図から明らかの通り、本例では第２図の実施例と異なり
、真空槽１０内に二対の対向ターゲットＴ’Ａ （ＴＡ
、 、 ＴＡ２）及びＴ１１ （ＴＢ、、 ＴＢ２）が
平行になるように並設しである。すなわち、真空槽ＩＯ
の図で左右の側壁１０ａ、１０））にターゲット装着面
が対面するようにターゲットホルダー１１１，１１３を
設けると共に、ターゲットホルダー１１１，１１３の間
にそのターゲット装着面と対面するように両側にターゲ
ット装着面を設けたターゲットホルダー１１２を支持体
１１２Ａを介して配置し、ターゲットホルダー１１１．
１１２，１１３のターゲット装着面にターゲットＴＡ、
、’Ｉ”Ａ２．りＢＩＩＴＢ２を装着し、二対の対向タ
ーゲラ） ＴＡ、ＴＢを措成しである。
、真空槽１０内に二対の対向ターゲットＴ’Ａ （ＴＡ
、 、 ＴＡ２）及びＴ１１ （ＴＢ、、 ＴＢ２）が
平行になるように並設しである。すなわち、真空槽ＩＯ
の図で左右の側壁１０ａ、１０））にターゲット装着面
が対面するようにターゲットホルダー１１１，１１３を
設けると共に、ターゲットホルダー１１１，１１３の間
にそのターゲット装着面と対面するように両側にターゲ
ット装着面を設けたターゲットホルダー１１２を支持体
１１２Ａを介して配置し、ターゲットホルダー１１１．
１１２，１１３のターゲット装着面にターゲットＴＡ、
、’Ｉ”Ａ２．りＢＩＩＴＢ２を装着し、二対の対向タ
ーゲラ） ＴＡ、ＴＢを措成しである。
そして、ターゲットホルダー１１１，１１３の基部及ヒ
ターゲットホルダー１１２の中間部をｌ？Ｉｌｌ ＜
Ｌ、て永久磁石取着部とすると共に、各ターゲットホル
ダーＩ１１，１１２，１１３の周囲には前述した磁界発
生手段のコア３１１，３１２゜３１３を設け、且つ、前
記永久磁石３１１’。
ターゲットホルダー１１２の中間部をｌ？Ｉｌｌ ＜
Ｌ、て永久磁石取着部とすると共に、各ターゲットホル
ダーＩ１１，１１２，１１３の周囲には前述した磁界発
生手段のコア３１１，３１２゜３１３を設け、且つ、前
記永久磁石３１１’。
３１２’、３１３’を装着しである。ターゲットＴＡ。
′ｒＢには独立したスパッタ電源（図示省略）から真空
槽１０．ｊ７３１１，３１２，３１３を接地したＭ ４
ａとして電力を供給するようＫしである。
槽１０．ｊ７３１１，３１２，３１３を接地したＭ ４
ａとして電力を供給するようＫしである。
従って、図示の如く、フィルム移送手段のホルダー１と
巻取機■により、長尺のフィルム■を移送せしめつつ従
来装置と同様にスパッタさせれば、ターゲットＴＡ、
、 ＴＡ２． ＴＩ３． 、 ＴＢ２ の組成に応じ
た膜がフィルム頂上に連続的に形成される。従って、タ
ーゲットＴＡとターゲットＴＢを同じ条件とすれば、膜
作成速度は第２図のものの２倍となる。
巻取機■により、長尺のフィルム■を移送せしめつつ従
来装置と同様にスパッタさせれば、ターゲットＴＡ、
、 ＴＡ２． ＴＩ３． 、 ＴＢ２ の組成に応じ
た膜がフィルム頂上に連続的に形成される。従って、タ
ーゲットＴＡとターゲットＴＢを同じ条件とすれば、膜
作成速度は第２図のものの２倍となる。
ところで、ターゲットＴＡ、、ＴＢのスノ（ツタ電力及
び磁界は前述の構成から独立に設定できるので、ターゲ
ットＴＡ、ＴＢを異なった材料とすることができ、この
場合は二層膜が連続的に形成できる。
び磁界は前述の構成から独立に設定できるので、ターゲ
ットＴＡ、ＴＢを異なった材料とすることができ、この
場合は二層膜が連続的に形成できる。
その上、図から明らかな通り、全体としてコンパクトな
構成となる。
構成となる。
以上、本発明を実施例に基いて説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではない。
かる実施例に限定されるものではない。
形成される磁界がターゲットの全周で一様になるように
コアを筒体状となしたものを示したが、コアは前述の高
エネルギー電子等をターゲット間の空間内に閉じ込める
ことができる磁界をターゲットの全周面近傍に形成する
ものであれば良く、従って、ターゲット周面にリング状
に分散配置した各部片からなるコア、かご状コア等も適
用できる。また、コアは一体形成されたものである必要
はなく、積層コアも適用できる。
コアを筒体状となしたものを示したが、コアは前述の高
エネルギー電子等をターゲット間の空間内に閉じ込める
ことができる磁界をターゲットの全周面近傍に形成する
ものであれば良く、従って、ターゲット周面にリング状
に分散配置した各部片からなるコア、かご状コア等も適
用できる。また、コアは一体形成されたものである必要
はなく、積層コアも適用できる。
また、コアと７−ルドとは別体にしても良いことも云う
オでもないことである。
オでもないことである。
更に、二対の対向ターゲットを設けたものを示したが、
対向ターゲットの対数は任意である。
対向ターゲットの対数は任意である。
以上の通り、本イ＾明では、磁界発生手段をターゲット
の周囲に配置したコアと該コアに配置した永久磁石とで
形成しだので、非常に条件設定が容易で、且つターゲッ
トの使用効率の良く、その上コンパクトな構成の対向タ
ーゲット式スパッタ装置が実現した。このように、本発
明は対向ターゲット式スパッタ装置の性能向上に寄与す
るところ大のものである。
の周囲に配置したコアと該コアに配置した永久磁石とで
形成しだので、非常に条件設定が容易で、且つターゲッ
トの使用効率の良く、その上コンパクトな構成の対向タ
ーゲット式スパッタ装置が実現した。このように、本発
明は対向ターゲット式スパッタ装置の性能向上に寄与す
るところ大のものである。
第１図は、従来の対向ターゲット式スパッタ装置の説明
図、第２図は本発明に係わる対向ターゲット式スパッタ
装置の実施例の要部の側断面図、第３図は本発明に係わ
る他の実施例の説明図である。 Ｔ７．Ｔ２．ＴＡｌ、ＴＡ２．ＴＢ１１ＴＢ２：ターゲ
ット、１０：真空槽、１１，１２，１１１，１１２゜１
１３ ターゲットホルダー、 ３０１，３０２゜３１
１．３１２，３１３：コア、３０１’、３０２’。 ３１１’、３１２’、３１３’：永久磁界Ｊυ ＋１図 第２図
図、第２図は本発明に係わる対向ターゲット式スパッタ
装置の実施例の要部の側断面図、第３図は本発明に係わ
る他の実施例の説明図である。 Ｔ７．Ｔ２．ＴＡｌ、ＴＡ２．ＴＢ１１ＴＢ２：ターゲ
ット、１０：真空槽、１１，１２，１１１，１１２゜１
１３ ターゲットホルダー、 ３０１，３０２゜３１
１．３１２，３１３：コア、３０１’、３０２’。 ３１１’、３１２’、３１３’：永久磁界Ｊυ ＋１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 陰極となるターゲットをそのスパッタ面が空間を
隔てて平行に対面するように設けると共に、該スパッタ
面に垂直な方向の磁界を発生する磁界発生手段を設け、
前記ターゲット間の空間の側方に該空間に対面するよう
に配置した基板上に膜形成するようになした対向クーゲ
ット式スパッタ装置において、前記磁界発生手段が、前
記ターゲットの各々の周囲に設けたコアと、該コアに磁
束を発生させるだめに該コアの各々に配置した永久磁石
とからなり、前記ターゲット間の空間を回線するように
前記磁界を発生させることを特徴とする対向ターゲット
式スパッタ装置。 ２ 前記コアが筒状体である特許請求の範囲第１項記載
の対向ターゲット式スパッタ装置。 １ 前記コアがターゲットホルダーのシールドリングで
ある特許請求の範囲第２項記載の対向ターゲット式スパ
ッタ装置。 ４、 前記コアが高透磁率の軟磁性材からなる特許請求
の範囲第１項、第２項若しくは第３項記載の対向ターゲ
ット式スパッタ装置。 ５ 前記永久磁石のホルダ一部分を水冷する様にした水
冷ホルダーにする＠ 祈＠ 求＝−＝ ＊Ｉ！ｊＪ ｋ
％垣乾截′へｈ勾７−サ゛・／ト氏スノ？・・Ｉり膳冨
・６ 前記対面したターゲットの対が複数対積み重なる
ように連設されている特許請求の範囲第１項、第２項、
第３項若しくは第４項記載の対向ターゲット式スパッタ
装置。 ７、 前記ターゲットの両端を除いた中間のターゲット
を端の方から２枚１組とし、そのターゲットホルダー、
コア及び永久磁石を共通とした特許請求の範囲第６項記
載の対向ターゲット式スパッタ装置。 ＆ 前記基板を保持する手段が前記基板をターゲットの
連設方向に移動するように構成された特許請求の範囲第
７項記載の対向ターゲット式スパッタ装置。 ９、 前記基板が長尺フィルムであり、前記保持する手
段がホルダーと巻取機とから々る移送手段である特許請
求の範囲第２項記載の対向ターゲット式スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22389982A JPS59116376A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22389982A JPS59116376A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116376A true JPS59116376A (ja) | 1984-07-05 |
| JPS6354789B2 JPS6354789B2 (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=16805445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22389982A Granted JPS59116376A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116376A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4784739A (en) * | 1986-12-26 | 1988-11-15 | Teijin Limited | Method of producing a thin film by sputtering and an opposed target type sputtering apparatus |
| US4842708A (en) * | 1982-02-16 | 1989-06-27 | Teijin Limited | Perpendicular magnetic recording medium, method for producing the same, and sputtering device |
| JPH0229455U (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-26 | ||
| US5283095A (en) * | 1991-04-12 | 1994-02-01 | Nissin Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising (1,1,1) aluminum |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP22389982A patent/JPS59116376A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4842708A (en) * | 1982-02-16 | 1989-06-27 | Teijin Limited | Perpendicular magnetic recording medium, method for producing the same, and sputtering device |
| US4784739A (en) * | 1986-12-26 | 1988-11-15 | Teijin Limited | Method of producing a thin film by sputtering and an opposed target type sputtering apparatus |
| JPH0229455U (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-26 | ||
| US5283095A (en) * | 1991-04-12 | 1994-02-01 | Nissin Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising (1,1,1) aluminum |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6354789B2 (ja) | 1988-10-31 |
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