JPH02276037A - 光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体 - Google Patents
光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、長期間にわたって高い信頼性を維持てきる光
学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒
体に関する。
学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒
体に関する。
［従来の技術と解決すべき課題］
オーディオディスク、レーザディスク、光デイスクメモ
リあるいは光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情報
の再生、追記、書換えを行なう光学式情報記録媒体の基
板には、成形性９強度、光線透過率及び耐湿性等の点で
優れているポリカーボネート樹脂が多く用いられている
。
リあるいは光磁気ディスク等のレーザ光を利用して情報
の再生、追記、書換えを行なう光学式情報記録媒体の基
板には、成形性９強度、光線透過率及び耐湿性等の点で
優れているポリカーボネート樹脂が多く用いられている
。
しかしながら、このように優れた性質を有するポリカー
ボネート樹脂も、高温、高湿下において加水分解しやず
く、分子量の低下、衝撃強度の低下等をきたしやすいと
いう欠点かある。
ボネート樹脂も、高温、高湿下において加水分解しやず
く、分子量の低下、衝撃強度の低下等をきたしやすいと
いう欠点かある。
一方、光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情
報記録媒体に要求される特性の一つとして、長期間（千
年以上）にわたって高い信頼性を維持てきるようにする
ことかある。ところか、上述したようにポリカーボネー
ト樹脂は高温、高湿下において加水分解による劣化か早
く、この要求を満たすことが困難てあった。
報記録媒体に要求される特性の一つとして、長期間（千
年以上）にわたって高い信頼性を維持てきるようにする
ことかある。ところか、上述したようにポリカーボネー
ト樹脂は高温、高湿下において加水分解による劣化か早
く、この要求を満たすことが困難てあった。
また、ポリカーボネート樹脂製光学式情報記録媒体の耐
蝕性を改善する研究が種々なされており、例えば特開昭
６３−９７５２７号においては、基板中の残留塩素量を
１ ｐｐｍ＋以下にすることが提案されており、さらに
、同６３−２５７９３３号においては、基板中の残留遊
離塩素を１ ｐｐｍ以下、リン含有量を５〜１０ｐｐ１
１にすることか提案されている。
蝕性を改善する研究が種々なされており、例えば特開昭
６３−９７５２７号においては、基板中の残留塩素量を
１ ｐｐｍ＋以下にすることが提案されており、さらに
、同６３−２５７９３３号においては、基板中の残留遊
離塩素を１ ｐｐｍ以下、リン含有量を５〜１０ｐｐ１
１にすることか提案されている。
しかしながら、これら提案にかかる技術は、情報記録膜
の腐蝕による劣化をある程度有効に抑制するものではあ
るが、ポリカーボネート樹脂そのものに着目したものて
はない。
の腐蝕による劣化をある程度有効に抑制するものではあ
るが、ポリカーボネート樹脂そのものに着目したものて
はない。
本発明は、上記事情にかんがみてなされたものであり、
ポリカーボネート樹脂の劣化をきわめて有効に抑制し、
長期間にわたって高い信頼性を維持てきる光学式ディス
ク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体の提供を
目的とする。
ポリカーボネート樹脂の劣化をきわめて有効に抑制し、
長期間にわたって高い信頼性を維持てきる光学式ディス
ク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体の提供を
目的とする。
［課題の解決手段コ
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究を重
ねてきた結果、ポリカーボネート樹脂の加水分解の原因
が、樹脂中に含まれる残留微量金属、特に特定の金属と
、残留微量溶媒、特に塩素系溶媒との相互作用によるも
のであることを知見し、本発明をするに至った。
ねてきた結果、ポリカーボネート樹脂の加水分解の原因
が、樹脂中に含まれる残留微量金属、特に特定の金属と
、残留微量溶媒、特に塩素系溶媒との相互作用によるも
のであることを知見し、本発明をするに至った。
そこて、本発明の光学式ディスク基板は、ＩＡ族及び■
族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ ｐ
ｐｎ＋以下であるポリカーボネート樹脂で構成してあり
、好ましくは、ＩＡ族及び■族に属する金属のうち、一
種類の金属の含有量が１ ｐｐｍ以下であり、かつ塩素
系溶媒残留量か１ＯｐｐＩ１１以下であるポリカーボネ
ート樹脂で構成しである。
族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量が１ ｐ
ｐｎ＋以下であるポリカーボネート樹脂で構成してあり
、好ましくは、ＩＡ族及び■族に属する金属のうち、一
種類の金属の含有量が１ ｐｐｍ以下であり、かつ塩素
系溶媒残留量か１ＯｐｐＩ１１以下であるポリカーボネ
ート樹脂で構成しである。
また、本発明の光学式情報記録媒体は、ＩＡ族及び■族
に属する金属のうち、一種類の金属の含有量かｌ ｐｐ
ｍ以下であるポリカーボネート樹脂好ましくは、ＩＡ族
及び■族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量か
１ ｐｐｎ＋以下てあり、かつ塩素系溶媒残留量か１０
ｐｐｍ以下であるポリカーボネート樹脂からなる光学式
ディスク基板に、光学的情報記録層を形成した構成とし
である。
に属する金属のうち、一種類の金属の含有量かｌ ｐｐ
ｍ以下であるポリカーボネート樹脂好ましくは、ＩＡ族
及び■族に属する金属のうち、一種類の金属の含有量か
１ ｐｐｎ＋以下てあり、かつ塩素系溶媒残留量か１０
ｐｐｍ以下であるポリカーボネート樹脂からなる光学式
ディスク基板に、光学的情報記録層を形成した構成とし
である。
本発明の光学式ディスク基板において使用されるポリカ
ーボネート樹脂としては、例えば、粘度平均分子量か１
００００〜２２０００、好ましくは１２０００〜２００
００のものであれば特に制限はなく、二価フェノール類
とホスゲンまたは、ジフェニルカーボネートのような炭
酸エステルとの反応により製造されるものかある。
ーボネート樹脂としては、例えば、粘度平均分子量か１
００００〜２２０００、好ましくは１２０００〜２００
００のものであれば特に制限はなく、二価フェノール類
とホスゲンまたは、ジフェニルカーボネートのような炭
酸エステルとの反応により製造されるものかある。
二価フェノール類としては、へイトロキノン、４．４゛
−ジオキシフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）アル
カン、ビス（ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビ
ス（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（ヒドロキシ
フェニル）ケトン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルフ
ィド、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、及びこれ
らの低級アルキル、ハロゲン等の置換体をあげることが
できるが、２，２′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（以下、ビスフェノールＡという）、１．１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン
等を使用することか好ましい。
−ジオキシフェニル、ビス（ヒドロキシフェニル）アル
カン、ビス（ヒドロキシフェニル）シクロアルカン、ビ
ス（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（ヒドロキシ
フェニル）ケトン、ビス（ヒドロキシフェニル）スルフ
ィド、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン、及びこれ
らの低級アルキル、ハロゲン等の置換体をあげることが
できるが、２，２′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（以下、ビスフェノールＡという）、１．１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−ヘキサフルオロプロパン
等を使用することか好ましい。
また、これらの二価フェノールは単体で、あるいは混合
して使用することもてきる。
して使用することもてきる。
さらに本発明で使用されるポリカーボネートとしては、
一部分枝構造を有するものであってもよい。粘度平均分
子量１００００〜２２０００の制御はポリカーボネート
の製造時に、ｐ−ｔ−ブチルフェノールのような末端停
止剤の添加により行なうことができる。
一部分枝構造を有するものであってもよい。粘度平均分
子量１００００〜２２０００の制御はポリカーボネート
の製造時に、ｐ−ｔ−ブチルフェノールのような末端停
止剤の添加により行なうことができる。
粘度平均分子量が１ｏｏｏｏ未満であるとディスク基板
の強度が実用に耐えられなくなり、２２０００を越える
と成形性、光学的特性の点で十分な性能を有するディス
ク基板を得られなくなるので、通常は上記範囲のものが
用いられる。
の強度が実用に耐えられなくなり、２２０００を越える
と成形性、光学的特性の点で十分な性能を有するディス
ク基板を得られなくなるので、通常は上記範囲のものが
用いられる。
なお、粘度平均分子量［Ｍｖ］は、２０℃の塩化メチレ
ン溶液中のポリカーボネート樹脂の比粘度η、ｐを測定
し、式 η 、、／Ｃ＝［η コ （１＋０． ２８ η
ｍｐ）［ここて、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（ｇ
／ｌである］ および ［η］ ＝ １ 、２３ ｘ １０−５Ｍｖ。”によっ
て算出することができる。
ン溶液中のポリカーボネート樹脂の比粘度η、ｐを測定
し、式 η 、、／Ｃ＝［η コ （１＋０． ２８ η
ｍｐ）［ここて、Ｃはポリカーボネート樹脂濃度（ｇ
／ｌである］ および ［η］ ＝ １ 、２３ ｘ １０−５Ｍｖ。”によっ
て算出することができる。
射出成形に用いる原料ポリカーボネート樹脂は、従来公
知の方法により製造した後、溶液状態において酸洗、ア
ルカリ洗、水洗を繰返したり、濾過処理をしたり、ある
いは粒状の原料を、例えば加熱条件下てアセトンなどの
貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分、未反応成分、金
属成分等の不純物や異物を除去することが好ましい。い
ずれにしても、射出成形前の原料は、異物、不純物。
知の方法により製造した後、溶液状態において酸洗、ア
ルカリ洗、水洗を繰返したり、濾過処理をしたり、ある
いは粒状の原料を、例えば加熱条件下てアセトンなどの
貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分、未反応成分、金
属成分等の不純物や異物を除去することが好ましい。い
ずれにしても、射出成形前の原料は、異物、不純物。
溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必要である
。
。
なお、必要により、例えばリン系等の酸化防止剤などの
添加剤を加えることも可能である。
添加剤を加えることも可能である。
上述のようなポリカーボネート樹脂を原料として、光学
式ディスク基板を製造する場合、原料の異物強度は、通
常、３００００ＪＬｍ２／ｇ以下、好ましくは１５００
０ｇｍ２／ｇ以下のものを用いる。なお、ここて「異物
強度」とは、粒径か０．５ｐ、ｍ以上の大きさからなる
単位重量当りの異物の、各々の粒径の平方と個数との積
の和である。異物は、評価すべき材料（原料または基板
等）を大過剰の有機溶媒（特に塩化メチレン）に溶解し
た溶液中に検出されるものである。異物強度は、式 ％式％）］ 式中、■は異物強度であり、ｄ、は第１番目の粒径区分
値（ルｍ）であり、ｎ、は粒径ｄ、＋、未満及び粒径６
０以上であって溶液中に検出される異物の個数であり、
ｎ、′は使用前の溶液中に含まれている異物の個数てあ
り、モしてＷは材料の重量（ｇ）である。
式ディスク基板を製造する場合、原料の異物強度は、通
常、３００００ＪＬｍ２／ｇ以下、好ましくは１５００
０ｇｍ２／ｇ以下のものを用いる。なお、ここて「異物
強度」とは、粒径か０．５ｐ、ｍ以上の大きさからなる
単位重量当りの異物の、各々の粒径の平方と個数との積
の和である。異物は、評価すべき材料（原料または基板
等）を大過剰の有機溶媒（特に塩化メチレン）に溶解し
た溶液中に検出されるものである。異物強度は、式 ％式％）］ 式中、■は異物強度であり、ｄ、は第１番目の粒径区分
値（ルｍ）であり、ｎ、は粒径ｄ、＋、未満及び粒径６
０以上であって溶液中に検出される異物の個数であり、
ｎ、′は使用前の溶液中に含まれている異物の個数てあ
り、モしてＷは材料の重量（ｇ）である。
粒径区分値設定の一例を示せば、次のとおりである。
ｄ＋ ＝０．５ （ｇｍ） ｄｓ ＝５．０
（ＪＬｍ）ｄｓ＝２．５（μｍ） 粒径か２５．０ｐｍを越える大きさの異物が検出される
場合には、適当な数値のｄ ＩＯ＋ ｄｌ １等を用い
る。
（ＪＬｍ）ｄｓ＝２．５（μｍ） 粒径か２５．０ｐｍを越える大きさの異物が検出される
場合には、適当な数値のｄ ＩＯ＋ ｄｌ １等を用い
る。
本明細書て「異物」とは、本来的には光学式ディスク基
板に種々の経由から入りこむ汚染物質、例えば不純物、
ダストまたは原料樹脂の炭化物を意味するか、塩化メチ
レン不溶成分である“異物”から算出した前記の異物強
度を用いて光学式ディスク基板のとットエラー率を正確
に評価することができる。
板に種々の経由から入りこむ汚染物質、例えば不純物、
ダストまたは原料樹脂の炭化物を意味するか、塩化メチ
レン不溶成分である“異物”から算出した前記の異物強
度を用いて光学式ディスク基板のとットエラー率を正確
に評価することができる。
また、射出成形時における樹脂温度は３００〜４００°
Ｃとし、金型温度は通常５０〜１４ｏ℃、好ましくは８
０〜１３０℃とする。さらに、この射出成形時における
金属成分の混入が少なくなるような材質の選定等を行な
うことが好ましい。
Ｃとし、金型温度は通常５０〜１４ｏ℃、好ましくは８
０〜１３０℃とする。さらに、この射出成形時における
金属成分の混入が少なくなるような材質の選定等を行な
うことが好ましい。
なお、金型表面温度のみを高周波等を用いてガラス転移
温度以上に加熱し、樹脂射出後にディスク基板取出可能
温度まで冷却するようにしてもよい。このようにすると
、より光学的特性にすぐれた基板を得ることかできる。
温度以上に加熱し、樹脂射出後にディスク基板取出可能
温度まで冷却するようにしてもよい。このようにすると
、より光学的特性にすぐれた基板を得ることかできる。
このようにして製造した光学式ディスク基板中に残留す
るＩＡ属及び■属の金属は、一種類の金属の含有量を１
ｐｐｍ以下とする必要かある。
るＩＡ属及び■属の金属は、一種類の金属の含有量を１
ｐｐｍ以下とする必要かある。
本発明者達の実験によると、ＩＡ属及び■属に属する金
属、特にＦ６．Ｎａ等の金属残留量がｌ ｐｐｍを超え
ると、ポリカーボネート樹脂の劣化か早まることが判明
した、また、好ましくは塩素系溶媒の残留量を１０ｐｐ
ｍ以下、さらに好ましくは６ ｐｐｔａ以下とする必要
かある。
属、特にＦ６．Ｎａ等の金属残留量がｌ ｐｐｍを超え
ると、ポリカーボネート樹脂の劣化か早まることが判明
した、また、好ましくは塩素系溶媒の残留量を１０ｐｐ
ｍ以下、さらに好ましくは６ ｐｐｔａ以下とする必要
かある。
すなわち、本発明者達の実験によると、Ｆａ。
Ｎａ等の金属が１ ｐｐｍを越えて残留しているときに
、例えばＣＨ３Ｃｌ 、 ＣＨ２Ｃｌ ２ＣＨＣ１ｚ
、ＣＣｎ＜ 、ジクロルエタン等の塩素系溶媒が１０ｐ
ｐ１１を越えて残留していると、上記金属と塩素系溶媒
が相互に作用し、ポリカーボネート樹脂の劣化をますま
ず早めることが判明した。
、例えばＣＨ３Ｃｌ 、 ＣＨ２Ｃｌ ２ＣＨＣ１ｚ
、ＣＣｎ＜ 、ジクロルエタン等の塩素系溶媒が１０ｐ
ｐ１１を越えて残留していると、上記金属と塩素系溶媒
が相互に作用し、ポリカーボネート樹脂の劣化をますま
ず早めることが判明した。
基板をなすポリカーボネート樹脂中におけるＩＡ属及び
■属に属する金属残留量を１ ｐｐｍ以下とするために
は、ポリカーボネート樹脂の製造工程てこれらの金属が
混入しないようにする必要かあり、例えば各装置、配管
等にこれら金属を用いないようにすることか好ましい。
■属に属する金属残留量を１ ｐｐｍ以下とするために
は、ポリカーボネート樹脂の製造工程てこれらの金属が
混入しないようにする必要かあり、例えば各装置、配管
等にこれら金属を用いないようにすることか好ましい。
また、金属残留量１ ｐｐｍ以下とするには、重合後の
塩化メチレン溶液のアルカリ洗、酸洗、高純度の水によ
る水洗を十分に行なう必要かある。さらに、塩素系溶媒
の残留量を１０ｐｐｍ以下にするには、粒状ポリマーに
した後の貧溶媒（アセトン）による洗浄を十分性なって
塩化メチレン等を除去し、さらに十分乾燥を行なう必要
かある。
塩化メチレン溶液のアルカリ洗、酸洗、高純度の水によ
る水洗を十分に行なう必要かある。さらに、塩素系溶媒
の残留量を１０ｐｐｍ以下にするには、粒状ポリマーに
した後の貧溶媒（アセトン）による洗浄を十分性なって
塩化メチレン等を除去し、さらに十分乾燥を行なう必要
かある。
なお、金属成分としては、上記ＩＡ属及び■属に属する
金属の他にＡ！；Ｌ、Ｓｉ 、Ｃａ、Ｍ、等の金属も残
留量を１ ｐｐｍ以下とすることか好ましい。
金属の他にＡ！；Ｌ、Ｓｉ 、Ｃａ、Ｍ、等の金属も残
留量を１ ｐｐｍ以下とすることか好ましい。
次に、上記光学式ディスク基板を用いた光学式情報記録
媒体の一具体例を第１図にもとづいて説明する。
媒体の一具体例を第１図にもとづいて説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）において、■はポリカーボネート
樹脂からなる光学式ディスク基板である。２は情報記録
層てあり、Ｆｅ、Ｃ，等の遷移金属とＴｂ 、Ｇ６．Ｎ
ｄ、Ｄｙ等の希土類を組み合わせてなる材料（例えば、
Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ６系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ０系など）か蒸着
、スパッタリング等により形成されている。３は記録層
２を保護するための保護層てあり、シリコン系セラミッ
クス等を用いている。４はオーバーコート層または接着
層であり、紫外線硬化樹脂等を用いている。このように
して、光学式ディスク基板に情報記録層を形成した光学
式情報記録媒体は、主に追記型、書換え型として用いる
。
樹脂からなる光学式ディスク基板である。２は情報記録
層てあり、Ｆｅ、Ｃ，等の遷移金属とＴｂ 、Ｇ６．Ｎ
ｄ、Ｄｙ等の希土類を組み合わせてなる材料（例えば、
Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃ６系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ０系など）か蒸着
、スパッタリング等により形成されている。３は記録層
２を保護するための保護層てあり、シリコン系セラミッ
クス等を用いている。４はオーバーコート層または接着
層であり、紫外線硬化樹脂等を用いている。このように
して、光学式ディスク基板に情報記録層を形成した光学
式情報記録媒体は、主に追記型、書換え型として用いる
。
［実施例］
実施例Ａ
本発明実施例ＡＩ、Ａ２．Ａ３の光学式ディスク基板と
比較例Ａｌ、Ａ２の光学式ディスク基板を比較する。
比較例Ａｌ、Ａ２の光学式ディスク基板を比較する。
○ ポリカーボネート原料
（１）試料：各種の製造条件、処理条件の異なるベレッ
ト。
ト。
（２）粘度平均分子量 Ｍｖ＝約１４，０００〜１５．
０００ （３）残留金属 Ｎ、、、Ｆｅ 測定法：原子吸光法 ○ 射出成形 上記原料のうち、残留金属、残留溶媒量の異なる原料を
成形（成形温度：３６０℃、金型温度＝１２０°Ｃ）し
、光デイスク基板を得た。
０００ （３）残留金属 Ｎ、、、Ｆｅ 測定法：原子吸光法 ○ 射出成形 上記原料のうち、残留金属、残留溶媒量の異なる原料を
成形（成形温度：３６０℃、金型温度＝１２０°Ｃ）し
、光デイスク基板を得た。
○ 加速劣化テスト
（１）恒温恒湿槽 条件：８０°Ｃ９０％ＲＨ［以下余
白］ 実施例Ｂ 本発明実施例ＡＩ、Ａ２及び比較例ＡＩ、Ａ２の光学式
ディスク基板より、光学式記録媒体としての実施例Ｂｌ
、Ｂ２と、比較例Ｂｌ、Ｂ２の光学式情報記録媒体を得
て比較した。
白］ 実施例Ｂ 本発明実施例ＡＩ、Ａ２及び比較例ＡＩ、Ａ２の光学式
ディスク基板より、光学式記録媒体としての実施例Ｂｌ
、Ｂ２と、比較例Ｂｌ、Ｂ２の光学式情報記録媒体を得
て比較した。
（１）光学式情報記録媒体は、第１図（ａ）に示す片面
記録構造のものを用いた。
記録構造のものを用いた。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の光学式情報記録媒体の
一実施例の構成図、第２図は実施例と比較例における光
学式情報記録媒体のビットエラー率の変化を示す図。
一実施例の構成図、第２図は実施例と比較例における光
学式情報記録媒体のビットエラー率の変化を示す図。
１：基板 ２：情報記録層３：保護層
４ニオ−バーコード層または接着層
（１０７ｈｍ）
（２）実施例Ｂｌ、Ｂ２と比較例Ｂｌ、Ｂ２のビットエ
ラー率の変化を第２図のグラフに示す。
ラー率の変化を第２図のグラフに示す。
［発明の効果］
以上のように、本発明の光学式ディスク基板によれば、
基板の劣化を十分抑制することかできる。
基板の劣化を十分抑制することかできる。
また、本発明の光学式情報記録媒体によれば、ビットエ
ラー率を低くして信頼性の向上を図れる。
ラー率を低くして信頼性の向上を図れる。
Claims (4)
- （１）ＩＡ族及びＶＩＩＩ族に属する金属のうち、一種
類の金属の含有量が１ｐｐｍ以下であるポリカーボネー
ト樹脂からなることを特徴とした光学式ディスク基板。 - （２）ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量が、１０
０００〜２２０００であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光学式ディスク基板。 - （３）塩素系溶媒残留量が１０ｐｐｍ以下であることを
特徴とした特許請求の範囲第１項記載の光学式ディスク
基板。 - （４）特許請求の範囲第１項ないし第３項記載の光学式
ディスク基板に、光学的記録層を形成したことを特徴と
する光学式情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1407989 | 1989-01-25 | ||
| JP1-14079 | 1989-01-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276037A true JPH02276037A (ja) | 1990-11-09 |
| JPH0827978B2 JPH0827978B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=11851102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008905A Expired - Lifetime JPH0827978B2 (ja) | 1989-01-25 | 1990-01-18 | 光学式ディスク基板及び該基板を用いた光学式情報記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0380002B2 (ja) |
| JP (1) | JPH0827978B2 (ja) |
| KR (1) | KR0132773B1 (ja) |
| DE (1) | DE69013703T3 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001253943A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-09-18 | Teijin Ltd | 芳香族ポリカーボネート、その製造法および成形品 |
| JP2002069219A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂組成物成形体 |
| JP2002348459A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 難燃性ポリカーボネート樹脂組成物 |
| JP2002348458A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 耐加水分解性ポリカーボネート樹脂組成物 |
| JP2006313638A (ja) * | 2006-07-25 | 2006-11-16 | Teijin Chem Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
| US5831963A (en) * | 1994-11-16 | 1998-11-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium having zones wherein the number of sectors per track is constant and method of injection-molding the same |
| DE19542810A1 (de) * | 1994-11-16 | 1996-05-23 | Mitsubishi Chem Corp | Optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zur Herstellung desselben |
| DE19952851A1 (de) * | 1999-11-03 | 2001-05-10 | Bayer Ag | Polycarbonat-Substrate |
| DE19952850A1 (de) | 1999-11-03 | 2001-05-10 | Bayer Ag | Polycarbonat-Substrate |
| DE19952849A1 (de) * | 1999-11-03 | 2001-05-10 | Bayer Ag | Optische Datenträger und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| KR20010101769A (ko) * | 1999-12-03 | 2001-11-14 | 야스이 쇼사꾸 | 방향족폴리카보네이트, 그 제조법 및 성형품 |
| JP4673998B2 (ja) * | 2001-05-08 | 2011-04-20 | 帝人化成株式会社 | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
| JP6026946B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2016-11-16 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート系樹脂組成物及び成形体 |
| JP6027211B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2016-11-16 | 出光興産株式会社 | ポリカーボネート系樹脂組成物及び成形体 |
| CN116148106B (zh) * | 2023-04-21 | 2023-07-14 | 清华四川能源互联网研究院 | 落球式耐久冲击与温湿度联合加速试验方法及系统 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6250801A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Teijin Chem Ltd | 光学用成形品 |
| JP2528838B2 (ja) * | 1986-10-14 | 1996-08-28 | ソニー株式会社 | 光学式情報記録媒体 |
| JPH07118093B2 (ja) * | 1987-04-15 | 1995-12-18 | ソニー株式会社 | 光学式情報記録媒体 |
| US4880896A (en) * | 1987-05-30 | 1989-11-14 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Polycarbonate for disc substrate having low bisphenol content |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP2008905A patent/JPH0827978B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-20 DE DE69013703T patent/DE69013703T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-20 EP EP90101133A patent/EP0380002B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-24 KR KR1019900000791A patent/KR0132773B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001253943A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-09-18 | Teijin Ltd | 芳香族ポリカーボネート、その製造法および成形品 |
| JP2002069219A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂組成物成形体 |
| JP2002348459A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 難燃性ポリカーボネート樹脂組成物 |
| JP2002348458A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-04 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 耐加水分解性ポリカーボネート樹脂組成物 |
| JP2006313638A (ja) * | 2006-07-25 | 2006-11-16 | Teijin Chem Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0380002A2 (en) | 1990-08-01 |
| DE69013703D1 (de) | 1994-12-08 |
| KR900012225A (ko) | 1990-08-03 |
| EP0380002B2 (en) | 2003-01-29 |
| JPH0827978B2 (ja) | 1996-03-21 |
| EP0380002B1 (en) | 1994-11-02 |
| DE69013703T2 (de) | 1995-06-08 |
| DE69013703T3 (de) | 2003-07-17 |
| KR0132773B1 (ko) | 1998-04-16 |
| EP0380002A3 (en) | 1990-08-22 |
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