JPWO2007046243A1 - スパッタリング装置及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
ターゲットの使用効率が高いスパッタリング装置を提供する。本発明のスパッタリング装置１は、移動手段２８ａ、２８ｂを有しており、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂは移動手段２８ａ、２８ｂによって、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面と平行な面内で移動可能に構成されている。第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂが移動すると、磁力線も移動し、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂ表面の高エロージョン領域も移動するので、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂ表面の広い領域がスパッタリングされる。
Description
本発明はスパッタリング装置と、それを用いた成膜方法に関する。
有機ＥＬ素子は表示素子として近年着目されている。
図１０は、有機ＥＬ素子２０１の構造を説明するための模式的な断面図である。
この有機ＥＬ素子２０１は、基板２１１上に、下部電極２１４と、有機層２１７、２１８と上部電極２１９とがこの順序で積層されており、上部電極２１９と下部電極２１４の間に電圧を印加すると、有機層２１７、２１８の内部又は界面で発光する。上部電極２１９をＩＴＯ膜(インジウム錫酸化物膜)等の透明導電膜で構成させると、発光光は上部電極２１９を透過し、外部に放出される。
図１０は、有機ＥＬ素子２０１の構造を説明するための模式的な断面図である。
この有機ＥＬ素子２０１は、基板２１１上に、下部電極２１４と、有機層２１７、２１８と上部電極２１９とがこの順序で積層されており、上部電極２１９と下部電極２１４の間に電圧を印加すると、有機層２１７、２１８の内部又は界面で発光する。上部電極２１９をＩＴＯ膜(インジウム錫酸化物膜)等の透明導電膜で構成させると、発光光は上部電極２１９を透過し、外部に放出される。
上記のような上部電極２１９の形成方法は主に蒸着法が用いられている。
蒸着法では、蒸着源から昇華または蒸発によって放出される粒子は、中性の低エネルギー（数ｅＶ程度）粒子であるので、上部電極２１９や有機ＥＬ素子の保護膜を形成する場合は、有機膜２１７、２１８にダメージを与えず、良好な界面を形成できるといったメリットがある。
蒸着法では、蒸着源から昇華または蒸発によって放出される粒子は、中性の低エネルギー（数ｅＶ程度）粒子であるので、上部電極２１９や有機ＥＬ素子の保護膜を形成する場合は、有機膜２１７、２１８にダメージを与えず、良好な界面を形成できるといったメリットがある。
しかし、蒸着法で形成される膜は有機膜との密着性が悪いため、ダークスポットが発生したり長期駆動により電極が剥離してしまうといった不具合が生じている。また、生産性の観点からは、点蒸発源のため大面積では膜厚分布がとりづらいといった問題や、蒸発ボートの劣化や蒸発材料の連続供給が困難なため、メンテナンスサイクルが短いなどの問題がある。
上記の問題を解決する手法としてスパッタ法が考えられる。しかし、成膜対象物をターゲットの表面に対向させる平行平板型のスパッタ法では、有機層上にアルミニウムの上部電極を形成した場合、有機ＥＬデバイスの駆動テストで発光開始電圧が著しく高くなったり、発光しないという不具合が生じている。これはスパッタ法ではプラズマ中の荷電粒子（Ａｒイオン、２次電子、反跳Ａｒ）や高い運動エネルギーを持ったスパッタ粒子が有機膜上へ入射するために、有機膜の界面を破壊して、電子の注入がうまく出来なくなるからである。
そこで従来技術でも対策が模索されており、図１１に示すようなスパッタリング装置１１０が提案されている。このスパッタリング装置１１０は、真空槽１１１を有しており、該真空槽１１１内には、二台のターゲット１２１ａ、１２１ｂが裏面をバッキングプレート１２２ａ、１２２ｂに取りつけられ、表面は互いに一定距離だけ離間して平行に対向配置されている。
バッキングプレート１２２ａ、１２２ｂの裏面には、磁石部材１１５ａ、１１５ｂが配置されている。磁石部材１１５ａ、１１５ｂは、ヨーク１２９ａ、１２９ｂにリング状の磁石１２３ａ、１２３ｂが取りつけられて構成されている。
各磁石１２３ａ、１２３ｂは、それぞれ一方の磁極をターゲット１２１ａ、１２１ｂに向け、他方の磁極をターゲットとは反対方向に向けて配置されており、且つ、二個の磁石１２３ａ、１２３ｂは、異なる極性の磁極がターゲット１２１ａ、１２１ｂに向けられている。要するに、一方の磁石１２３ａが、ターゲット１２１ａにＮ極を向けている場合、他方の磁石１２３ｂは、ターゲット１２１ｂにＳ極を向けているので、二個の磁石１２３ａ、１２３ｂの間に磁力線１３１が生じる。磁石１２３ａ、１２３ｂはリング状であるので、磁石１２３ａ、１２３ｂの間に生じる磁力線１３１は筒状になる。
真空排気系１１６によって真空槽１１１内を真空排気し、ガス導入系１１７からスパッタガスを導入し、ターゲット１２１ａ、１２１ｂに電圧を印加すると、ターゲット１２１ａ、１２１ｂで挟まれた空間にスパッタガスのプラズマが発生し、ターゲット１２１ａ、１２１ｂの表面がスパッタされる。
ターゲット１２１ａ、１２１ｂで挟まれた空間の側方には、成膜対象物１１３が配置されており、ターゲット１２１ａ、１２１ｂから斜めに飛び出し、真空槽１１１内に放出されたスパッタ粒子によって、成膜対象物１１３表面に薄膜が形成される。
このスパッタリング装置１１０では、二個の磁石１２３ａ、１２３ｂの間に形成される筒状の磁力線１３１により、ターゲット１２１ａ、１２１ｂが向かい合う空間が取り囲まれており、プラズマはその磁力線１３１によって閉じこめられるため、成膜対象物１１３側にプラズマが漏れ出さない。従って、成膜対象物１１３はプラズマ中の荷電粒子に曝されず、成膜対象物１１３表面に露出する有機薄膜がダメージを受けない。
しかしながら、上記スパッタリング装置１１０では、スパッタによってターゲット１２１ａ、１２１ｂの中央部分が縁部分よりも深く掘れるという現象が生じる。図１２の符号１３１ａ、１３１ｂはターゲット１２１ａ、１２１ｂが深くエッチングされ、膜厚が小さくなったエロージョン領域を示し、同図の符号１３２ａ、１３２ｂはターゲット１２１ａ、１２１ｂがエッチングされず、膜厚が厚く残った非エロージョン領域を示している。
裏面側のパッキングプレート１２２ａ、１２２ｂが露出する程ターゲット１２１ａ、１２１ｂが深く掘れると異常放電が起こるため、ターゲット１２１ａ、１２１ｂはバッキングプレート１２２ａ、１２２ｂが露出する前に交換される。
ターゲット１２１ａ、１２１ｂの一部分だけが深く掘れると、他の部分の膜厚減少量が少なくても、ターゲット１２１ａ、１２１ｂを交換しなければならず、従来のスパッタリング装置１１０ではターゲットの使用効率が悪かった。
特開平１１−１６２６５２号公報
特開２００５−０３２６１８号公報
ターゲット１２１ａ、１２１ｂの一部分だけが深く掘れると、他の部分の膜厚減少量が少なくても、ターゲット１２１ａ、１２１ｂを交換しなければならず、従来のスパッタリング装置１１０ではターゲットの使用効率が悪かった。
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、その目的はターゲットの使用効率を高めることである。
上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、板状の第一、第二のターゲットと、リング形状であって、そのリングの厚み方向に磁化された第一、第二の磁石部材とを有し、前記第一、第二のターゲットは表面が互いに平行になるよう向けられた状態で前記真空槽内に所定間隔を空けて配置され、前記第一、第二の磁石部材は、前記第一、第二のターゲットの裏面側に、互いに異なる磁極が対向するように配置され、前記第一、第二のターゲット間の隙間であるスパッタ空間の端部から成膜対象物の成膜面に向けてスパッタ粒子が放出されるよう構成されたスパッタリング装置であって、前記第一、第二の磁石部材を、前記第一、第二のターゲットの表面に対して平行な面内で、前記第一、第二のターゲットに対して相対的に移動させる移動手段を有するスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記真空槽内の前記スパッタ空間の前記端部の近傍位置に配置され、前記成膜対象物が移動する経路である搬送経路と、前記成膜面が前記スパッタ空間の前記端部に面した一の平面内に位置する状態を維持しながら、前記成膜対象物を前記搬送経路に沿って移動させる搬送機構とを有し、前記第一、第二のターゲットの表面は、前記一の平面と直交し、前記搬送経路と交差する面上に配置されたスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記スパッタ空間の前記端部の縁には、前記第一のターゲットの一辺と前記第二のターゲットの一辺が互いに平行に位置し、前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材を、前記端部の縁に位置する前記第一、第二のターゲットの辺に沿った方向と、それとは垂直な方向に、それぞれ移動させるように構成されたスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材の前記搬送経路側の側面を、前記成膜面が位置する平面と平行になる状態を維持したまま、前記第一、第二の磁石部材を移動させるスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材を、前記リングの内側に位置する所定の回転中心を中心として、正回転方向と、逆回転方向に所定角度回転させるスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記第一、第二の磁石部材の外周は、前記第一、第二のターゲットの外周よりも大きくされ、前記移動手段は、前記第一、第二のターゲットの外周が前記第一、第二の磁石部材の外周からはみ出さないように、前記第一、第二の磁石部材を移動させるスパッタリング装置である。
本発明は、真空槽と、板状の第一、第二のターゲットと、リング形状であって、そのリングの厚み方向に磁化された第一、第二の磁石部材とを有し、前記第一、第二のターゲットは表面が互いに平行になるよう向けられた状態で前記真空槽内に所定間隔を空けて配置され、前記第一、第二の磁石部材は、前記第一、第二のターゲットの裏面側に互いに異なる磁極が対向するように配置されたスパッタリング装置を用い、前記第一、第二のターゲット間の隙間であるスパッタ空間の端部から成膜対象物の成膜面に向けてスパッタ粒子を放出させ、前記成膜面に薄膜を形成する成膜方法であって、前記第一、第二の磁石部材を、前記第一、第二のターゲットと平行な面内で前記第一、第二のターゲットに対して相対的に移動させながらスパッタリングを行う成膜方法である。
本発明は成膜方法であって、前記第一、第二の磁石部材の移動は、前記第一、第二の磁石部材を相対的に静止させて行う成膜方法である。
本発明は成膜方法であって、前記スパッタ空間の前記端部の縁に第一のターゲットの一辺と第二のターゲットの一辺を互いに平行になるよう配置し、前記第一、第二の磁石部材の移動は、前記第一、第二の磁石部材を、前記端部の縁に位置する前記第一、第二のターゲットの辺に沿った方向と、それとは垂直な方向に、それぞれ往復移動させる成膜方法である。
本発明は成膜方法であって、前記第一、第二の磁石部材の移動は、所定の回転中心を中心として、前記第一、第二の磁石部材を正回転方向と逆回転方向に交互に回転させる成膜方法である。
本発明は成膜方法であって、前記第一、第二の磁石部材の正回転と逆回転は、前記第一、第二の磁石部材を、前記成膜面が位置する平面に対して同じ高さまで近づける成膜方法である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記真空槽内の前記スパッタ空間の前記端部の近傍位置に配置され、前記成膜対象物が移動する経路である搬送経路と、前記成膜面が前記スパッタ空間の前記端部に面した一の平面内に位置する状態を維持しながら、前記成膜対象物を前記搬送経路に沿って移動させる搬送機構とを有し、前記第一、第二のターゲットの表面は、前記一の平面と直交し、前記搬送経路と交差する面上に配置されたスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記スパッタ空間の前記端部の縁には、前記第一のターゲットの一辺と前記第二のターゲットの一辺が互いに平行に位置し、前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材を、前記端部の縁に位置する前記第一、第二のターゲットの辺に沿った方向と、それとは垂直な方向に、それぞれ移動させるように構成されたスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材の前記搬送経路側の側面を、前記成膜面が位置する平面と平行になる状態を維持したまま、前記第一、第二の磁石部材を移動させるスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材を、前記リングの内側に位置する所定の回転中心を中心として、正回転方向と、逆回転方向に所定角度回転させるスパッタリング装置である。
本発明は、スパッタリング装置であって、前記第一、第二の磁石部材の外周は、前記第一、第二のターゲットの外周よりも大きくされ、前記移動手段は、前記第一、第二のターゲットの外周が前記第一、第二の磁石部材の外周からはみ出さないように、前記第一、第二の磁石部材を移動させるスパッタリング装置である。
本発明は、真空槽と、板状の第一、第二のターゲットと、リング形状であって、そのリングの厚み方向に磁化された第一、第二の磁石部材とを有し、前記第一、第二のターゲットは表面が互いに平行になるよう向けられた状態で前記真空槽内に所定間隔を空けて配置され、前記第一、第二の磁石部材は、前記第一、第二のターゲットの裏面側に互いに異なる磁極が対向するように配置されたスパッタリング装置を用い、前記第一、第二のターゲット間の隙間であるスパッタ空間の端部から成膜対象物の成膜面に向けてスパッタ粒子を放出させ、前記成膜面に薄膜を形成する成膜方法であって、前記第一、第二の磁石部材を、前記第一、第二のターゲットと平行な面内で前記第一、第二のターゲットに対して相対的に移動させながらスパッタリングを行う成膜方法である。
本発明は成膜方法であって、前記第一、第二の磁石部材の移動は、前記第一、第二の磁石部材を相対的に静止させて行う成膜方法である。
本発明は成膜方法であって、前記スパッタ空間の前記端部の縁に第一のターゲットの一辺と第二のターゲットの一辺を互いに平行になるよう配置し、前記第一、第二の磁石部材の移動は、前記第一、第二の磁石部材を、前記端部の縁に位置する前記第一、第二のターゲットの辺に沿った方向と、それとは垂直な方向に、それぞれ往復移動させる成膜方法である。
本発明は成膜方法であって、前記第一、第二の磁石部材の移動は、所定の回転中心を中心として、前記第一、第二の磁石部材を正回転方向と逆回転方向に交互に回転させる成膜方法である。
本発明は成膜方法であって、前記第一、第二の磁石部材の正回転と逆回転は、前記第一、第二の磁石部材を、前記成膜面が位置する平面に対して同じ高さまで近づける成膜方法である。
本発明は上記のように構成されており、第一、第二の磁石部材は第一、第二のターゲットと平行な面内を移動するので、第一、第二の磁石部材の磁極が位置する表面と、第一、第二のターゲット表面までの距離は変らない。従って、第一、第二の磁石部材が移動する時には、同じ磁場強度の磁界が第一、第二のターゲット表面上を移動する。
第一、第二のターゲットの表面は、成膜面が位置する平面と直交する平面に位置するので、第一、第二のターゲットの表面から斜め方向に飛び出した小さいエネルギーのスパッタリング粒子によって成膜されるため、成膜対象物の表面に露出している薄膜へのダメージが少ない。
第一、第二の磁石部材は同じ方向同じ速度で一緒に移動するので、互いに静止した状態になっている。従って、第一、第二の磁石部材の間に生成される筒状磁力線は、第一、第二の磁石部材が移動する時も維持される。
第一、第二の磁石部材を移動させることで第一、第二のターゲットのエロージョン領域が広くなるので、第一、第二のターゲットの使用効率が高くなる。
１……スパッタリング装置 ５……成膜対象物 １２……搬送機構 １４……搬送経路 ２１ａ、２１ｂ……第一、第二のターゲット ２３ａ、２３ｂ……第一、第二の磁石部材 ２６ａ、２６ｂ……二辺 ２８ａ、２８ｂ……移動手段 ３８……スパッタ空間 ３９……端部 Ａ１、Ａ２…二辺と直交する二方向 Ｂ１、Ｂ２……二辺に沿った二方向
図１の符号１０は、本発明の一例のスパッタリング装置を示している。
このスパッタリング装置１０は、縦型のインターバック式の装置であり、真空槽１１を有している。真空槽１１は搬送室９と該搬送室９に接続されたスパッタ室１６とを有している。スパッタ室１６の内部には、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂが配置されている。
このスパッタリング装置１０は、縦型のインターバック式の装置であり、真空槽１１を有している。真空槽１１は搬送室９と該搬送室９に接続されたスパッタ室１６とを有している。スパッタ室１６の内部には、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂが配置されている。
第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂはそれぞれ長方形の板状であって、表面が所定間隔を空けて互いに平行にされている。図１の符号３８は第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの間の空間であるスパッタ空間を示している。
真空槽１１には真空排気系１９と、ガス供給系１８が接続されており、真空排気系１９で真空槽１１内を排気し、ガス供給系１８からスパッタガスを導入し、所定圧力の成膜雰囲気を形成する。
真空槽２の外部には電源２５が配置されており、電源２５はバッキングプレート２２ａ、２２ｂに接続されているが、真空槽２には接続されておらず、成膜雰囲気を維持したまま、真空槽２を接地電位に置いた状態で、電源２５から、バッキングプレート２２ａ、２２ｂを介して第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂに電圧印加すると、スパッタ空間３８にプラズマが生成され、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂがスパッタされ、スパッタ空間３８にスパッタ粒子が放出される。
真空槽２の外部には電源２５が配置されており、電源２５はバッキングプレート２２ａ、２２ｂに接続されているが、真空槽２には接続されておらず、成膜雰囲気を維持したまま、真空槽２を接地電位に置いた状態で、電源２５から、バッキングプレート２２ａ、２２ｂを介して第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂに電圧印加すると、スパッタ空間３８にプラズマが生成され、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂがスパッタされ、スパッタ空間３８にスパッタ粒子が放出される。
図１の符号３９はスパッタ空間３８の搬送室９側の端部を示しており、スパッタ空間３８に放出されたスパッタ粒子はその端部３９から搬送室９に向けて飛び出す。第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂは、搬送室９に向けて互いに平行にされた直線状の辺２６ａ、２６ｂをそれぞれ有しており、その二辺２６ａ、２６ｂはスパッタ空間３８の搬送室９側の端部３９の縁に位置する。従って、スパッタ粒子はその二辺２６ａ、２６ｂの間から搬送室９に向けて飛び出す。
その二辺２６ａ、２６ｂは第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの長辺であり、端部３９の縁に位置する長辺から他の長辺までの深さは浅いので、多くのスパッタ粒子が第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂに再衝突せずにスパッタ空間３８の上記端部３９から放出される。
搬送室９内部には成膜対象物５を移動させる搬送経路１４が設けられている。上記端部３９に位置する第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの二辺２６ａ、２６ｂは第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂ表面に対して垂直な一の平面内に位置しており、搬送経路１４はそれら二辺２６ａ、２６ｂと平行な平面内であって、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂ表面が位置する面Ｐと直交する方向に延設されている。ゲートバルブ４１を開け、Ｌ／ＵＬ室３から成膜対象物５を搬送室９内に搬入し、キャリア１３に成膜対象物５を保持させ、搬送機構１２でキャリア１３を搬送すると、成膜対象物５が搬送経路１４に沿って移動する。
成膜対象物５は後述する薄膜が形成されるべき成膜面６を有しており、成膜対象物５が移動すると、成膜面６は上記二辺２６ａ、２６ｂが位置する平面と平行な面内を移動する。
搬送経路１４は成膜対象物５が移動する時に、その成膜面６がスパッタ空間３８の上記端部３９と正対する位置を通過するようになっており、成膜面６がスパッタ空間３８の上記端部３９と正対する位置を通過する時にスパッタ粒子が成膜面６に到達して薄膜が成長する。
真空槽１１外部の第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの裏面位置にはそれぞれ板状のヨーク２９ａ、２９ｂが配置されており、ヨーク２９ａ、２９ｂの表面にはリング形状の第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂが取り付けられている。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂは厚み方向に磁化されており、第一の磁石部材２３ａの第一のターゲット２１ａに向けられた側の磁極の極性と、第二の磁石部材２３ｂの第二のターゲット２１ｂに向けられた側の磁極の極性は互いに異なるようにされており、従って、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのうち、一方の磁石部材のターゲット２１ａ、２１ｂ側の表面から磁力線は、他方の磁石部材のターゲット２１ａ、２１ｂ側の表面の磁極に入る。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂは厚み方向に磁化されており、第一の磁石部材２３ａの第一のターゲット２１ａに向けられた側の磁極の極性と、第二の磁石部材２３ｂの第二のターゲット２１ｂに向けられた側の磁極の極性は互いに異なるようにされており、従って、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのうち、一方の磁石部材のターゲット２１ａ、２１ｂ側の表面から磁力線は、他方の磁石部材のターゲット２１ａ、２１ｂ側の表面の磁極に入る。
上述したように、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂはリング形状なので、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの間に生成された磁力線Ｍは筒状になる（図２）。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリング外周の大きさは第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの外周よりも大きく、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂは第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリング外周よりも内側に配置されている。従って、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂは磁力線Ｍの筒の中に位置する。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリング外周の大きさは第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの外周よりも大きく、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂは第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリング外周よりも内側に配置されている。従って、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂは磁力線Ｍの筒の中に位置する。
ヨーク２９ａ、２９ｂは移動手段２８ａ、２８ｂに取り付けられており、移動手段２８ａ、２８ｂは第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂと一緒にヨーク２９ａ、２９ｂを移動させ、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂが第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面と平行な面内で、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂに対して相対的に移動可能に構成されている。
磁力線と第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの相対的な位置関係で決まる高エロージョン領域は磁力線の移動と一緒に、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面上を移動するから、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂ表面の広い領域がスパッタされる。
移動手段２８ａ、２８ｂは、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの全外周が第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリングの外周の内側に位置する状態を維持したまま、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを移動させるよう設定されているので、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面は常に筒状磁力線の中に位置し、筒状磁力線の外でプラズマが生成されない。従って、成膜面６にはプラズマ中の荷電粒子が到達せず、成膜面６に露出する物質（例えば有機薄膜）がダメージを受けない。
図３（ａ）、（ｂ）と、図４（ａ）、（ｂ）は、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂと、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂと、成膜面６の位置関係を模式的に示す図であり、スパッタ空間３８の上記端部３９の縁に位置する二辺２６ａ、２６ｂは成膜面６が位置する平面７と平行な面内で、搬送経路１４と直交するよう向けられている。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの上記端部３９側の辺２７ａ、２７ｂはそれぞれ直線状であって、上記端部３９の縁に位置する二辺２６ａ、２６ｂと平行になっており、従って、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの上記端部３９側の辺２７ａ、２７ｂも、成膜面６が位置する平面７と平行な面内で、搬送経路１４と直交するよう向けられている。
移動手段２８ａ、２８ｂは、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを上記端部３９の縁に位置する二辺２６ａ、２６ｂと直交する二方向Ａ１、Ａ２と、当該二辺２６ａ、２６ｂに沿った二方向Ｂ１、Ｂ２に移動可能に構成されている。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂが、上記端部３９の縁に位置する二辺２６ａ、２６ｂと直交する二方向Ａ１、Ａ２に移動する時には、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの上記端部３９側の辺２７ａ、２７ｂは成膜面６が位置する平面７と平行にされたまま、当該平面７と直交する二方向に移動し、それらの辺２７ａ、２７ｂが成膜面６に対して均等に近づくか、均等に遠ざかるので、いずれの方向に動く時も成膜面６の各部分に到達するスパッタ粒子の量が均一になる。
これに対し、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂが、上記端部３９の縁に位置する二辺２６ａ、２６ｂに沿った二方向Ｂ１、Ｂ２に移動する時には、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの上記端部３９側の辺２７ａ、２７ｂが成膜面６が位置する平面７と平行な面内で搬送経路１４と直交する方向に移動する。
この時、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂは、成膜面６の一端に近づくが他端からは遠ざかるため、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂが二辺２６ａ、２６ｂに沿ったいずれかの方向だけに移動すると、成膜面６に到達するスパッタリング粒子の量が不均一になるが、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂは二辺２６ａ、２６ｂに沿った二方向の両方に移動し、その移動速度は成膜対象物５の搬送速度に比べて早いので、成膜面６に到達するスパッタ粒子の量が平均化される。従って、成膜面６上には膜厚均一な第一の薄膜が形成される。
搬送室９内のスパッタ室１６が接続された部分よりも搬送経路１４の下流側には、バッキングプレート２２ｃに取り付けられた第三のターゲット２１ｃが配置されている。
第三のターゲット２１ｃの裏面側には、ヨーク２９ｃに取り付けられた第三の磁石部材２３ｃが配置されており、第三の磁石部材２３ｃは第三のターゲット２１ｃの表面に、当該表面に平行な磁力線を形成する。第三のターゲット２１ｃは電源４５に接続されており、真空槽１１を接地電位に置いた状態で、電源４５から第三のターゲット２１ｃに電圧を印加すると、上記平行な磁力線によって第三のターゲット２１ｃの表面が高効率でスパッタされる。
第三のターゲット２１ｃの裏面側には、ヨーク２９ｃに取り付けられた第三の磁石部材２３ｃが配置されており、第三の磁石部材２３ｃは第三のターゲット２１ｃの表面に、当該表面に平行な磁力線を形成する。第三のターゲット２１ｃは電源４５に接続されており、真空槽１１を接地電位に置いた状態で、電源４５から第三のターゲット２１ｃに電圧を印加すると、上記平行な磁力線によって第三のターゲット２１ｃの表面が高効率でスパッタされる。
第三のターゲット２１ｃの表面は搬送経路１４に向けられており、成膜対象物５が第三のターゲット２１ｃと正対する位置を通過するように構成されており、これにより、第三のターゲット２１ｃから垂直に飛び出したスパッタリング粒子が成膜対象物５に到達する。
このとき、成膜対象物５の表面には第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂによって第一の薄膜が形成されており、第三のターゲット２１ｃのスパッタリング粒子は、第一の薄膜の表面に入射し、第一の薄膜の下層の薄膜にダメージを与えることなく第二の薄膜が形成される。
第二の薄膜を形成するスパッタリング粒子は、第三のターゲット２１ｃの表面から垂直に飛び出した粒子であり、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂから入射するスパッタリング粒子の量に比べて多量であり、第一の薄膜に比べると第二の薄膜の成膜速度は速い。
例えば、第一〜第三のターゲット２１ａ〜２１ｃはＩＴＯのような透明導電材料であり、第一、第二の薄膜はそれぞれ透明導電材料の薄膜であり、成膜面６上には第一、第二の薄膜からなる１層の透明導電膜が形成される。また、第三のターゲット２１ｃの構成材料を第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂと異なるもので構成すれば、成膜面６上には２層構造の薄膜が形成される。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリング形状は特に限定されず、長四角形状、楕円形状等種々の形状を採用することができるが、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂが長方形の場合には、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリング形状を長四角とし、その２つの長辺と短辺を、それぞれ第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの長辺と短辺と平行に向けて配置することが好ましい。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの長辺と、短辺に対して第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの長辺と短辺を平行にすれば、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの長辺と短辺が、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの長辺の外周側縁と、短辺の外周側縁と重なり合うまで、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを移動可能であり、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂや第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの形状が楕円形の場合や、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの長辺と短辺が、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの長辺と短辺に対して傾いている場合に比べ、移動可能な距離が長くなる。
上記二辺２６ａ、２６ｂと直交する二方向Ａ１、Ａ２の移動と、二辺２６ａ、２６ｂに沿った二方向Ｂ１、Ｂ２の移動の順番と回数は特に限定されるものではないが、二辺２６ａ、２６ｂと直交する二方向Ａ１、Ａ２の移動と、二辺２６ａ、２６ｂに沿った方向Ｂ１、Ｂ２の移動とを交互に繰り返せば、エロージョン領域が広くなる。
二辺２６ａ、２６ｂと直交する二方向Ａ１、Ａ２と、二辺２６ａ、２６ｂに沿った二方向Ｂ１、Ｂ２への移動の回数と順番は特に限定されず、例えば直交する二方向Ａ１、Ａ２に１回ずつ、又は複数回ずつ移動させた後、平行な二方向Ｂ１、Ｂ２を１回ずつ又は複数回ずつ移動させてもよい。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの移動量も特に限定されないが、その一例を述べると、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂが縦７０ｍｍ、横３３０ｍｍの長方形の場合は、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの移動幅は、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの二辺（長辺）に沿った方向が６０ｍｍ以下、当該二辺と直交する方向の移動幅は２０ｍｍ以下である。
以上は、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを直線状に移動させる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
図５（ａ）、（ｂ）は第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの移動の他の例を示しており、移動手段２８ａ、２８ｂは第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを、リングの内側にある所定の回転中心Ｃを中心として、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂと平行な面内で、正回転と逆回転を交互に繰り返すように構成されている。
図５（ａ）、（ｂ）は第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの移動の他の例を示しており、移動手段２８ａ、２８ｂは第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを、リングの内側にある所定の回転中心Ｃを中心として、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂと平行な面内で、正回転と逆回転を交互に繰り返すように構成されている。
回転中心Ｃと、正回転と逆回転の角度は、成膜面６の端部と中央でスパッタリング粒子が到達する量が均一になるように設定される。
例えば、回転中心Ｃは第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリングの中心であって、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの真裏に位置している。
例えば、回転中心Ｃは第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリングの中心であって、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの真裏に位置している。
ここでは、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリング形状は回転中心Ｃを中心とする点対称であって、移動手段２８ａ、２８ｂは回転中心Ｃとして正回転、逆回転ともに同じ角度だけ第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを回転させるように構成されており、第一の磁石部材２３ａ、２３ｂが正回転したときと、逆回転した時に、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂから成膜面６が位置する平面までの最短距離Ｓが同じになる。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの正回転と逆回転の角速度を、成膜対象物５の搬送速度に比較して十分に早くし、成膜面６がスパッタ空間３８の端部３９と正対する位置を通過し終わる前に、正回転と逆回転を複数回ずつ行うようにすれば、成膜面６に到達するスパッタリング粒子の量が均一化されるので、成膜面６に膜厚均一な第一の薄膜が成長することになる。
尚、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを正回転と逆回転させる場合も、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの外周が第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂのリングの外周からはみ出さないようにすれば、筒状磁力線の外部でプラズマが発生しないので、成膜面６がダメージを受け難くなる。
本発明によって形成できる透明導電性薄膜は、ＩＴＯ薄膜、ＳｎＯ2薄膜、ＺｎＯx薄膜、ＩＺＯ薄膜等の種々の透明導電材料の薄膜が含まれる。
また、ターゲットの構成材料は透明導電材料に限定されず、例えば金属材料を主成分とするターゲットを用いて、成膜面に金属膜を形成したり、酸化ケイ素や窒化ケイ素等の絶縁材料を主成分とするターゲットを用いて、成膜面に保護膜を形成することもできる。
また、ターゲットの構成材料は透明導電材料に限定されず、例えば金属材料を主成分とするターゲットを用いて、成膜面に金属膜を形成したり、酸化ケイ素や窒化ケイ素等の絶縁材料を主成分とするターゲットを用いて、成膜面に保護膜を形成することもできる。
更に、反応ガスにターゲットの構成材料と反応性の高い物質、例えば酸素ガス、水素ガス、水等を用いてスパッタし、成膜面にターゲットの構成材料と反応ガスの反応物の膜を形成することもできる。スパッタガスの種類も特に限定されず、一般に用いられるスパッタガス、例えば、Ａｒ，Ｎｅ、Ｋｒ等を用いることができる。
第一〜第三のターゲット２１ａ〜２１ｃは同じ種類のものを用いてもよいし、別々の材料で構成されたものを用いてもよい。第一のスパッタ室１６の第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂに、別々の材料で構成されたものを用いると、第一の薄膜は２種類以上の材料で構成された複合膜になり、第二のスパッタ室１７の第三のターゲット２１ｃに第一のスパッタ室１６と異なるものを用いれば、第一の薄膜の上に、第一の薄膜とは異なる組成の第二の薄膜が形成された積層膜が得られる。
以上は、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂを静止させて、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを移動させる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂが第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂに対して相対的に移動するのであれば、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを移動させるときに、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂを一緒に移動させてもよいし、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを静止させ第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂを移動させても構わない。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの磁極の向きも特に限定されず、例えば第一の磁石部材２３ａの第二の磁石部材２３ｂと向き合う面にＳ極が有る場合は、第二の磁石部材２３ｂの第一の磁石部材２３ａと向き合う面にＮ極があり、逆に第一の磁石部材２３ａの第二の磁石部材２３ｂと向き合う面にＮ極が有る場合は、第二の磁石部材２３ｂの第一の磁石部材２３ａと向き合う面にＳ極がある。
第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂには、直流電圧を印加しても交流電圧を印加しても、それらを重畳した電圧を印加してもよい。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂは真空槽１１の外部に配置しても、真空槽１１の内部に配置してもよい。第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを真空槽１１の外部に配置する場合には、真空槽１１の第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂで挟まれた部分を透磁性材料で構成することが望ましい。
第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂには、直流電圧を印加しても交流電圧を印加しても、それらを重畳した電圧を印加してもよい。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂは真空槽１１の外部に配置しても、真空槽１１の内部に配置してもよい。第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを真空槽１１の外部に配置する場合には、真空槽１１の第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂで挟まれた部分を透磁性材料で構成することが望ましい。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂの上記二辺２６ａ、２６ｂと直交する往復移動と、二辺２６ａ、２６ｂに沿った往復移動とを交互に繰り返しながらスパッタリングを行い、下記に示す成膜条件で成膜対象物の表面にＩＴＯ膜を成膜した。
成膜対象物は有機ＥＬ素子の仕掛品を用い、その仕掛品の製造方法は、先ず有機ＥＬ製造装置（ＵＬＶＡＣ製ＳＡＴＥＬＬＡ）にて、Ａｇ／ＩＴＯ電極がパターニングされたガラス基板の表面をＯ2プラズマ洗浄し、有機ＥＬの各層を順次蒸着法で形成して成膜対象物５とした。
例えば４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル)−Ｎ−フェニルアミノ]ビフェニル（以下ＮＰＢと略す）を正孔輸送層として３５ｎｍの厚さで形成し、更に例えば８−オキシキノリノアルミニウム錯体（以下Ａｌｑ３と略す）を含む発光層を５０ｎｍの厚さで形成し、更に陰極バッファ層としてＬｉＦを蒸着により５ｎｍの厚さで形成した。
有機ＥＬ製造装置に取り付けられている窒素置換のグローブボックス内へ成膜対象物５を搬送して、密閉容器内へ成膜対象物５を入れて密閉容器を大気中に取り出した。その後、上記スパッタリング装置１０に取り付けられたＮ2グローブボックス中へ密閉容器を仕込み、その中で密閉容器を開封して成膜対象物５を取り出し、Ｌ／ＵＬ室３に取り付けられたキャリア１３上へ成膜対象物５をセットした。
更に、その成膜対象物５のバッファ層が形成された面（成膜面）上にＩＴＯ電極を形成するためのマスクを装着して、真空排気した。
所定の圧力になったところでゲートバルブ４１を開け、成膜対象物５をキャリア１３と一緒に真空槽１１内へ搬送した。
所定の圧力になったところでゲートバルブ４１を開け、成膜対象物５をキャリア１３と一緒に真空槽１１内へ搬送した。
第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを二辺に沿った二方向と、二辺に直交する二方向に交互に移動させながら、ＩＴＯで構成された各ターゲット２１ａ〜２１ｃをスパッタし、成膜対象物５を第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの側方を通過させて膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜からなる第一の薄膜を成膜し、第三のターゲット２１ｃ上を通過させて、第一の薄膜上に膜厚８０ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、成膜対象物５のバッファ層表面に第一、第二の薄膜からなる上部電極が形成された有機ＥＬ素子を得た。
第一、第二の薄膜の成膜条件は対向カソード（第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂ）が成膜圧力０．６７Ｐａ、スパッタガス（Ａｒガス）２００ＳＣＣＭであり、平行平板カソード（第三のターゲット２１ｃ）が成膜圧力０．６７Ｐａ、スパッタガス（Ａｒガス）２００ＳＣＣＭ、反応ガス（酸素）２．０ＳＣＣＭである。
投入パワーは対向カソードがＤＣ電源１０００Ｗ（２．１Ｗ／ｃｍ2／ｃａｔｈｏｄｅ）で、平行平板カソードがＤＣ電源６２０Ｗ（１Ｗ／ｃｍ2）である。
ダイナミックレートは対向カソードが２ｎｍ／ｍｉｎ、平行平板カソードが８ｎｍ／ｍｉｎであった。成膜対象物５の搬送速度は０．１ｍ／ｍｉｎである。
ダイナミックレートは対向カソードが２ｎｍ／ｍｉｎ、平行平板カソードが８ｎｍ／ｍｉｎであった。成膜対象物５の搬送速度は０．１ｍ／ｍｉｎである。
第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂは横７０ｍｍ、縦３３０ｍｍの長方形であった。第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂは外周幅が９０ｍｍ（マグネット幅２０ｍｍ）であり、二辺に沿った方向と、二辺と直交する方向の移動幅はそれぞれ２０ｍｍずつとした。
所定時間スパッタリングを行った後、スパッタリングを停止し、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂを取り出し、図６のａ、ｂ、ｃの切断線で示した箇所について、一端から他端までのエロージョン深さを測定した。
測定された値を下記表１に記載し、その測定結果をグラフ化したものを図７（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ記載した。
測定された値を下記表１に記載し、その測定結果をグラフ化したものを図７（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ記載した。
また、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを二辺２６ａ、２６ｂに沿った方向と直交する方向に移動させる代わりに、２０°ずつ正回転と逆回転させた場合の測定値を上記表１に記載し、その測定結果をグラフ化したものを図８（ａ）〜（ｃ）に示す。
更に、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを静止させたままたスパッタリングした場合の測定値を上記表１に記載し、その測定結果をグラフ化したものを図９（ａ）〜（ｃ）に示す。
上記表１〜３と、図７〜９を比較すると明らかなように、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを移動させながらスパッタリングを行った場合は、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを静止させてスパッタリングを行った場合に比べてエロージョン深さが均一であった。このことから、第一、第二の磁石部材２３ａ、２３ｂを移動させながらスパッタリングを行えば、エロージョン深さが均一になり、ターゲット２１ａ、２１ｂの使用効率が高くなることが確認された。
Claims (11)
- 真空槽と、
板状の第一、第二のターゲットと、
リング形状であって、そのリングの厚み方向に磁化された第一、第二の磁石部材とを有し、
前記第一、第二のターゲットは表面が互いに平行になるよう向けられた状態で前記真空槽内に所定間隔を空けて配置され、
前記第一、第二の磁石部材は、前記第一、第二のターゲットの裏面側に、互いに異なる磁極が対向するように配置され、前記第一、第二のターゲット間の隙間であるスパッタ空間の端部から成膜対象物の成膜面に向けてスパッタ粒子が放出されるよう構成されたスパッタリング装置であって、
前記第一、第二の磁石部材を、前記第一、第二のターゲットの表面に対して平行な面内で、前記第一、第二のターゲットに対して相対的に移動させる移動手段を有するスパッタリング装置。 - 前記真空槽内の前記スパッタ空間の前記端部の近傍位置に配置され、前記成膜対象物が移動する経路である搬送経路と、
前記成膜面が前記スパッタ空間の前記端部に面した一の平面内に位置する状態を維持しながら、前記成膜対象物を前記搬送経路に沿って移動させる搬送機構とを有し、
前記第一、第二のターゲットの表面は、前記一の平面と直交し、前記搬送経路と交差する面上に配置された請求項１記載のスパッタリング装置。 - 前記スパッタ空間の前記端部の縁には、前記第一のターゲットの一辺と前記第二のターゲットの一辺が互いに平行に位置し、
前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材を、前記端部の縁に位置する前記第一、第二のターゲットの辺に沿った方向と、それとは垂直な方向に、それぞれ移動させるように構成された請求項２記載のスパッタリング装置。 - 前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材の前記搬送経路側の側面を、前記成膜面が位置する平面と平行になる状態を維持したまま、前記第一、第二の磁石部材を移動させる請求項３記載のスパッタリング装置。
- 前記移動手段は、前記第一、第二の磁石部材を、前記リングの内側に位置する所定の回転中心を中心として、正回転方向と、逆回転方向に所定角度回転させる請求項１記載のスパッタリング装置。
- 前記第一、第二の磁石部材の外周は、前記第一、第二のターゲットの外周よりも大きくされ、
前記移動手段は、前記第一、第二のターゲットの外周が前記第一、第二の磁石部材の外周からはみ出さないように、前記第一、第二の磁石部材を移動させる請求項１記載のスパッタリング装置。 - 真空槽と、
板状の第一、第二のターゲットと、
リング形状であって、そのリングの厚み方向に磁化された第一、第二の磁石部材とを有し、
前記第一、第二のターゲットは表面が互いに平行になるよう向けられた状態で前記真空槽内に所定間隔を空けて配置され、
前記第一、第二の磁石部材は、前記第一、第二のターゲットの裏面側に互いに異なる磁極が対向するように配置されたスパッタリング装置を用い、
前記第一、第二のターゲット間の隙間であるスパッタ空間の端部から成膜対象物の成膜面に向けてスパッタ粒子を放出させ、前記成膜面に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記第一、第二の磁石部材を、前記第一、第二のターゲットと平行な面内で前記第一、第二のターゲットに対して相対的に移動させながらスパッタリングを行う成膜方法。 - 前記第一、第二の磁石部材の移動は、前記第一、第二の磁石部材を相対的に静止させて行う請求項７記載の成膜方法。
- 前記スパッタ空間の前記端部の縁に第一のターゲットの一辺と第二のターゲットの一辺を互いに平行になるよう配置し、
前記第一、第二の磁石部材の移動は、前記第一、第二の磁石部材を、前記端部の縁に位置する前記第一、第二のターゲットの辺に沿った方向と、それとは垂直な方向に、それぞれ往復移動させる請求項７記載の成膜方法。 - 前記第一、第二の磁石部材の移動は、所定の回転中心を中心として、前記第一、第二の磁石部材を正回転方向と逆回転方向に交互に回転させる請求項７記載の成膜方法。
- 前記第一、第二の磁石部材の正回転と逆回転は、前記第一、第二の磁石部材を、前記成膜面が位置する平面に対して同じ高さまで近づける請求項１０記載の成膜方法。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183466A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
| JPS61243168A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-29 | Hitachi Ltd | 対向タ−ゲツト方式スパツタ装置 |
| JPS63121657A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Hitachi Maxell Ltd | 真空成膜装置 |
| JPH10102247A (ja) * | 1996-10-02 | 1998-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置及び方法 |
| JP2002146529A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Aisin Seiki Co Ltd | マグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158380A (en) | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Teijin Ltd | Counter target type sputtering device |
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| JPH036371A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Osaka Shinku Kiki Seisakusho:Kk | 対向ターゲット式スパッタ装置 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183466A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
| JPS61243168A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-29 | Hitachi Ltd | 対向タ−ゲツト方式スパツタ装置 |
| JPS63121657A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Hitachi Maxell Ltd | 真空成膜装置 |
| JPH10102247A (ja) * | 1996-10-02 | 1998-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置及び方法 |
| JP2002146529A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Aisin Seiki Co Ltd | マグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法 |
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