JPH02259762A - カチオン性硬化可能なフオトレジストのパターン化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はカチオン性硬化可能なフォトレジストのパター
ン化に関するものである。特に、本発明はレーザビーム
に対して画像状に露光することにより、カチオン性硬化
可能なフォトレジストをパターン化することに関してい
る。本発明の方法は、プリント回路基板およびカードな
どの作製に際して特に有用である。

〔従来の技術〕

集積回路におけるプリント回路基板の製造に際して、無
機基体またはエポキシラミネート体の上に、金属状回路
のようなパターンを形成するために広く用いられている
方法の１つは、金属の析出または金属の除去からシール
ドさせるために、金属で被覆した基板上または基板の相
当区域上に、フォトレジスト材料のパターンを画像状に
形成することである。このフォトレジスト層は通常ポリ
マー性の、有機材料で形成され、このものは金属の析出
または除去工程で実質的に影響されず、従ってその下の
区域の基板を保護するのである。このだめの多数の７オ
トレジストが良く知られており、所望の基体上に必要と
するマスクパターンを形成することができる。

このパターンは、リソグラフ法によるガラスマスクのよ
うな画像を通して、活性光線に対しフォトレジスト材を
画像状に露光することにより作られる。用いられる活性
光線は普通Ｘ−線、Ｕ、Ｖ、照射線、または電子ビーム
線などである。

ごく最近、回路パターンを作るためにレーザの直接イメ
ージングが提案された。レーザの直接イメージングは集
積回路がより微細な配線となり、層の数がさらに増加し
たことのために特に関心がもたれている。レーザ直接イ
メージングはガラスマスクを用いることなく、フォトレ
ジストの層上に必要とするパターンを直接に形成させる
ものである。この方法にはＣＡＤ出力のデジタルデータ
、マスクスキャンの画像データに変換、フォトレジスト
上←レーザビームの直接スキャンニングなどの工程を含
んでいる。例えば、Ｇ、Ｃｈｅｎ氏の［プリント配線板
のためのレーザ直接イメージングにおける最近の進歩」
、ＰＣＦＡＢ、１９８６１月、　ｐ、４１およびＦｏｒ
ｄ氏他の「レーザ直接イメージングの現状Ｊ　、Ｃ１ｒ
ｃｕｉｔｓ　Ｍａ−ｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ、　１９８
７３月、　ｐ、３２などを参照されたい。

レーザ直接イメージングにおける問題の１つは、レーザ
直接イメージング法を実行するのに適したレジスト材料
を見付けることである。例えば、提案をされたレジスト
はフリーラジカル重合を基礎にしているｏ　Ｒ，Ｒ，５
ａｄｈｉｒ、　Ｊ、Ｄ、Ｂ。

Ｓｍ１ＬｂｂおよびＲ，Ｍ、Ｃａ５ｔｌｅ各氏のＰｏｌ
ｙｍｅｒ　Ｐｒｅ−ｐｒｉｎｔｓ、２６．１３Ｃ、１９
８５　；　Ｃ，Ｄｅｃｋｅｒ氏のＪ、Ｐｏｌｙｍ。

Ｓｃｉ、、Ｐｏ１ｙｎ＋、Ｃｈｅｍ、Ｅｄ、、ｇ±、２
４５１．１９８３　；　Ｃ，Ｄａｃｋｅｒ氏のＪ、Ｃｏ
ａｔｉｎｇｓ　Ｔｅｃｈ、、　５Ｌ　２Ｌ　１９８４　
；およびＷｉｌｌｉａ＋ｍ５ｏｎ氏他のＬａ５ｅｒ　Ｉ
ｎ１ｔｉａｔｅｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒｉ−ｚａｔｉｏｎ　
　ｏｆ　　Ｃｈａｒｇｅ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ　　Ｍｏｎ
ｏｍｅｒ　　Ｓｙｓｔｅｍｓ。

ｐｐ、２０７−２０８などを参照されたい。フリーラジ
カル重合に伴う１つの問題点は、酸素が重合反応を抑制
することである。そこでフリーラジカル重合に対する酸
素の影響を克服するために、レジストの上にポリエチレ
ンテレフタレート（例えばＭｙｌａｒ■）のような、透
明な酸素バリアシートを配置することが提案された。し
かしながら、このフィルムを通しての露光は、散乱のた
め画像の解像性を損うから全く不適切なものである。

〔発明の要点〕

本発明は酸素バリアシートを用いる必要がなく、かつフ
リーラジカル重合に依存しないレーザイメージング方法
に関するものである。そこで、本発明はフリーラジカル
重合に必要とされる、酸素バリアシートを用いることに
より生ずる欠点をさけることができる。本発明はガラス
マスクを使うことなく、また酸素バリアカバーシートも
なしにレジストの直接露光をすることができる。その上
、本発明の方法は、向上した解像性をもつより高い感光
性のフィルムを生じるような、レジスト面でのより高い
レーザ光強度を達成することを可能とする。この高い光
強度はより深い硬化と高い感光速度とを与える。

本発明により、カチオン性硬化可能なフォトレジストは
レーザビーム、好ましくはアルゴンレーザビームに画像
状に露光することによりパターン化できるのが認められ
た。特に、本発明はカチオン性硬化可能なフォトレジス
トの未硬化フィルムを基板上に用意し、パターン状のレ
ーザビームに対しこのフォトレジストフィルムを画像状
に露光し、カチオン性重合によりフォトレジストの部分
を硬化し、そしてフォトレジストを現像することによる
、フォトレジストにパターンを形成させるための方法に
関するものである。

〔発明を実行するための最良の方法〕

本発明に使用されるレジスト材料は、カチオン性重合メ
カニズムによって硬化可能または重合可能なもので、エ
ポキシモノマ、フエ、ノブラスト、アミノプラスｌ−、
ラクトン、環状エーテル、環状ホルマール、および環状
アセタール、および好ましくはエポキシポリマを含んで
いる。

エポキシポリマの代表的なものにはエポキシ化されたノ
ボラックポリマ、およびエビクロロヒドリンのようなハ
ローエポキシアルカンとビスフェノールＡのような多核
ジヒドロキシフェノールとからのポリエポキシドなどが
含まれる。

エポキシドの混合物も必要のときは用いることができる
。

エポキシ化されたノボラックポリマは市場で入手するこ
とができ、またハローエポキシアルカンとフェノールの
熱可塑性のフェノール性アルデヒドとの反応により、既
知の方法によって製造することができる。フェノールは
単核また１；ｉ　多核フェノールでもよい。単核フェノ
ールの例としては次の式を有している： 町 ここでＸ、ＹおよびＲ，は約１２よりも多くない炭素原
子を含む炭化水素である。

エポキシノボラックの製造用に適したポリマを与えるア
ルデヒド縮合のための、フェノール性水酸基に対してオ
ルトまたはパラの２つの有効な位置を有する、炭化水素
置換フェノールには０−およびｐ−クレゾール、０−お
よびｐ−エチルフェノール、０−およびｐ−イソプロピ
ルフェノール、０−およびｐ−ｔ−ブチルフェノール、
０−およびｐ−５ｅｃ−ブチルフェノール、０−および
ｐ−アミルフェノール、０−およびｐ−オクチルフェノ
ール、０−およびｐ−ノニルフェノール、２．５−キシ
レノール、３．４−キシレノール、２．５−ジエチルフ
ェノール、３．４−ジエチルキシレノール、２．５−ジ
イソプロピルフェノール、４−メチルレゾルシノール、
４−エチルレゾルシノール、４−インクロビルレゾルシ
ノール、４−Ｌ−ブチルレゾルシノール、０−およびｐ
−ベンジルフェノール、ｏ−およ（ｉｐ−−ｙエチルフ
ェノール、０−およびｐ−フェニルフェノール、０−お
よＵ　ｐ　−１−リルフエノー／’％Ｏ−およびｐ−キ
シリルフェノール、０−およびｐ−シクロヘキシルフェ
ノール、０−およびｐ−シクロペンチルフェノール、４
−７エネチルレゾルシノール、、４−）リルレゾルシノ
ール、および４−シクロへキシルレゾルシノールなどが
含まれる。

エポキシノボラックの製造用に適した、フェノール−ア
ルデヒド樹脂の製造に際して用いることのできる、種々
の塩素置換フェノールには０−およびｐ−クロロフェノ
ール、２．５−ジクロロフェノール、２．３−ジクロロ
フェノール、３．４−ジクロロフェノール、２−クロロ
−３−メチルフェノール、２−クロロ−５−メチルフェ
ノール、３−クロロ−２−メチルフェノール、５−クロ
ロ−２−メチルフェノール、３−クロ０−４−メチルフ
ェノール、４−１０ロー３−メチルフェノール、４−ク
ロロ−３−エチルフェノール、４−クロロ−３−イソプ
ロビルフェ／−、＋１．．３−’）クロー４−フェニル
フェノール、３−１０ロー４−１０ローフエニルフエノ
ール、３．５−ジクロロ−４−メチルフェノール、３．
５−ジクロロ−５−メチルフェノール、３．５−ジクロ
ロ−２−メチルフェノール、２．３−ジクロロ−５−メ
チルフェノール、２．５−ジクロロ−３＝メチルフエノ
ール、３−クロロ−４，５−シ）チルフェノール、４−
クロロ−３，４−ジメチルフェノール、２−クロロ−３
，５＝　ジメチルフェノール、５−クロロ−２，３−ジ
メチルフェノール、５−クロロ−３，５−ジメチルフェ
ノール、２．３．５−　トリクロロフェノール、３．４
．５−１−ジクロロフェノール、４−クロロ−レゾルシ
ノール、４．５−シクロローレゾルシノール、４−クロ
ロ−５−メチル−レゾルシノール、５−クロロ−４−メ
チル−レゾルシノールなどが含まれる。

アルデヒド縮合に有効なフェノール性水酸基に対してオ
ルトまたはパラの２つの位置以外に置換基をもち、かつ
アルデヒド縮合に使用することのできる代表的フェノー
ルはフェノール、ｍ−クレゾール、３．５−キシレノー
ル、ｍ−エチルおよびｍ−イソプロピルフェノール、ｍ
、ｍ’−ジエチルおよびジイソプロピルフェノール、ｍ
−ブチルフェノール、ｍ−アミルフェノール、ｍ−オク
チルフェノール、ｍ〜ノニルフェノール１、レゾルシノ
ール、５−メチルレゾルシノール、５−エチルレゾルシ
ノールなどである。

多核ジヒドロキシフェノールは次の式をもつものである
： ここでＡｒはす７チレンおよび好ましくはフェニレンの
ような芳香族の２価炭化水素であり：ＡとＡｔとは同じ
であっても異なっていても良い、好ましくは１〜４個の
炭素原子をもつアルキル基、フッ素、塩素、臭素、およ
びヨウ素などのハロゲン原子、好ましくは１〜４個の炭
素厚子をもつアルコキシ基；ｘｌ！ｌ：ｙとは０から置
換基で置換することのできる芳香族基（Ａｒ）上の水素
原子の数に対応する最高値をもつ整数であり、モしてＲ
・はジヒドロキシジフェニルのときには隣接する炭素原
子間の結合手で、または例えば以下の２価の基ニ ーＣ−１−〇−１−Ｓ−５−Ｓ　０−１−３Ｏ１−５お
よび−５−Ｓ−およびアルキレン、アルキリデン、環式
脂肪族基、例えばシクロアルキレンおよびシクロアルキ
リデンのような２価の炭化水素基、ハロゲン化されたか
、アルコキシ基またはアリールオキシ基で置換されたア
ルキレン、アルキリデンオよび環式脂肪族基、同じくハ
ロゲン化されたかアルキル基、アルコキシ基またはアリ
ールオキシ基で置換された芳香族基を含むアルクアリー
レンおよび芳香族基のような２価の基およびＡｒ基に縮
合した環よりなる２価の基；またＲ６はポリアルコキシ
、またはポリシロキシ、または芳香族環により隔てられ
ている２個またはそれ以上のアルキリデン基、第４アミ
ン基、エーテル結合、カルボニル基またはスルホオキシ
ドまたは同様なイオウ含有基などである。

ジヒドロキシ多核フェノール類の例としては特に２．２
′−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．
４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビス−（２−ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス−（４−ヒドロキシフ
ェニル）メタン、ビス−（４−ヒドロキシ−２，６−シ
メチルー３−メトキシフェニル）メタン、１．１’−ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１．２’−ｔ
：”　ス−（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１．１
’−ビス−（４−ヒドロキシ−２−クロロフェニル）エ
タン、１，１′−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）エタン、１．３’−ビス−（３−メチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２′−ビス−（
３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２
．２’−ビス＝（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、２．２′−ビス−（２−イソプロピ
ル−４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２．２’−ヒ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）へブタン、ビス−（４
−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキシルメタン、ｌ、２′
−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２’−ビス
−（フェニル）フロパンおよび２．２′−ビス−（４−
ヒドロキシフェニル）−１−フェニル−プロパンなどの
ような為ビス−（ヒドロキシフェニル）アルカン類；ビ
ス−（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、２．４′−
ジヒドロキシジフェニルスルホン、５′−クロロ−２，
４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンおよび５′−ク
ロロ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンのよ
うなジ（ヒドロキシフェニル）スルホン類；ビス−（４
−ヒドロキシフェニル）エーテル、４．４’−１４，２
’−１２，２’−１２，３′−などのジヒドロキシジフ
ェニルエーテル類、４．４’−ジヒＦ　Ｏキシ−’ｌ　
、　５−　ジメチル−ジフェニルエーテル、ビス−（４
−ヒドロキシ−３−イソブチルフェニル）エーテル、ビ
ス−（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）エ
ーテル、ビス−（４−ヒ）’ロキ’１−３−クロロフェ
ニル）エーテル、ビス−（４−ヒドロキシ−３−フルオ
ロフェニル）エーテル、ビス−（４−ヒドロキシ−３−
ブロモフェニル）エーテル、ビス−（４−ヒドロキシナ
フチル）エーテル、ビス＝（４−ヒドロキシ−３−クロ
ロナフチル）エーテル、ビス−（２−ヒドロキシジフェ
ニル）エーテル、４，４′−ジヒドロキシ−２，６−シ
メトキシジフエニルエーテル、および４．４′−ジヒド
ロキシ−２，５−ジェトキシジフェニルエーテルなどの
ようなジ（ヒドロキシフェニル）エーテル類などが含ま
れる。

好ましい二価多核フェノールは次式により示される： ここでＡとＡ、とは前に定義した通りであり、Ｘとｙと
はＯから４を含めた値を有し、モしてＲ６は２価の飽和
脂肪族炭化水素基、特に１〜３個の炭素原子をもつアル
キレン基とアルキリデン基、および１０個までの炭素原
子をもつシクロアルキレン基である。もつとも好ましい
二価フェノールはビスフェノールＡ１すなわち２．２′
−ビス−（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンである。

縮合剤としては、用いられた特定の７エノールと縮合す
るなら、どんなアルデヒドを使用してもよく、これらに
はホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンア
ルデヒド、ブチルアルデヒド、ヘプタアルデヒド、シク
ロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、シクロペンタ
ノン、ベンズアルデヒド、およびトルイルアルデヒドの
ようなアルキル核置換べ／ズアルデヒド、ナフトアルデ
ヒド、フルフラアルデヒド、グリオキサール、アクロレ
イン、あるいはバラホルムアルデヒド、ヘキサメチレン
テトラミンのようなアルデヒドを発生しうる化合物など
がある。アルデヒド類はまた市販のホルマリンのような
水溶液の形で用いることができる。好ましいアルデヒド
はホルムアルデヒドである。

ハローエポキシアルカンは次の式で表わすことができる
： ここでＸはハロゲン原子、例えば塩素、臭素などであり
、ｐは１〜８の整数であり、それぞれのＲ３は独立して
水素または７個までの炭素原子のアルキル基であり、こ
こでエポキシのアルキル基中の炭素原子の総数は１０個
より大きくないものである。

エピクロロヒドリンから導かれるような、グリシジルエ
ーテルが本発明の実施に特に好ましいのであるが、炭素
原子数がより大きいエポキシ−アルコキシ基を含むエポ
キシポリマもまた適しでいる。これらはエピクロロヒド
リンの代りに、相当するモノヒドロキシエポキシアルカ
ンの塩化物または臭化物例えば１−クロロ−２，３−エ
ポキシブタン、１−クロロ−３，４−エポキシブタン、
２−クロロ−３，４−エポキシブタン、１−クロロ−２
−メチル−２，３−エポキシプロパン、ｌ−ブロモ−２
，３−エポキシペンタン、２−クロロメチル−１，２−
エポキシブタン、■−ブロモー４−メチルー３．４−二
ポキシペンタン、ｌ−ブロモ−４−エチル−２，３−エ
ポキシペンタン、４−クロロ−２−メチル−２，３−エ
ポキシペンタン、１−クロロ−２，３−エポキシオクタ
ン、１−クロロ−２−メチル−２，３−エポキシオクタ
ン、または１−クロロ−２，３−エポキシデカンなどで
置き変えることにより作られる。前述のものよりも炭素
原子数の大きい、ハロエポキシアルカンを用いることも
できるけれども、総数で１０個より多い炭素原子をもつ
ものを使用する利点は一般的にない。

本発明で用いられる好ましいエポキシ化されたノボラッ
クは以下の式で表わされる：、：　レバＥＰＩ−ＲＥＺ
　５ｕｓｏ　８　ヨヒＩＮＴＥＲＥＺ　ＣＭＤ２５１０
＠の商品名で市販品として入手することができる。

前述の形式のハローエポキシアルカンのポリエポキシド
と、前記の多核二価フェノールに加えて、他のものも用
いることができる。この群の好ましいポリエポキシドは
、エビクロロヒドリンとビスフェノールＡ１すなわち２
．２−ビス−（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンとの
ポリエポキシドである。

フォトレジスト組成物はまた通常光開始剤を含んでおり
、一般に約Ｃ、１〜約ｌＯ重量％、好ましくは約Ｃ、５
〜約５重量％の量である。適当な光開始剤は良く知られ
ており、そしてオニウム塩特にビリリウム、セレノニウ
ム、スルホニウムおよびヨードニウムのような第ＶＩＡ
族と第■Ａ族塩が含まれる。適当な各種の光開始剤が米
国特許第４，１６１．４７８号；同第４．４４２．１９
７号；同第４．１３９，６５５号；同第４，４０Ｃ、５
４１号；同第４．１９７．１７４号−同第４，１７３．
４７６号；および同第４．２９９．９３８号そして欧州
特許出願第８４／　００９４９１４号および同第８４１
０１２６７１２号中に述べられており、この記述を参考
にここに挙げておく。

またＷａｔｔ氏他の「カチオン性重合の新規な光開始剤
：ビス（４−（ジフェニルスルホニオ）フェニルツース
ルフィド−ビス−へキサフルオロホスフェートの調製と
特性Ｊ　、Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆＰｏｌｙｍｅｒＳｃ
ｉｅｎｃｅ二ＰｏｉｙｍｅｒＣｈｅｍｉｓｔｒｙＥｄｉ
ｔｉｏｎ箆、　ｐ、１７８９．１９８０を参照されたい
。

スルホニウム塩とヨードニウム塩に関する別の論文は、
例えばＰａｐｐａｓ氏他の「カチオン性重合の光開始、
第■報シフ゛エニルヨードニウムとトリフェニルスルホ
ニウム塩の光増感性」、Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｒ＋ｃｅ　：　　Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ　　Ｃｂｅｍｉ−ｓｔｒｙ　Ｅｄｉｔｉｏｎ、　　
２２．　　ｐｐ、７７−８４．　１９８４　；　Ｃｒ１
ｖｅｌｌ。

氏他の「トリアリールスルホニウム塩により光開始され
たカチオン性重合Ｊ　、Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆＰｏｌ
ｙｍｅｒ　５ｃｉｅｎｃｅ　：　Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ　Ｅｄｉｔｉｏｎ。

ｆ７．　ｐｐ、９７７−９９９．１９７９；　Ｃｒｌｖ
ｅｌｌｏ氏他の［トリアリールスルホニウム錯塩光開始
剤、■、新規なトリアリ・−ルスルホニウム塩光開始剤
の合成および同定と定性Ｊ　、Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆ
　ＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎｃｅ　：　Ｐｏｌｙｍｅｒ
　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｅｄｉｔｉｏｎ、　１８．　Ｈ
）、２６７７−２６９５．１９８Ｃ、８よびＣｒｌｖｅ
ｌｉｏ氏の「カチオン性重合−ヨードニウムおよびスル
ホニウム塩光開始剤Ｊ　、Ａｄｖａｎｃｅｓ　　ｉｎ　
Ｐｏｔ）＋ｍａｒ　５ｃｉｅｎｃｅ。

＃６２．　ｐｐ、１−４８などで知ることができる。

スルホニウム塩の例はアリールアシルジアルキルスルホ
ニウム塩とヒドロキシアリールジアルキルスルホニウム
塩であり、以下の式で表わされる： Ｉ （ＲＣＣ（Ｒつ、Ｓ（Ｒすｚ）”ＭＱｄ−（１）（Ｒ’
）ｄ ここでＲはＣ７〜１．の１価芳香族有機基または置換さ
れてたＣ５〜９．の１価芳香族有機基であり、Ｒ１は水
素ｓ　Ｃ１−ａのアルキルおよびこれらの混合物から選
ばれた１価の基、Ｒ２はＣ，〜４．の１個有機基、Ｒ３
は０１〜．のアルキル、ヒドロキシ、０１〜。

のアルコキシ、ハロゲンおよびニトロなどから選ばれた
１価の基　Ｒ４はＣｌ−８のアルキル基、Ｍは金属また
は半金属、Ｑはハロゲン、そしてｄは４〜６である。

ヒ ドロキシアリールジアルキルスルホニウムアリールアシ
ルジアルキルスルホニウム塩の塩の例は以下である。

例は以下である。

ＣｇＨｉ−Ｃ−ＣＨｔ−３（ＣＨｓ）ｔｓｂＦｉ感光性
組成物は乾燥フィルム状で付与することもできるし、 または連発性の稀釈剤を用いて 液体組成物として付与することもできる。

本発明の好ま しい１１成物は以下のものを含ん でいる： Ａ） ＩＮＴＥＲＥＺ ＣＭＤ２５１０［Ｆ］（８官能性のビスフ二）−ルＡエ
ポキシ） の約６９〜約７９重量％、 好ま しくは約７４重量％； Ｂ） ２官能性環状脂肪族エポキシ、 Ａｒａｌｄｉｔｅ ＣＹ−１７９８ この他の好適な光開始剤は以下である。

の約１５〜約１７！！量％、好ましくは約１６重量％　
： Ｃ）　　３官能性エポキシ、Ｔａｃｔｉｘ７４２＠の約
４〜約６重量％、好ましくは約５重量％。

本発明の方法は、セラミック基板のような所望の基板上
に、カチオン性重合可能な組成物の層を準備し、ついで
この組成物をレーザビームにより画像状に露光すること
を含んでいる。適当なレーザはパルス式色素レーザ、周
波数倍加ＹＡＧレーザ、窒素レーザ、および好ましくは
アルゴンレーザなどである。アルゴンイオンシステムは
もっとも強力な前記のレーザであり、フォトレジストの
露光のために充分な出力で連続的のモードで作動させら
れる。

例えば、所望の画像は感光性組成物を被着した基板上を
アルゴンレーザビームで走査することにより作られる。

アルゴンレーザビームからの３３６〜３６３ｎａ＋の出
力は、レーザビーム光の方向を変えることにより効果的
にレーザ光を点滅させるｓ　Ｎｅｖｐｏｒｔ　０ｐｔｉ
ｃｓ社の音響−光字（アコウストーオプチック）変調器
中を通過させられる。アルゴンレーザ光システムはＥｘ
ｃｅｌｌｏｎ社からエクセロンダイレクトイメージング
システム２０００Ｂ＠の名称のもとに、またＧｅｒｂｅ
ｒ科学器具社からＧｅｒｂｅｒ　ＬＤＩ　−１５００シ
ステム■の名称のもとに入手できる。

レーザ光は回転多面鏡上に反射され、基板を保持してい
る真空プラテン上に出力が指向される。回転多面鏡はレ
ーザ光をｙ方向に走査し、同時にプラテンはＸ方向に移
動し、両者の動きは関連させられている。コンピュータ
がボッケルセルが何時開くかを決定し、同時に多面鏡の
回転速度とプラテンの移動の速度も決定される。

アルゴンレーザの代表的な作動条件は以下の通りである
： 作動波長　　　　　：　３６５．３５１および３３３ｎ
ｍレーザ作動出力　　：２．５Ｗ 光学的通過量　　　＝４５％ 全プラテン上の露光 エネルギ　　　　　：　１００　ｍｊ／ｃがビーム走査
速度　　：　１６００インチ／秒（４１！／Ｓ）単位露
光時間 単位露光エネルギ 単位露光出力 露光プラテン速度 ：　６．２５Ｘ　１０ａｘｐ−’秒／ビクセル：　７．
８Ｘ　１ｏｅｘｐ−”　ｍｊ／ビクセル：　１２５Ｗ／
ピクセル ：　１２５Ｗ／ビクセル、 ４インチ／分（１０ｃｍ７分） アルゴンイオンレーザは、ＵＶモードで作動さ本発明の
カチオン性重合可能な組成物は、ハンダ用マスクとして
または永久的な誘電体層として用いるだめの優れた緒特
性を有している。

レーザに対する画像状露光講、カチオン性重合可能なフ
ォトレジストの未露光区域は、適当な溶剤に接触させる
ことにより除去または現像することができる。例えばポ
リエポキシドの場合は、ガンマ−ブチロラクトン、プロ
ピレンカーボネート、ジグライム、または前記のものの
混合物、同じ＜１．１．１−トリクロロエタンとプロピ
レンカーボネートあるいはガンマ−ブチロラクトンのい
ずれかとの２成分系混合物が適当である。

本発明をさらに示すために、以下非限定的の実施例が示
される二 １１色 エポキシ−ガラスラミネート体の上に、ＣＭＤ２５１０
＠（８官能性のビスフェノールＡエポキシ）の約７４重
量％；　Ａｒａｌｄｉｔｅ　ＣＹ−１７９８の約１６重
量％；　Ｔａｃｔｉｘ７４２０の約５重量％、　ＧＥＬ
ＩＶＥ１０１４＠光開始剤の約４．９％；およびＦＬＯ
ＵＲＡＤ　ＦＣ４３０■フッ素系界面活性剤の約０−ｉ
％を含んでいる、カチオ〉・性重合可能なフィルムをラ
ミネートした。

フィルムの厚みは約２ミル（０，０５１１１１）である
。

このフィルムは、エクセロングイレクトイメージングシ
ステム２０００Ｅ’■を出力２．５ワツトで使用Ｌ、約
３５１ｎｍの波長を用いてアルゴンレーザに対して画像
状露光をした。全プラテン上の露光エネルギは約１００
ｍｊ／ｃｍ”で、ビームの走査速度は約１６００インチ
／秒（４ｍ／　ｓ）である。

このレーザイメージングは優れた解像性を与え、特に厚
さ２ミル（０，０５ｉ＋ｍ）のフィルム中においてｌミ
ル（０，０２５ｍ＋＊）の線幅と間隔とが解像された。

エポキシの未露光部はガンマ−ブチロラクトン１０重量
％中で現像され、高コントラストの高解像性パターンが
得られた。

以上本発明の詳細な説明したが、本発明はさらに次の実
施態様によってこれを要約して示すことが出来る。

（１）　　フォトレジストをパターン化するために、Ａ
、カチオン性硬化可能なフォトレジストの未硬化フィル
ムを基板上に用意し： Ｂ、パターン状のレーザビームに対し前記フォトレジス
トを画像状に露光して、カチオン性重合により前記フォ
トレジストの部分を硬化し；そして Ｃ９前記フォトレジストを現像する： ことからなるパターン化方法。

（２）　　レーザはアルゴンイオンレーザである、前′
１ｌＪｌ記載の方法。

（３）アルゴンイオンレーザは約３３３〜約３６５ｒｘ
ｍの範囲で作動されるものである、前項２記載の方法。

（４）カチオン性硬化可能なフォトレジストはエポキシ
ポリマを含むものである、前項ｌ記載の方法。

（５）フィルムはまた光開始剤を含むものである、前項
４記載の方法。

（６）光開始剤はオニウム塩である、前項５記載の方法
。

（７）カチオン性硬化可能フォトレジストはエポキシ化
ノボラックポリマ、エビクロロヒドリンとビスフェノー
ルＡとからのポリエポキシド、およびこれらの混合物、
からなる群より選ばれｔ；エポキシを含むものである、
前項１記載の方法。

（８）カチオン性硬化可能なフォトレジストは８官能性
ビスフェノールＡエポキシノボラックを含むものである
、前項１記職の方法。

（９）カチオン性硬化可能フォトレジストのフィルムは
乾燥フィルムのラミネートにより前記基体上に付与され
己ものである、前項ｌ記載の方法。

（１０）カチオン性硬化可能７オトレジストのフィルム
は、 Ａ、　　ｇｔＭ性ビスフェノールＡエボキシノポラック
の約６９〜約７９重量％； Ｂ、　　２官能性環状脂肪族エポキシの約１５〜約１７
重量％； ０、　３官能性エポキシの約４〜約６重量％；Ｄ、光増
感剤の約２．９〜約６．９重量％；Ｅ、界面活性剤の０
〜約Ｃ、１５重量％；Ｆ、　　ＧＥＶＥ１０１４０のよ
うな光増感剤の約２．５〜約６．９重量％、好ましくは
約４．９よ量％ ＦＬＯｌｌＲＡＤ ＦＣ４３０［Ｆ］、 フッ素系界面活性剤 の０〜約Ｃ、１５重量％、 好ましくは約Ｃ、１重量 を含み、 前記の各分量は感光性層の固体成分 の全重量を基準としたものである、 前項ｌ 記 載の方法。

前記Ｂは式 により示されるものである、 法。

前項１０記載の方 により示されるものであり、 前記Ｃは式 ％式％ により示されるものであり、 そして前記りは

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）フォトレジストをパターン化するために、Ａ、カチ
   オン性硬化可能なフォトレジストの未硬化フィルムを基
   板上に用意し； Ｂ、パターン状のレーザビームに対し前記フォトレジス
   トを画像状に露光して、カチオン性重合により前記フォ
   トレジストの部分を硬化し；そして Ｃ、前記フォトレジストを現像する； ことからなるパターン化方法。 ２）カチオン性硬化可能フォトレジストのフィルムは、 Ａ、８官能性ビスフェノールＡエポキシノボラックの約
   ６９〜約７９重量％； Ｂ、２官能性環状脂肪族エポキシの約１５〜約１７重量
   ％； Ｃ、３官能性エポキシの約４〜約６重量％；Ｄ、光増感
   剤の約２．９〜約６．９重量％；Ｅ、界面活性剤の０〜
   約０．１５重量％； Ｆ、ＧＥＶＥ１０１４＾■のような光増感剤▲数式、化
   学式、表等があります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼ の約２．５〜約６．９重量％、好ましくは約４．９重量
   ％ Ｇ、ＦＬＯＵＲＡＤＦＣ４３０＾■、フッ素系界面活性
   剤の０〜約０．１５重量％、好ましくは約０．１重量％ を含み、前記の各分量は感光性層の固体成分の全重量を
   基準としたものである、請求項１記載の方法。 ３）前記Ｂは式 ▲数式、化学式、表等があります▼ により示されるものであり、前記Ｃは式 ▲数式、化学式、表等があります▼ により示されるものであり、そして前記Ｄは式 ▲数式、化学式、表等があります▼および ▲数式、化学式、表等があります▼ により示されるものである、請求項２記載の方法。