JPH02273925A - 電気及び電子デバイス用滴下被覆コンパウンド - Google Patents
電気及び電子デバイス用滴下被覆コンパウンドInfo
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 80
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 claims description 52
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 28
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 4
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 3
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 3
- 235000012424 soybean oil Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000003549 soybean oil Substances 0.000 claims description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- -1 chemical resistance Chemical compound 0.000 description 3
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- DIYFBIOUBFTQJU-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2-sulfanylethanone Chemical class SCC(=O)C1=CC=CC=C1 DIYFBIOUBFTQJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl 7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylate Chemical compound C1CC2OC2CC1C(=O)OCC1CC2OC2CC1 YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005410 aryl sulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012245 magnesium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBADVBNRRHVIAO-UHFFFAOYSA-N phenylsulfanol Chemical class OSC1=CC=CC=C1 NBADVBNRRHVIAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000011044 quartzite Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000004819 silanols Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 125000005537 sulfoxonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229960000834 vinyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/285—Permanent coating compositions
- H05K3/287—Photosensitive compositions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気及び電子デバイス用の熱膨張率の低い滴
下被覆コンパウンドに関する。
下被覆コンパウンドに関する。
種々の電子デバイス、特に集積回路は多くの作業工程で
基板例えば半導体材料上に構成される。
基板例えば半導体材料上に構成される。
デバイスやチップを製造した後、これらのデバイスは接
着され、ろう付けされ、合金化され、最終的に微細なボ
ンディングワイヤ又は銅リボンにより電気接続部に接続
される0回路及び露出しているボンディングワイヤを保
護するためデバイスにはケースを施し、及び/又はこれ
を電気絶縁性プラスチックコンパウンドでモールドする
か又はプレス処理することができる。他のデバイスは°
“裸の°′ケースを施されていないICとして更に使用
される。この場合また露出回路はハイブリッド血路、機
器又は運搬装置に組み込んだ後環境の影響、例えば湿気
、はこり又は機械的損傷に対して保護されなければなら
ない、このようなデバイスを保護する筒車な可能性は滴
下被覆である。そのため反応樹脂を適当な装置内で保護
すべき範囲又は回路上に滴下し、引続き硬化する。
着され、ろう付けされ、合金化され、最終的に微細なボ
ンディングワイヤ又は銅リボンにより電気接続部に接続
される0回路及び露出しているボンディングワイヤを保
護するためデバイスにはケースを施し、及び/又はこれ
を電気絶縁性プラスチックコンパウンドでモールドする
か又はプレス処理することができる。他のデバイスは°
“裸の°′ケースを施されていないICとして更に使用
される。この場合また露出回路はハイブリッド血路、機
器又は運搬装置に組み込んだ後環境の影響、例えば湿気
、はこり又は機械的損傷に対して保護されなければなら
ない、このようなデバイスを保護する筒車な可能性は滴
下被覆である。そのため反応樹脂を適当な装置内で保護
すべき範囲又は回路上に滴下し、引続き硬化する。
滴下被覆に適した反応樹脂は種々の要求を満たさなけれ
ばならない、特にデバイスと直接接触するコンパウンド
はデバイスの機能を損なうことがあってはならない、従
ってコンパウンドは特に硬化の際にもまた後の運転に際
しても比較的大きな温度差により極端に大きな容量変化
を生じてはならない。大きすぎる熱膨張率及び運転温度
の範囲にあるガラス遷移温度はとりわけボンディングワ
イヤの亀裂と、それによるデバイスの機能低下を招く。
ばならない、特にデバイスと直接接触するコンパウンド
はデバイスの機能を損なうことがあってはならない、従
ってコンパウンドは特に硬化の際にもまた後の運転に際
しても比較的大きな温度差により極端に大きな容量変化
を生じてはならない。大きすぎる熱膨張率及び運転温度
の範囲にあるガラス遷移温度はとりわけボンディングワ
イヤの亀裂と、それによるデバイスの機能低下を招く。
この理由から無機充填材と組み合わされて上記の要件を
満たすエポキシ樹脂は好ましいものであることが判明し
た。市販の滴下被覆コンパウンドは例えば充填された2
成分エポキシ樹脂で・ある。
満たすエポキシ樹脂は好ましいものであることが判明し
た。市販の滴下被覆コンパウンドは例えば充填された2
成分エポキシ樹脂で・ある。
この種の樹脂の大きな欠点は、樹脂と硬化剤成分とを使
用前に混合する必要があることである。それというのも
標準温度でも進行する硬化工程がコンパウンドの粘度を
上昇させることから、既に前辺て混合された樹脂は一定
時間加工可能であるにすぎないからである。混合に関す
る問題は、予め混合され凍結状態で処理されるいわゆる
“冷凍製品” (frozen products)
によって使用者から製造者に移行されるが、使用前に再
び溶解しなければならない反応樹脂は他の欠点を有する
。樹脂を加エすることが可能であるにすぎない限られた
時間は、プリケーション装置の寿命を著しく短くする。
用前に混合する必要があることである。それというのも
標準温度でも進行する硬化工程がコンパウンドの粘度を
上昇させることから、既に前辺て混合された樹脂は一定
時間加工可能であるにすぎないからである。混合に関す
る問題は、予め混合され凍結状態で処理されるいわゆる
“冷凍製品” (frozen products)
によって使用者から製造者に移行されるが、使用前に再
び溶解しなければならない反応樹脂は他の欠点を有する
。樹脂を加エすることが可能であるにすぎない限られた
時間は、プリケーション装置の寿命を著しく短くする。
作用能力を保持するためにはそのような短い時間間隔内
で、反応樹脂成分を該樹脂が接触するすべての部分から
完全に洗浄除去する必要がある。このため連続的な製造
処理は困難であり、これに伴い技術的及び経済的な欠点
が生じる。
で、反応樹脂成分を該樹脂が接触するすべての部分から
完全に洗浄除去する必要がある。このため連続的な製造
処理は困難であり、これに伴い技術的及び経済的な欠点
が生じる。
従って本発明の課題は、必要とされる上記の化学的及び
物理的特性を有し、同時に公知の滴下被覆コンパウンド
の欠点を示さない滴下被覆コンパウンドを提供すること
にある。
物理的特性を有し、同時に公知の滴下被覆コンパウンド
の欠点を示さない滴下被覆コンパウンドを提供すること
にある。
(課題を解決するための手段〕
この課題は本発明によれば請求項1の特徴を有する滴下
被覆コンパウンドによって解決される。
被覆コンパウンドによって解決される。
本発明の他の実施態様は請求項2以下から読み取ること
ができる。
ができる。
本発明による滴下被覆コンパウンドは陽イオンで硬化可
能のエポキシ樹脂に基づくものであるが、この場合硬化
処理は光開始剤によりUV光線によって開始される。こ
れは簡単で問題なく取り扱うことのできる暗やみで任意
の時間貯蔵可能な混合物である。このコンパウンドから
なる滴下被覆物を硬化するにはいかなる熱工程も不要で
ある。硬化処理をUV光線によって開始させる場合、こ
れは完全に硬化するまで、すなわちすべての反応基が反
応を完了するまで継続する。公知の二成分樹脂で生ずる
この種の滴下物の流動危険性は本発明によって回避され
る。従って本発明によるコンパウンドを使用することに
より、正確に限定された幾何学模様又は予め与えられた
高さ及び表面の滴下物を得ることができる。それという
のもこれらの形状は硬化に際してそのまま維持され、滴
下物が流れることはないからである。熱硬化系の別の欠
点として次のことを指摘する。すなわち滴下物は、その
硬化を適当な時間内で可能とする温度に急激に上げた場
合流動する傾向がある。
能のエポキシ樹脂に基づくものであるが、この場合硬化
処理は光開始剤によりUV光線によって開始される。こ
れは簡単で問題なく取り扱うことのできる暗やみで任意
の時間貯蔵可能な混合物である。このコンパウンドから
なる滴下被覆物を硬化するにはいかなる熱工程も不要で
ある。硬化処理をUV光線によって開始させる場合、こ
れは完全に硬化するまで、すなわちすべての反応基が反
応を完了するまで継続する。公知の二成分樹脂で生ずる
この種の滴下物の流動危険性は本発明によって回避され
る。従って本発明によるコンパウンドを使用することに
より、正確に限定された幾何学模様又は予め与えられた
高さ及び表面の滴下物を得ることができる。それという
のもこれらの形状は硬化に際してそのまま維持され、滴
下物が流れることはないからである。熱硬化系の別の欠
点として次のことを指摘する。すなわち滴下物は、その
硬化を適当な時間内で可能とする温度に急激に上げた場
合流動する傾向がある。
更に本発明による樹脂マトリックス中の充填材の緊密な
パッキングによって、滴下被覆コンパウンドの高度な容
積充填度及び低い膨張率が得られる。室温から90℃ま
での温度範囲でこの滴下被覆コンパウンドを用いて20
ppm/K及びそれ以下の膨張率が得られる。140℃
以上の高いガラス遷移温度の場合、低い膨張率は全ての
使用温度範囲にわたって保持され、滴下被覆コンパウン
ドはエポキシ樹脂に関して公知の良好な特性、例えば化
学薬品抵抗性、高い機械的強度及び達゛成可能の高い純
度を有する。特に最後の特性は腐食を促進するか又は腐
食を発生させるアルカリイオン又は塩素イオン含有量が
これにより低く保持されることから重要である。
パッキングによって、滴下被覆コンパウンドの高度な容
積充填度及び低い膨張率が得られる。室温から90℃ま
での温度範囲でこの滴下被覆コンパウンドを用いて20
ppm/K及びそれ以下の膨張率が得られる。140℃
以上の高いガラス遷移温度の場合、低い膨張率は全ての
使用温度範囲にわたって保持され、滴下被覆コンパウン
ドはエポキシ樹脂に関して公知の良好な特性、例えば化
学薬品抵抗性、高い機械的強度及び達゛成可能の高い純
度を有する。特に最後の特性は腐食を促進するか又は腐
食を発生させるアルカリイオン又は塩素イオン含有量が
これにより低く保持されることから重要である。
本発明によるエポキシ樹脂用として通した充填材は若干
の条件を満たすことが必要である。まずこれは既に記載
したように陽イオン硬化処理に適合するものでなければ
ならない、より正確に言えば、硬化処理時に生ずる化学
的反応といかなる相互反応も示してはならない。従って
強塩基反応性の充填材は除外する。更に照射に際して十
分な量の光開始剤をより厚い層中においても分解又は励
起するため、充填材は硬化に際して使用されるUV光線
を透過することを要する。もちろんこれらの充填材は他
にいかなる存・害な不純物を存していてもならずまたα
線を僅かでも放射してはならない。更に樹脂及び充填材
複合体の硬度及びこの特性を再生可能とするために、粒
子の特定の表面積及び粒径分布を自由に操作できるか又
は調節できる充填材が必要である。従って本発明による
滴下被覆コンパウンドとして特に適当なものは、酸化ア
ルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸
化マグネシウム、石英、石英物質及びガラスである。充
填材を意図的に選択することによって必要に応じて他の
有利な特性をもたらすことがで きる。すなわち例えば
水酸化アルミニウムからは難燃性の滴下被覆コンパウン
ドが得られる。
の条件を満たすことが必要である。まずこれは既に記載
したように陽イオン硬化処理に適合するものでなければ
ならない、より正確に言えば、硬化処理時に生ずる化学
的反応といかなる相互反応も示してはならない。従って
強塩基反応性の充填材は除外する。更に照射に際して十
分な量の光開始剤をより厚い層中においても分解又は励
起するため、充填材は硬化に際して使用されるUV光線
を透過することを要する。もちろんこれらの充填材は他
にいかなる存・害な不純物を存していてもならずまたα
線を僅かでも放射してはならない。更に樹脂及び充填材
複合体の硬度及びこの特性を再生可能とするために、粒
子の特定の表面積及び粒径分布を自由に操作できるか又
は調節できる充填材が必要である。従って本発明による
滴下被覆コンパウンドとして特に適当なものは、酸化ア
ルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸
化マグネシウム、石英、石英物質及びガラスである。充
填材を意図的に選択することによって必要に応じて他の
有利な特性をもたらすことがで きる。すなわち例えば
水酸化アルミニウムからは難燃性の滴下被覆コンパウン
ドが得られる。
酸化アルミニウムからは大きな熱伝導性を得ることがで
きる。石英は低い膨張率を示しまた高純度で製造するこ
とができる。ガラスからは最も軽い任意の形状の充填材
粒子が製造可能である。例えば薄片、小板、球状粒子、
短繊維又は中空球も製造できる。石英物質は<lppm
/にの低い熱膨張率によって特徴付けられる。従って石
英粉末、いわゆる“溶融ケイ酸” (fused 5
ilica)は充填材として特にを利に使用される。
きる。石英は低い膨張率を示しまた高純度で製造するこ
とができる。ガラスからは最も軽い任意の形状の充填材
粒子が製造可能である。例えば薄片、小板、球状粒子、
短繊維又は中空球も製造できる。石英物質は<lppm
/にの低い熱膨張率によって特徴付けられる。従って石
英粉末、いわゆる“溶融ケイ酸” (fused 5
ilica)は充填材として特にを利に使用される。
例えば以下に記載する範囲の粒径分布を使用した場合、
特に緊密なパッキングが得られる。
特に緊密なパッキングが得られる。
a) 直径1〜150μ−の粒子55〜95重景%、b
) 1〜25μ霧の粒子1〜35重景%、c) 5
μ翔以下の粒子0.5〜20重量%重量%液滴下被覆コ
ンパウンドの従って高い容積充填塵にとっては、適当な
粒径分布の他に充填材粒子の表面状態が重要である0粒
子を樹脂マトリックス内に一層良好に埋め込むには、充
填材粒子の表面を化学的に処理することが有利である。
) 1〜25μ霧の粒子1〜35重景%、c) 5
μ翔以下の粒子0.5〜20重量%重量%液滴下被覆コ
ンパウンドの従って高い容積充填塵にとっては、適当な
粒径分布の他に充填材粒子の表面状態が重要である0粒
子を樹脂マトリックス内に一層良好に埋め込むには、充
填材粒子の表面を化学的に処理することが有利である。
更にこの処理に当たっては、エポキシ樹脂との反応に適
している反応基を存する有機基を粒子表面に結合させる
試薬を選択する。硬化処理時にこれらの基は樹脂と反応
し、マトリックス中に充填材粒子を化学的に結合させる
J従ってエポキシドと反応するが陽イオン硬化処理を妨
害しないあらゆる基が反応基として適している。このよ
うな表面処理はまた充填材粒子の滑性を改善することか
ら、滴下被覆コンパウンドの粘度を低下させる可能性が
ある。より小さな充填材粒子はより大きな粒子間の空隙
内に一層良好に入り込み、そこに存在する樹脂を排除し
、ある程度放出することができることから、コンパウン
ド全体の流れは改善される。
している反応基を存する有機基を粒子表面に結合させる
試薬を選択する。硬化処理時にこれらの基は樹脂と反応
し、マトリックス中に充填材粒子を化学的に結合させる
J従ってエポキシドと反応するが陽イオン硬化処理を妨
害しないあらゆる基が反応基として適している。このよ
うな表面処理はまた充填材粒子の滑性を改善することか
ら、滴下被覆コンパウンドの粘度を低下させる可能性が
ある。より小さな充填材粒子はより大きな粒子間の空隙
内に一層良好に入り込み、そこに存在する樹脂を排除し
、ある程度放出することができることから、コンパウン
ド全体の流れは改善される。
更に樹脂マトリックス内に充填材粒子が化学的に結合導
入されることにより、充填材の良好で極めて低い熱膨張
率はすべての滴下被覆コンパウンドに一層良好に付与さ
れる。
入されることにより、充填材の良好で極めて低い熱膨張
率はすべての滴下被覆コンパウンドに一層良好に付与さ
れる。
しかし可能な充填材の選択は無機物質に限定されるもの
ではない、同様の有利な作用はいわゆる高性能プラスチ
ックを使用して達成することができる。これらの群から
なる公知例としては、ポリエーテルスルホン(PES)
、ポリフェニレンスルフィド(pps)、ポリエーテル
エーテルケトン(PEEK) 、シリ−コン樹脂及び液
晶ポリマー(LCP)が挙げられる。これらは場合によ
っては表面処理して粉末、繊維その他の形で使用するこ
とができる。しかしもちろん種々の無機充填材の混合物
及び無機と有機の充填材の混合物も可能である。
ではない、同様の有利な作用はいわゆる高性能プラスチ
ックを使用して達成することができる。これらの群から
なる公知例としては、ポリエーテルスルホン(PES)
、ポリフェニレンスルフィド(pps)、ポリエーテル
エーテルケトン(PEEK) 、シリ−コン樹脂及び液
晶ポリマー(LCP)が挙げられる。これらは場合によ
っては表面処理して粉末、繊維その他の形で使用するこ
とができる。しかしもちろん種々の無機充填材の混合物
及び無機と有機の充填材の混合物も可能である。
本発明で使用することのできるエポキシ樹脂の選択は同
様にほとんど制限されない。十分に高い硬化速度を有す
る陽イオンにより開始される硬化可能性、140 ’C
以上の高いガラス遷移温度、イオン、特にアルカリ及び
塩素イオンの低含有量及び更には高い機械的強度が基本
的な前提である。
様にほとんど制限されない。十分に高い硬化速度を有す
る陽イオンにより開始される硬化可能性、140 ’C
以上の高いガラス遷移温度、イオン、特にアルカリ及び
塩素イオンの低含有量及び更には高い機械的強度が基本
的な前提である。
更に原則としてほとんどすべての市販の樹脂及びその混
合物が適している。この種の樹脂は例えばグリシジルエ
ーテル型のオリゴマー又はポリマーエポキシ樹脂から選
択することができる。グリシジルエーテルに対する塩基
としては以下のものを使用することができる。ビスフェ
ノール、例えばビスフェノールA;ジ又はポリヒドロキ
シ芳香族化合物、例えばレゾルシン;フェノール性OH
基を有するポリアリールアルキル;ノボラック;ポリア
ルキレングリコール又は多価アルコール、例えばグリセ
+)ン又はペンタエリトリット。更にエポキシウレタン
樹脂;グリシジルエーテル−エステル型化合物、例えば
パラ−ヒドロキシ安息香酸−グリシジルエーテル−エス
テル;脂肪族又は分香族核を有する多価カルボン酸の純
粋なグリシジルエステル、例えばヘキサヒドロフタル酸
又はフクル酸;線状の脂肪族エポキシ樹脂、例えばエポ
キシ化ポリブタンジエン、エポキシ化大豆油又はシクロ
脂肪族エポキシ樹脂が適している。最後のものはその高
い反応性において優れている。公知の例としては3,4
−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシ
クロヘキサンカルボキシレートがある。
合物が適している。この種の樹脂は例えばグリシジルエ
ーテル型のオリゴマー又はポリマーエポキシ樹脂から選
択することができる。グリシジルエーテルに対する塩基
としては以下のものを使用することができる。ビスフェ
ノール、例えばビスフェノールA;ジ又はポリヒドロキ
シ芳香族化合物、例えばレゾルシン;フェノール性OH
基を有するポリアリールアルキル;ノボラック;ポリア
ルキレングリコール又は多価アルコール、例えばグリセ
+)ン又はペンタエリトリット。更にエポキシウレタン
樹脂;グリシジルエーテル−エステル型化合物、例えば
パラ−ヒドロキシ安息香酸−グリシジルエーテル−エス
テル;脂肪族又は分香族核を有する多価カルボン酸の純
粋なグリシジルエステル、例えばヘキサヒドロフタル酸
又はフクル酸;線状の脂肪族エポキシ樹脂、例えばエポ
キシ化ポリブタンジエン、エポキシ化大豆油又はシクロ
脂肪族エポキシ樹脂が適している。最後のものはその高
い反応性において優れている。公知の例としては3,4
−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシ
クロヘキサンカルボキシレートがある。
本発明による滴下被覆コンパウンドに対しては、これら
の樹脂の数種からなる混合物を使用するのが有利である
。これにより所望の物理化学的ルび熱機械的特性を一層
良好に調節することができる。
の樹脂の数種からなる混合物を使用するのが有利である
。これにより所望の物理化学的ルび熱機械的特性を一層
良好に調節することができる。
例えば純粋なグリシジル化合物はしばしば重合速度が遅
過ぎ、また一方例えば純粋な脂環式エポキシ樹脂は多く
の場合不十分な機械的特性を有する。
過ぎ、また一方例えば純粋な脂環式エポキシ樹脂は多く
の場合不十分な機械的特性を有する。
適当なエポキシ樹脂混合物は例えば原ポリマー例えばノ
ボラックエポキシ樹脂、可撓性成分、例えばエポキシ化
ポリブタジェン及び場合によっては他の低分子の、を利
には低粘度の多官能性エポキシ化合物からなる。例えば
多くの低分子モノエポキシドはあまり適していない。
ボラックエポキシ樹脂、可撓性成分、例えばエポキシ化
ポリブタジェン及び場合によっては他の低分子の、を利
には低粘度の多官能性エポキシ化合物からなる。例えば
多くの低分子モノエポキシドはあまり適していない。
エポキシ樹脂混合物中には他の成分として、エポキシ基
を含まないがエポキシ基と反応することのできるポリマ
ー又はオリゴマーの化合物が含まれていてもよい。ここ
では例として、末端位がカルボキシル基又は有利にはヒ
ドロキシル基で官能化されているブタジェン及びアクリ
ルニトリルからなるコポリマーのみを指摘する。エポキ
シ樹脂と共重合化し得る他の成分としては多価アルコー
ル又はそのビニルエーテルを挙げることができる。
を含まないがエポキシ基と反応することのできるポリマ
ー又はオリゴマーの化合物が含まれていてもよい。ここ
では例として、末端位がカルボキシル基又は有利にはヒ
ドロキシル基で官能化されているブタジェン及びアクリ
ルニトリルからなるコポリマーのみを指摘する。エポキ
シ樹脂と共重合化し得る他の成分としては多価アルコー
ル又はそのビニルエーテルを挙げることができる。
更に例示的にブタンジオール、トリエチレン−グリコー
ル又は1,4−シクロヘキサン−ジメタツールのジビニ
ルエーテルを列挙しておく。
ル又は1,4−シクロヘキサン−ジメタツールのジビニ
ルエーテルを列挙しておく。
最後の主成分として滴下被覆コンパウンド中には光開始
剤系が含まれている。これは可視光線又はUV光線を照
射した際電子的に励起される。すなわち化合物はエネル
ギー的に商い状態に置かれ、その結果光開始剤系は化学
的に変化する。エポキシドの触媒により開始される重合
工程にとって重要なことは、その際酸が′ti離される
か又は活性化されることである。これはプロトン又はプ
ロトン化種又はルイス酸であってもよく、例えばその配
位圏に最終的に重合反応が生じる金属イオンである。こ
の工程は一度実施されると、暗所でも引き続き進行する
。
剤系が含まれている。これは可視光線又はUV光線を照
射した際電子的に励起される。すなわち化合物はエネル
ギー的に商い状態に置かれ、その結果光開始剤系は化学
的に変化する。エポキシドの触媒により開始される重合
工程にとって重要なことは、その際酸が′ti離される
か又は活性化されることである。これはプロトン又はプ
ロトン化種又はルイス酸であってもよく、例えばその配
位圏に最終的に重合反応が生じる金属イオンである。こ
の工程は一度実施されると、暗所でも引き続き進行する
。
適当な光開始剤は広範囲の化合物類から公知である。適
切な化合物の群は例えば特に中心原子として硫黄又は沃
素を有する安定な有機の陽イオンである。特に有利なも
のとしては芳香族オニウム塩、例えばユニオンカーバイ
ド(Union CarbideCoIWpany)社
により提供されるジフェニル−4−チオフェノキシ−フ
ェニルスルホニウム−へキサフルオロアンチモナート又
は−へキサフルオロホスファート、又はデグッサ(De
gussa)社により提供されるビス−4−(ジフェニ
ルスルホニオ)フェニルスルフィド−ビスへキサフルオ
ロホスファート又は−ビスへキサフルオロアンチモナー
トを挙げることができる。ルイス酸を含有する光開始剤
はPi−ドーナ遷移金属錯体、例えばPj−シクロペン
タジェニル−Pi−イソプロピルベンゾ−ルー鉄(II
) −へキサフルオロホスファート(チバ・ガイギ(C
iba Geigy)社のイルガクール(Irgacu
re) 261として市販されている)として実現可
能である。更にフェナシルスルホニウム塩、ヒドロキシ
ルフェニルスルホニウム塩並びにスルホオキソニウム塩
を挙げることもできる。優れた陰イオンは硼素、燐、砒
素及びアンチモンの錯弗化物及びペテロ多重酸の陰イオ
ンである。すでに提案されているUV照射の際にシラノ
ールを遊離する有機珪素化合物も光開始剤として適して
いるが、これは同様にアルミニウムアルコレートの存在
下に重合を開始する。
切な化合物の群は例えば特に中心原子として硫黄又は沃
素を有する安定な有機の陽イオンである。特に有利なも
のとしては芳香族オニウム塩、例えばユニオンカーバイ
ド(Union CarbideCoIWpany)社
により提供されるジフェニル−4−チオフェノキシ−フ
ェニルスルホニウム−へキサフルオロアンチモナート又
は−へキサフルオロホスファート、又はデグッサ(De
gussa)社により提供されるビス−4−(ジフェニ
ルスルホニオ)フェニルスルフィド−ビスへキサフルオ
ロホスファート又は−ビスへキサフルオロアンチモナー
トを挙げることができる。ルイス酸を含有する光開始剤
はPi−ドーナ遷移金属錯体、例えばPj−シクロペン
タジェニル−Pi−イソプロピルベンゾ−ルー鉄(II
) −へキサフルオロホスファート(チバ・ガイギ(C
iba Geigy)社のイルガクール(Irgacu
re) 261として市販されている)として実現可
能である。更にフェナシルスルホニウム塩、ヒドロキシ
ルフェニルスルホニウム塩並びにスルホオキソニウム塩
を挙げることもできる。優れた陰イオンは硼素、燐、砒
素及びアンチモンの錯弗化物及びペテロ多重酸の陰イオ
ンである。すでに提案されているUV照射の際にシラノ
ールを遊離する有機珪素化合物も光開始剤として適して
いるが、これは同様にアルミニウムアルコレートの存在
下に重合を開始する。
既に記載した本発明にとって不可欠の構成成分の他に、
滴下被覆コンパウンドはエポキシ樹脂用として公知であ
る他の添加剤及び付加物を含んでいてもよい。これらの
物質を用いて公知の方法により、特にこの種の滴下被覆
コンパウンドの被覆処理を改善する種々の付加的特性が
得られるが、これはその完成された又は硬化された滴下
被覆コンパウンドの特性に殆ど影響を及ぼすことはない
。
滴下被覆コンパウンドはエポキシ樹脂用として公知であ
る他の添加剤及び付加物を含んでいてもよい。これらの
物質を用いて公知の方法により、特にこの種の滴下被覆
コンパウンドの被覆処理を改善する種々の付加的特性が
得られるが、これはその完成された又は硬化された滴下
被覆コンパウンドの特性に殆ど影響を及ぼすことはない
。
以下に例示的にいくつかの付加物及びこれにより得られ
る利点を列挙する。染料又は顔料の付加は滴下被覆コン
パウンドをデバイスに対して着色適用させるために利用
するか、又は被覆された回路又は被覆されたデバイスを
認識可能にする。その際光開始された硬化処理を妨害し
ないため、UV光線が十分透過するように注意しなけれ
ばならない。チキソトロープ剤は厚い被覆層の塗布を容
易にするが、その際剪断されたプラスチックコンパウン
ドの粘度は低く、機械的に負荷されていないプラスチッ
クコンパウンドの粘度は高まる。従って塗布されたプラ
スチック又は樹脂構造の流動は阻止される。展延剤によ
り基板上での塗布された滴下被覆コンパウンドの流展性
は改善される。脱ガス助剤は、滴下被覆コンパウンドの
塗布又は混合の際に避けることのできない一緒に封じ込
められた気泡を、迅速に漏出させる。さもなければこれ
は滴下被覆コンパウンドの特性に悪影響を及ぼす。本発
明によるコンパウンドで被覆された熱負荷を受けるデバ
イス又は回路の可燃性は難燃剤により減少される。湿潤
剤は基板と滴下被覆コンパウンドとの間の反発力を弱め
、一方粘着剤は滴下被覆コンパウンドと基板の引っ張り
合う相互作用を強化する。その際最後に挙げた2つの添
加剤は被覆すべき表面にも施すことができる。
る利点を列挙する。染料又は顔料の付加は滴下被覆コン
パウンドをデバイスに対して着色適用させるために利用
するか、又は被覆された回路又は被覆されたデバイスを
認識可能にする。その際光開始された硬化処理を妨害し
ないため、UV光線が十分透過するように注意しなけれ
ばならない。チキソトロープ剤は厚い被覆層の塗布を容
易にするが、その際剪断されたプラスチックコンパウン
ドの粘度は低く、機械的に負荷されていないプラスチッ
クコンパウンドの粘度は高まる。従って塗布されたプラ
スチック又は樹脂構造の流動は阻止される。展延剤によ
り基板上での塗布された滴下被覆コンパウンドの流展性
は改善される。脱ガス助剤は、滴下被覆コンパウンドの
塗布又は混合の際に避けることのできない一緒に封じ込
められた気泡を、迅速に漏出させる。さもなければこれ
は滴下被覆コンパウンドの特性に悪影響を及ぼす。本発
明によるコンパウンドで被覆された熱負荷を受けるデバ
イス又は回路の可燃性は難燃剤により減少される。湿潤
剤は基板と滴下被覆コンパウンドとの間の反発力を弱め
、一方粘着剤は滴下被覆コンパウンドと基板の引っ張り
合う相互作用を強化する。その際最後に挙げた2つの添
加剤は被覆すべき表面にも施すことができる。
滴下被覆コンパウンドを厚層又は薄層抵抗を含むハイブ
リッド回路に使用することは、長波可視域又は近赤外線
の光線用吸収剤が被覆コンパウンド中に含まれている場
合特に有利である。これによりレーザ整合の際に厚層又
はfi層抵抗から生じまた被覆されたデバイスの機能を
妨害する可能性のあるレーザー散乱光は吸収される。
リッド回路に使用することは、長波可視域又は近赤外線
の光線用吸収剤が被覆コンパウンド中に含まれている場
合特に有利である。これによりレーザ整合の際に厚層又
はfi層抵抗から生じまた被覆されたデバイスの機能を
妨害する可能性のあるレーザー散乱光は吸収される。
■実施例〕
以下に4つの図面に基づき滴下被覆コンパウンドの塗布
及び硬化法を詳述し、滴下被覆コンパウンドの組成に関
する4つの実施例を示す。
及び硬化法を詳述し、滴下被覆コンパウンドの組成に関
する4つの実施例を示す。
第1図に示すように、被覆すべきモジュール10は例え
ばセラミックであってもよい基板1からなる。その上に
施された電気又は電子デバイス(2〜6)は例えばIC
、コンデンサ、抵抗又は導電路であってもよい。デイス
ペンサ7を介して滴下被覆コンパウンドをモジュール1
0に滴下する。
ばセラミックであってもよい基板1からなる。その上に
施された電気又は電子デバイス(2〜6)は例えばIC
、コンデンサ、抵抗又は導電路であってもよい。デイス
ペンサ7を介して滴下被覆コンパウンドをモジュール1
0に滴下する。
その際デイスペンサは例えば管状のノズルとして形成さ
れており、滴下被覆コンパウンドの一定量8を計量分配
する。
れており、滴下被覆コンパウンドの一定量8を計量分配
する。
第2図は滴下被覆コンパウンドの2つの滴下物9で被覆
されたモジュール10を示す。特に滴下物9の急斜面は
、被覆コンパウンドが流れる危険を生じることなく比較
的厚い層に施し得ることを示す、従って滴下物9は、モ
ジュール10の所望の範囲上に意図した通り正確に施す
ことができる。
されたモジュール10を示す。特に滴下物9の急斜面は
、被覆コンパウンドが流れる危険を生じることなく比較
的厚い層に施し得ることを示す、従って滴下物9は、モ
ジュール10の所望の範囲上に意図した通り正確に施す
ことができる。
被覆されるべきでない範囲は、滴下物が流動することは
ないことから、硬化の前もまたその後も露出されたまま
である。
ないことから、硬化の前もまたその後も露出されたまま
である。
第3図は滴下物9の断面図である。エポキシ樹脂混合物
からなるマトリックス91中に封じ込められている球状
に描″かれている充填材粒子92の緊密な空間パッキン
グ状態を良好に見てとることができる。大きな充填材粒
子間の空隙は大部分率さな充填材粒子で満たされており
、°これにより高い容積充填率を得ることができる。こ
の高い充填率は特に低い熱膨張率にとって重要である。
からなるマトリックス91中に封じ込められている球状
に描″かれている充填材粒子92の緊密な空間パッキン
グ状態を良好に見てとることができる。大きな充填材粒
子間の空隙は大部分率さな充填材粒子で満たされており
、°これにより高い容積充填率を得ることができる。こ
の高い充填率は特に低い熱膨張率にとって重要である。
第4図は滴下被覆コンパウンドの硬化装置を示すもので
ある。滴下被覆コンパウンドで被覆された範囲を有する
モジュール10は、照射源21及び選択的に例えばレン
ズ22及び23からなる光学系を介して照射される。光
線路は24で示されている。照射源21は例えば水銀中
圧又は高圧ランプである。しかし十分な光度を生じ得る
限り他の照射源を使用することもできる。波長は光開始
剤が必要とするような短波を選択すべきであり、従って
光開始剤と共に任意に変えることができる。
ある。滴下被覆コンパウンドで被覆された範囲を有する
モジュール10は、照射源21及び選択的に例えばレン
ズ22及び23からなる光学系を介して照射される。光
線路は24で示されている。照射源21は例えば水銀中
圧又は高圧ランプである。しかし十分な光度を生じ得る
限り他の照射源を使用することもできる。波長は光開始
剤が必要とするような短波を選択すべきであり、従って
光開始剤と共に任意に変えることができる。
できる限り長波で吸収しまた反応する光開始剤が好まし
く、これにより一層良好な深部硬化が達成される。一般
に多くの樹脂は短波域内で一層高い吸収性を示し、その
結果滴下被覆コンパウンドを最下層の層範囲まで完全に
硬化するには、より高い光度を必要とする。更に十分な
光度を生ずることができる限り、単色の光源が有利であ
る。レーザによる硬化は技術的な利点をもたらし得るが
、経費が嵩む。
く、これにより一層良好な深部硬化が達成される。一般
に多くの樹脂は短波域内で一層高い吸収性を示し、その
結果滴下被覆コンパウンドを最下層の層範囲まで完全に
硬化するには、より高い光度を必要とする。更に十分な
光度を生ずることができる限り、単色の光源が有利であ
る。レーザによる硬化は技術的な利点をもたらし得るが
、経費が嵩む。
先に記載した水銀中圧ランプでは、硬化時間又は硬化に
必要とされる照射時間は被覆コンパウンドの組成に応じ
て10秒から10分の間であるが、多くの場合1〜5分
間である。滴下被覆コンパウンドの組成の他に、滴下被
覆物を完全に硬化するのに必要とされる照射時間にとっ
ては被覆滴下物の高さも重要であり、これは数ミリまで
の高さであってよい。
必要とされる照射時間は被覆コンパウンドの組成に応じ
て10秒から10分の間であるが、多くの場合1〜5分
間である。滴下被覆コンパウンドの組成の他に、滴下被
覆物を完全に硬化するのに必要とされる照射時間にとっ
ては被覆滴下物の高さも重要であり、これは数ミリまで
の高さであってよい。
以下に滴下被覆コンパウンドの有利な組成に関する3つ
の実施例を示し、その最も重要な特性を表にまとめる。
の実施例を示し、その最も重要な特性を表にまとめる。
記載した3つの実施例の構成成分は質量部(MT)で示
し、公知方法で混合する。
し、公知方法で混合する。
カッコ内にその都度商品名と製造会社名とを記載する。
使用した石英物質は既に表面処理されており、ESTの
符号(=[!poxy 5ilane Treated
)で表す。
符号(=[!poxy 5ilane Treated
)で表す。
■−1
脂環式ジエボキシド(CYI79、チバ・ガイギ(Ci
ba Geigy)社) 33.3MTク
レゾールーノボラックーエボキシ樹脂(口uatre+
c 3310、ダウ・ケミカル(Dow Chemic
a1)社) 33.3MT可撓性の
反応希釈剤(UVR6200、UCC)33.3MT アリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
(UVI6974、tlcc) 0.5MT
石英物質(FW 61 [!ST、クヴアルッペルケ
・フレッヒエン(Quarzwerke Freche
n)社)105.1MT 石英物’If(pwsOoEst、クヴアルッペルケ・
フレツヒエン社) 33.8MT石英物
質(VP 810−10/I EST 、 クウyル
ツヘルケ・フレッヒエン社) 3.8MTγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシ−シラン(A I 8
7 UCC) 0.5MT■−主 組成は、石英物質構成成分の量が異なるのみで例1と同
じである。
ba Geigy)社) 33.3MTク
レゾールーノボラックーエボキシ樹脂(口uatre+
c 3310、ダウ・ケミカル(Dow Chemic
a1)社) 33.3MT可撓性の
反応希釈剤(UVR6200、UCC)33.3MT アリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
(UVI6974、tlcc) 0.5MT
石英物質(FW 61 [!ST、クヴアルッペルケ
・フレッヒエン(Quarzwerke Freche
n)社)105.1MT 石英物’If(pwsOoEst、クヴアルッペルケ・
フレツヒエン社) 33.8MT石英物
質(VP 810−10/I EST 、 クウyル
ツヘルケ・フレッヒエン社) 3.8MTγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシ−シラン(A I 8
7 UCC) 0.5MT■−主 組成は、石英物質構成成分の量が異なるのみで例1と同
じである。
石英物質(FW 61 EST 、クヴアルツベル
ケ・フレッヒエン社) 186.7MT
石英物f (FW 60 Q EST、クヴアルツベ
ルケ・フレッヒエン社) 42.0M
T石英物質(VP 810−10/l EST 、
ダウyルア ヘJL/ ケ・フレンヒエン社)
4.7MT炭−ユ 脂環式ジエボキシド(CY179、チバ・ガイギ社)
25.0MTクレゾールーノ
ボラフクーユボキシ樹脂(口uatrex 3310、
ダウ・ケミカル社)25.0MT 可撓性の反応希釈剤(lIVl?6200、UCC)2
5.0MT エポキシ化大豆油(ニブノール(Edeno1) D
82、ヘンケル(Henke1)社) 25.
O,MT光開始剤、充填剤及び付加物のような他の内容
物は例1におけるのと同じ量で含まれる。
ケ・フレッヒエン社) 186.7MT
石英物f (FW 60 Q EST、クヴアルツベ
ルケ・フレッヒエン社) 42.0M
T石英物質(VP 810−10/l EST 、
ダウyルア ヘJL/ ケ・フレンヒエン社)
4.7MT炭−ユ 脂環式ジエボキシド(CY179、チバ・ガイギ社)
25.0MTクレゾールーノ
ボラフクーユボキシ樹脂(口uatrex 3310、
ダウ・ケミカル社)25.0MT 可撓性の反応希釈剤(lIVl?6200、UCC)2
5.0MT エポキシ化大豆油(ニブノール(Edeno1) D
82、ヘンケル(Henke1)社) 25.
O,MT光開始剤、充填剤及び付加物のような他の内容
物は例1におけるのと同じ量で含まれる。
表: 滴下被覆コンパウンドの特性
充填材量(重量による)65% 70% 65%充填材
量(容量による)49% 55% 49%粘度(Pas
) 25 63 20硬化による容量減少
2.3% 2.0% 2.3%硬化コンパウンドの 密度(g/c+d) 1.69 1.75 1.
69熱膨張率25〜75℃221925 175〜225℃10895 (ρpm/k) 表に記載された数値から本発明による滴下被覆コンパウ
ンドの有利な特性を読み取ることができる。特に硬化処
理に際して生じる減少及び熱膨張率に対する低い値は上
記コンパウンドを滴下被覆に極めて適したものとする。
量(容量による)49% 55% 49%粘度(Pas
) 25 63 20硬化による容量減少
2.3% 2.0% 2.3%硬化コンパウンドの 密度(g/c+d) 1.69 1.75 1.
69熱膨張率25〜75℃221925 175〜225℃10895 (ρpm/k) 表に記載された数値から本発明による滴下被覆コンパウ
ンドの有利な特性を読み取ることができる。特に硬化処
理に際して生じる減少及び熱膨張率に対する低い値は上
記コンパウンドを滴下被覆に極めて適したものとする。
被覆された回路内部の結合亀裂及びそれによる機能低t
?yy危・険は明らかに減少する。同時に基板への粘着
性は改善され、滴下被覆コンパウンドの溶出は少なくな
る。
?yy危・険は明らかに減少する。同時に基板への粘着
性は改善され、滴下被覆コンパウンドの溶出は少なくな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は回路を含む基板上に被覆滴が施される瞬間を示
す横断面図、第2図は被覆満が2滴施された後の回路を
示す横断面図、第3図は滴下被覆コンパウンドの部分断
面図、第4図は塗布された被覆滴の硬化処理装置を示す
略示図である。 1・・・基板 2〜6・・・デバイス 7・・・デイスペンサ 8・・・滴 9・・・被覆滴下物 10・・・モジュール 21・・・照射源 22.23・・・レンズ 24・・・光線路 91・・・樹脂マトリンクス 92・・・充填材
す横断面図、第2図は被覆満が2滴施された後の回路を
示す横断面図、第3図は滴下被覆コンパウンドの部分断
面図、第4図は塗布された被覆滴の硬化処理装置を示す
略示図である。 1・・・基板 2〜6・・・デバイス 7・・・デイスペンサ 8・・・滴 9・・・被覆滴下物 10・・・モジュール 21・・・照射源 22.23・・・レンズ 24・・・光線路 91・・・樹脂マトリンクス 92・・・充填材
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)ケースを施された電気及び電子デバイス用の膨張率
の低い滴下被覆コンパウンドにおいて、このコンパウン
ドが a)硬化した状態で140℃以上のガラス遷移温度を有
する陽イオン硬化可能のエポキ シ樹脂混合物、 b)最大粒径が150μmでありまた可能な限り緊密な
空間パッキングを得るのに適し た粒径分布を有する、陽イオン硬化処理に 適したUV光線透過性の微粒状充填材、 c)陽イオン硬化処理用光開始剤、及び場合によっては d)それ自体公知でありエポキシ樹脂コンパウンドに対
して常用の他の添加剤 を含み、その際充填材成分が30〜80容量%であるこ
とを特徴とする膨張率の低い滴下被覆コンパウンド。 2)充填材が無機充填材であり、酸化アルミニウム、水
酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム
、石英、石英物質及びガラスの群から選択される成分を
少なくとも1種含んでいることを特徴とする請求項1記
載の滴下被覆コンパウンド。 3)充電材が以下の粒径分布: a)直径1〜150μmの粒子55〜95重量%、 b)直径1〜25μmの粒子1〜35重量%、c)直径
5μmの粒子1〜20重量% を有することを特徴とする請求項1又は2記載の滴下被
覆コンパウンド。 4)充填材がポリエーテルスルホン、ポリフェニレンス
ルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、シリコーン樹
脂及び液晶ポリマーの群から選択される有機ポリマーを
含むことを特徴とする請求項1ないし3の1つに記載の
滴下被覆コンパウンド。 5)充填材が熱膨張率の十分に低いプラスチックである
ことを特徴とする請求項1ないし4の1つに記載の滴下
被覆コンパウンド。 6)充填材粒子の表面を試薬で化学的に前処理し、その
結果この表面がエポキシ樹脂と適当に反応する反応基を
有する有機基を有することを特徴とする請求項1ないし
5の1つに記載の滴下被覆コンパウンド。 7)エポキシ樹脂混合物が付加的に可撓性化又は弾性化
成分を含み、その量が所望の特性を生じるように調合さ
れていることを特徴とする請求項1ないし6の1つに記
載の滴下被覆コンパウンド。 8)エポキシ化合物の他に、エポキシドと反応可能の他
の官能基を有する成分を含むことを特徴とする請求項1
ないし7の1つに記載の滴下被覆コンパウンド。 9)多価アルコール又は多価アルコールのビニルエーテ
ルを含むことを特徴とする請求項1ないし8の1つに記
載の滴下被覆コンパウンド。 10)エポキシ化大豆油を含むことを特徴とする請求項
1ないし9の1つに記載の滴下被覆コンパウンド。 11)厚層又は薄層抵抗のレーザ整合に使用される光線
を包含する波長範囲の光を吸収する他の成分を含むこと
を特徴とする請求項1ないし10の1つに記載の滴下被
覆コンパウンド。 12)ケースを施されていないIC、ハイブリッド回路
、メモリモジュール又は個別デバイスを被覆するために
使用することを特徴とする請求項1ないし11の1つに
記載の滴下被覆コンパウンド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3907535.4 | 1989-03-08 | ||
DE3907535 | 1989-03-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02273925A true JPH02273925A (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=6375862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2057866A Pending JPH02273925A (ja) | 1989-03-08 | 1990-03-07 | 電気及び電子デバイス用滴下被覆コンパウンド |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5158990A (ja) |
EP (1) | EP0386473B1 (ja) |
JP (1) | JPH02273925A (ja) |
AT (1) | ATE146305T1 (ja) |
DE (1) | DE59010594D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015192007A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 京セラ株式会社 | 封止用樹脂 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4211250A1 (de) * | 1992-04-03 | 1993-10-07 | Siemens Ag | Reaktionsharze zum Vergießen von druckempfindlichen elektronischen Bauelementen |
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- 1990-02-05 DE DE59010594T patent/DE59010594D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-07 JP JP2057866A patent/JPH02273925A/ja active Pending
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DE59010594D1 (de) | 1997-01-23 |
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