JPH02270341A - プローブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、プローブ装置に関するものである。

（従来の技術） 被測定体例えば半導体の工場では、技術革新に伴ない多
種多様なＩＣやＬＳＩが生産されている。

通常半導体工場にあるクリーンルームでは、形成される
ＩＣの種類により（例えばメモリーＩＣ用ライン、ゲー
トアレイＩＣ用ラインなど）、各ラインに合った半導体
製造装置により構成されており、プローブ装置も各ライ
ン別に設定されていた。しかしながら緊急の生産要求な
どにより、各ラインの生産量が大幅に変化することが多
くプローブ装置もそれへの対応が必要となる。しかもク
リーンルームは高価な設備なので、床面積を広げず、最
小限数のプローブ装置で配置交換を行なって上記−変化
への対応をし、なおかつプローブ装置の処理能力の低下
が起らないようにしなければならない。

しかしながら、従来のプローブ装置は、多数の被測定体
を収納し、被測定体を供給する機構を有するローダ部と
、被測定体を測定する測定部は大半が１対１の関係に形
成されており上記ローダ部と測定部との１対でプローブ
装置を構成していた。

そのためあるウェハを測定中に、別の品種のウェハを急
いで測定しなければならない時、前記装置では普通１力
セツト２５枚単位でプローブ工程まで流れてくるので１
台のプローブ装置で２５枚測定終了するのを待つか、カ
セットから大意的に数枚つエバを抜き出し複数のプロー
ブ装置に数枚ずつ分けて測定するという極めて人手のか
かる作業をしていた。

これを解決するために、従来ローダ部即ちウェハ供給収
納機構を半導体ウエハプローバの前後左右いずれの側面
にも配置したウェハ供給装置（実開昭６０−４１０４５
号公報に記載）、又、１つのローダ部に対してウェハを
測定するための複数の測定ステージ機構を配置したプロ
ーブ装置（特開昭６１−１６８２３６号公報に記載）が
用いられている。

（発明が解決しようとする課題） しかし、いずれも１つの測定部でウェハを測定中にロー
ダ部では次のウェハを他方の測定部に搬送する時、その
際の震動が測定中のウェハに伝わり、正確な測定が不可
能であった。

又、ローダ部や測定部を複数設けたものを１つの独立筐
体中に固定的に設けると装置が大型化し、クリーンルー
ム内での移動や配置換え等に即座に対応できない問題点
があった。

又、測定結果は従来測定直後に、第７図に示すようにプ
ローブ針の中央上方に位置するように設けられたマーキ
ング装置よりマーキング用の針を延ばしてプローブ針列
面の略中央部の穴より出し、マーキングしていた。

しかし、このような方法では、マーキング装置がプロー
ブ針に接触破損したり、ＩＣチップが傷ついてしまう問
題点があった。

さらに、半導体チップを検査する場合の温度は常温（２
５℃）下で行われていたが近年常温に比べ高温状態、及
び低温状態もしくは冷温状態に変温させて電気的特性検
査をする温度試験の必要性が増大してきた。

本発明の目的は上記問題に鑑みなされたもので、１つの
独立筐体で形成されたローダ部に少なくとも２つの独立
筐体で形成された測定部を対応可能あるいは１つの独立
筐体内に１つのローダ部と一つの測定部を形成し、これ
とは別に少なくとも１つの独立筐体で形成された測定部
を対応可能にしたことにより、１台で２台分の機能を備
え、マーキング中にも次の測定を中止することなく、か
つ。

ウェハの温度を変化させて、ウェハの特性を測定する温
度試験にも利用できるプローブ装置を提供するものであ
る。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は収納容器から被測定体を少なくとも２系統の測
定部に振り分けて測定するプローブ装情報に基づいて予
め定められた位置に設けた１系統のマーキング機構で上
記被測定体にマークを付加することを特徴としている。

（作用効果） 即ち、各測定部に被測定体の測定結果を記憶し、この記
憶した内容に基づいて予め定められた位置に設けられた
１系統のマーキング装置で上記被測定体にマークを付加
することにより、被測定体の測定及びマーキング処理を
正確に速く行なえ、装置自体の総合的な稼働率の向上を
得ることが可能となる。

（実施例） 次に本発明プローブ装置を半導体ウエハプローバに適用
した実施例を図を参照して説明する。

このウエハプローバは、一系統の独立筐体で形成された
ローダ部１に対して、複数系統例えば、第１の測定部２
と第２の測定部３の夫々独立筐体から成り、この第１お
よび第２の測定部および３はローダ部１の左右側面に位
置して配設された構成になっている。

このローダ部１は第１図に示す如く、例えば奥行１００
０＋＋ｎ、幅３８０ｍｍ、高さ８００　ｒｍの独立筐体
で構成され、この筐体の底面の床方向の四角に、このロ
ーダ部１を所望する位置に即座に設置移動可能な如くキ
ャスター４が設定されている。このキャスター４には夫
々ストッパーを設けることにより所望する位置で設定固
定することも可能である。このローダ部１の両側面は着
脱自在な側面板で構成され、この側面板は周縁部四角と
各角の中間点の全部で８箇所において、ボルトを螺合す
ることにより取着されているため両筐体を使用する時は
簡単にはずすことが可能となる。第２図乃至第４図はロ
ーダ部１の両側面に測定部２，３を隣設し、プローブ装
置の上面を除いた概略平面図、同じくプローブ装置の前
面を除いた概略正面図である。

上記ローダ部１の内部構成として前面側は、カセット５
の収納部５ａとなっている。この収納部にはモータ６が
連結され１回動可能なガイド軸７が縦方向に設置されて
おり、このガイド軸７に対して１つのカセット載置台９
が取り付けられている。

即ちモータ６の回転によりガイド軸７を回転させ。

この回転に合わせ載置台９を昇降させて、載置台９に載
置したカセットを矢印８方向に上下動させるものである
。この収納部５ａには、被測定体である半導体チップが
規則的に形成されたウェハ３４を夫々適当な間隔を設け
て２５枚収納されているカセット５を二個のカセット設
置可能となっている。

このカセット５からウェハ３４を搬出入するための真空
吸着ピンセット１０は、モータ２５に連結した水平に構
成された回転軸１１に支持棒２１を垂直に設け、この支
持棒２１に取り付けられている。このように構成されて
いるため真空吸着ピンセット１０は平行スライド可能で
ある。真空吸着ピンセット１０とカセット５の収納部５
ａとの間には、ウェハ３４を載置可能なプリアライメン
トステージ１２が設定され、モータ２０に係合しＺ方向
およびθ方向の駆動が可能となっている。又、プリアラ
イメントステージ１２から測定部の測定ステージヘウエ
ハ３４を搬送するスライド回転可能なアーム２７がロー
ダ部の中央右側に設置されている。このアーム２７はモ
ータ１３に連結され水平に３６０°回転可能となってい
る。このローダ部１筐体上方の後面側には、支柱１９が
設置されこの支柱１９を中心として水平に３６０″′回
転可能なアーム２２が支柱１９に取り付けられている。

このアーム２２の先端にはチップを拡大して見るマイク
ロスコープ２３が設置され、ウェハ上面に対向して、垂
直方向に例えば２００　ｒｍ上下動可能である。このよ
うにマイクロスコープ２３がローダ部１に設置されてい
るため、従来１台ごとに必要であったマイクロスコープ
２３が２台のプローブ装置に１台となり、コストの低減
がはかれる。

又、ローダ部１の動作を制御するためにＣＰＵが内蔵さ
れており、ローダ部筐体の上面に着脱自在に設置された
キーボード（図示せず）に配線されている。第１測定部
２が故障の際、もしくは何らかの原因で第１測部２が動
作不可能な場合、ローダ部１に内蔵されているＣＰＵに
より、第２の測定部３のみの測定に自動的に切り替わる
構成になっている。同様に第２の測定部３が動作不可能
のとき、第１の測定部２のみの測定に切り替わる。この
ローダ部１のＣＰＵへの入力はローダ部筐体に設置され
ているキーボード２２を操作することにより行われる。

また底面部には電源部が配置されており、測定部２，３
に給電可能とされている。

次に測定部について説明すると、第１の測定部２と第２
の測定部３は、同一構成の夫々独立した筐体であり、夫
々ローダ１に対して左右何れの側からも設置可能な構成
である。第１の測定部２について説明すると、この第１
の測定部２は例えば奥行１１０００ａ、幅６２０ｍ５＋
、高さ８００ｍｍの独立筐体で構成され、この筐体の底
面の床方向の四角に、第１の測定部２を所望する位置に
即座に設置可能なようにキャスター４が設定されている
。このキャスター４には夫々ストッパーが設けられてい
て所望する位置で設定固定することも可能である。この
第１の測定部２の両側面は、どちら側にもローダ部１が
設定可能なように、夫々ボルトを８箇所に螺合するだけ
で着脱自在となっている。この８箇所とは、第１の測定
部２筐体の周縁部の四角と客角の中間点である。内部構
成として、測定ステージ１４は周知の手段でＸ方向、Ｙ
方向、２方向、θ方向の駆動が可能であり、特にＸ方向
、Ｙ方向の駆動範囲は、第１の測定部２の中心点におい
て前後左右で対称の動作が可能である。又、予備機構と
して、プリアライメントステージ１２に設置されたウェ
ハ１０を測定ステージ１４上の載置台１４ａ　（図示せ
ず）へ真空吸着して回転搬送するロード用のアーム２６
が設置されている。このアーム２６は、第１の測定部２
の筐体の中央右側に載置されている。

順番待ちのウェハは、このアーム２６上で待機させる。

さらに、このアーム２Ｇの下部には、このアーム２６と
同様形状のアンロード用のアーム（図示せず）が設置さ
れている。又、同様の１対のアーム２７がローダ部の中
央右側に載置されている。さらに測定位置において、測
定ステージ１４と対向した位置には、プローブカードが
設定されており、周知の手段で被測定体の測定を行う、
又、第１の測定部２の動作は、第１図に示す如く操作パ
ネル部３５より入力され図示しないＣＰＵで演算処理を
行い各動作機構の制御を行う。又、第１の測定部２と第
２の測定部３は、上述したように同一の構成であり、第
１の測定部２について説明したことは、第２の測定部３
についても同様のことがいえる。

このように第１の測定部２と第２の測定部３は同一機構
を用いてるため、第２の測定部３の真空吸着アーム２６
はまた別の筐体と設置可能である。

次にローダ部１と第１および第２の測定部２゜３との接
続と位置設定について説明する。

ローダ部１の左右両側面に、例えば向かってローダ部１
の左側面に第１の測定部２を設定し、右側面に第２の測
定部３を設定する。この場合、あらかじめローダ部１の
開側面板と第１の測定部２の向かって右側面板及び第２
の測定部３の左側面板を夫々取りはずしておく。この側
面板を取り外した測定部２，３の側面には、中央を横断
する様にガイド板が設置されており、このガイド板には
適当な間隔を設けてガイドピンが突出している。

又、側面板を取り外したローダ部１には、測定部２．３
のガイドピンに相応する様に筒状のガイドホールを設置
しており、このガイドホールに、測定部のガイドピンを
挿入することにより、ローダ部１と測定部２，３の位置
決めを行う。位置決めを行った後、測定部２，３とロー
ダ部１をボルトにより螺合し固定する。又、ローダ部１
のＣＰＵと測定部２，３のＣＰＵを接続させて、このロ
ーダ部１に配置された電源部２４より、測定部２，３に
給電する。このようにすれば１つの測定部でウェハを測
定中にローダ部で次のウェハをロードしても、その震動
が測定部に伝わらず、正確な測定と同時に次のウェハの
ロードが行えることとなる。

ここで、上記した測定部２，３のうち、１系統の測定部
２には、マーキング部２０が設けられている。このマー
キング部２０は、複数の測定部２，３による各被測定体
の測定結果に基づいて、不良の被測定体にマーキング機
構２１でマークを付加するものである。このマーキング
部の位置は、例えば第２の測定部３でも、ローダ部でも
良い、このマーキング部２０の位置は、例えばマーキン
グにより発生する塵等の悪影響を防止するために、従来
のようにプローブカード１８の上方に設けるのではなく
プローブカード１８とは、別エリアに設けることが望ま
しい。

ここで、このマーキング部２０におけるマーキング機構
２８は、次の様に構成されている。例えば第５図に示す
ようなインク式のマーキング装置２８には、インクがイ
ンク容器２９に収納されている。

このインク容器２９には、インクを所定量だけ押し出す
インク押し出し捧３０が、インク容器２９を挿通する如
く設定されている。さらに、インク容器２９の先端には
、インク押し出し部３１が構成されている。このインク
押し出し部３１には、インク押し出し穴３２が設けられ
ている。この穴３２をインク押し出し捧３０が通過可能
に構成されている。又、インク押し出し捧３０のインク
押し部３１側と異なる他端は、電磁コイル３３に挿通さ
れている。ここで、この電磁コイル３３に、例えば、電
圧６０（Ｖ）を３５ｍ５のパルスとして印加する。する
と、コイル３３は励磁し、この発生した磁界によりイン
ク押し出し捧３０が押し下げられる。即°ち、このイン
クを打つ動作は、上記枠３０を押し下げ、所定量のイン
クを上記穴３２から押し出して、被測定体にインクを打
つものである。又、このマーキング機構２８は、保持機
構３９に保持されている。この保持機構３９には、図示
しない調整部が設けられていて、マーキング機構２８の
高さ位置等の位置調整が可能とされている。

上記のようにしてマーキング部２０が設定部２に設けら
れていて、このプローブ装置全体は図示しない制御部で
動作制御および測定制御される。

次に、上述したプローブ装置による被測定体例えば半導
体ウェハ３−４の測定と、この測定結果に基づいて不良
品にマークを付加する測定方法について説明する。

まず、同一品種の半導体ウェハ３４を例えば２５枚収納
したカセット５を載置台９に搬入した後設置する。そし
て、載置台９を矢印８方向に昇降して、測定すべき１枚
目のウェハ３４を所定の高さ位置に設置する。ここで、
回転軸１１により真空吸着ピンセット１０をスライド移
動して、１枚目のウェハ３４を予備アライメントステー
ジ１２に載置する。この予備アライメントステージ１２
で１枚目のウェハ３４を真空吸着する。その後、このウ
ェハ３４を回転して、発光／受光センサによりウェハ３
４のセンター出しや、オリエンテーションフラットを基
準に予備アライメントを実行する。この後、１枚目のウ
ェハ３４を、第１の測定部２の測定ステージ１４上の載
置台１４ａにアーム２６により搬送する。そして、移動
ステージ１５により載置台１４ａを移動して、アライメ
ント部１６に移動する。ここで、ウェハ３４のスクライ
ブラインやパターン等を基準に正確にアライメントする
。その後、載置台１４ａを所定の位置まで上昇する。こ
のことにより、ウェハ３４に形成されたＩＣチップの電
極パッドに、プローブカード１８の各プローブ針が接触
される。この接触状態で１図示しないテスタによりＩＣ
チップの電気的特性の測定を実行する。ウェハ３４に形
成された全ＩＣチップにおいて、載置台１４ａを順次Ｉ
Ｃチップ間隔ごとに移動することにより、この接触測定
動作を繰り返し実行する。この時、測定結果例えば各Ｉ
Ｃチップ毎の良否を、図示しないメモリ機構に記憶して
おく、又、上記アーム２６で１枚目のウェハ３４を左の
測定部２に搬送後、２枚目のウェハ３４を同一カセット
５から予備アライメントステージ１２に設置し、予備ア
ライメントする。この後、上記１枚目のウェハ１を測定
中の測定部２とは逆側の測定部３の測定ステージ台１４
に、ローダ部に設けられたアーム２７で搬送する。そし
て、この測定部３で２枚目のウェハ３４を測定する。さ
らに、上記２枚目のウェハ３４を搬送後、３枚目のウェ
ハ３４を。

予備アライメントし、その後１枚目のウェハ３４を測定
中の測定部２に設けられたロード用アーム２６に待機さ
せる。同様に２枚目のウェハ３４を測定中のローダ部１
に設けられたロード用のアーム２７に４枚目のウェハ３
４を待機させる６次に、１枚目のウェハ３４の測定終了
にともないアンロード用のアームで１枚目のウェハ３４
をアンロードし、所定の動作でカセット５の元の位置に
収納する。これと同時に、ロード用のアーム２６に待機
中の３枚目のウニ・ハ３４を搬送し測定を実行する。そ
して、５枚目のウェハ３４をロード用のアーム２６に待
機させる。

同様に２枚目のウェハ３４の測定を実行している測定部
３でも同じ動作を行なう。上記のように、同一カセット
５内に収納されそいる同一品種の半導体ウェハ３４を、
２つの測定部２，３に振り分けて測定を実行する。

このような測定を所定枚のウェハ３４について各測定部
で実行後、マーキング部２０が設けられた測定部２にお
いて、マーキング処理を専用に行なう。

その間、他の測定部３で引き続き測定動作を行なう。即
ち、この実施例の場合、１カセツトに２５枚のウェハ３
４が収納されている。ここで、測定時間はマーキング処
理時間に比べてかなり短かいため、この２５枚のウェハ
３４のうち、例えば２００枚目では２系統の測定部２，
３で測定動作を実行し、残りの５枚のウェハ３４につい
ては、１系統例えば第２の測定部３で測定を行ない、こ
れと同時に他系統例えば第１の測定部２では、測定部の
ウェハ３４に、マーキング処理を実行する等の方法を用
いれば。

短時間で測定とマーキングを行うことができる。

このマーキング処理は、まずカセット５内に収納されて
いる測定部のウェハ３４を、真空吸着ピンセット１０に
より予備アライメントステージ１２に搬送する。ここで
予備アライメント後、第１の測定部２の載置台１４ａに
、　アーム２６によりウェハ３４を搬送する。そして、
アライメント部１６で正確なアライメント後、マーキン
グ処理を実行する。このマーキング処理は、上記した測
定時に測定結果を記憶した記憶機構に基づいて行なう。

即ち、まず。

ウェハ３４を載置した載置台１４ａを、　マーキング部
２０に移動する。さらに、不良品と判定されたＩＣチッ
プがマーキング機構８のインク押し出し部３１にくるよ
うに載置台１４ａを移動する。　この位置で。

マーキング機構２８の電磁コイル３３に電圧例えば６０
〔ｖ〕で３５ｍ５のパルスを印加する。すると、インク
押し出し棒３０が、インク押し出し穴からインクを押し
出す、つまり、マーキング機構２８により不良ＩＣチッ
プにインクを打つことができる。このような動作を繰り
返し、すべての不良ＩＣチップインクを付加する。この
後、マーキング処理済のウェハ３４を所定の動作でカセ
ット５の元の位置に収納し、他の測定部ウェハ３４のマ
ーキング処理を記憶した内容に基づいて実行する。

このような第１の測定部２でのマーキング処理を実行中
、第２の測定部３では、残りの未測定ウェハ３４の測定
を実行する。そして、未測定ウェハ３４の測定を実行し
、このウェハ３４のマーキング処理を実行して１カセツ
トに収納されたウェハ３４の測定が終了する。

この発明は上記実施例に限定されるものではなく、例え
ば次のようにウェハの測定動作を実行してもよい。

上記実施例と同様のプローブ装置の場合、まず、第１．
第２の測定部２，３に、ウェハを分配して測定を実行す
る。そして、ウェハを測定後、第２の測定部３で測定し
たウェハをカセット内に収納する。又、マーキング部の
設けられた第１の測定部２でウェハを測定後、載置台を
マーキング部２０に移動して、このウェハについてマー
キング処理を実行する。このような動作を繰り返し行な
い、測定対象ウェハが所定の残数になった時、第１の測
定部２をマーキング処理専用とする。そして、このマー
キング専用測定部で、今まで右測定部で測定したウェハ
について、記憶した内容に基づいてマーキング処理を実
行する。このように測定及びマーキング処理を実行する
とより速く測定動作が行なえる。

又、上記実施例では１つの収納部から２系統測定部にウ
ェハを分配して測定する例について説明したが、これに
限定するものではなく、測定部を３系統以上設けても良
く、この場合１系統の測定部をマーキング専用として使
用しても良く、又、収納部を複数系統設けても良いこと
は言うまでもない。さらに、上記実施例では、キャリア
に収納されたウェハの測定開始時は、２系統の測定部で
ウェハの測定を実行し、その後途中から１系統の測定部
をマーキング処理専用としたが、これに限定するもので
はなく、測定開始時から１系統の測定部をマーキング処
理専用としても良く、ウェハ測定時間とマーキング処理
専用との関係により、適宜対応可能である。さらに又、
マーキング機構は、インク式のものでなくとも、ダイヤ
モンド針等により傷を付加するスクラッチ式やレーザ光
によりウェハ表面を溶かすレーザ式のものでも何れでも
良い。又、マーキング機構をプローブカード設置位置と
同位置に設けても良い。

さらに、又、被測定体は半導体ウェハでなくとも、ＴＶ
画面等に用いられる液晶表示装置（ＬＣＤ）等でも良く
、何れに限定するものではない。

さらに、上記の測定はデバイス（ＩＣチップ）を測定す
るのに１回のプローブ測定を実施するデバイスについて
言及したが、半導体ウェハの中には別のテスターにより
複数回、例えば２種類の異なった測定を行なうデバイス
もある。例えばメモリー付の１チツプマイコンやＥＦＲ
ＯＭ等である。この様な場合、第１の測定部と第２の測
定部で接続するテスターを異なるようにし、１つのデバ
イスにつき再測定部を経るようにすれば効率よく測定が
行える。つまり、左側のテストと右側のテストを両方行
なうことによりはじめてプローブ測定を終了するデバイ
スもある。これらを測定する場合、まず第１の測定部で
第１のテストを行ないテスト結果を記憶する。又、その
間に未測定のウェハは第２の測定部に送られ第２のテス
トを行ないテスト結果を記憶する。以下順次各測定部に
ウェハが送られ第２のテストを行ないテスト結果を記憶
する。次に第１のテストを終了したウェハは、第１のテ
ストで不良であったものを除いて第２の測定部へ送られ
第２のテストを行なう。この測定後、第１の測定部のマ
ーキング部で第１のテスト、第２のテストのどちらかで
不良になったチップにマーキングする。この時２回目の
テスト結果を第１のテスト結果と重ね合わせ記憶してお
き後にマーキングしてもよい。

又、はじめに第２の測定部で第２のテストを行なったウ
ェハは同様に第１のテストの為、第１の測定部に搬送さ
れ同様にマーキングされる。

上記の方法は第１のテスト、第２のテストで接続される
テスターが異なる場合を示したがそれに限定されるもの
でなく、第１／第２測定部で同一テスターであっても測
定条件をかえて同一ウエノ）を２度測定する場合でも同
様である６例えば第１の測定部で高温試験、第２の測定
部で低温試験をする場合や第１の測定部でＤＣ試験、第
２の測定部でＡＣ試験を行なう場合などである。

ここでは、前者の、本発明の２つ以上の温度試験に適用
する場合について説明する。

上記実施例と同様のプローブ装置を用い、第６図に示す
ように載置台１４ａにはウェハ３４を所定温度に達する
ように温度昇降手段が設けられている。

この実施例の特徴的事項は、第１の測定部２と第２の測
定部３の測定ステージ１４の各々の載置台１４ａを異な
った温度に設定し、　この異なった温度の載置台１４ａ
にウェハ３４を移り渡らせる方法で、ウェハ３４の各温
度を維持して検査することにある。

上記のように載置台１４ａを所定温度に維持させるため
には、温度昇降手段を載置台１４ａ内部に構成しなけれ
ばならない。

その内部構成は、冷却ジャケット３６が内蔵され、チャ
ックトップ（載置台の頂端面に設けられた金属１例えば
アルミニュームに金及びカニゼンメツキを施した部材）
３７の裏面の略全体に接触するように敷設されている。

さらに、上記冷却ジャケット３６の下側にシリコンラバ
ーのヒータ３８が敷設された構成になっている（特願昭
６２−６０５８１）。

このように、温度昇降手段を載置台１４ａに内蔵してい
るので、載置台１４ａ表面を設定温度に昇降させること
が可能となる。この載置台１４ａの表面温度がウェハに
熱伝導されて設定温度に達する。

そしてこのウェハがプローブカード１８のプローブ針と
接触して検査されることになる。

例えば、上記プローブ装置の第１の測定部２側の載置台
１４ａの温度を半導体チップの品質保証最高温度８０℃
に設定する。また、測定部３側の載置台１４ａの温度を
半導体チップの品質保証最低温度−５℃に設定する。

そして、ウェハ３４をプリアライメント終了後載置台１
４ａに載置したのち、８０℃に上昇したウェハ３４にプ
ローブ針を接触させて測定する０次に、アーム２６を介
して載置台９上にアンロードする。そして、ローダ部の
アーム２７によりウェハ３４を第２の測定部３の載置台
上にロードし、そこで、−５℃となったウェハ３４を測
定する。そして、両方の温度の載置台上の測定したウェ
ハ３４をアンロードする。アンロードされたウェハ３４
は、カセット５に収納する。この方法では、ウェハ３４
が所定温度の載置台Ｌ４ａから他の所定温度の載置台１
４ａの間をローダ部の機構によって移し渡らせる方法な
ので、二種類の温度に連続して検査する場合は、作業効
率が顕著に高い。

本発明によれば、被測定体温度の異なる複数の載置台上
を移り渡ることにより、それぞれの載置台の設定温度状
態となった測定体を測定するので、−回の搬送工程で複
数の温度環境時の検査をすることができ、複数の温度環
境を自在に変化させることができる等の顕著な効果が得
られる。

なお、上記実施例では、測定部を１系統のローダ部の左
右側面に位置して配設していた。即ち、（測定部）−（
ローダ部）−（測定部）としたものを示したが、被測定
体の集積度や緊急度により、ローダ部と測定部の配設を
切り換えることも可能である。例えば、測定部と測定部
の間にローダ部を複数例えば３系統設置しても良く、他
の例として、１系統のローダ部の左右側面に測定部を２
系統ずつ即ち、（測定部）−（測定部）−（ローダ部）
−（測定部）−（測定部）と配設してもかまわない。

上記のように配設した際、ウェハを各ステージへ搬送す
る方法は、ローダ部に設けられた真空吸着アームと測定
部に予備機構として設けられた真空吸着アームとでウェ
ハを受は渡しすれば良い。

また上記実施例では、電源部をローダ部に配置して各測
定部に給電していたが、電源部をローダ部筐体側に設け
、独立した電源部を設けても良い。

この独立した電源部から複数のローダ部や測定部に給電
することで、測定部及びローダ部の小型化が実現し、な
おかつコスト低減に貢献する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置をウエハプローバに適用した一実施
例を説明するための外観構成説明図、第２図、第３図及
び第４図は上記ウエハプローバの構造を説明する構造説
明図、第５図は第１図に使用されているマーキング機構
を説明する構造説明図、第６図は第１図に使用されてい
る載置台を説明する構造説明図、第７図は従来のマーキ
ング機構の概略説明図である。 １・・・ローダ部　　　　２，３・・・測定部特許出願
人　東京エレクトロン株式会社第１図 第２図 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 収納容器から被測定体を少なくとも２系統の測定部に振
   り分けて測定するプローブ装置において、上記各測定部
   による被測定体の測定結果を記憶する記憶手段と、この
   記憶された記憶情報に基づいて予め定められた位置に設
   けた１系統のマーキング機構で上記被測定体にマークを
   付加することを特徴とするプローブ装置。