JPH02292855A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH02292855A JPH02292855A JP1113308A JP11330889A JPH02292855A JP H02292855 A JPH02292855 A JP H02292855A JP 1113308 A JP1113308 A JP 1113308A JP 11330889 A JP11330889 A JP 11330889A JP H02292855 A JPH02292855 A JP H02292855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- high frequency
- circuit
- main body
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001378 electrochemiluminescence detection Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/30—Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/22—Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
- G06F11/26—Functional testing
- G06F11/273—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G06F11/2733—Test interface between tester and unit under test
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
- G01R31/31903—Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
- G01R31/31905—Interface with the device under test [DUT], e.g. arrangements between the test head and the DUT, mechanical aspects, fixture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体集積回路装置に係わり、特に高周波テ
ストを容易にするためのテスト容晶化回路を搭載した半
導体集積回路装置に関する。
ストを容易にするためのテスト容晶化回路を搭載した半
導体集積回路装置に関する。
(従来の技術)
近年、通信及び計算機等の応用分野からの要求や微細加
工技術の進歩に伴って、半導体集積回路の動作周波数は
上昇の一途を辿っている。
工技術の進歩に伴って、半導体集積回路の動作周波数は
上昇の一途を辿っている。
特に、シリコンECLやガリウム砒素IC等の集積回路
の動作周波数は500MHz〜数GHzにまで達してい
る。
の動作周波数は500MHz〜数GHzにまで達してい
る。
一方、半導体集積回路の製造においては、ウエハ製造工
程が終了した後、ウエハ上に並ぶ集桔回路チップのテス
トが行われる。一般に、このテストにはLSIテスタが
用いられるが、現在広く使用されているLSIテスタは
最高でも200Mllzの動作周波数信号を用いたテス
トしかできない。このため、前述した500Hz〜数G
Hzの動作周波数を持つ集積回路チップの高周波テスト
を現在一般的なLSIテスタで行うのは困難である。
程が終了した後、ウエハ上に並ぶ集桔回路チップのテス
トが行われる。一般に、このテストにはLSIテスタが
用いられるが、現在広く使用されているLSIテスタは
最高でも200Mllzの動作周波数信号を用いたテス
トしかできない。このため、前述した500Hz〜数G
Hzの動作周波数を持つ集積回路チップの高周波テスト
を現在一般的なLSIテスタで行うのは困難である。
なお、500Mz〜数GHzの動作周波数までテスト可
能なLSIテスタは極めて高価なものであり、このよう
なテスタを用意ずることは製造ラインの設備コストの上
昇となり、結果として製造コストの増大を招くことにな
る。
能なLSIテスタは極めて高価なものであり、このよう
なテスタを用意ずることは製造ラインの設備コストの上
昇となり、結果として製造コストの増大を招くことにな
る。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来、半導体集積回路の動作周波数が高くな
り、一般的なLSIテスタのテスト可能周波数よりも高
くなると、この種のテスタでは集積回路をテストするこ
とが困難となる。
り、一般的なLSIテスタのテスト可能周波数よりも高
くなると、この種のテスタでは集積回路をテストするこ
とが困難となる。
また、500Mz〜数GHzの動作周波数までテスト可
能な高価なLSIテスタを用意ずることは、製造コスト
の増大を招くことになり望ましくない。
能な高価なLSIテスタを用意ずることは、製造コスト
の増大を招くことになり望ましくない。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、半導体集積回路の動作周波数に満た
ないLSIテスタを用いて該集積回路の高周波テストを
行うことかでき、高周波テストの容易化及び製造コスト
の低減等に寄与し得る半導体集積回路装置を提供するこ
とにある。
的とするところは、半導体集積回路の動作周波数に満た
ないLSIテスタを用いて該集積回路の高周波テストを
行うことかでき、高周波テストの容易化及び製造コスト
の低減等に寄与し得る半導体集積回路装置を提供するこ
とにある。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明の骨子は、半導体集積回路の入出力側に周波数変
換回路を設けることにより、半導体集積回路の動作周波
数に満たないLSIテスタを用いて該集積回路の高周波
テスト可能としたことにある。
換回路を設けることにより、半導体集積回路の動作周波
数に満たないLSIテスタを用いて該集積回路の高周波
テスト可能としたことにある。
即ち本発明は、高周波テスト容易化回路を搭載した半導
体集積回路装置において、所定の機能を有する半導体集
積回路本体と該集積回路本体の高周波特性をテストする
ための高周波テスト容易化回路とを同一チップ上に形成
してなり、テスト容易化回路として、集積回路本体の入
力側に低周波一高周波変換回路を配置し、且つ集積回路
本体の出力側に高周波一低周波変換回路を配置するよう
にしたものである。
体集積回路装置において、所定の機能を有する半導体集
積回路本体と該集積回路本体の高周波特性をテストする
ための高周波テスト容易化回路とを同一チップ上に形成
してなり、テスト容易化回路として、集積回路本体の入
力側に低周波一高周波変換回路を配置し、且つ集積回路
本体の出力側に高周波一低周波変換回路を配置するよう
にしたものである。
(作用)
本発明−によれば、半導体集積回路本体の入力側に低周
波一高周波変換回路を設けているので、LSIテスタで
供給可能な周波数の数倍の高周波データ若しくは高周波
クロソクをこの集積回路本体に供給することができる。
波一高周波変換回路を設けているので、LSIテスタで
供給可能な周波数の数倍の高周波データ若しくは高周波
クロソクをこの集積回路本体に供給することができる。
さらに、集積回路本体の出力側に高周波一低周波変換回
路を設けているので、この集積回路本体から出力される
高周波データ若しくは高周波クロックよりも低い周波数
しか測定できないLSIテスタでこれらを測定すること
ができる。従って、従来テストしたくてもテストできな
かった高周波動作の半導体集積回路のテストを、該集積
回路の動作周波数に満たないLSIテスタを用いてテス
トすることが可能となる。
路を設けているので、この集積回路本体から出力される
高周波データ若しくは高周波クロックよりも低い周波数
しか測定できないLSIテスタでこれらを測定すること
ができる。従って、従来テストしたくてもテストできな
かった高周波動作の半導体集積回路のテストを、該集積
回路の動作周波数に満たないLSIテスタを用いてテス
トすることが可能となる。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わる半導体集積回路装置
を模式的に示す平面図である。図中10は半導体チップ
であり、このチップ10上に半導体集積回路本体20,
入力回路としての低周波一高周波変換回路(以下、L−
H変換回路と略記する)30及び出力回路としての高周
波一低周波変換回路(以下、H−L変換回路と略記する
)40が設けられている。また、チップ10の周辺部に
はテスト端子として仕様可能なボンディングパッド11
が複数個設けられている。
を模式的に示す平面図である。図中10は半導体チップ
であり、このチップ10上に半導体集積回路本体20,
入力回路としての低周波一高周波変換回路(以下、L−
H変換回路と略記する)30及び出力回路としての高周
波一低周波変換回路(以下、H−L変換回路と略記する
)40が設けられている。また、チップ10の周辺部に
はテスト端子として仕様可能なボンディングパッド11
が複数個設けられている。
L−H変換回路30は、第2図(a)に示す如くN:1
マルチプレクサであり、N個の低速データを1個の高速
データ列に変換する機能を持つ。4:1のマルチプレク
サ30の具体的な回路構成を第2図(b)に示す。これ
は、6個のDフリップ・フロップ(DFF)211〜2
16、アンドゲート22,〜224 , 23,〜23
4、オアゲート241〜244 , 246及びインバ
ータ25等からなるもので、4ビット低速データD。−
D,を入力して1個の高速データD。,Tを出力する周
知の回路構成である。
マルチプレクサであり、N個の低速データを1個の高速
データ列に変換する機能を持つ。4:1のマルチプレク
サ30の具体的な回路構成を第2図(b)に示す。これ
は、6個のDフリップ・フロップ(DFF)211〜2
16、アンドゲート22,〜224 , 23,〜23
4、オアゲート241〜244 , 246及びインバ
ータ25等からなるもので、4ビット低速データD。−
D,を入力して1個の高速データD。,Tを出力する周
知の回路構成である。
H→L変換回路40は、第3図(a)に示す如く1:N
デマルチプレクサであり、1個の高速データをN個の低
速データ列に変換する機能を持つ。1二4のデマルチプ
レクサ40の具体的な回路構成を第3図(b)に示す。
デマルチプレクサであり、1個の高速データをN個の低
速データ列に変換する機能を持つ。1二4のデマルチプ
レクサ40の具体的な回路構成を第3図(b)に示す。
これは、10個のDFF31+〜31,。、クロック回
路32及びインバータ33、〜334等からなるもので
、1個の高速データDsを入力して4ビットの低速デー
タOUTo〜OUT3を出力する周知の回路構成である
。
路32及びインバータ33、〜334等からなるもので
、1個の高速データDsを入力して4ビットの低速デー
タOUTo〜OUT3を出力する周知の回路構成である
。
これら4:1マルチプレクサ及び1:4デマルチプレク
サを高周波テスト容易化回路として搭載したGaAsデ
ジタル信号処理プロセッサ(D S P)を試作した。
サを高周波テスト容易化回路として搭載したGaAsデ
ジタル信号処理プロセッサ(D S P)を試作した。
このDSPはデータ処理周波数が400MIIzで動作
するものである。前述のように現在市販されているロジ
ックLSIテスタが扱える周波数は100MIlzか一
般的であり、テスト容易化回路がないと試作したICを
テストできない。しかし、今回は4:1マルチプレクサ
を搭載しており、この回路によりテスタから供給される
100MHzの信号を多重化して400MIlzのデー
タ信号を作ることができる。これを、本体のDSPに供
給した。
するものである。前述のように現在市販されているロジ
ックLSIテスタが扱える周波数は100MIlzか一
般的であり、テスト容易化回路がないと試作したICを
テストできない。しかし、今回は4:1マルチプレクサ
を搭載しており、この回路によりテスタから供給される
100MHzの信号を多重化して400MIlzのデー
タ信号を作ることができる。これを、本体のDSPに供
給した。
一方、DSPから信号処理されて出力される400MH
zの“結果信号“は上記のテスタではテストできない。
zの“結果信号“は上記のテスタではテストできない。
そこで、この“結果信号”を1:4デマルチプレクサに
入力し、LOOM}Izの4つの並列信号に変換して出
力する。この出力は、上記のLSIテスタで扱うことが
でき、DSPの機能が正常かどうかの確認を行うことが
できる。
入力し、LOOM}Izの4つの並列信号に変換して出
力する。この出力は、上記のLSIテスタで扱うことが
でき、DSPの機能が正常かどうかの確認を行うことが
できる。
かくして本実施例によれば、DSPの入力回路として4
:1マルチプレクサを配置し、出力回路として1:4デ
マルチプレクサを配置することにより、100MIIz
のLSIテスタで400MIIzの動作周波数を持つD
SPの高周波テストを行うことができ、高周波テストの
容易化をはかり得る。そして、400MtlzのLSI
テスタを用いる必要がないので、設備コストの上昇を防
ぐことができる。
:1マルチプレクサを配置し、出力回路として1:4デ
マルチプレクサを配置することにより、100MIIz
のLSIテスタで400MIIzの動作周波数を持つD
SPの高周波テストを行うことができ、高周波テストの
容易化をはかり得る。そして、400MtlzのLSI
テスタを用いる必要がないので、設備コストの上昇を防
ぐことができる。
ところで、集積回路本体20の高周波テストに際し複数
ルートの高周波テストが必要となることも考えられる。
ルートの高周波テストが必要となることも考えられる。
実際、上述の実施例では集積回路本体20のDSP部で
は400MHzの信号?流れるルートが4つあり、その
一つ一つをテストする必要がある。そこで、第4図に示
す如き高速データ分配回路50と、第5図に示す如き高
速データ選択回路60を採用した。
は400MHzの信号?流れるルートが4つあり、その
一つ一つをテストする必要がある。そこで、第4図に示
す如き高速データ分配回路50と、第5図に示す如き高
速データ選択回路60を採用した。
高速データ分配回路50は、インバータ511.51■
、アンドゲート521〜524及びノアゲート531〜
534からなるもので、4:1マルチプレクサ30から
出力される高速データを集積回路本体20のDSP部の
4つのルート(It〜I4)へ2つの制御信号(a,b
)を用いて分配する機能を持つ。
、アンドゲート521〜524及びノアゲート531〜
534からなるもので、4:1マルチプレクサ30から
出力される高速データを集積回路本体20のDSP部の
4つのルート(It〜I4)へ2つの制御信号(a,b
)を用いて分配する機能を持つ。
一方、高速データ選択回路60は、インバータ61+
, 012 、3人力のノアゲート621〜B24及び
4人力のノアゲート63からなるもので、集積回路本体
20のDSP部から出力される4つの“結果信号゛ (
81〜S4)のうちの一つを2つの制御信号(c,d)
を用いて選択し、1:4デマルチプレクサ50へ入力す
る機能を持つ。
, 012 、3人力のノアゲート621〜B24及び
4人力のノアゲート63からなるもので、集積回路本体
20のDSP部から出力される4つの“結果信号゛ (
81〜S4)のうちの一つを2つの制御信号(c,d)
を用いて選択し、1:4デマルチプレクサ50へ入力す
る機能を持つ。
このような構成とすれば、マルチプレクサ及びデマルチ
プレクサそれぞれ1個ずつで4つのルートの高周波テス
トを行うことが可能となる。
プレクサそれぞれ1個ずつで4つのルートの高周波テス
トを行うことが可能となる。
ここで、マルチプレクサ,デマルチプレクサ前記第2図
及び第3図に示す如く比較的複雑な回路構成でその占有
面積も比較的大きいが、高速データ分配回路,高速デー
タ選択回路は第4図及び第5図に示す如く論理ゲートの
みで簡易に構成できその占有面積も極めて少なくて済む
。
及び第3図に示す如く比較的複雑な回路構成でその占有
面積も比較的大きいが、高速データ分配回路,高速デー
タ選択回路は第4図及び第5図に示す如く論理ゲートの
みで簡易に構成できその占有面積も極めて少なくて済む
。
このため、4つのマルチプレクサ及びデマルチプレクサ
を配置する例に比して、チップ面積を大幅に低減できる
利点がある。
を配置する例に比して、チップ面積を大幅に低減できる
利点がある。
第6図は本発明の他の実施例を示す概略構成図である。
なお、第1図と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい説明は省略する。
しい説明は省略する。
この実施例は、前述のDSP機能を大規模化したもので
ある。この実施例例の場合、高周波信号の流れるルート
は36個と多く前記第4,図及び第5図に示すような分
配回路,選択回路を採用しても応答速度の点から12個
ずつのマルチプレクサとデマルチプレクサが必要となっ
た。そこで、第6図に示す如く、集積回路本体20の周
辺に必要なバッド12を配置し、独立した1個のLSI
の形態をなすようにした。そして、これらの周囲に複数
個のマルチプレクサ30及びデマルチプレクサ40を配
置した。
ある。この実施例例の場合、高周波信号の流れるルート
は36個と多く前記第4,図及び第5図に示すような分
配回路,選択回路を採用しても応答速度の点から12個
ずつのマルチプレクサとデマルチプレクサが必要となっ
た。そこで、第6図に示す如く、集積回路本体20の周
辺に必要なバッド12を配置し、独立した1個のLSI
の形態をなすようにした。そして、これらの周囲に複数
個のマルチプレクサ30及びデマルチプレクサ40を配
置した。
このような構成であれば、高周波テストの終了の後、集
積回路本体20と高周波テスト容易化回路(30.40
)とを図中1点鎖線で示すように切り離すことにより、
最終的な製品は集積回路本体20とその周囲のパッド1
2とを[,′jつ通常の集積回路装置と同様のものとな
る。従って、チップサイズの縮小とテスト容易化回路で
消費される電力を省略できる利点かある。
積回路本体20と高周波テスト容易化回路(30.40
)とを図中1点鎖線で示すように切り離すことにより、
最終的な製品は集積回路本体20とその周囲のパッド1
2とを[,′jつ通常の集積回路装置と同様のものとな
る。従って、チップサイズの縮小とテスト容易化回路で
消費される電力を省略できる利点かある。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。実施例では、データを入出力するために、周波数
変換回路としてマルチプレクサ及びデマルチプレクサを
用いたが、クロックを入出力する場合は、L−H変換回
路として周波数逓倍回路、H−L変換回路として分周回
路を用いることができる。さらに、これらの両方を用い
るようにしてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
ない。実施例では、データを入出力するために、周波数
変換回路としてマルチプレクサ及びデマルチプレクサを
用いたが、クロックを入出力する場合は、L−H変換回
路として周波数逓倍回路、H−L変換回路として分周回
路を用いることができる。さらに、これらの両方を用い
るようにしてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
[発明の効果〕
以上詳述したように本発明によれば、半導体集積回路の
入出力側に周波数変換回路を設けることにより、半導体
集積回路の動作周波数に満たないLSIテスタを用いて
該集積回路の高周波テストを行うことができ、高周波テ
ストの容易化及び製造コストの低減等に寄与することが
可能となり、その有用性は絶大である。
入出力側に周波数変換回路を設けることにより、半導体
集積回路の動作周波数に満たないLSIテスタを用いて
該集積回路の高周波テストを行うことができ、高周波テ
ストの容易化及び製造コストの低減等に寄与することが
可能となり、その有用性は絶大である。
第1図は本発明の一実施例に係わる半導体集積回路装置
を模式的に示す平面図、第2図は上記実施例に用いたマ
ルチプレクサの一例を示すブロック図及び回路構成図、
第3図は上記実施例に用いたデマルチプレクサの一例を
示すブロック図及び回路構成図、第4図は高周波データ
分配回路の一例を示す回路構成図、第5図は高周波デー
タ選択回路の一例を示す回路構成図、第6図は本発明の
他の実施例を説明するための平面図である。 10・・・半導体チップ、 11.12・・・パッド、 20・・・半導体集積回路本体、 30・・・L−H変換回路、 40・・・H−L変換回路、 50・・・高周波データ分回路、 60・・・高周波データ選択回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦(b) 第 因 (a) (a)
を模式的に示す平面図、第2図は上記実施例に用いたマ
ルチプレクサの一例を示すブロック図及び回路構成図、
第3図は上記実施例に用いたデマルチプレクサの一例を
示すブロック図及び回路構成図、第4図は高周波データ
分配回路の一例を示す回路構成図、第5図は高周波デー
タ選択回路の一例を示す回路構成図、第6図は本発明の
他の実施例を説明するための平面図である。 10・・・半導体チップ、 11.12・・・パッド、 20・・・半導体集積回路本体、 30・・・L−H変換回路、 40・・・H−L変換回路、 50・・・高周波データ分回路、 60・・・高周波データ選択回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦(b) 第 因 (a) (a)
Claims (5)
- (1)所定の機能を有する半導体集積回路本体と、この
集積回路本体の高周波特性をテストするための高周波テ
スト容易化回路とを同一チップ上に備え、 前記テスト容易化回路は、前記集積回路本体の入力側に
配置された低周波−高周波変換回路と、前記集積回路本
体の出力側に配置された高周波−低周波変換回路とから
なるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。 - (2)前記低周波−高周波変換回路は低周波データを高
周波データに変換するマルチプレクサからなり、前記高
周波−低周波変換回路は高周波データを低周波データに
変換するデマルチプレクサからなることを特徴とする請
求項1記載の半導体集積回路装置。 - (3)前記低周波−高周波変換回路は低周波クロックを
高周波クロックに変換する周波数逓倍器からなり、前記
高周波−低周波変換回路は高周波クロックを低周波クロ
ックに変換する分周器からなることを特徴とする請求項
1記載の半導体集積回路装置。 - (4)前記テスト容易化回路は、前記各変換回路と集積
回路本体との接続状態を、外部からの制御信号により切
り換えられるものであることを特徴とする請求項1記載
の半導体集積回路装置。 - (5)前記テスト容易化回路は、前記集積回路本体の周
辺部に配置され、テスト完了後に該集積回路本体とは分
離されるものであることを特徴とする請求項1記載の半
導体集積回路装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1113308A JP2839547B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 半導体集積回路装置 |
US07/505,607 US5097205A (en) | 1989-05-02 | 1990-04-06 | Ic chip test circuit for high frequency integrated circuits |
EP90303966A EP0396272B1 (en) | 1989-05-02 | 1990-04-11 | IC device including test circuit |
DE69028435T DE69028435T2 (de) | 1989-05-02 | 1990-04-11 | Integrierte Schaltung mit Testschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1113308A JP2839547B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02292855A true JPH02292855A (ja) | 1990-12-04 |
JP2839547B2 JP2839547B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=14608944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1113308A Expired - Fee Related JP2839547B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5097205A (ja) |
EP (1) | EP0396272B1 (ja) |
JP (1) | JP2839547B2 (ja) |
DE (1) | DE69028435T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0487362A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2002528726A (ja) * | 1998-10-23 | 2002-09-03 | テラダイン・インコーポレーテッド | 自動試験装置用遠隔試験モジュール |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62152864A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツドの製造方法 |
US5297273A (en) * | 1990-08-30 | 1994-03-22 | Westinghouse Electric Corp. | System for optically splitting high-speed digital signals using cascading tree-type configuration wherein the number of successive level of cascading increase by a factor of two |
JPH04328476A (ja) * | 1991-04-30 | 1992-11-17 | Toshiba Corp | Lsi |
EP0640986A1 (de) * | 1993-08-26 | 1995-03-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zum Testen dieser Halbleiterspeicheranordnung |
JP2629611B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1997-07-09 | 日本電気株式会社 | アナログ/ディジタル混載集積回路およびそのテスト方法 |
JP3301874B2 (ja) * | 1994-12-19 | 2002-07-15 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその検査方法 |
DE69633695T2 (de) * | 1995-05-31 | 2005-04-28 | STMicroelectronics, Inc., Carrollton | Konfigurierbare Testkontakte zum Erleichtern der parallelen Prüfung von integrierten Schaltungen |
DE19528733C1 (de) * | 1995-08-04 | 1997-01-02 | Siemens Ag | Integrierte Schaltung |
US6002267A (en) * | 1997-07-23 | 1999-12-14 | International Business Machines Corp. | In-line voltage plane tests for multi-chip modules |
JP2000227457A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US20020099513A1 (en) * | 2001-01-25 | 2002-07-25 | Keezer David Clark | Systems and methods for testing multi-gigahertz digital systems and components |
US7113886B2 (en) | 2002-01-23 | 2006-09-26 | Credence Systems Corporation | Circuit and method for distributing events in an event stream |
US7138814B2 (en) * | 2003-11-21 | 2006-11-21 | Agere Systems Inc. | Integrated circuit with controllable test access to internal analog signal pads of an area array |
US20070237527A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Sanjay Dabral | Optical debug mechanism |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59181548A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS6197941A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Toshiba Corp | 半導体ウエハにおけるテスト回路部 |
JPS62243429A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-23 | Anritsu Corp | 符号誤り測定装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4180772A (en) * | 1977-05-31 | 1979-12-25 | Fujitsu Limited | Large-scale integrated circuit with integral bi-directional test circuit |
US4278897A (en) * | 1978-12-28 | 1981-07-14 | Fujitsu Limited | Large scale semiconductor integrated circuit device |
EP0130974A1 (en) * | 1982-12-27 | 1985-01-16 | Storage Technology Partners | Vlsi chip with integral testing circuit |
JPS6188538A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS61189472A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-23 | Nec Corp | 集積回路の試験法 |
JPS63108741A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-13 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
DE3639577A1 (de) * | 1986-11-20 | 1988-05-26 | Siemens Ag | Logikbaustein zur erzeugung von ungleich verteilten zufallsmustern fuer integrierte schaltungen |
EP0311448B1 (en) * | 1987-10-09 | 1994-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Digital multiplexer |
JPH0814781B2 (ja) * | 1988-07-18 | 1996-02-14 | 三菱電機株式会社 | Icメモリカード |
-
1989
- 1989-05-02 JP JP1113308A patent/JP2839547B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-04-06 US US07/505,607 patent/US5097205A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-11 DE DE69028435T patent/DE69028435T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-11 EP EP90303966A patent/EP0396272B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59181548A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS6197941A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Toshiba Corp | 半導体ウエハにおけるテスト回路部 |
JPS62243429A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-23 | Anritsu Corp | 符号誤り測定装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0487362A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2002528726A (ja) * | 1998-10-23 | 2002-09-03 | テラダイン・インコーポレーテッド | 自動試験装置用遠隔試験モジュール |
JP4708566B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2011-06-22 | テラダイン・インコーポレーテッド | 自動試験装置用遠隔試験モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69028435T2 (de) | 1997-02-13 |
JP2839547B2 (ja) | 1998-12-16 |
US5097205A (en) | 1992-03-17 |
DE69028435D1 (de) | 1996-10-17 |
EP0396272A2 (en) | 1990-11-07 |
EP0396272A3 (en) | 1991-12-27 |
EP0396272B1 (en) | 1996-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02292855A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP3103013B2 (ja) | 集積試験回路付マルチチップ・モジュールおよびその製造方法 | |
Marinissen et al. | 3D DfT architecture for pre-bond and post-bond testing | |
JPS62220879A (ja) | 半導体装置 | |
Chi et al. | DfT architecture for 3D-SICs with multiple towers | |
EP1706752A1 (en) | Jtag test architecture for multi-chip pack | |
JP4980538B2 (ja) | 集積回路用の制御および検査が可能な発振器装置 | |
US7421610B2 (en) | Clock generation circuit | |
US7408368B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device having pads respectively provided with pad portions | |
US7558997B2 (en) | Wiring structure and method of semiconductor integrated circuit | |
US6433628B1 (en) | Wafer testable integrated circuit | |
Van Beers et al. | Test features of a core-based co-processor array for video applications | |
JPS6369262A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP3291706B2 (ja) | 論理回路の高速動作検証方法、及び、論理回路 | |
JP2009059875A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JPS59181548A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004004047A (ja) | 集積回路のための入力/出力特徴付けチェーン | |
US20240137026A1 (en) | Techniques For Storing States Of Signals In Configurable Storage Circuits | |
EP1227502A1 (en) | Connection pad arrangements for electronic circuit comprising both functional logic and flash-EEPROM | |
Gopi et al. | TEST PLAN FOR REUSABLE LFSR-BASED LOW TRANSITION BIST IN 3D STACKED ICS | |
Zhang et al. | A new die-level flexible design-for-test architecture for 3D stacked ICs | |
JP2001074811A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH0391942A (ja) | 半導体集積回路装置のビルトインテスト回路 | |
JPH0640122B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS58163048A (ja) | 内部信号チエツク機能付集積回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |