JPH02277239A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
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- JPH02277239A JPH02277239A JP9931589A JP9931589A JPH02277239A JP H02277239 A JPH02277239 A JP H02277239A JP 9931589 A JP9931589 A JP 9931589A JP 9931589 A JP9931589 A JP 9931589A JP H02277239 A JPH02277239 A JP H02277239A
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、回路を一つの基板上に集積した。
いわゆる集積回路の配線層の製造方法に関するものであ
る。
る。
（従来の技術〕
第５図（ａ）乃至（ｅ）を参照して、従来の配線層の製
造方法をシリコン基板上に設けた半導体装置を例にして
説明する。
造方法をシリコン基板上に設けた半導体装置を例にして
説明する。
ｆｆ１５図（ａ）は、シリコン基板（１）上に熱酸化法
やＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（２）を設けたもので
ある０次に第５図（ｂ）に示す様に、タングステン等か
らなる配線層（１０）を設ける。配線層（ｌＯ）の形成
後、第５図（ｃ）に示す様に、写真製版工程によりレジ
スト（５）を配線層（１０）上に形成し、このレジスト
（５）をマスクにして、配線層（１０）をエツチングし
て第５図（ｄ）に示す様に、その配線層にパターンを形
成する。さらに、上部に他の配線層等を設ける時は、電
気的に絶縁するために、第５図（ｅ）に示す様に、層間
絶縁ｌ１ｌ（１１）を形成する。
やＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（２）を設けたもので
ある０次に第５図（ｂ）に示す様に、タングステン等か
らなる配線層（１０）を設ける。配線層（ｌＯ）の形成
後、第５図（ｃ）に示す様に、写真製版工程によりレジ
スト（５）を配線層（１０）上に形成し、このレジスト
（５）をマスクにして、配線層（１０）をエツチングし
て第５図（ｄ）に示す様に、その配線層にパターンを形
成する。さらに、上部に他の配線層等を設ける時は、電
気的に絶縁するために、第５図（ｅ）に示す様に、層間
絶縁ｌ１ｌ（１１）を形成する。
この様に、集積回路の電気的な通路である配線層（ｌＯ
）を設けるためには、タングステン等の金属層の形成、
写真製版工程、エツチング等、非常に多くの工程を必要
とする。
）を設けるためには、タングステン等の金属層の形成、
写真製版工程、エツチング等、非常に多くの工程を必要
とする。
（発明が解決しようとする課題）
従来の集積回路の配線層の製造は、上述の様に金属層の
形成、写真製版、エツチング等、工程数が非常に多くな
るという問題点がありだ。
形成、写真製版、エツチング等、工程数が非常に多くな
るという問題点がありだ。
この発明は、上記の様な問題点を解決するためになされ
たもので、工程数を少なくして配線層を形成することが
できる集積回路の製造方法を提供することを目的とする
。
たもので、工程数を少なくして配線層を形成することが
できる集積回路の製造方法を提供することを目的とする
。
（課題を解決するための手段）
この発明に係る集積回路の製造方法は、シリコン酸化膜
中に還元性のある高融点金属をイオン注入して直接配線
層を形成する様にしたものである。
中に還元性のある高融点金属をイオン注入して直接配線
層を形成する様にしたものである。
（作用）
この発明における集積回路の製造方法では、シリコン酸
化膜中への還元性のある高融点金属のイオン注入により
、内部配線あるいは配線層間の接続部として利用できる
配線層が直接、シリコン酸化膜中に形成される。
化膜中への還元性のある高融点金属のイオン注入により
、内部配線あるいは配線層間の接続部として利用できる
配線層が直接、シリコン酸化膜中に形成される。
〔実施例）
以下、この発明の一実施例を第１図（ａ）と第１図（ｂ
）を用いて説明する。
）を用いて説明する。
シリコン基板（１）上に、熱酸化法やＣＶＤ法等により
、第１図（ａ）に示す様に、シリコン酸化膜（２）を形
成する。
、第１図（ａ）に示す様に、シリコン酸化膜（２）を形
成する。
次に、レジスト（５）を用いて写真製版法によりイオン
注入のマスクを形成する。そして、レジストマスクにチ
タン（Ｔｉミノイオン１ ｘ １０Ｉ８／ ｃｍ”以上
の量、チタン原子が＼シリコン酸化膜（２）の内部にま
で到達するエネルギーで、注入（矢印３）し、第１図（
ｂ）に示すようにチタン層（４）を形成する。チタンは
還元性が強いため、シリコン酸化膜（２）を還元してチ
タン層（４）は低抵抗の内部配線層となる。
注入のマスクを形成する。そして、レジストマスクにチ
タン（Ｔｉミノイオン１ ｘ １０Ｉ８／ ｃｍ”以上
の量、チタン原子が＼シリコン酸化膜（２）の内部にま
で到達するエネルギーで、注入（矢印３）し、第１図（
ｂ）に示すようにチタン層（４）を形成する。チタンは
還元性が強いため、シリコン酸化膜（２）を還元してチ
タン層（４）は低抵抗の内部配線層となる。
また、上記実施例では、チタン層（４）を形成するのに
レジスト（５）をマスクにしてチタンイオン注入を行な
っているが、Ｆ Ｉ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ ＩｏｎＢ
ｅａｍ）法を用いれば、第２図に示す様に、レジストマ
スクを使用することなく直接、チタンイオンビームな注
入してチタン層（４）をシリコン酸化膜（２）の内部に
形成することかできるので、写真製版工程を省略するこ
とかできる。
レジスト（５）をマスクにしてチタンイオン注入を行な
っているが、Ｆ Ｉ Ｂ （Ｆｏｃｕｓｅｄ ＩｏｎＢ
ｅａｍ）法を用いれば、第２図に示す様に、レジストマ
スクを使用することなく直接、チタンイオンビームな注
入してチタン層（４）をシリコン酸化膜（２）の内部に
形成することかできるので、写真製版工程を省略するこ
とかできる。
この様にして、チタンイオン柱入により得られるチタン
層（４）は、第３図に示す様に、配線層（６）間や素子
間の接続等の内部配線層として利用したり、あるいは、
第４図に示す様に、上下の配線層（６）を直接接続する
スルーホールの様な配線層として用いることができる。
層（４）は、第３図に示す様に、配線層（６）間や素子
間の接続等の内部配線層として利用したり、あるいは、
第４図に示す様に、上下の配線層（６）を直接接続する
スルーホールの様な配線層として用いることができる。
また、上記の実施例ではシリコン酸化膜中に注入する金
属としてチタンを使用したが、チタンの代りにジルコニ
ウム（Ｚｒ）やハフニウム（ｌｌｆ）の様な還元性のあ
る高融点金属を用いてもよい。
属としてチタンを使用したが、チタンの代りにジルコニ
ウム（Ｚｒ）やハフニウム（ｌｌｆ）の様な還元性のあ
る高融点金属を用いてもよい。
（発明の効果）
以上の様に、この発明によれば、還元性のある高融点金
属のイオン注入によりシリコン酸化膜中に直接、金属層
を形成するため、従来の集積回路の製造方法に比較して
、シリコン酸化膜上における金属層の形成工程、その金
属層のエツチング工程、層間絶縁膜形成工程を省略する
ことができるため大幅に工程数を減らすことができる。
属のイオン注入によりシリコン酸化膜中に直接、金属層
を形成するため、従来の集積回路の製造方法に比較して
、シリコン酸化膜上における金属層の形成工程、その金
属層のエツチング工程、層間絶縁膜形成工程を省略する
ことができるため大幅に工程数を減らすことができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、この発明による集積回路
の製造方法の一実施例を工程順に示す断面図、第２図、
第３図、第４図はこの発明の他の実施例を示す断面図、
第５図（ａ）乃至（ｅ）は、従来の集積回路の製造方法
を工程１＠１に示す断面図である。 図において、（２）はシリコン酸化膜、（４）は金属層
である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄ｎｌ
図 （ａン 第２ 第４ 回 第５ 図（′ｔの１） （ａン
の製造方法の一実施例を工程順に示す断面図、第２図、
第３図、第４図はこの発明の他の実施例を示す断面図、
第５図（ａ）乃至（ｅ）は、従来の集積回路の製造方法
を工程１＠１に示す断面図である。 図において、（２）はシリコン酸化膜、（４）は金属層
である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄ｎｌ
図 （ａン 第２ 第４ 回 第５ 図（′ｔの１） （ａン
Claims (1)
- （１）シリコン酸化膜を用いた集積回路において、上記
シリコン酸化膜中に還元性のある高融点金属をイオン注
入することにより、金属層を上記シリコン酸化膜中に形
成し、その金属層を集積回路の配線層として用いること
を特徴とする集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9931589A JPH02277239A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9931589A JPH02277239A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02277239A true JPH02277239A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14244207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9931589A Pending JPH02277239A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02277239A (ja) |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP9931589A patent/JPH02277239A/ja active Pending
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