JPS6250801A - 光学用成形品 - Google Patents
光学用成形品Info
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- JPS6250801A JPS6250801A JP60189899A JP18989985A JPS6250801A JP S6250801 A JPS6250801 A JP S6250801A JP 60189899 A JP60189899 A JP 60189899A JP 18989985 A JP18989985 A JP 18989985A JP S6250801 A JPS6250801 A JP S6250801A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光学用成形品に関し、更に詳しくは少量の安定
剤を含有する光度に1aj1されたポリカーボネートか
ら成形された優れた性能を有する光学用成形品に関する
。
剤を含有する光度に1aj1されたポリカーボネートか
ら成形された優れた性能を有する光学用成形品に関する
。
〈従来技術〉
最近ポリカーボネートが光学用途、特に情報処理機器部
品の材料として、脚光を浴びるようになった。かかる用
途の中でも特に情報記録用基盤として使用されるときは
、その表面に例えば金属や金属化合物の薄膜を付けたり
、色素を含む層を付けたりする。又メガネ用レンズに使
用されるときKは表面硬度の改善、防曇、防眩などを目
的とした薄膜を付けることが多い。かかる場合には基盤
表面の化学的性質が重要な因子となる。
品の材料として、脚光を浴びるようになった。かかる用
途の中でも特に情報記録用基盤として使用されるときは
、その表面に例えば金属や金属化合物の薄膜を付けたり
、色素を含む層を付けたりする。又メガネ用レンズに使
用されるときKは表面硬度の改善、防曇、防眩などを目
的とした薄膜を付けることが多い。かかる場合には基盤
表面の化学的性質が重要な因子となる。
従来、一般のポリカーボネートは僅かではあるが、溶媒
として使用された塩化メチン・ンや未反応残基であるり
pロホーメート基を有する化合物などの塩素化合物を含
有しており、これらの化合物は300℃以上の如き高温
で成形するときに分解し【酸性物質を生じ、金属腐食の
原因となったり、更に成形品の表面に金属、金属化合物
などの薄膜1色素な含有する薄膜、或はその他の薄膜が
付けられるときには、それらの薄膜9色素などを変質さ
せる原因となる。しかして、かかる塩素化合物を可及的
に除去したポリカーボネートは、高温成形において、酸
性物質を生じることはないが1例えば350℃以上の成
形においては。
として使用された塩化メチン・ンや未反応残基であるり
pロホーメート基を有する化合物などの塩素化合物を含
有しており、これらの化合物は300℃以上の如き高温
で成形するときに分解し【酸性物質を生じ、金属腐食の
原因となったり、更に成形品の表面に金属、金属化合物
などの薄膜1色素な含有する薄膜、或はその他の薄膜が
付けられるときには、それらの薄膜9色素などを変質さ
せる原因となる。しかして、かかる塩素化合物を可及的
に除去したポリカーボネートは、高温成形において、酸
性物質を生じることはないが1例えば350℃以上の成
形においては。
焼けや着色を回避することはできなかった。
かかる場合K、従来の一般用ボリカーボネートの熱安定
剤として最も広く使用されている亜リン酸エステルな配
合すると、焼けや着色は解消しうるが、得られた成形品
を高温多湿の雰囲気下に長時間曝露するとポリカーボネ
ートの平均分子量の低下をもたらすと同時にその表面に
前記の薄膜を付けであるときは。
剤として最も広く使用されている亜リン酸エステルな配
合すると、焼けや着色は解消しうるが、得られた成形品
を高温多湿の雰囲気下に長時間曝露するとポリカーボネ
ートの平均分子量の低下をもたらすと同時にその表面に
前記の薄膜を付けであるときは。
それらに対して悪影響を与えることがある。
〈発明の目的〉
本発明の目的は塩素系酸性物質を実質上問題のない程度
にしか含まず、かつ高温、多湿の雰囲気下においてもそ
の表面に付けられる金属や金属化合物の薄膜、その他の
薄層に悪影響を与えることのない光学用成形品を提供す
ることにある。
にしか含まず、かつ高温、多湿の雰囲気下においてもそ
の表面に付けられる金属や金属化合物の薄膜、その他の
薄層に悪影響を与えることのない光学用成形品を提供す
ることにある。
〈発明の構成〉
本発明は、ポリカーボネートの重量を基準にしてo、o
ooi〜0.01重量%の有機ホスホナイトが配合され
ておりかつ塩素含有量が0.0040 重量−未満で
ある、平均分子量13.000〜18,000のポリカ
ーボネートを主成分とする樹脂組成物を溶融成形してな
る光学用成形・品である。
ooi〜0.01重量%の有機ホスホナイトが配合され
ておりかつ塩素含有量が0.0040 重量−未満で
ある、平均分子量13.000〜18,000のポリカ
ーボネートを主成分とする樹脂組成物を溶融成形してな
る光学用成形・品である。
本発明で使用されるポリカーボネートは2価フェノール
とカーボネート先駆体との反応によって得られる透明な
ものであり2価フェノールとしてはハイドロキノン、4
.4’−ジオキシジフェニル、ビス(ヒドロキシフェニ
ル)フルカン、ビス(ヒドロキシフェニル)シクロアル
カン、ビス(ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(ヒ
ドロキシ7:r−ニルンヶトン。
とカーボネート先駆体との反応によって得られる透明な
ものであり2価フェノールとしてはハイドロキノン、4
.4’−ジオキシジフェニル、ビス(ヒドロキシフェニ
ル)フルカン、ビス(ヒドロキシフェニル)シクロアル
カン、ビス(ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(ヒ
ドロキシ7:r−ニルンヶトン。
ビス(ヒト−キシフェニル)スルフィド、ビス(ヒドロ
キシフェニル)スルホン、及びこれらの低級アルキル、
/%Pグン等の置換体を挙げることができるが、2.z
−ビス(4−ヒドロキシ7:c−ニル)プロパノ(以下
ビスフェノール人とい5 )t 1tt−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタンシ2,2−ビス(4−ヒト、
キシフェニル)−ヘキサフルオープロパン等が好ましく
使用できる。これらの2価フェノールは単体で、或は混
合して使用することができる。更に本発明で使用される
ポリカー−ボネートは、炭酸残基の一部が芳香族二塩基
酸残基で置換されていてもよいし、分岐構造釦なってい
てもよい。
キシフェニル)スルホン、及びこれらの低級アルキル、
/%Pグン等の置換体を挙げることができるが、2.z
−ビス(4−ヒドロキシ7:c−ニル)プロパノ(以下
ビスフェノール人とい5 )t 1tt−ビス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタンシ2,2−ビス(4−ヒト、
キシフェニル)−ヘキサフルオープロパン等が好ましく
使用できる。これらの2価フェノールは単体で、或は混
合して使用することができる。更に本発明で使用される
ポリカー−ボネートは、炭酸残基の一部が芳香族二塩基
酸残基で置換されていてもよいし、分岐構造釦なってい
てもよい。
これらのポリカーボネートは、20℃で塩化メチレン1
001に樹脂0.7g(=Cンを溶消した溶液の比粘度
?spをオストヮルド粘度計で測定し ηap / C= (17)+ 0.45(?7
Cで得られる極限粘度の値を次の式(1)k代入して求
められる平均分子量が13,000〜18,000の範
囲にあることが必要である。
001に樹脂0.7g(=Cンを溶消した溶液の比粘度
?spをオストヮルド粘度計で測定し ηap / C= (17)+ 0.45(?7
Cで得られる極限粘度の値を次の式(1)k代入して求
められる平均分子量が13,000〜18,000の範
囲にあることが必要である。
(7’) = 1.23 X 1 rgo−s3++
++ 、、、 、1゜平均分子量が13,000未満で
は、得られた成形品の強度が実用に耐えないので適当で
ない。
++ 、、、 、1゜平均分子量が13,000未満で
は、得られた成形品の強度が実用に耐えないので適当で
ない。
又18,000を超えるときは、成形品の光学的性質特
に光学歪9色相、透明性などに問題を生じ易いので適当
でない。
に光学歪9色相、透明性などに問題を生じ易いので適当
でない。
又、ポリカーボネートはその重合反応において使用され
た塩化メチレンや二価フェノールのクロロホーメート、
或は末端にクロロホーメート基を有するオリゴマーやポ
リマーを含有しており、これらの含有量は通常一括して
塩素の含有量で表わされる。300℃以上での溶融成形
に使用するポリカーボネート或はその組成物の塩素含有
量が0.0040 重量%以上のときは、成形機内で
これらの塩素化合物が分解し、酸性物質を生じて、金型
腐食の原因になったり、更に成形品の表面に金属。
た塩化メチレンや二価フェノールのクロロホーメート、
或は末端にクロロホーメート基を有するオリゴマーやポ
リマーを含有しており、これらの含有量は通常一括して
塩素の含有量で表わされる。300℃以上での溶融成形
に使用するポリカーボネート或はその組成物の塩素含有
量が0.0040 重量%以上のときは、成形機内で
これらの塩素化合物が分解し、酸性物質を生じて、金型
腐食の原因になったり、更に成形品の表面に金属。
金属化合物などの薄膜9色素な含有する薄膜。
或はその他の薄膜が付けられるときには、それらの薄膜
9色素などを変質させる原因になるので適当でない。塩
素含有量が0.0040 重量%未満のときは、これ
らの有害作用は製品の実用上からは無視し5る程度であ
る。
9色素などを変質させる原因になるので適当でない。塩
素含有量が0.0040 重量%未満のときは、これ
らの有害作用は製品の実用上からは無視し5る程度であ
る。
また、ポリカーボネートは、その製造過程において添加
されたリン系安定剤9例えば亜リン酸エステル、有機ホ
スフィンなどを含有していてもよいが、その含有量は、
リン原子として0.0003重量−以下であることが望
ましい。
されたリン系安定剤9例えば亜リン酸エステル、有機ホ
スフィンなどを含有していてもよいが、その含有量は、
リン原子として0.0003重量−以下であることが望
ましい。
本発明で使用されるポリカーボネートを主成分とする樹
脂組成物は有機ホスホナイトをポリカーボネートの重量
を基準にして0.0001〜0.01重量%配合された
ものである。更に好ましい配合量はo、ooos〜o、
oos 重量%である。
脂組成物は有機ホスホナイトをポリカーボネートの重量
を基準にして0.0001〜0.01重量%配合された
ものである。更に好ましい配合量はo、ooos〜o、
oos 重量%である。
ポリカーボネートの熱安定剤として有機ホスホナイトが
有効であることは特開昭46−47 ’87号及び特開
昭55−81895号で知られており、その配合量は0
.005〜1.0重量%が適当であるとされている。
有効であることは特開昭46−47 ’87号及び特開
昭55−81895号で知られており、その配合量は0
.005〜1.0重量%が適当であるとされている。
本発明者の検討によれば、本発明において使用する塩素
含有量が0.0040 重量−未満のポリカーボネー
ト組成物においては、有機ホスホナイトの配合量を前記
提案で好ましいとされている0、01〜0.2重量%l
Cしたときには成形時におげろ熱安定効果は充分にみら
れたが、その成形品の表両の一部にアルミ蒸着を施し、
高温・多湿の雰囲気に長時間曝露したときに、アルミ膜
に穴があき光沢を・失なって変質する場合のあることが
認められ、本発明の目的には適当でないことが判った。
含有量が0.0040 重量−未満のポリカーボネー
ト組成物においては、有機ホスホナイトの配合量を前記
提案で好ましいとされている0、01〜0.2重量%l
Cしたときには成形時におげろ熱安定効果は充分にみら
れたが、その成形品の表両の一部にアルミ蒸着を施し、
高温・多湿の雰囲気に長時間曝露したときに、アルミ膜
に穴があき光沢を・失なって変質する場合のあることが
認められ、本発明の目的には適当でないことが判った。
塩素含有量の低い場合は有機ホスホナイトの量が0.0
05重量%以下でも有効であることが認められたが、o
、ooot重量%未満にしたときには成形時における熱
安定効果が殆んどみられなかった。
05重量%以下でも有効であることが認められたが、o
、ooot重量%未満にしたときには成形時における熱
安定効果が殆んどみられなかった。
従って本発明で使用されるポリカーボネート組成物は、
ポリカーボネートの重量な基準にして、塩素含有量が0
.0040重11チ未満、好ましくは0.0020重量
−以下であり、かつ。
ポリカーボネートの重量な基準にして、塩素含有量が0
.0040重11チ未満、好ましくは0.0020重量
−以下であり、かつ。
有機ホスホナイトが0.0001〜0.01重量%。
好ましくはo、ooos〜0.005重量%配、合され
たものである。
たものである。
本発明に用いられる有機ホスホナイトは例えば、ジメチ
ルメチルホスホナイト ルメチルホスホナイト、ジプロピルエチルホスホナイト
、ジイソプロピルメチルホスホナイト、ジメチルエチル
ホスホナイト!ジエチルエチルホスホナイト、ジプロピ
ルエチルホスホナイト、ジイソプロピルエチルホスホナ
イト、ジメチルプロピルホスホナイト!ジエチルプロピ
ルホスホナイト、:)メチルイソプロピルホスホナイト
、ジエチルイソプロピルホスホナイト、ジメチルブチル
ホスホナイト。
ルメチルホスホナイト ルメチルホスホナイト、ジプロピルエチルホスホナイト
、ジイソプロピルメチルホスホナイト、ジメチルエチル
ホスホナイト!ジエチルエチルホスホナイト、ジプロピ
ルエチルホスホナイト、ジイソプロピルエチルホスホナ
イト、ジメチルプロピルホスホナイト!ジエチルプロピ
ルホスホナイト、:)メチルイソプロピルホスホナイト
、ジエチルイソプロピルホスホナイト、ジメチルブチル
ホスホナイト。
ジエチルブチルホスホナイト、ジプロピルブチルホスホ
ナイト、ジイソプロピルメチルホスホナイト、ジシクロ
ヘキシルメチルホスホナイト、ジフェニルメチルホスホ
ナイト豐ジベンジルメチルホスホナイト、ジメチルフェ
ニルホスホナイト、ジメチルベンジルホスホナイト、ジ
フェニルフェニルホスホナイト。
ナイト、ジイソプロピルメチルホスホナイト、ジシクロ
ヘキシルメチルホスホナイト、ジフェニルメチルホスホ
ナイト豐ジベンジルメチルホスホナイト、ジメチルフェ
ニルホスホナイト、ジメチルベンジルホスホナイト、ジ
フェニルフェニルホスホナイト。
フェニル−( 2,4.6 − )ジメチル)ベンゼン
ホスホナイト、ビス( 2,4.6 − )ジメチルフ
ェニル)ベンゼンホスホナイト、ジフェニルベンゼンホ
スホナイト、ジノニルフェニルベンゼンホスホナイト、
ジイソオクチルベンゼンホスホナイトVC(3−エチル
オキセタニル−3)−メチル] ( 214,6
Fリメチルフェニルンベンゼンホスホナイトジインデシ
ルベンゼンホスホナイト,テトラキス(2,4−ジター
シャリブチルフエニルン4,4′−ビフエニレンジホス
ホナイトなどを例示することができる。
ホスホナイト、ビス( 2,4.6 − )ジメチルフ
ェニル)ベンゼンホスホナイト、ジフェニルベンゼンホ
スホナイト、ジノニルフェニルベンゼンホスホナイト、
ジイソオクチルベンゼンホスホナイトVC(3−エチル
オキセタニル−3)−メチル] ( 214,6
Fリメチルフェニルンベンゼンホスホナイトジインデシ
ルベンゼンホスホナイト,テトラキス(2,4−ジター
シャリブチルフエニルン4,4′−ビフエニレンジホス
ホナイトなどを例示することができる。
更に本発明で使用される組成物には,スデアリルステア
レート,モンタン酸ワックス。
レート,モンタン酸ワックス。
グリセリンモノステアレート、ペンタエリスリトールの
ステアし−トなどの高級脂肪酸と一価又は多価アルコー
ルとのニス7ヌ又は部分エステル系の離製剤( 0.0
1〜0.5重量%)。
ステアし−トなどの高級脂肪酸と一価又は多価アルコー
ルとのニス7ヌ又は部分エステル系の離製剤( 0.0
1〜0.5重量%)。
ベンゾトリアゾール系,アセトフェノン系。
サリチル酸エステル系などの紫外線吸収剤(0.1〜0
.7重量%)、エポキシ化大豆油。
.7重量%)、エポキシ化大豆油。
エポキシ化ポリブタジェン、ビスフェノールAのジグリ
シジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステルなどの
エポキシ化合物(0,01〜1.0重量%]などを配合
することができる。
シジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステルなどの
エポキシ化合物(0,01〜1.0重量%]などを配合
することができる。
本発明で使用されるポリカーボネート樹脂組成物はポリ
カーボネートと有機ホスホナイトな混合することによっ
て得られる。例えばタンブラ−2V型プレンダー、スー
パーミキサー等によってポリカーボネートの粉末又はペ
レットと有機ホスホナイトを簡単に混合することができ
る。またポリカーボネートの溶液に有機ホスホナイトを
混合し、次いで溶媒を除去するなどの公知の手段によっ
て容易に調製することができる。
カーボネートと有機ホスホナイトな混合することによっ
て得られる。例えばタンブラ−2V型プレンダー、スー
パーミキサー等によってポリカーボネートの粉末又はペ
レットと有機ホスホナイトを簡単に混合することができ
る。またポリカーボネートの溶液に有機ホスホナイトを
混合し、次いで溶媒を除去するなどの公知の手段によっ
て容易に調製することができる。
更にポリカーボネートの粉末又はペレットと有機ホスホ
ナイトを連続的に押出し機に投入することによっても調
製できる。例えば溶融押出しの如き配合方法を採用した
ときは有機ホスホナイトは他のリン化合物に変化するこ
とが予想されるが、そのような場合も本発明の範囲内に
含まれるものとする。
ナイトを連続的に押出し機に投入することによっても調
製できる。例えば溶融押出しの如き配合方法を採用した
ときは有機ホスホナイトは他のリン化合物に変化するこ
とが予想されるが、そのような場合も本発明の範囲内に
含まれるものとする。
本発明の光学用成形品はインジェクション成形、コンプ
レッション成形、或はインジェクション−コンプレッシ
ョン成形などによって成形されるが、特に好ましいイン
ジェクション成形の成形条件は樹脂温度320〜380
℃、金型温度70〜120℃である。
レッション成形、或はインジェクション−コンプレッシ
ョン成形などによって成形されるが、特に好ましいイン
ジェクション成形の成形条件は樹脂温度320〜380
℃、金型温度70〜120℃である。
本発明の光学用成形品は、光線透過率が90%前後で極
めて透明であり、かつ、複屈折で代表される光学歪が非
常に小さいので、成形品中での屈折現象が殆んどな(、
また、前記の如き種々の薄膜を付けても、それらに変質
を生ずることがないなどの優−れた性能を有するので、
レンズ、プリズム、7レネルレンズ或は各種情報記録デ
ィスク等の基盤として充分に実用に供しうるものである
。
めて透明であり、かつ、複屈折で代表される光学歪が非
常に小さいので、成形品中での屈折現象が殆んどな(、
また、前記の如き種々の薄膜を付けても、それらに変質
を生ずることがないなどの優−れた性能を有するので、
レンズ、プリズム、7レネルレンズ或は各種情報記録デ
ィスク等の基盤として充分に実用に供しうるものである
。
〈発明の効果)
本発明の成形品は、高度に精製されたポリカーボネート
に微少量の安定剤を配合した組成物を成形したものであ
るため、透明性、光学歪などが極めて優れており、更K
、金属や金属化合物或は色素などの記録材料を含む薄膜
、或は表面硬度、防曇、防眩などのための薄膜を付けて
もその耐久性に優れるなどの光学用成形品としての必要
な特性を充分に具備するものである。
に微少量の安定剤を配合した組成物を成形したものであ
るため、透明性、光学歪などが極めて優れており、更K
、金属や金属化合物或は色素などの記録材料を含む薄膜
、或は表面硬度、防曇、防眩などのための薄膜を付けて
もその耐久性に優れるなどの光学用成形品としての必要
な特性を充分に具備するものである。
(実施例〉
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を説明する。な
お、成形盤の複屈折、透過率の測定と蒸着品の評価(外
観判定)は以下の方法によった。
お、成形盤の複屈折、透過率の測定と蒸着品の評価(外
観判定)は以下の方法によった。
複屈折の測定
ペレットを3オンス射出成形機(ネオマツ)150/7
5凰−住友重機工業社製)を用い、樹脂温度350℃、
金型温度110℃で厚さ11−2tlr*直径120閣
の円盤に成形し、■溝尻光学工業所製偏光解析装置を用
いて中心から308周辺部に向かつて測定しnm で
表示した。 。
5凰−住友重機工業社製)を用い、樹脂温度350℃、
金型温度110℃で厚さ11−2tlr*直径120閣
の円盤に成形し、■溝尻光学工業所製偏光解析装置を用
いて中心から308周辺部に向かつて測定しnm で
表示した。 。
上記、成形円盤を日立自記分光光度計U−3400形で
500〜11000n の波長範囲で測定し、透過率
をチで表示した。
500〜11000n の波長範囲で測定し、透過率
をチで表示した。
蒸着品の評価
真空蒸着装置のペルジャー内に前述した成形板を入れI
Q”−’ )−ルでアルミニウムを片面のみ蒸着し、
ウレタン樹脂を塗布したのち、湿度95チRH,温度8
5℃の雰囲気の恒温恒湿機に72時間放置し、処理前後
に発生したピンホールの数を数えて評価した。ピンホー
ルが発生すると情報を正確に記録することができないの
で好ましくない。
Q”−’ )−ルでアルミニウムを片面のみ蒸着し、
ウレタン樹脂を塗布したのち、湿度95チRH,温度8
5℃の雰囲気の恒温恒湿機に72時間放置し、処理前後
に発生したピンホールの数を数えて評価した。ピンホー
ルが発生すると情報を正確に記録することができないの
で好ましくない。
(実施例1〜3)
平均分子量14,900のポリカーボネート樹脂粉末に
第1表記載の割合で有機ホスホナイトを配合しs ’
30 簡/ペント付き押出機を用いて260℃でスレッ
ドを押し出しカッターで切断してペレットを得た。ペレ
ットの平均分子量および塩素含有量はM1表のとお′り
であった。
第1表記載の割合で有機ホスホナイトを配合しs ’
30 簡/ペント付き押出機を用いて260℃でスレッ
ドを押し出しカッターで切断してペレットを得た。ペレ
ットの平均分子量および塩素含有量はM1表のとお′り
であった。
得られたペレットを3オンスの射出成形機を用い樹脂温
度350℃、金型温度110℃の条件で厚さ1.21重
M+直径120fiの円板は成形したのち複屈折と透過
率を測定した。更にこの成形板にアルミニウムを蒸着し
更にウレタン樹脂を塗布して湿熱処理をおこない、外観
の変化を発生したピンホールの数で評価した。
度350℃、金型温度110℃の条件で厚さ1.21重
M+直径120fiの円板は成形したのち複屈折と透過
率を測定した。更にこの成形板にアルミニウムを蒸着し
更にウレタン樹脂を塗布して湿熱処理をおこない、外観
の変化を発生したピンホールの数で評価した。
結果を第1表に示した。
(実施例4〜5)
平均分子i:17.Zooのポリカーボネート樹脂粉末
を使用する以外は実施例2〜3と同様に行ない、その結
果を第1表に示した。
を使用する以外は実施例2〜3と同様に行ない、その結
果を第1表に示した。
(比較例1,2)
有機ホスホナイトの配合量を変えたほかは。
実施例1と同様に操作した。結果は第1表に示した。
(比較例3ン
押出機のベントの吸引を行なわなかったほかは、実施例
2と同様に操作した。結果は第1表に示した。
2と同様に操作した。結果は第1表に示した。
(比較例4)
有機ホスホナイトなトリフェニルホスファイトに替えた
ほかは、実施例2と同様に操作した。
ほかは、実施例2と同様に操作した。
結果は第1表に示した。
(実施例6)
ステアリン酸モノグリセライド0.04重−!!kSを
有機ホスホナイトと一緒に配合し−たほかは。
有機ホスホナイトと一緒に配合し−たほかは。
実施例1と同様に操作した。
ペレットの平均分子量は14,800 、塩素含有量は
0.0014 重It%、成形円板の透過率は゛91
%、tl屈折は6nmで蒸着した円板のピンホールはな
く、湿熱処理後にも観察されなかった。
0.0014 重It%、成形円板の透過率は゛91
%、tl屈折は6nmで蒸着した円板のピンホールはな
く、湿熱処理後にも観察されなかった。
手続補止歯
昭和61年 1月2日
Claims (1)
- ポリカーボネートの重量を基準にして0.0001〜0
.01重量%の有機ホスホナイトが配合されておりかつ
塩素含有量が0.0040重量%未満である平均分子量
13,000〜18,000のポリカーボネートを主成
分とする樹脂組成物を溶融成形してなる光学用成形品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60189899A JPS6250801A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光学用成形品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60189899A JPS6250801A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光学用成形品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6250801A true JPS6250801A (ja) | 1987-03-05 |
JPH0341802B2 JPH0341802B2 (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=16249053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60189899A Granted JPS6250801A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 光学用成形品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6250801A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63316313A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
EP0380002A2 (en) * | 1989-01-25 | 1990-08-01 | Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. | Optical disk substrate and optical information-storage medium |
JPH02276039A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-11-09 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 光学式ディスク基板、該基板を用いた光学式情報記録媒体及び、該基板を製造する射出成形装置 |
JPH03163161A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-07-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 安定化された芳香族ポリカーボネート組成物及び製法 |
JP2002069219A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂組成物成形体 |
JP2002241599A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2010037380A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Teijin Chem Ltd | 導光板用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及び導光板 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60189899A patent/JPS6250801A/ja active Granted
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63316313A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
JPH02276039A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-11-09 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 光学式ディスク基板、該基板を用いた光学式情報記録媒体及び、該基板を製造する射出成形装置 |
EP0380002A2 (en) * | 1989-01-25 | 1990-08-01 | Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. | Optical disk substrate and optical information-storage medium |
JPH03163161A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-07-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 安定化された芳香族ポリカーボネート組成物及び製法 |
JP2002069219A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂組成物成形体 |
JP2002241599A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料、およびそれより形成された光ディスク基板 |
JP2010037380A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Teijin Chem Ltd | 導光板用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及び導光板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0341802B2 (ja) | 1991-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |