JPH02273944A - リード付き半導体素子の製造方法 - Google Patents
リード付き半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02273944A JPH02273944A JP1096950A JP9695089A JPH02273944A JP H02273944 A JPH02273944 A JP H02273944A JP 1096950 A JP1096950 A JP 1096950A JP 9695089 A JP9695089 A JP 9695089A JP H02273944 A JPH02273944 A JP H02273944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- tool
- semiconductor element
- electrode
- cutting part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012840 feeding operation Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
- H01L2224/45599—Material
- H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78743—Suction holding means
- H01L2224/78744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49174—Assembling terminal to elongated conductor
- Y10T29/49179—Assembling terminal to elongated conductor by metal fusion bonding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はリード付き半導体素子の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来、リード付き半導体素子は、第3図の方法によって
製造される。同図(a)に示すように、タブテープ1に
形成されたり−ド2を半導体素子3の電極4に接合した
後、同図(b)に示すようにリード2をフォーミング及
び切断してタブテープ1より分離する。これにより、リ
ード付き半導体素子5が得られる。
製造される。同図(a)に示すように、タブテープ1に
形成されたり−ド2を半導体素子3の電極4に接合した
後、同図(b)に示すようにリード2をフォーミング及
び切断してタブテープ1より分離する。これにより、リ
ード付き半導体素子5が得られる。
なお、第3図(a)に示すようにタブテープlに設けら
れたり−ド2を半導体素子3に接合する方法としては、
例えば特開昭46−2109号公報、特開昭59−11
0128号公報が知られている。
れたり−ド2を半導体素子3に接合する方法としては、
例えば特開昭46−2109号公報、特開昭59−11
0128号公報が知られている。
[発明が解決しようとする課題]
上記従来技術は、タブテープ1に予めリード2を形成し
ておく必要があり、タブテープlは無駄なものとなり、
材料的にコスト高となる。またタブテープ1へのリード
形成工程、フォーミング及び切断工程が必要であり、多
くの工程を経て製造され、また設備費用がかかること等
により、この点からもコスト高になる。
ておく必要があり、タブテープlは無駄なものとなり、
材料的にコスト高となる。またタブテープ1へのリード
形成工程、フォーミング及び切断工程が必要であり、多
くの工程を経て製造され、また設備費用がかかること等
により、この点からもコスト高になる。
本発明の目的は、大幅なコスト低減が図れるリード付き
半導体素子の製造方法を提供することにある。
半導体素子の製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的は、半導体素子を基台に位置決め保持し、ツー
ルの下面に延在したワイヤを該ツールで前記電極に押圧
して接合し、その後ワイヤの繰り出し動作を伴なってツ
ールを前記基台のワイヤ切断部上に移動させてワイヤを
該ワイヤ切断部に押し付け、その後ワイヤを切断するこ
とにより、半導体素子の電極にワイヤよりなるリードを
形成することにより達成される。
ルの下面に延在したワイヤを該ツールで前記電極に押圧
して接合し、その後ワイヤの繰り出し動作を伴なってツ
ールを前記基台のワイヤ切断部上に移動させてワイヤを
該ワイヤ切断部に押し付け、その後ワイヤを切断するこ
とにより、半導体素子の電極にワイヤよりなるリードを
形成することにより達成される。
[作用]
上記手段によれば、ワイヤ(リード)自体がツールによ
って半導体素子の電極に接合される。このため、従来の
ようにリードを予めタブテープに形成する必要がなく、
またフォーミング及び切断工程も必要ない。
って半導体素子の電極に接合される。このため、従来の
ようにリードを予めタブテープに形成する必要がなく、
またフォーミング及び切断工程も必要ない。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を第1図及び第2図により説明
する。半導体素子3を位置決め保持する基台6には、半
導体素子3を吸着保持する真空吸着穴6aとワイヤ切断
部6bとが形成されている0図示しないスプールに巻回
されたワイヤ7の先端は、図示しないワイヤガイド及び
クランパ8を通ってツール9の下面下方に一定量延在し
ている。前記ワイヤ7は断面が長方形又は正方形のリボ
ン状となっている。そこで、第1図(a)に示す状態よ
りツール9が半導体素子3の電極4の上方より下降し、
同図(b)に示すようにワイヤ7を電極4に押圧して接
合する。
する。半導体素子3を位置決め保持する基台6には、半
導体素子3を吸着保持する真空吸着穴6aとワイヤ切断
部6bとが形成されている0図示しないスプールに巻回
されたワイヤ7の先端は、図示しないワイヤガイド及び
クランパ8を通ってツール9の下面下方に一定量延在し
ている。前記ワイヤ7は断面が長方形又は正方形のリボ
ン状となっている。そこで、第1図(a)に示す状態よ
りツール9が半導体素子3の電極4の上方より下降し、
同図(b)に示すようにワイヤ7を電極4に押圧して接
合する。
次に同図(C)に示すようにクランパ8が開き、ツール
9が上昇すると共にワイヤ7が繰り出される。そして、
ツール9は同図(d)(e)の動作を伴なって基台6の
ワイヤ切断部6b上に下降し、ワイヤ7をワイヤ切断部
6bに押し付ける。この状態でクランパ8が閉じ、同図
(f)に示すようにクランパ8を斜め上方に上昇させる
と、ワイヤ7は引っ張られてツール9の根元部より切断
される0次に同図(g)に示すように、ツール9は上昇
し、またクランパ8は開、上昇、閉、下降の動作を行っ
てワイヤ7の先端はツール9の下面下方に延在される。
9が上昇すると共にワイヤ7が繰り出される。そして、
ツール9は同図(d)(e)の動作を伴なって基台6の
ワイヤ切断部6b上に下降し、ワイヤ7をワイヤ切断部
6bに押し付ける。この状態でクランパ8が閉じ、同図
(f)に示すようにクランパ8を斜め上方に上昇させる
と、ワイヤ7は引っ張られてツール9の根元部より切断
される0次に同図(g)に示すように、ツール9は上昇
し、またクランパ8は開、上昇、閉、下降の動作を行っ
てワイヤ7の先端はツール9の下面下方に延在される。
その後、ツール9゜ワイヤ7及びクランパ8はこの状態
を保って同図(L)に示すように次に接合する電極4上
の上方に位置させられる。
を保って同図(L)に示すように次に接合する電極4上
の上方に位置させられる。
半導体素子3の一辺に形成された電極4については前記
一連の動作を順次繰り返してワイヤ7を接合する0例え
ば、第2図に示す一辺の電極群4aへのワイヤ7の接合
が終了すると、次に他の辺の電極群4bにワイヤ7を接
合するために、ツール9が電極群4bに合うようにツー
ル9又は基台6が90”回転させられる。その後は前記
した動作によって電極群4bに順次ワイヤ7が接合され
る。電極群4bへのワイヤ接合が終了すると、電極群4
C14dへも同様にワイヤ7が接合される。
一連の動作を順次繰り返してワイヤ7を接合する0例え
ば、第2図に示す一辺の電極群4aへのワイヤ7の接合
が終了すると、次に他の辺の電極群4bにワイヤ7を接
合するために、ツール9が電極群4bに合うようにツー
ル9又は基台6が90”回転させられる。その後は前記
した動作によって電極群4bに順次ワイヤ7が接合され
る。電極群4bへのワイヤ接合が終了すると、電極群4
C14dへも同様にワイヤ7が接合される。
これにより、s2図に示すように全ての電極4にワイヤ
7が接合される。その後、基台6の真空を切り、半導体
素子3を取り出すと、第3図(b)に示すリード付き半
導体素子5とほぼ同じ形態のリード付き半導体素子が得
られる。
7が接合される。その後、基台6の真空を切り、半導体
素子3を取り出すと、第3図(b)に示すリード付き半
導体素子5とほぼ同じ形態のリード付き半導体素子が得
られる。
このように、無駄な材料を用いる必要がなく、また工程
もワイヤボンディング方法で行えるので、工数的及び設
備的にも優れており、大幅なコストダラシが図れる。
もワイヤボンディング方法で行えるので、工数的及び設
備的にも優れており、大幅なコストダラシが図れる。
なお、本実施例の場合は、基台6のワイヤ切断部6bの
高さHを変えること及びツール9の移動軌跡を変更する
ことにより、半導体素子3に接続されたワイヤ7のフォ
ーミングは様々な形に変更することができる。ところで
、半導体素子3に接続されたワイヤ7は、切断後にその
スプリングバックによって該ワイヤ7の端部が若干上昇
するので、基台6のワイヤ切断部6bの高さはそのスプ
リングバック量を見込んで設定するのが好ましい。
高さHを変えること及びツール9の移動軌跡を変更する
ことにより、半導体素子3に接続されたワイヤ7のフォ
ーミングは様々な形に変更することができる。ところで
、半導体素子3に接続されたワイヤ7は、切断後にその
スプリングバックによって該ワイヤ7の端部が若干上昇
するので、基台6のワイヤ切断部6bの高さはそのスプ
リングバック量を見込んで設定するのが好ましい。
またワイヤ7は導電性のものであればその材質は限定さ
れないが、例えばAu線又はAuメツキしたものを使用
すると、ツール9の押圧部或は後工程でこのワイヤ7を
押圧する別のツールの押圧面に加熱、加圧時に伴なう酸
化物等の汚れを防止することができる。
れないが、例えばAu線又はAuメツキしたものを使用
すると、ツール9の押圧部或は後工程でこのワイヤ7を
押圧する別のツールの押圧面に加熱、加圧時に伴なう酸
化物等の汚れを防止することができる。
またワイヤ7は断面が長方形又は正方形のものに限定さ
れないが、信号伝達時間の速い半導体素子3では、イン
ダクタンスによる信号域を伴なうため、大型のものより
長方形又は正方形の方が優れている。
れないが、信号伝達時間の速い半導体素子3では、イン
ダクタンスによる信号域を伴なうため、大型のものより
長方形又は正方形の方が優れている。
また本実施例は、ツール9としてウェッジを使用した場
合について説明したが、キャピラリを使用してもよい。
合について説明したが、キャピラリを使用してもよい。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように1本発明によれば、半導
体素子を基台に位置決め保持し、ツールの下面に延在し
たワイヤを該ツールで前記電極に押圧して接合し、その
後ワイヤの繰り出し動作を伴なってツールを前記基台の
ワイヤ切断部上に移動させてワイヤを該ワイヤ切断部に
押し付け、その後ワイヤを切断することにより、半導体
素子の電極にワイヤよりなるリードを形成するので、大
幅なコスト低減が図れる。
体素子を基台に位置決め保持し、ツールの下面に延在し
たワイヤを該ツールで前記電極に押圧して接合し、その
後ワイヤの繰り出し動作を伴なってツールを前記基台の
ワイヤ切断部上に移動させてワイヤを該ワイヤ切断部に
押し付け、その後ワイヤを切断することにより、半導体
素子の電極にワイヤよりなるリードを形成するので、大
幅なコスト低減が図れる。
第1図(a)乃至(g)は本発明の一実施例を示す動作
説明図、第2図は第1図の方法によって得られたリード
付き半導体素子を示し、(a)は平面図、(b)は断面
図、第3図(a)(b)は従来の方法を示す説明図であ
る。 2:リード、 3:半導体素子、4:電極、
6:基台、 6b=ワイヤ切断部、 7:ワイヤ、9:ツール。 第1図 (b) (C) 第2図 (d) (e) (f) 4・ミル 6二基台 3:手噂体!、キ
説明図、第2図は第1図の方法によって得られたリード
付き半導体素子を示し、(a)は平面図、(b)は断面
図、第3図(a)(b)は従来の方法を示す説明図であ
る。 2:リード、 3:半導体素子、4:電極、
6:基台、 6b=ワイヤ切断部、 7:ワイヤ、9:ツール。 第1図 (b) (C) 第2図 (d) (e) (f) 4・ミル 6二基台 3:手噂体!、キ
Claims (2)
- (1)半導体素子の電極にリードを接合する方法におい
て、半導体素子を基台に位置決め保持し、ツールの下面
に延在したワイヤを該ツールで前記電極に押圧して接合
し、その後ワイヤの繰り出し動作を伴なってツールを前
記基台のワイヤ切断部上に移動させてワイヤを該ワイヤ
切断部に押し付け、その後ワイヤを切断することにより
、半導体素子の電極にワイヤよりなるリードを形成する
ことを特徴とするリード付き半導体素子の製造方法。 - (2)前記ワイヤは、断面が長方形又は正方形よりなる
ことを特徴とする請求項1記載のリード付き半導体素子
の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1096950A JP2727352B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | リード付き半導体素子の製造方法 |
US07/510,035 US5056217A (en) | 1989-04-17 | 1990-04-16 | Method for manufacturing semiconductor elements equipped with leads |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1096950A JP2727352B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | リード付き半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02273944A true JPH02273944A (ja) | 1990-11-08 |
JP2727352B2 JP2727352B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=14178574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1096950A Expired - Fee Related JP2727352B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | リード付き半導体素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5056217A (ja) |
JP (1) | JP2727352B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5152056A (en) * | 1991-08-27 | 1992-10-06 | Sun Microsystems, Inc. | Method for replacing tape automated bonding components on a printed circuit board |
JP2558976B2 (ja) * | 1991-11-08 | 1996-11-27 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品の電極とリードとの接合方法 |
US5216803A (en) * | 1991-12-11 | 1993-06-08 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method and apparatus for removing bonded connections |
KR960011257B1 (ko) * | 1993-05-14 | 1996-08-21 | 삼성전자 주식회사 | 번인 소켓 및 이를 사용한 번인 테스트 방법 |
US5398863A (en) * | 1993-07-23 | 1995-03-21 | Tessera, Inc. | Shaped lead structure and method |
US5735030A (en) * | 1996-06-04 | 1998-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Low loop wire bonding |
US6109508A (en) * | 1998-03-11 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Fine pitch bonding method using rectangular wire and capillary bore |
JP3377748B2 (ja) * | 1998-06-25 | 2003-02-17 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5449066A (en) * | 1977-09-27 | 1979-04-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS54100256A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-07 | Cho Onpa Kogyo Co | Device for cutting wire |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3430835A (en) * | 1966-06-07 | 1969-03-04 | Westinghouse Electric Corp | Wire bonding apparatus for microelectronic components |
DE1912315B1 (de) * | 1969-03-11 | 1970-10-08 | Kupex Ag | Beregnungsvorrichtung |
US3673681A (en) * | 1969-04-01 | 1972-07-04 | Inforex | Electrical circuit board wiring |
DE2528806C2 (de) * | 1975-06-27 | 1983-09-15 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising | Schweißvorrichtung |
DE2608250C3 (de) * | 1976-02-28 | 1985-06-05 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Verfahren zum Thermokompressions-Verbinden von auf Halbleiterkörpern befindlichen Metall-Anschlußkontakten mit zugeordneten Gehäuseanschlußteilen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
JPS63256267A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半田付け方法 |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP1096950A patent/JP2727352B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-04-16 US US07/510,035 patent/US5056217A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5449066A (en) * | 1977-09-27 | 1979-04-18 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS54100256A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-07 | Cho Onpa Kogyo Co | Device for cutting wire |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5056217A (en) | 1991-10-15 |
JP2727352B2 (ja) | 1998-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS61125062A (ja) | ピン取付け方法およびピン取付け装置 | |
JPH02273944A (ja) | リード付き半導体素子の製造方法 | |
US5850332A (en) | Process for making solid electrolyic capacitor | |
JPH09148360A (ja) | 被覆ワイヤのワイヤボンディング装置及びその方法 | |
JP3049515B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP3128718B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH03289149A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3128717B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
JPS63173345A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
JPS6052585B2 (ja) | ワイヤボンディング法 | |
JPH07106203A (ja) | アルミ電解コンデンサの電極箔とリードの接続方法 | |
JP2977990B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPS5925377B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPS5855665B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
KR970007598B1 (ko) | 와이어 본딩방법 | |
JP2846095B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5914652A (ja) | 半導体容器 | |
JPH0394435A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0346497Y2 (ja) | ||
JPH08758Y2 (ja) | インナリードボンダ | |
JPS633423A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPS61133637A (ja) | 接続電極の形成方法 | |
JPH08162488A (ja) | 電子部品製造方法 | |
JPH0644142U (ja) | ワイヤーボンディング装置 | |
JPS6145857B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |