JPS61183466A - 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 - Google Patents
対向タ−ゲツト式スパツタ装置Info
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- JPS61183466A JPS61183466A JP2348985A JP2348985A JPS61183466A JP S61183466 A JPS61183466 A JP S61183466A JP 2348985 A JP2348985 A JP 2348985A JP 2348985 A JP2348985 A JP 2348985A JP S61183466 A JPS61183466 A JP S61183466A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は一組のターゲットを所定間隔隔てて対面させ、
その側方に配した基板上に薄膜を形成するようにした対
向ターゲット式のスパッタ装置に関し、更に詳しくは形
成される薄膜の膜厚分布の調整が容易で長時間均一膜厚
の７ｓＩＩｌＩが形成でき、かつターゲットの使用効率
の向上した対向ターゲット式のスパッタ装置に関する。
その側方に配した基板上に薄膜を形成するようにした対
向ターゲット式のスパッタ装置に関し、更に詳しくは形
成される薄膜の膜厚分布の調整が容易で長時間均一膜厚
の７ｓＩＩｌＩが形成でき、かつターゲットの使用効率
の向上した対向ターゲット式のスパッタ装置に関する。
［従来技術］
上述の対向ターゲット式スパッタ装置は、「応用物理」
第４８巻（１９７９）第６号Ｐ５５８〜Ｐ ５５９゜特
開昭５７−１５８３８０号公報等で公知の通り、陰極と
なる一対のターゲットをそのスパッタ面が空間を隔てて
平行に対面するように設けると共に、該スパッタ面に垂
直な方向の磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記タ
ーゲット間の空間の側方に配した基板上に膜形成するよ
うになしたスパッタ装置で、高速・低温の膜形成ができ
る上、磁性材料にも適用できる非常に優れたものである
。
第４８巻（１９７９）第６号Ｐ５５８〜Ｐ ５５９゜特
開昭５７−１５８３８０号公報等で公知の通り、陰極と
なる一対のターゲットをそのスパッタ面が空間を隔てて
平行に対面するように設けると共に、該スパッタ面に垂
直な方向の磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記タ
ーゲット間の空間の側方に配した基板上に膜形成するよ
うになしたスパッタ装置で、高速・低温の膜形成ができ
る上、磁性材料にも適用できる非常に優れたものである
。
本発明者らは、対向ターゲット式スパッタ装置の前述の
特長に注目し、磁気記録媒体の製造への適用を検討して
きた。この方法は、特開昭５９−５３６８０号公報で開
示された巾の広い長方形のターゲットと移送ローラとを
組合せた対向ターゲット式スパッタ装置に数１００ｙｙ
ｔというような長尺のポリエステルフィルム等の可撓性
の基板をロール状にして装填し、長時間連続して該基板
を移送しつつその上に所定の磁性薄膜を形成して磁気記
録媒体を連続生産するものである。
特長に注目し、磁気記録媒体の製造への適用を検討して
きた。この方法は、特開昭５９−５３６８０号公報で開
示された巾の広い長方形のターゲットと移送ローラとを
組合せた対向ターゲット式スパッタ装置に数１００ｙｙ
ｔというような長尺のポリエステルフィルム等の可撓性
の基板をロール状にして装填し、長時間連続して該基板
を移送しつつその上に所定の磁性薄膜を形成して磁気記
録媒体を連続生産するものである。
従来かかる対向ターゲット式スパッタ装置で用いられる
ターゲットの形状としては円形もしくは長方形のものが
殆どであった。とくに長尺のフィルムに連続的に薄膜を
形成する場合には、フィルムはターゲット間の空間の側
方においてターゲットの連設方向に移動するように構成
されたスパッタ装置を用いるためターゲットの形状は長
方形のものが多く用いられている。
ターゲットの形状としては円形もしくは長方形のものが
殆どであった。とくに長尺のフィルムに連続的に薄膜を
形成する場合には、フィルムはターゲット間の空間の側
方においてターゲットの連設方向に移動するように構成
されたスパッタ装置を用いるためターゲットの形状は長
方形のものが多く用いられている。
［問題点及び目的］
しかしながら、対向ターゲット装置でスパッタリングを
長時間つづけるとスパッタリングの進行とともにターゲ
ットのエロージョン領域がターゲット中央に片よってく
る現象がみられる。とくにターゲットが強磁性体の場合
にかかる現象は顕著である。このようなエロージョン領
域の変化は膜厚分布、スパッタリング速度などの時間的
変化をもたらす。さらにターゲット中央部のエロージョ
ンでターゲットの寿命が規定される結果となりターゲッ
トの使用効率は必ずしも十分なものではない。
長時間つづけるとスパッタリングの進行とともにターゲ
ットのエロージョン領域がターゲット中央に片よってく
る現象がみられる。とくにターゲットが強磁性体の場合
にかかる現象は顕著である。このようなエロージョン領
域の変化は膜厚分布、スパッタリング速度などの時間的
変化をもたらす。さらにターゲット中央部のエロージョ
ンでターゲットの寿命が規定される結果となりターゲッ
トの使用効率は必ずしも十分なものではない。
本発明者らはかかる問題点を解決するために鋭意検討し
た結果、ターゲットのエロージョン領域はターゲット背
部に置かれた磁石により発生する磁界により決まること
を見出した。かかる磁界をできるだけターゲット周辺部
に広げ、かつ時間の経過とともに中央部に集中する欠点
を防止するために、すでに特願昭５９−９０９９１号、
特願昭５９−１２６４０７ｑでターゲットのシールドカ
バーに工夫を加える方法を提案した。
た結果、ターゲットのエロージョン領域はターゲット背
部に置かれた磁石により発生する磁界により決まること
を見出した。かかる磁界をできるだけターゲット周辺部
に広げ、かつ時間の経過とともに中央部に集中する欠点
を防止するために、すでに特願昭５９−９０９９１号、
特願昭５９−１２６４０７ｑでターゲットのシールドカ
バーに工夫を加える方法を提案した。
しかしながらこの方法をもってしてもエロージョン領域
の時間変化を完全に防止することはできなかった。
の時間変化を完全に防止することはできなかった。
すなわちエロージョン領域がターゲットの中央部に集中
するのは、スパッタの進行とともにエロージョンが進行
し、エロージョン領域が周辺部に比べてターゲット厚が
薄くなる結果、この部分に磁界が集中するためであると
推定される。
するのは、スパッタの進行とともにエロージョンが進行
し、エロージョン領域が周辺部に比べてターゲット厚が
薄くなる結果、この部分に磁界が集中するためであると
推定される。
かかる状態を第２図に示した。すなわち第２図（ａ）に
おいてターゲット使用開始直後にはターゲットＴＩ（Ｔ
２＞背面の磁石１５２（１６２）から発生する磁界φは
ターゲットＴ＋（Ｔｚ）周辺部より対向するターゲット
Ｔ２に向うため、エロージョンの領域は比較的広いが、
スパッタの進行とともにターゲットＴ＋（Ｔｚ）のエロ
ージョンが大きくなると、ターゲットＴＩ（Ｔ２）の周
辺部に比べて中央部の方がその厚さが薄くなり、磁界φ
も同図（ｂ〉のように中央にシフトする傾向を示す。
おいてターゲット使用開始直後にはターゲットＴＩ（Ｔ
２＞背面の磁石１５２（１６２）から発生する磁界φは
ターゲットＴ＋（Ｔｚ）周辺部より対向するターゲット
Ｔ２に向うため、エロージョンの領域は比較的広いが、
スパッタの進行とともにターゲットＴ＋（Ｔｚ）のエロ
ージョンが大きくなると、ターゲットＴＩ（Ｔ２）の周
辺部に比べて中央部の方がその厚さが薄くなり、磁界φ
も同図（ｂ〉のように中央にシフトする傾向を示す。
本発明は前述の如き対向ターゲット式スパッタ装置の問
題を背部にしてなされたものであり、その目的とすると
ころは、前述の長尺の基板上に形成した膜の巾方向膜厚
分布の時間変化を小さくし、かつターゲットの使用効率
を向上させる対向ターゲット式スパッタ装置を提供する
ことにある。
題を背部にしてなされたものであり、その目的とすると
ころは、前述の長尺の基板上に形成した膜の巾方向膜厚
分布の時間変化を小さくし、かつターゲットの使用効率
を向上させる対向ターゲット式スパッタ装置を提供する
ことにある。
［解決手段］
斯る目的を達成するため、本発明は以下の構成を有する
。すなわち本発明は、陰極となるターゲットをそのスパ
ッタ面が空間を隔てて平行に対面するように設けるとと
もに、該スパッタ面に垂直な方向の磁界を発生する磁界
発生手段を設け、前記ターゲット間の空間のターゲット
の側方に該空間に対面するように配置した基板上に膜形
成するようになした対向ターゲット式スパッタ装置にお
いて、前記磁界発生手段を〜ターゲットの周辺に配置す
るとともに、ターゲラ１〜の中央部にも補助磁界発生手
段を配置することを特徴とする対向ターゲット式スパッ
タ装置である。
。すなわち本発明は、陰極となるターゲットをそのスパ
ッタ面が空間を隔てて平行に対面するように設けるとと
もに、該スパッタ面に垂直な方向の磁界を発生する磁界
発生手段を設け、前記ターゲット間の空間のターゲット
の側方に該空間に対面するように配置した基板上に膜形
成するようになした対向ターゲット式スパッタ装置にお
いて、前記磁界発生手段を〜ターゲットの周辺に配置す
るとともに、ターゲラ１〜の中央部にも補助磁界発生手
段を配置することを特徴とする対向ターゲット式スパッ
タ装置である。
上述の本発明は以下のようにしてなされたものである。
すなわち、従来基板の中方向の膜厚分布の改善に対して
はターゲットの基板巾方向の長さを基板の有効中に対し
て十分大きくとる方策がとられていたが、この方法では
ターゲットの有効利用効率が低下する、装置が大型にな
るなどの欠点があり必ずしも有効な方法とはいえなかっ
た。
はターゲットの基板巾方向の長さを基板の有効中に対し
て十分大きくとる方策がとられていたが、この方法では
ターゲットの有効利用効率が低下する、装置が大型にな
るなどの欠点があり必ずしも有効な方法とはいえなかっ
た。
さらに長時間のスパッタを続けると前述のようにエロー
ジョンの領域がターゲット中央部に集中するようになり
巾方向の膜厚分布をざらに悪くするという問題点があっ
た。
ジョンの領域がターゲット中央部に集中するようになり
巾方向の膜厚分布をざらに悪くするという問題点があっ
た。
また前述のシールドカバーの工夫による改善策も、とく
にターゲットが強磁性体の場合にはターゲット内の磁路
のインピーダンスが十分小さくなり有効な磁界をターゲ
ット周辺部から引き出すことができない。
にターゲットが強磁性体の場合にはターゲット内の磁路
のインピーダンスが十分小さくなり有効な磁界をターゲ
ット周辺部から引き出すことができない。
本発明者らは上述の磁界分布に着目し、その調整手段を
種々検討の結果、ターゲット中央部に補助磁界発生手段
を設置し、スパッタの進行とともにターゲット中央部方
向に集中しつつある磁界を補助磁界でターゲット周辺に
押しやる事により前述の傾向を防止することができるこ
とを見出し本発明に想到したものである。
種々検討の結果、ターゲット中央部に補助磁界発生手段
を設置し、スパッタの進行とともにターゲット中央部方
向に集中しつつある磁界を補助磁界でターゲット周辺に
押しやる事により前述の傾向を防止することができるこ
とを見出し本発明に想到したものである。
即ち磁性体ターゲットの背面に磁界発生手段が置かれて
いる場合、ターゲットの厚さが均一ならば磁界はターゲ
ット周辺部に集中し、ターゲット周辺よりターゲットに
垂直に発生する。
いる場合、ターゲットの厚さが均一ならば磁界はターゲ
ット周辺部に集中し、ターゲット周辺よりターゲットに
垂直に発生する。
本発明はかかる現象とエロージョンの進行による磁界の
ターゲット中央部への集中を重量させることにより磁界
の発生をターゲット周辺に保つことによってなされる。
ターゲット中央部への集中を重量させることにより磁界
の発生をターゲット周辺に保つことによってなされる。
以下、本発明の詳細を図面により説明する。
第１図は、本発明に係わる対向ターゲット式スパッタ装
置の説明図、第２図はそのターゲット部の平面図である
。
置の説明図、第２図はそのターゲット部の平面図である
。
図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭５７−１５
８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スパッタ装置
と基本的に同じ構成となっている。
８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スパッタ装置
と基本的に同じ構成となっている。
すなわち、図において１０は真空槽、２０は真空槽１０
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を１
０−１〜１０’Ｔｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設定す
るガス導入系である。
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を１
０−１〜１０’Ｔｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設定す
るガス導入系である。
そして、真空槽１０内には、図示の如く真空槽１０の側
板１”１．１２に絶縁部材１３．１４を介して固着され
たターゲットホルダー１５．１６により１対のターゲッ
トＴ＋ 、Ｔ２が、そのスパッタされる面Ｔ＋ｓ。
板１”１．１２に絶縁部材１３．１４を介して固着され
たターゲットホルダー１５．１６により１対のターゲッ
トＴ＋ 、Ｔ２が、そのスパッタされる面Ｔ＋ｓ。
Ｔ２Ｓを空間を隔てて平行に対面するように配設しであ
る。
る。
ターゲットＴ＋ 、Ｔ２の周縁の背後には、プラズマ捕
捉の磁界を発生する磁界発生手段の永久磁石１５２．１
６２を配設すると共に、その中央部背後には本発明の補
助磁界発生手段である電磁石１５３゜１６３が対向配置
しである。
捉の磁界を発生する磁界発生手段の永久磁石１５２．１
６２を配設すると共に、その中央部背後には本発明の補
助磁界発生手段である電磁石１５３゜１６３が対向配置
しである。
ターゲットＴ＋ 、Ｔｚとそれに対応するターゲットホ
ルダー１５．１６は、冷却パイプ１５１．１６１を介し
て冷却水が循環し、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２、永久磁石
１５２．１６２ 、電磁石１５３．１６３が冷却される
。
ルダー１５．１６は、冷却パイプ１５１．１６１を介し
て冷却水が循環し、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２、永久磁石
１５２．１６２ 、電磁石１５３．１６３が冷却される
。
磁石１５２．１６２はターゲットＴ＋ 、Ｔ２を介して
Ｎ極、Ｓ極が対面するように設けてあり、従って磁界φ
は図示のようにターゲットＴ＋ 、Ｔ２に垂直な方向に
、かつターゲット間のみに形成される。電磁石１５３．
１６３ （７）ｌａ極は、永久磁石１５２゜１６２と同
様異極が対面するように設定する。電磁石１５３．１６
３は電流の方向を変えることによりターゲツト面に対し
てＮ極、Ｓ極のいずれでも発生でき、電流値によりその
発生磁界の強度が調整でき、ターゲラｔ’Ｔ＋ 、Ｔ２
の磁界分布を調整できる。
Ｎ極、Ｓ極が対面するように設けてあり、従って磁界φ
は図示のようにターゲットＴ＋ 、Ｔ２に垂直な方向に
、かつターゲット間のみに形成される。電磁石１５３．
１６３ （７）ｌａ極は、永久磁石１５２゜１６２と同
様異極が対面するように設定する。電磁石１５３．１６
３は電流の方向を変えることによりターゲツト面に対し
てＮ極、Ｓ極のいずれでも発生でき、電流値によりその
発生磁界の強度が調整でき、ターゲラｔ’Ｔ＋ 、Ｔ２
の磁界分布を調整できる。
なお、１７．１８は絶縁部材１３．１４及びターゲット
ホルダー１５．１６をスパッタリング時のプラズマ粒子
から保護するためとターゲット表面以外の部分の異常放
電を防止するためのシールドカバーで、１７ａ、１８ａ
はターゲットＴ＋ 、Ｔ２の前方に配置されたシールド
カバーの間部でシールドカバー１７゜１８とターゲット
Ｔ１．Ｔ２との間隙へ粒子が入るのを防止するためにタ
ーゲットＴ＋ 、Ｔ２の周縁と若干量なるように設けら
れている。
ホルダー１５．１６をスパッタリング時のプラズマ粒子
から保護するためとターゲット表面以外の部分の異常放
電を防止するためのシールドカバーで、１７ａ、１８ａ
はターゲットＴ＋ 、Ｔ２の前方に配置されたシールド
カバーの間部でシールドカバー１７゜１８とターゲット
Ｔ１．Ｔ２との間隙へ粒子が入るのを防止するためにタ
ーゲットＴ＋ 、Ｔ２の周縁と若干量なるように設けら
れている。
また、磁性薄膜が形成される長尺の基板４０を保持する
基板保持手段４１は、庚空槽１０内のターゲット１−１
．Ｔ２の側方に設けである。基板保持手段４１は、図示
省略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互いに
軸平行に支持された、ロール状の基板４０を保持する繰
り返しロール４１ａと、支持ロール４１ｂと、巻取ロー
ル４１ｃとの３個のロールからなり、基板４０をターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２間の空間に対面するようにスパッタ面
ＴＩＳ、Ｔ２Ｓに対して略直角方向に保持するように配
しである。従って基板４０は巻取ロール４１ｃによりス
パッタ面ＴＩＳ。
基板保持手段４１は、庚空槽１０内のターゲット１−１
．Ｔ２の側方に設けである。基板保持手段４１は、図示
省略した支持ブラケットにより夫々回転自在かつ互いに
軸平行に支持された、ロール状の基板４０を保持する繰
り返しロール４１ａと、支持ロール４１ｂと、巻取ロー
ル４１ｃとの３個のロールからなり、基板４０をターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２間の空間に対面するようにスパッタ面
ＴＩＳ、Ｔ２Ｓに対して略直角方向に保持するように配
しである。従って基板４０は巻取ロール４１ｃによりス
パッタ面ＴＩＳ。
Ｔ２Ｓに対して直角方向に移動可能である。なお、支持
ロール４１ｂはその表面温度が調節可能となっている。
ロール４１ｂはその表面温度が調節可能となっている。
一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２に夫々接続する。従って電力供給手段
５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットＴ＋ 、Ｔ２をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２に夫々接続する。従って電力供給手段
５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットＴ＋ 、Ｔ２をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。
また、６０は基板４０の前処理財の赤外線ヒーターであ
る。なお、プレスパッタ時基板４０を保護するため、基
板４０とターゲットＴ＋ 、Ｔ２との間に出入するシャ
ッター（図示省略）が設けである。
る。なお、プレスパッタ時基板４０を保護するため、基
板４０とターゲットＴ＋ 、Ｔ２との間に出入するシャ
ッター（図示省略）が設けである。
以上の通り、前述の特開昭５７−１５８３８０号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ＋ 、
Ｔ２間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン
、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度
プラズマが形成される。
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ＋ 、
Ｔ２間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン
、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度
プラズマが形成される。
従って、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２のスパッタが促進され
て前記空間より析出量が増大し、基板４０上への堆積速
度が増し高速スパッタが出来る上、基板４０がターゲッ
トＴ＋ 、Ｔ２の側方にあるので低温スパッタも出来る
。
て前記空間より析出量が増大し、基板４０上への堆積速
度が増し高速スパッタが出来る上、基板４０がターゲッ
トＴ＋ 、Ｔ２の側方にあるので低温スパッタも出来る
。
ところで、前述の通り、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２の背面
にはその周辺に永久磁石１５２．１６２からなる磁界発
生手段と、中央に電磁石１５３．１６３からなる補助磁
界発生手段が設けられ、電磁石１５３゜１６３の磁極は
磁界が磁界発生手段の磁界と同一方向になるように設定
されている。
にはその周辺に永久磁石１５２．１６２からなる磁界発
生手段と、中央に電磁石１５３．１６３からなる補助磁
界発生手段が設けられ、電磁石１５３゜１６３の磁極は
磁界が磁界発生手段の磁界と同一方向になるように設定
されている。
従って、スパッタの進行とともに中央の電磁石１５３、
１６３を流れる電流を徐々に強くすることによりエロー
ジョン領域を均一に保つことができ、ターゲットの有効
利用効率が向上し、かつ巾方向の膜厚分布も均一に保つ
ことができる。
１６３を流れる電流を徐々に強くすることによりエロー
ジョン領域を均一に保つことができ、ターゲットの有効
利用効率が向上し、かつ巾方向の膜厚分布も均一に保つ
ことができる。
なお、補助磁界発生手段は、磁界発生手段により磁界パ
ターンを調整するものであり、その磁界の方向及び強度
等の条件は、例えばその磁界の方向については前述のよ
うに磁界発生手段の磁界方向と必ずしも一致させる必要
はなく、逆方向でも良く、又は逆方向から同一方向へ順
次変化させても良く、作成躾等膜作成条件に応じて実験
的に決定される。
ターンを調整するものであり、その磁界の方向及び強度
等の条件は、例えばその磁界の方向については前述のよ
うに磁界発生手段の磁界方向と必ずしも一致させる必要
はなく、逆方向でも良く、又は逆方向から同一方向へ順
次変化させても良く、作成躾等膜作成条件に応じて実験
的に決定される。
以下上述の点を具体例により説明する。
第３図は第１図において電磁石１５３．１６３を作動さ
せない場合、すなわち従来装置と同等の方法で作成した
比較例の巾方向の膜厚分布を示すグラフである。この比
較例は基板の巾方向の巾３３０ａ。
せない場合、すなわち従来装置と同等の方法で作成した
比較例の巾方向の膜厚分布を示すグラフである。この比
較例は基板の巾方向の巾３３０ａ。
奥行１３０ｍの長方形で厚さ１２ ａｍのパーマロイか
らなるターゲットＴ＋ 、Ｔ２を用いて、厚さ１００μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に連続的に
磁性薄膜を形成した場合のものである。
らなるターゲットＴ＋ 、Ｔ２を用いて、厚さ１００μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に連続的に
磁性薄膜を形成した場合のものである。
なお、図において、点線は運転初期の、実線は９３時間
連続運転後の結果を示す。図から明らかなように、基板
上に堆積するパーマロイ薄膜のターゲット幅方向の膜厚
分布も、初期にはスパッタ有効中に対して±１０％の膜
厚分布を有し、巾方向の中心に関し対称形であったもの
が、磁界強度の分布の変化に対応して、連続運転後には
該中心より膜厚のピークが一方向に変化し、しかも中心
より膜厚の厚い方向にはより厚く、薄い方向にはより薄
くなり、左右非対称形に変化している。なお、図におい
て、パーマロイ薄膜の膜厚分布は最大膜厚を１００％と
した百分率で示した。ターゲットのエロージョンの最大
浸食深さは投入型カフｋｗで９３時間連続運転後１１，
７＃ｌであった。
連続運転後の結果を示す。図から明らかなように、基板
上に堆積するパーマロイ薄膜のターゲット幅方向の膜厚
分布も、初期にはスパッタ有効中に対して±１０％の膜
厚分布を有し、巾方向の中心に関し対称形であったもの
が、磁界強度の分布の変化に対応して、連続運転後には
該中心より膜厚のピークが一方向に変化し、しかも中心
より膜厚の厚い方向にはより厚く、薄い方向にはより薄
くなり、左右非対称形に変化している。なお、図におい
て、パーマロイ薄膜の膜厚分布は最大膜厚を１００％と
した百分率で示した。ターゲットのエロージョンの最大
浸食深さは投入型カフｋｗで９３時間連続運転後１１，
７＃ｌであった。
第４図は電磁石１５３．１６３を作動させた場合の本発
明の実施結果を示すグラフである。本実施結果はターゲ
ットＴ＋、工２を比較例と同じパーマロイターゲットと
し磁性薄膜を形成したものである。電磁石１５３．１６
３の極性は永久磁石１５２．１６２と同じにし、かつス
パッタの進行とともにその発生磁界の強さを徐々に上げ
ていった。かかる方法により、図示の通りターゲット使
用開始から １０２時間の連続運転終了までほとんど１
〕方向の膜厚分布が変化しないことが判る。
明の実施結果を示すグラフである。本実施結果はターゲ
ットＴ＋、工２を比較例と同じパーマロイターゲットと
し磁性薄膜を形成したものである。電磁石１５３．１６
３の極性は永久磁石１５２．１６２と同じにし、かつス
パッタの進行とともにその発生磁界の強さを徐々に上げ
ていった。かかる方法により、図示の通りターゲット使
用開始から １０２時間の連続運転終了までほとんど１
〕方向の膜厚分布が変化しないことが判る。
これはターゲットエロージョン領域が時間変化せず、か
つターゲットが有効に利用されていることによるもので
ある。
つターゲットが有効に利用されていることによるもので
ある。
以上のとおり本発明は薄膜形成とくに磁気記録媒体の製
造等磁性１膜の安定連続生産に有利に適用できる対向タ
ーゲット式スパッタ装置であり、工業上非常に大きな効
果を示す有用なものである。
造等磁性１膜の安定連続生産に有利に適用できる対向タ
ーゲット式スパッタ装置であり、工業上非常に大きな効
果を示す有用なものである。
第１図は本発明に係る対向ターゲット式スパッタ装置の
説明図、第２図はターゲットおよび磁界発生の様子を示
す説明図、第３図は比較例の基板巾方向の膜厚分布を示
すグラフ、第４図は実施例の基板巾方向の膜厚分布を示
すグラフである。 １０：真空槽、 Ｔ＋ 、Ｔ２ ：ターゲット、２０
：排気系、 ３０：ガス導入系、 ４０：基板、５０：
電源、 １５２．１６２ ：永久磁石、１５３、１６
３：電磁石 特許出願人 帝 人 株 式 会 社−一一−ハ ・ 代 理 人 弁理士 前 １） 純 博１
′）＼コー （Ａ） （Ｂ） 一７ｉＺ 図 才づ１霞
説明図、第２図はターゲットおよび磁界発生の様子を示
す説明図、第３図は比較例の基板巾方向の膜厚分布を示
すグラフ、第４図は実施例の基板巾方向の膜厚分布を示
すグラフである。 １０：真空槽、 Ｔ＋ 、Ｔ２ ：ターゲット、２０
：排気系、 ３０：ガス導入系、 ４０：基板、５０：
電源、 １５２．１６２ ：永久磁石、１５３、１６
３：電磁石 特許出願人 帝 人 株 式 会 社−一一−ハ ・ 代 理 人 弁理士 前 １） 純 博１
′）＼コー （Ａ） （Ｂ） 一７ｉＺ 図 才づ１霞
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、そのスパッタ面が空間を隔てて平行に対面するよう
に設けられたターゲットの背面に該スパッタ面に垂直な
方向の磁界を発生する磁界発生手段を設け、前記ターゲ
ット間の空間の側方に該空間に対面するように配置した
基板上に膜形成するようになした対向ターゲット式スパ
ッタ装置において、前記磁界発生手段をターゲットの周
辺に配置するとともに、ターゲットの中央部にも補助磁
界発生手段を配置することを特徴とする対向ターゲット
式スパッタ装置。 ２、前記磁界発生手段と補助磁界発生手段の磁極の方向
が同方向である特許請求の範囲第１項記載の対向ターゲ
ット式スパッタ装置。 ３、磁界発生手段が永久磁石よりなり、補助磁界発生手
段が電磁石よりなる特許請求の範囲第１項または第２項
記載の対向ターゲット式スパッタ装置。 ４、前記補助磁界発生手段の発生磁界の強度を調整可能
とした特許請求の範囲第３項記載の対向ターゲット式ス
パッタ装置。 ５、ターゲットが強磁性体である特許請求の範囲第４項
記載の対向ターゲット式スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2348985A JPS61183466A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2348985A JPS61183466A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183466A true JPS61183466A (ja) | 1986-08-16 |
| JPH0257144B2 JPH0257144B2 (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=12111920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2348985A Granted JPS61183466A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183466A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4784739A (en) * | 1986-12-26 | 1988-11-15 | Teijin Limited | Method of producing a thin film by sputtering and an opposed target type sputtering apparatus |
| JPS63277756A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-15 | Canon Inc | 対向タ−ゲット式スパッタ装置 |
| JPH01165749A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 熱間鍛造用快削鋼 |
| JPH0229455U (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-26 | ||
| WO2007046244A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Ulvac, Inc. | スパッタリング装置 |
| JPWO2007046243A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2009-04-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び成膜方法 |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP2348985A patent/JPS61183466A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4784739A (en) * | 1986-12-26 | 1988-11-15 | Teijin Limited | Method of producing a thin film by sputtering and an opposed target type sputtering apparatus |
| JPS63277756A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-15 | Canon Inc | 対向タ−ゲット式スパッタ装置 |
| JPH01165749A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 熱間鍛造用快削鋼 |
| JPH0229455U (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-26 | ||
| WO2007046244A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Ulvac, Inc. | スパッタリング装置 |
| JPWO2007046243A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2009-04-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び成膜方法 |
| JPWO2007046244A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2009-04-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| JP4717887B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-07-06 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| JP4763711B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-08-31 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び成膜方法 |
| US8585872B2 (en) | 2005-10-18 | 2013-11-19 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus and film-forming processes |
| US8679306B2 (en) | 2005-10-18 | 2014-03-25 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus |
| EP1939322A4 (en) * | 2005-10-18 | 2015-12-09 | Ulvac Inc | SPRAY APPARATUS |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0257144B2 (ja) | 1990-12-04 |
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