1352131 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關濺射裝置及使用彼之成膜方法。 【先前技術】 有機EL元件作爲顯示元件近年來受到注視。 圖10是用以說明有機EL元件201的構造之模式的剖 面圖。 該有機EL元件201是在基板211上依序積層下部電 極214、有機層217、218及上部電極219，若在上部電極 219與下部電極214之間施加電壓，則會在有機層217、 218的内部或界面發光。若使上部電極219以ITO膜（銦 錫氧化物膜）等的透明導電膜來構成，則發光光會透過上 部電極219，放出至外部。 上述那樣的上部電極219的形成方法主要是使用蒸著 法。 就蒸著法而言，從蒸著源藉由昇華或蒸發而放出的粒 子爲中性的低能量（數eV程度）粒子，因此在形成上部 電極219或有機EL元件的保護膜時，不會對有機膜217 、218造成損傷，具有可形成良好的界面之優點。 但，以蒸著法所形成的膜與有機膜的密著性差，因此 會產生暗斑（Dark Spot)或長期驅動而造成電極剝離等不 良情況。並且，由生產性的觀點來看，因爲是點蒸發源， 所以會有在大面積難以取得膜厚分布等的問題，或因蒸發 -5- (2) (2)1352131 舟的劣化或蒸發材料的連續供給困難，所以會有維修週期 短等的問題。 解決上述問題的手法，可考量用濺射法。但，就使成 膜對象物對向於靶的表面之平行平板型的濺射法而言，在 有機層上形成鋁的上部電極時，在有機EL裝置的驅動測 試下，會有發光開始電壓顯著變高，或不發光等的不良情 況發生。這是因爲在濺射法中電漿中的荷電粒子（Ar離 子、2次電子、反跳Ar)或持有運動能量的濺射粒子會往 有機膜上射入，因而破壞有機膜的界面，造成電子的注入 不能順利進行。 於是，以往技術也在摸索對策，如圖11所示，有濺 射裝置110被提案。此濺射裝置110具有真空槽111，在 該真空槽111内，二個的靶121a、121b會將背面安裝於 背板（backing plate) 122a、122b，表面是互相只離開一 定距離而平行對向配置。 在背板122a、122b的背面配置有磁石構件115a、 115b。磁石構件115a、115b是在輥129a、129b安裝有環 狀的磁石123a、123b而構成。 各磁石123a、123b是分別將一方的磁極朝向靶121a 、mb，將另一方的磁極朝向與靶相反方向來配置，且二 個的磁石 123a、123b是相異極性的磁極朝向靶 121a、 121b。亦即，當一方的磁石123a爲N極朝向靶121a時， 另一方的磁石123b則是將S極朝向靶121b，因此在二個 的磁石123a、123b之間產生磁力線131。由於磁石123a -6- (3) (3)1352131 、123b爲環狀’因此產生於磁石123a、123b之間的磁力 線1 3 1是形成筒狀。 若藉由真空排氣系116來對真空槽ηι内進行真空排 氣，從氣體導入系117來導入濺射氣體，對靶12la、121b 施加電壓’則會在靶1 2 1 a、1 2 1 b所夾持的空間產生濺射 氣體的電漿，靶121a、121b的表面會被濺射。 在靶121a、121b所夾持的空間的側方配置有成膜對 象物113，藉由從靶121a、121b斜斜地飛出，且放出至真 空槽111内的濺射粒子，在成膜對象物Π3表面形成薄膜 〇 此濺射裝置110是藉由形成於二個的磁石123a、123b 之間的筒狀磁力線1 3 1，圍繞靶1 2 1 a、1 2 1 b所相向的空間 ，電漿是藉由該磁力線131來封閉，所以電漿不會露出至 成膜對象物113側。因此，成膜對象物113不會暴露於電 漿中的荷電粒子，露出於成膜對象物113表面的有機薄膜 不會受損。 但，在上述濺射裝置11〇會因濺射而產生靶121a、 121b的中央部份比緣部份更被深控的現象。圖12的符號 131a、131b是表示靶121a、121b被深蝕刻，形成膜厚小 的腐鈾（erosion)區域，同圖的符號132a、132b是表示 靶121a、121b未被蝕刻，剩下膜厚較厚的非腐蝕區域。 若背面側的背板122a、122b露出程度的靶121a、 121b被深控，則會引起異常放電，因此靶121a、1Mb會 在背板122a、122b露出之前被更換。 (4) 1352131 即使僅靶121a、12lb的一部份被深 膜厚減少量少，還是必須更換靶l21a、12 的濺射裝置110而言，靶的使用效率差。 . [專利文献Π特開平1 1 - 1 62652號公報 [專利文献2]特開2005-032618號公報 « 【發明內容】 φ (發明所欲解決的課題） 本發明是爲了解決上述課題而硏發者 提高靶的使用效率。 (用以解決課題的手段） 爲了解決上述課題，本發明之濺射裝| 真空槽； 板狀的第一、第二靶；及 • 第―、第二磁石構件，其係環形狀， 向被磁化， • 又，上述第一、第二靶係以表面會形 式朝向的狀態下在上述真空槽内隔所定間P 上述第一、第二磁石構件係於上述第 面側，以相異的磁極會對向的方式配置， 二靶間的間隙之濺射空間的端部往成膜對 放出濺射粒子， 其特徵爲具有移動手段，其係使上述 挖，其他部份的 1 b，因此就以往 ，其目的是在於 置係具有： 在該環的厚度方 成互相平行的方 鬲來配置， 一、第二靶的背 從上述第一、第 象物的成膜面來 第一、第二磁石 -8 - (5) (5)1352131 構件對上述第一' 第二靶的表面，在平行的面内，對上述 第一、第二靶相對地移動。 本發明之濺射裝置，具有： 搬送路徑，其係配置於上述真空槽内的上述濺射空間 的上述端部的附近位置，上述成膜對象物所移動的路徑； 及 搬送機構，其係一邊維持上述成膜面所位於面向上述 濺射空間的上述端部的一平面内的狀態，一邊使上述成膜 對象物沿著上述搬送路徑移動， 又，上述第一、第二靶的表面係與上述一平面正交， 配置於與上述搬送路徑交叉的面上。 本發明之濺射裝置，在上述濺射空間的上述端部的緣 ’上述第一靶的一邊與上述第二靶的一邊會互相平行位置 ，上述移動手段係使上述第一、第二磁石構件分別移動於 沿著位於上述端部的緣的上述第一、第二靶的邊之方向、 及垂直之方向。 本發明之濺射裝置，上述移動手段係使上述第~、第 二磁石構件的上述搬送路徑側的側面維持和上述成膜面所 位置的平面平行的狀態下，使上述第一、第二磁石構件移 動。 本發明之濺射裝置’上述移動手段係使上述第一、第 二磁石構件以位於上述環的内側的所定旋轉中心爲中心， 使以所定角度旋轉於正旋轉方向、及逆旋轉方向。 本發明之濺射裝置’上述第一、第二磁石構件的外周 -9 - (6) 1352131 係比上述第一、第二靶的外周更大，上述移動手段係以上 述第一、第二靶的外周不會從上述第一、第二磁石構件的 外周突出之方式，使上述第一、第二磁石構件移動。 - 本發明之成膜方法，係使用濺射裝置，從上述第一、 ^ 第二靶間的間隙亦即濺射空間的端部來往成膜對象物的成 膜面使濺射粒子放出，在上述成膜面形成薄膜之成膜方法 ，該濺射裝置係具有： • 真空槽： 板狀的第一、第二靶；及 第一、第二磁石構件，其係環形狀，在該環的厚度方 向被磁化， 又’上述第一、第二靶係以表面會形成互相平行的方 式朝向的狀態下在上述真空槽内隔所定間隔來配置， 上述第一、第二磁石構件係於上述第一、第二靶的背 面側以相異的磁極會對向的方式配置， # 其特徵爲： 一邊使上述第一、第二磁石構件在和上述第―、第二 - 靶平行的面内對上述第一 '第二靶相對地移動，一邊進行 濺射。 本發明之成膜方法，上述第一、第二磁石構件的移動 ，係使上述第一、第二磁石構件相對地静止而進行。 本發明之成膜方法，在上述濺射空間的上述端部的緣 ’以使第一靶的一邊與第二靶的一邊能夠互相形成平行之 方式配置’上述第一、第二磁石構件的移動，係使上述第 -10 - (7) (7)1352131 一、第二磁石構件分別往復移動於沿著位於上述端部的緣 的上述第一 '第二靶的邊之方向、及垂直之方向。 本發明之成膜方法，上述第一、第二磁石構件的移動 ，係以所定的旋轉中心爲中心，使上述第一、第二磁石構 件交替旋轉於正旋轉方向及逆旋轉方向。 本發明之成膜方法，上述第一、第二磁石構件的正旋 轉及逆旋轉，係使上述第一、第二磁石構件接近至對上述 成膜面所位置的平面相同的高度。 本發明是如上述那樣構成，由於第一、第二磁石構件 是移動於與第一、第二靶平行的面内，因此第一、第二磁 石構件的磁極所位置的表面與至第一、第二靶表面的距離 不變。所以，當第一、第二磁石構件移動時，相同磁場強 度的磁場會移動於第一、第二靶表面上。 第一、第二靶的表面是位於和成膜面所位置的平面正 交的平面，所以可藉由從第一、第二靶的表面飛出於斜方 向的小能量的濺射粒子來成膜，因此對露出於成膜對象物 的表面之薄膜的損傷少》 第一、第二磁石構件是以同方向同速度來一起移動， 所以形成互相静止的狀態。因此，產生於第一、第二磁石 構件之間的筒狀磁力線在第一、第二磁石構件移動時也會 被維持。 [發明的效果] 在使第二磁石構件移動之下，第一、第二靶的腐蝕區 •11· (8) (8)1352131 域會變廣，因此第一、第二靶的使用效率會變高。 【實施方式】 圖1的符號10是表示本發明之一例的濺射裝置。 此濺射裝置10是縱型的連續式多槽成膜裝置，具有 真空槽11。真空槽11是具有搬送室9及連接至該搬送室 9的濺射室16。在濺射室16的内部配置有第一、第二靶 21a、 21b ° 第一、第二靶21a、21b是分別爲長方形的板狀，表 面會隔所定間隔而互相平行。圖1的符號3 8是表示第一 、第二靶2 1 a、2 1 b之間的空間，亦即濺射空間。 在真空槽Π連接有真空排氣系19、及氣體供給系18 ’使用真空排氣系19來對真空槽11内進行排氣，由氣體 供給系18來導入濺射氣體，形成所定壓力的成膜環境^ 在真空槽2的外部配置有電源25，電源25是被連接 背板22a ' 22b，但未被連接至真空槽2，維持成膜環境， 在使真空槽2位於接地電位的狀態下，若從電源25經由 背板22a、22b來施加電壓至第一、第二靶21a、21b，則 電漿會被產生於濺射空間38，第一、第二靶21a' 21b會 被濺射，於濺射空間3 8放出濺射粒子。 圖1的符號39是表示濺射空間38的搬送室9側的端 部，被放出於濺射空間38的濺射粒子會從該端部39朝向 搬送室9飛出。第一' 第二靶21a、21b是分別具有朝向 搬送室9互相平行的直線狀的邊26a、26b，該二邊26a、 -12- (9) (9)1352131 2 6b是位於濺射空間38的搬送室9側的端部39的緣。因 此，濺射粒子會從該二邊26a、26b之間朝向搬送室9飛 出。 該二邊26a、26b爲第一、第二靶21a、21b的長邊， 由於位於端部39的緣的長邊到其他長邊的深度淺，因此 大多的濺射粒子不會再衝突於第一' 第二靶21a、21b，而 從濺射空間38的上述端部39放出。 在搬送室9内部設有使成膜對象物5移動的搬送路徑 14。位於上述端部39的第一、第二靶21a、21b的二邊 26a、2 6b對第一、第二靶21a、21b表面而言是位於垂直 的一平面内，搬送路徑14是延伸設置於與該等二邊26a、 26b平行的平面内和第一、第二耙21a、21b表面所位置的 面P正交的方向。若打開閘閥41，從L/UL室3來將成膜 對象物5搬入搬送室9内，使成膜對象物5保持於載體13 ’而以搬送機構12來搬送載體13，則成膜對象物5會沿 著搬送路徑14來移動。 成膜對象物5是具有後述應形成薄膜的成膜面6,若 成膜對象物5移動’則成膜面6會移動於與上述二邊26a 、26b所位置的平面平行的面内。 搬送路徑14是在成膜對象物5移動時，該成膜面6 會通過與濺射空間38的上述端部39正對的位置，當成膜 面6通過與濺射空間38的上述端部39正對的位置時，源 射粒子會到達成膜面6而使薄膜成長。 真空槽11外部的第一、第二祀21a、21b的背面位置 -13- (10) 1352131 分別配置有板狀的飯29a、29b，在軛29a、29b的 裝有環形狀的第一、第二磁石構件23a、23b。 第一、第二磁石構件23a、23b是被磁化於厚 ，第一磁石構件23a之朝向第一靶21a的一側的磁 性與第二磁石構件23b之朝向第二靶21b的一側的 極性是相異’因此磁力線會從第一、第二磁石構件 23b中一方的磁石構件的靶21a、21b側的表面進入 的磁石構件的靶21a、21b側的表面的磁極。 如上述’第一、第二磁石構件23a、23b爲環 因此產生於第一、第二磁石構件23a、23b之間的 Μ是形成筒狀（圖2)。 第一、第二磁石構件23a、23b的環外周的大 第一、第二靶21a、21b的外周更大，第一、第二勒 21b是比第一、第二磁石構件23a、23b的環外周更 内側。因此’第一、第二靶21a、21b是位於磁力糸 筒中。 軛29a、29b是被安裝於移動手段28a、28b， 段28a、28b是使軛29a、29b與第一、第二磁石構 、23b —起移動’第一、第二磁石構件23a、23b可 —、第二靶21a、21b的表面平行的面内，對第— 靶2 1 a、2 1 b相對地移動。 由於以磁力線和第一、第二粑21a、21b的相 關係所決定的高腐蝕區域是與磁力線的移動一起移 一、第二靶21a、21b的表面上，因此第一、第二勒 表面安 度方向 極的極 磁極的 23a ' 另一方 形狀， 磁力線 小是比 ,21a、 配置於 良Μ的 移動手 件23 a 在與第 、第二 對位置 動於第 21a、 -14- (11) (11)1352131 21b表面的廣大區域會被濺射。 移動手段28a、28b是設定成在維持第一、第二靶21a 、21b的全外周位於第一、第二磁石構件23a、23b的環的 外周内側的狀態下，使第一、第二磁石構件23a、23b移 動，因此第一、第二靶21a、21b的表面是一直位於筒狀 磁力線之中，在筒狀磁力線之外電漿不會被生成。因此， 在成膜面6，電漿中的荷電粒子不會到達，露出於成膜面 6的物質（例如有機薄膜）不會受損。 圖3(a) 、（b)及圖4(a) 、（b)是表不第一、 第二磁石構件23a、23b、第一、第二靶21a、21b及成膜 面6的位置關係模式圖，位於濺射空間38的上述端部39 的緣之二邊26a、26b是在與成膜面6所位置的平面7平 行的面内，以和搬送路徑14正交的方式朝向。 第一、第二磁石構件23a、23b的上述端部39側的邊 27a、27b是分別爲直線狀，形成與位於上述端部39的緣 的二邊26a、26b平行，因此第一、第二磁石構件 23a、 23b的上述端部39側的邊27a、27b也是在與成膜面6所 位置的平面7平行的面内，以和搬送路徑14正交的方式 朝向。 移動手段28a、28b是構成可將第一、第二磁石構件 23a、23b移動於和位於上述端部39的緣之二邊26a、2 6b 正交的二方向A1、A2、及沿著該二邊26a、26b的二方向 B 1、B2。 當第一、第二磁石構件23a、23b移動於和位於上述 -15- (12) 1352131 端部39的緣之二邊26a、2 6b正交的二方向Al、A2時， 第一、第二磁石構件23a、23b的上述端部39側的邊27a 、2 7b是在保持和成膜面6所位置的平面7平行的狀態下 . ，移動於和該平面7正交的二方向，該等的邊27a、27b _ 是對成膜面6均等地接近或均等地遠離，因此作動於任何 方向時，到達成膜面6的各部份之濺射粒子的量皆會形成 均一。 # 相對的，當第一、第二磁石構件、23b移動於沿 著位於上述端部39的緣的二邊26a、26b之二方向B1、 B2時，第一、第二磁石構件23a、23b的上述端部39側 的邊27a、27b是在和成膜面6所位置的平面7平行的面 内移動於與搬送路徑14正交的方向。 此刻，第一、第二磁石構件23a、23b是接近於成膜 面6的一端，但遠離另一端，因此若第一、第二磁石構件 23a、23b僅移動於沿著二邊26a、26b的其中任一方向， ® 則到達成膜面6的濺射粒子的量會形成不均一，但若第一 、第二磁石構件23a、23b移動於沿著二邊26a、26b的二 ' 方向的雙方，其移動速度比成膜對象物5的搬送速度快， • 所以到達成膜面6的濺射粒子的量會被平均化。因此，在 成膜面6上會形成膜厚均一的第一薄膜。 在比搬送室9内連接濺射室16的部份更靠搬送路徑 14的下游側配置有被安裝於背板22c的第三靶21c。 在第三靶21c的背面側配置有安裝於軛29c的第三磁 石構件23c，第三磁石構件23c會在第三靶21c的表面形 -16- (13) 1352131 成平行於該表面的磁力線。第三靶21c是被連接至電源45 ，若在使真空槽11位於接地電位的狀態下，由電源45來 對第三靶21c施加電壓，則第三靶21c的表面可藉由上述 • 平行的磁力線來以高效率濺射。 . 第三靶21c的表面是朝向搬送路徑14，以成膜對象物 5能夠通過與第三靶21c正對的位置之方式構成，藉此， 從第三靶21c垂直飛出的濺射粒子會到達成膜對象物5。 # 此刻，在成膜對象物5的表面，藉由第一、第二靶 21a、21b來形成第一薄膜，第三靶21c的濺射粒子會射入 第一薄膜的表面，在不會對第一薄膜的下層的薄膜造成損 傷下形成第二薄膜。 形成第二薄膜的濺射粒子是從第三靶21c的表面垂直 飛出的粒子，比從第一、第二靶21a、21b射入的濺射粒 子的量還要多量，與第一薄膜相較之下，第二薄膜的成膜 速度快。 ® 例如’第一〜第三靶21 a〜21c爲ITO之類的透明導 電材料’第一、第二薄膜是分別爲透明導電材料的薄膜， - 在成膜面6上形成有由第一、第二薄膜所構成的1層透明 . 導電膜。又，若第三靶21c的構成材料和第一、第二靶 21a、21b相異，則於成膜面6上形成2層構造的薄膜。 第一、第二磁石構件23a、23b的環形狀並無特別加 以限定’可採用長四角形狀、橢圓形狀等各種的形狀，但 第一、第二靶21a、21b爲長方形時，最好第一、第二磁 石構件23a、23b的環形狀爲長四角，將其2個的長邊及 -17- (14) (14)1352131 短邊分別與第一、第二靶21a、21b的長邊及短邊平行相 向配置。 只要針對第一、第二磁石構件23a、23b的長邊及短 邊’將第一、第二靶21a、21b的長邊及短邊予以平行， 便可移動第一、第二磁石構件23a、23b至第一、第二靶 21a、21b的長邊及短邊和第一、第二磁石構件23a、23b 的長邊的外周側緣、及短邊的外周側緣重疊，當第一、第 二靶21a、21b或第一、第二磁石構件23a、23b的形狀爲 橢圓形時’與第一、第二靶21a、21b的長邊及短邊對第 一、第二磁石構件23a、23b的長邊及短邊傾斜時相較之 下，可移動的距離會變長。 和上述二邊26a、26b正交的二方向Al、A2之移動、 及沿著二邊26a、26b的二方向Bl、B2之移動的順序及次 數並無特別加以限定，但若使和二邊26a、26b正交的二 方向八1、八2之移動、及沿著二邊26&、2 613的方向81、 B2之移動交替重複，則腐鈾區域會變廣。 往和二邊26a、26b正交的二方向Al、A2、及沿著二 邊26a、2 6b的二方向Bl、B2之移動的次數及順序並無特 別加以限定，例如可在正交的二方向A1、A2使移動1次 或複數次後，在平行的二方向B1、B2使移動1次或複數 次。 第一、第二磁石構件23a、23b的移動量亦無特別加 以限定，但就其一例而言，當第一、第二靶21a、21b爲 縱70mm、橫33〇mm的長方形時，第一、第二磁石構件 •18- (15) 1352131 23a、23b的移動寬是沿著第一、第二靶21a、21b的二邊 (長邊）的方向爲60mm以下，和該二邊正交的方向的移 動寬爲20mm以下β . 以上是針對使第一、第二磁石構件23a、23b直線狀 . 移動時來進行説明，但本發明並非限於此。 圖5(a) 、（b)是表示第一、第二磁石構件23a、 23b的移動其他例，移動手段28a、28b是使第一、第二磁 9 石構件23 a、2 3 b以位於環内側的所定旋轉中心C爲中心 ，在與第一、第二靶21a、21b平行的面内，重複交替正 旋轉及逆旋轉。 旋轉中心C、正旋轉及逆旋轉的角度，是以在成膜面 6的端部及中央，濺射粒子所到達的量能夠形成均一之方 式來設定。 例如，旋轉中心C爲第一、第二磁石構件23a、23b 的環的中心，位於第一、第二靶21a' 21b的正背面。 ♦ 在此，第一、第二磁石構件23a、23b的環形狀是以 旋轉中心C作爲中心的點對稱，移動手段28a、28b是以 . 旋轉中心C無論正旋轉或逆旋轉皆僅以相同角度來使第一 . 、第二磁石構件23a、23b旋轉，當第一磁石構件23a、 23b正旋轉時及逆旋轉時，從第一、第二磁石構件23a、 23b到成膜面6所位置的平面之最短距離S會形成相同。 第一、第二磁石構件23a、23b的正旋轉及逆旋轉的 角速度與成膜對象物5的搬送速度相較之下，十分快，且 在成膜面6通過與濺射空間38的端部39正對的位置之前 -19- (16) 1352131 ，若各複數次進行正旋轉及逆旋轉，則到達成膜面6的濺 射粒子的量會被均一化，因此膜厚均一的第一薄膜會成長 於成膜面6。 . 另外，同樣的，在使第一、第二磁石構件23a、23b 正旋轉及逆旋轉時，若第一、第二靶21a、21b的外周不 從第一、第二磁石構件23a、23b的環的外周突出，則在 筒狀磁力線的外部不會產生，因此成膜面6難以受損。 • 可藉由本發明來形成的透明導電性薄膜包含ITO薄膜 » 、Sn02薄膜、ZnOx薄膜、IZO薄膜等各種的透明導電材 料的薄膜。 又，靶的構成材料並非限於透明導電材料，例如可使 用以金屬材料爲主成份的靶，在成膜面形成金屬膜，或使 用以氧化矽或氮化矽等的絶緣材料爲主成份的靶，在成膜 面形成保護膜。 又，反應氣體亦可使用與靶的構成材料反應性高的物 ® 質、例如氧氣、氫氣、水等來濺射，在成膜面形成靶的構 成材料與反應氣體的反應物的膜。濺射氣體的種類亦無特 - 別加以限定，可利用一般被使用的濺射氣體、例如Ar ,
Ne、Kr 等。 第--第三靶21a〜21c可使用同種類、或以各別的 材料所構成者。若第一濺射室16的第一、第二靶21a、 2 1 b使用以各別的材料所構成者，則第一薄膜係形成以2 種類以上的材料所構成的複合膜，若第二濺射室17的第 三靶21c使用與第一濺射室16相異者，則在第一薄膜上 -20- (17)1352131
可取得形成有和第一薄膜相異組成的第二薄膜之積 以上是針對使第一、第二靶21a、21b静止， —、第二磁石構件23a、23b移動時來進行説明， 明並非限於此’若第一、第二磁石構件23a、23b 、第—祀21a、21b相封地移動’則在使第—、第 構件23a、23b移動時，可使第―、第二紀21a、2 移動’或使第一、第二磁石構件23a、23b静止， 、第二靶21a、21b移動也無妨。 第一、第二磁石構件23a、23b的磁極的方向 別加以限定，例如第一磁石構件2 3 a在與第二磁 23b相向的面具有s極時’第二磁石構件23b在與 石構件23a相向的面具有n極，相反的，第一磁 23a在與第二磁石構件wb相向的面具有n極時， 石構件23b在與第一磁石構件23a相向的面具有S 可在第一、第二靶21a、21b施加直流電壓或 壓’或施加重疊該等直流電壓或交流電壓的電壓。 第―、第二磁石構件23a、23b可配置於真空 外部’或配置於真空槽11的内部。在將第一、第 構件23a、23b配置於真空槽u的外部時，較理 透磁性材料來構成真空槽】1之第一、第二磁石構 23b所夾持的部份。 [實施例] —邊交替重複進行第―、第二磁石構件23a、 層膜。 而令第 但本發 對第一 二磁石 lb -起 使第一 亦無特 石構件 .第一磁 :石構件 第二磁 極。 _交流電 曹1 1的 二磁石 丨是使用 私 23a、 23b之 (18) (18)1352131 與上述二邊26a、2 6b正交的往復移動、及沿著二邊26a、 2 6b的往復移動，—邊進行濺射，以下記所示的成膜條件 在成膜對象物的表面形成ITO膜。 成膜對象物是使用有機EL元件的預備品，其預備品 的製造方法，首先使用有機EL製造裝置（ULVAC製 SATELLA )，對Ag/ITO電極被圖案化的玻璃基板表面進 行〇2電漿洗浄，依序以蒸著法來形成有機EL的各層，成 爲成膜對象物5。 例如以4，4’-雙[N- ( 1-萘基）-N-苯基胺基]聯苯（以 下簡稱爲NPB )作爲電洞輸送層，以35nm的厚度來形成 ’更例如以50nm的厚度來形成含8-羥基喹啉鋁錯合物（ 以下簡稱爲Alq3 )的發光層，更藉由蒸著以5nm的厚度 來形成LiF作爲陰極緩衝層。 將成膜對象物5搬送至被安裝於有機EL製造裝置的 氮置換的手套箱（Glove Box)内，把成膜對象物5放進 密閉容器内後將密閉容器取出至大氣中。然後，將密閉容 器裝入被安裝於上述灘射裝置10的N2手套箱中，在其中 開封密閉容器來取出成膜對象物5，把成膜對象物5裝設 至被安裝於L/UL室3的載體13上。 更在該成膜對象物5形成有緩衝層的面（成膜面）上 裝著用以形成I TO電極的光罩，而進行真空排氣。 在形成所定的壓力時，打開閘閥41，將成膜對象物5 和載體13 —起搬送至真空槽11内。 —邊使第一、第二磁石構件23a、23b交替移動於沿 -22- (19) 1352131 著二邊的二方向、及正交於二邊的二方向，一邊針對以 IT 0所構成的各靶21a〜21c進行濺射，使成膜對象物5通 過第一、第二靶21a、21b的側方，形成由膜厚2Onm的 . ITO膜所構成的第一薄膜，且使通過第三靶21c上，在第 _ 一薄膜上形成膜厚80nm的ITO膜，取得在成膜對象物5 的緩衝層表面形成有由第一、第二薄膜所構成的上部電極 之有機EL元件。 • 第一、第二薄膜的成膜條件是對向陰極（第一、第二 靶21a、21b)爲成膜壓力0.67Pa、濺射氣體（Ar氣體） 200SCCM，平行平板陰極（第三靶21c)爲成膜壓力 0_67Pa、濺射氣體（Ar氣體）200SCCM、反應氣體（氧） 2.0SCCM。 投入功率是對向陰極爲DC電源1 000W(2.1W/cm2 /cathode)，平行平板陰極爲DC電源620W(lW/cm2)。 動態速率是對向陰極爲 2nm/min，平行平板陰極爲 ® 8nm/min。成膜對象物5的搬送速度是0. lm/min。 第一、第二 IE 21a、21b 是橫 70mm、縱 330mm 的長 - 方形。第一、第二磁石構件23a、23b是外周寬爲90mm ( . 磁石寬20mm)，沿著二邊的方向、及與二邊正交的方向 的移動寬分別爲20mm。 在進行所定時間濺射之後，停止濺射，取出第一、第 二靶21a' 21b，針對圖6的a、b、c的切斷線所示之處， 測定從一端至另一端的腐蝕深度。 將所被測定的値記載於下記表1，且將該測定結果圖 -23- (20) 1352131 表化者分別記載於圖7(a)〜（c)。 表1 :腐蝕深度的測定 測定點 (mm) 磁石固定 磁石麵 (往復移動） 磁石移動 35 0 0 0 -2.7 -2.7 -3.4 -2.0 0 -2.0 30 0 -0.5 -0.7 -3.0 -3· 0 -3.4 -2.3 -1.5 -2.2 25 0 -1.5 -2.0 -3.2 -3.2 -3.5 -2.5 -2.0 -2.5 20 -0.5 -2.0 -3.0 -3.3 -3.4 -3.5 -2.7 -2.5 -2.8 15 -1.0 -3.0 -4.0 -3.5 -3· 5 -3.5 -3.0 -3.0 -3- 0 10 -1.5 -3.7 -4.2 -3.5 -3.5 -3.5 -3.5 ·3· 3 -3· 3 5 -2.5 -4.2 -4.0 -3.5 -3· 5 -3.5 _3· 5 -3.5 -3· 5 0 •3· 5 -4.3 -3.5 -3.5 •3· 5 -3.5 -3.7 -3.7 -3.7 _5 -4.0 -4.2 -2.5 -3.5 -3.5 -3.5 _3· 5 -3.5 _3· 5 -10 -4.3 -3.5 -1.5 -3.5 -3· 5 -3.5 -3.5 -3· 3 -3· 5 -15 -4.0 -3-0 -1.0 -3.5 *3.5 -3.5 -3.3 -3.0 -3· 0 -20 ~3· 0 -2.0 -0.5 -3.5 -3.4 -3.3 -2.8 -2.5 -2.7 -25 -2.0 -1.5 0 _3.5 -3.2 -3.2 -2.5 -2.0 -2.5 -30 -0.7 -0.5 0 -3.4 -3.0 -3.0 -2.3 -1.5 -2.3 -35 0 0 0 -3.4 -2.7 -2.7 -2.0 0 -2.0
此外，使第一、第二磁石構件23a、23b各20。正旋轉 及逆旋轉，而來取代移動於沿著二邊26a、26b的方向及 正交的方向，將該情況的測定値記載於上述表1，且將該 測定結果圖表化者顯示於圖8(a)〜（c)。 另外，將使第一' 第二磁石構件23a、23b維持靜止 下進行濺射時的測定値記載於上述表1，且將該測定結果 圖表化者顯示於圖9(a)〜（c)。 若比較上述表1〜3及圖7〜9’則可明顯得知，—邊 使第一、第二磁石構件23a、23b移動一邊進行濺射時， -24- (21) 1352131 與使第一 ' 第二磁石構件23a、23b静止來進行濺射時相 較之下，腐蝕深度爲均一。由此可確認出，若—邊使第一 、第二磁石構件23a、23b移動一邊進行濺射，則腐蝕深 . 度會形成均一，靶21a、21b的使用效率會變高。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的濺射裝置的剖面圖。 φ 圖2是用以說明磁力線的剖面圖。 圖3(a) 、 （b)是移動於與二邊正交的二方向時的 模式圖。 圖4(a) 、（b)是移動於沿著二邊的二方向時的模 式圖。 圖5(a)是正旋轉時的模式圖，（b)是逆旋轉時的 模式圖。 圖6是說明靶的測定處的平面圖。 Φ 圖7(a)〜（<〇是以本案一例的成膜方法來濺射靶 之後的腐蝕分布。 . 圖8(a)〜（c)是以本案其他例的成膜方法來濺射 靶之後的腐蝕分布。 圖9(a)〜（c)是以以往技術的成膜方法來濺射靶 之後的腐蝕分布。 圖是說明有機EL元件的剖面圖。 圖1 1是說明以往技術的濺射裝置的剖面圖。 圖1 2是說明靶表面的狀態平面圖。 -25- (22) (22)1352131 【主要元件符號說明】 1 :濺射裝置 5 :成膜對象物 12 :搬送機構 1 4 :搬送路徑 21a、21b:第一、第二靶 23a、23b:第一、第二磁石構件 26a ' 26b :二邊 28a、28b:移動手段 3 8 :濺射空間 3 9 :端部
Al、A2:與二邊正交的二方向 Bl、B2:沿著二邊的二方向
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