JPH02244905A - スイッチ回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、主として半導体集積回路化したスイッチ回路
に関し、特に、電源電圧の変化、トランジスタの特性、
抵抗値等のバラツキに伴うスイッチング電圧の変化によ
り発生する不要な過渡電圧波形を低減ならしめる手段を
提供しようとするものである。

（従来の技術） 電圧切換式スイッチ回路の従来例を第２図に示す、第２
図において、２１はスイッチ電圧作成回路ブロック、２
２はブロック２１から供給されるスイッチ電圧を受けて
異なる信号源ＳＧＡおよびＳＧＢをスイッチするスイッ
チ回路ブロック、２３はブロック２１およびブロック２
２へのバイアス供給回路ブロックである。

ブロック２１の入力端子ＩＮに印加された外部入力切換
電圧は、トランジスタＱ　２４をＯＮ、ＯＦＦし、トラ
ンジスタＱ　ｘ　ｔのベースバイアスを切換える。トラ
ンジスタＱ　２　！□はトランジスタＱ２２とエミッタ
共通の差動構成となっているので、トランジスタＱ。Ｉ
Ｑｌにのコレクタには外部入力切換電圧に応じた所定の
電圧が発生する。この電圧を利用して、ブロック２２の
異なる信号源ＳＧＡ、ＳＧＢを切換える。

一般に、ブロック２１の各素子の定数、差動トランジス
タＱ　ｚ　ｘ　＋　Ｑ　ｚ　ｚのコレクタ電圧Ｖ１．Ｖ
、、カレントソーストランジスタＱ１．のエミッタ電流
■。は、電源電圧をＶ、とじ、抵抗Ｒ，，，Ｒ，、を流
れる電流をそれぞれＩ　！ｆｆＴ　Ｌｓ−信号ｌ５ＧＡ
（ＳＧＢ）のバイアス電圧をｖ８として次の条件を満足
するように設計する。

Ｖｓ＊　Ｖｚ＜７）Ｈｉｇｈ電圧 Ｖｍ＝Ｖｃｃ−Ｒｚｓ（Ｌｓ＋Ｌｓ）＞Ｖｓ＋５ＧＡ（
ＳＧＢ）の最大振幅／２　・・・・・・・・・・・・（
１）Ｖ、、　Ｖ、のＬｓ４圧 ＶＬ＝Ｖｃｏ　　（Ｒａｇ　＋　Ｒｚ７またはＲｚ、）
（Ｉｇｔ＋　ｒ、、）＜ＶＩｌ−５ＯＡ（ＳＧＢ）（７
）最大振幅／２−（２）Ｉｇａ押（（１千μＦ８）／μ
ｐｇ）”（Ｉａｙ＋　ＬＪ弁（（１＋μｐｇ）／／Ｊｐ
Ｊ”（Ｉｓｔ８ＸＰｑＶ＋＋ｇｚ／ｋＴ＋工。ｅｘｐｑ
Ｖ□、／ｋＴ）　　　・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・（３）但し　μｍ：エミッタ接地電流増幅
率 ｑ：電子の電荷量 に：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度 また、同時にスイッチング時に発生する不要な過渡電圧
波形を低減するため、Ｖ、＝Ｖ、となる時のスイッチン
グ電圧をＶ、とすると１次の（４）、　（５）式も満足
させる必要がある。

Ｖｇ＝Ｖｇ＝Ｖｃｃ−Ｒｚｇ（Ｉｚｙ　＋　Ｌｓ）　　
ＲａｙＬｔ　　−（４）Ｖｓ＝Ｖａａ−Ｒａｇ（Ｉｘｔ
＋Ｉ＊ｓ）　　Ｒ，Ｉｓｓ　　”’　（５）なお、第２
図において、ＲｏないしＲ１，Ｒ１゜ないしＲ２＃は抵
抗＊　ｏ、、、　Ｉ）ａｘはダイオード、Ｑ□ないしＱ
３２はトランジスタ、Ｃ，１，０２ｍはコンデンサであ
る。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、従来の設計例における実際のスイッチ回
路においては、　トランジスタのＩ８やＶ□１μｍ、抵
抗の値のバラツキのない、また、ｖｏ。や入力信号源振
幅レベルの変動のない状態において、各素子の定数を決
め得ても、バラツキ。

変動を含めた状態においても、常に前記の（１）式ない
しく５）式を満足させることは極めて困難であり、過渡
電圧の発生は許容せざるを得なかった。

本発明は、このような過渡電圧を防止する簡略なスイッ
チの一手段を提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 上記問題点を解決するために、本発明は、複数のカレン
トミラー回路のダイオード接続の部分への印加電流を切
換えることによりカレントソースを選択し、カレントソ
ースに接続された異なる信号源を選択するようにしたス
イッチ回路を構成したものである。

（作　用） 上記構成により、カレントミラー回路のダイオード接続
の部分への印加電流切換後は、従来の電圧式切換でなく
電流式切換構成となる。

（実施例） 第１図に本発明の一実施例を示す１図において、１はカ
レントミラー回路ブロックであり、複数（図の場合は２
つ）のカレントミラー回路を有している。２は印加電流
切換えブロックであり、電流切換出力トランジスタＱ、
、　Ｑ、のコレクタは、それぞれブロック１のカレント
ミラーのダイオード接続トランジスタＱ、、Ｑ、のアノ
ード側およびカレントソーストランジスタＱ□Ｑ工。の
ベースへ接続している。３はスイッチ回路ブロックであ
り。

ブロック１のカレントソースの作動に応じて異なる信号
源ＳＧＡ、ＳＧＢを切換えている。４はバイアスブロッ
クであり、ブロック１，２．３にバイアスを供給してい
る。

以下に、回路動作を詳述する。ブロック２のトランジス
タＱ、のベース、即ち入力端子ＩＮに印加された外部入
力切換電圧に応じて、トランジスタＱ、はＯＮ、０ＦＦ
Ｌ、トランジスタＱ１のベースバイアスを切換える。ブ
ロック１への印加電流源であるトランジスタロ工ＨＱ２
はエミッタが共通接続しているので、ベースバイアスの
変化に応じて交互にＯＮ、ＯＦＦが切換えられ、ブロッ
ク１のダイオード接続トランジスタＱ２ｔＱ４への印加
電流が選択される。ブロック１ではトランジスタＱ、と
トランジスタＱ！およびトランジスタＱ４とトランジス
タロ工。がそれぞれペアでカレントミラー回路を構成し
ているので１選択されたトランジスタＱ、またはトラン
ジスタＱ４に応じてカレントソーストランジスタＱ、ま
たはトランジスタＱ、。

がそれぞれ選択され、動作する。ブロック３の信号源切
換回路では、信号源ＳＧＡのバッファトランジスタＱ、
のエミッタがトランジスタＱ、のコレクタへ、ＳＯＢの
バッファトランジスタＱ、のエミッタがカレントソース
トランジスタＱ工。のコレクタへ接続されているので、
選択されたカレントソーストランジスタｑｓ＋ＱＬｏの
作動に応じてトランジスタＱ、またはトランジスタＱ、
が作動し。

それぞれダイオードＤ１またはダイオードＤ２を通して
出力端ＯＦＴへ信号が選択出力される。

以上の実施例では１選択された信号源はＳＧＡおよびＳ
ＧＢの２種類のみを例としたため、印加電流源、カレン
トミラーはそれぞれ２組となっているが、ｎ種類Ｃｎｘ
Ｎ数≧２）の信号源の選択でも同様で、印加電流源選択
回路、カレントミラーをｎ組用意すればよい。

なお、第１図において、艮□ないしＲＬ６は抵抗、Ｄｌ
、　Ｄ、はダイオード、Ｑ工、ないしＱ、□はトランジ
スタ、Ｃ，、Ｃ２はコンデンサである。

（発明の効果） 以上のように１本発明は、入力端子ＩＮに印加された外
部入力切換電圧をカレントミラー回路を使って電流切換
えをすることにより、トランジスタの諸特性や抵抗値の
バラツキ、信号源の波形振幅レベルＴ　ＶＣＣの変動に
無関係にスイッチ動作を可能としており、従来の電圧切
換式スイッチ回路で発生した不要な過渡電圧波形の発生
を防止し、かつ簡単な回路構成で効果大なるものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図は従来の電
圧切換式スイッチ回路の一例を示す図である。 １・・・カレントミラー回路のブロック、　　２・・・
印加電流切換えブロック、　　３・・・スイッチ回路ブ
ロック、　４・・・バイアスブロック。 Ｑ・・・トランジスタ、　Ｄ・・・ダイオード、Ｒ・・
・抵抗、　Ｃ・・・コンデンサ。 特許出願人　松下電器産業株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数のカレントミラー回路のダイオード接続の部分への
   印加電流を切換えることによりカレントソースを選択し
   、カレントソースに接続された異なる信号源を選択する
   ようにしたことを特徴とするスイッチ回路。