JPH02225315A

JPH02225315A - ＭｇＦ↓２膜の製造方法及び低反射膜の製造方法

Info

Publication number: JPH02225315A
Application number: JP1041862A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Morimoto; 剛森本; Yasuhiro Sanada; 恭宏真田
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1989-02-23
Filing date: 1989-02-23
Publication date: 1990-09-07
Anticipated expiration: 2009-11-09
Also published as: JPH0688779B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明はＭｇＦ　ｚ膜の製造方法及び低反射膜の製造方
法に関するものである。

［従来の技術］低反射膜のコーティング法は従来より光学的機器におい
てはいうまでもな（、民生用機器特にＴＶ、コンピュー
タ端末の陰極線管（ＣＲＴ）に関し多く検討がなされて
きた。

従来の方法は例えば特開昭６１−１１８９３１号記載の
如くブラウン管表面に防眩効果をもたせる為に表面に微
細な凹凸を有するＳｉＯ□層を付着させたり、弗酸によ
り表面をエツチングして凹凸を設ける等の方法が採られ
てきた。しかし、これらの方法は外部光を拡散反射させ
るノングレア−処理と呼ばれ、本質的に低反射層を設け
る手法でない為１反射率の低減には限界があった。

また安定な低屈折率物質であるＭｇＦ２を真空蒸着等物
理的な手段によってレンズ、ガラス表面に付着させる試
みも行なわれているが、この方法では装置費が高く、或
いはＣＲＴ完成球の様な大きな被付着物を真空チャンバ
ー内に収納するのが困難であるという欠点があった。

［発明の解決しようとする課題］本発明の目的は従来技術が有していた前述の欠点を解決
し、化学的手法により簡便で安定且つ優れた低反射特性
を有するＭｇＦ　＋＋膜の製造方法を新たに提供するこ
とによる。

［課題を解決するための手段］即ち、本発明はＭｇＸｔ　（Ｘ　＝フッ素を除くハロゲ
ン元素）及びＢＦ、ｊ！塩を含む液体を基体上に塗布し
た後、加熱して、ＭｇＦ２膜を製造することを特徴とす
るＭｇＦｉ膜の製造方法、及び基体上に単層又は多層膜
からなり、そのうち少なくとも一層がＭｇＦｉ膜である
低反射膜を形成する方法において、該ＭｇＦａ膜を、Ｍ
ｇＸ２（Ｘ＝７ツ素を除くハロゲン元素）及びＢＦ、錯
塩を含む液体を基体上に塗布した後、加熱することによ
って形成することを特徴とする低反射膜の製造方法を新
たに提供するものである。

本発明においてはＭｇＸｘ　（Ｘ　＝フッ素を除くハロ
ゲン元素）と、フッ素化剤として１作用するＢＦ２錯塩
によってＭｇＦ　ｇが生成すると考えられ、この反応は
ＭｇＸ　＊及びＢＦ３錯塩の出発物質を溶媒に分散或は
溶解させ、更に加熱することによって容易に進行する。

出発物質のｍｇｘ、とじては、ＭｇＣｌ２．ＭｇＢｒｔ
、ＭｇＩｚ等が使用可能であるが、　ＭｇＣ１ｇが上記
（１）式の反応が最も容易に進行するので特に好ましい
。

また、ＢＦ、錯塩としては種々のものが使用可能である
が、好ましくはアルキルエーテル錯塩、アルコール錯塩
、水溶液錯塩が挙げられ、特に好ましくはエチルエーテ
ル錯塩、メタノール錯塩、エタノール錯塩、酢酸錯塩が
挙げられる。

溶媒としては特に限定されないが、水、水溶液、アルコ
ール、エステル、エーテル、或いはプロピレンカーボネ
ート、γ−ブチロラクトン等有機高誘電率溶媒が使用可
能である。

又、出発物質の溶媒中での安定性も考慮すると、溶媒と
しては、アルコール、特にメタノール、エタノール、プ
ロパツール、ブタノール等が好ましい。

出発物質は前記ＭｇＸ　ｚとＢＦ３錯塩のモル比が１：
２〜４；１の範囲特には１：１〜２：ｌの範囲が好まし
く、また前記出発物質は溶媒に対して１〜３０ｗｔ％含
まれていることが好ましい。

又、本発明において用いる溶液には、膜の（」看強度及
び硬度を向上させるためにバインダーとして５Ｌ（ＯＲ
１，（Ｒ：アルキル基）等を添加してＳｔｏｗを同時に
析出させたり、又、基体とのぬれ性を上げる為の界面活
性剤として種々のものが使用し得るが、例えば直鎖アル
キルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキルエーテル
硫酸エステル等を添加してもよい。

又、導電性付与を目的として、導電性を有する金属酸化
物（例えばＳｎＯ，、Ｓｎを含むＩｎ２ｏｚ（ＩＴＯ）
等）を形成し得る金ｉ（例えば、Ｓｎ、　Ｉｎ等）のア
セチルアセトネート、アルコキシド等の有機金属塩、ハ
ロゲン化物、酢酸塩、硝酸塩あるいはキレート化合物な
どの金属塩を本発明において用いるＭｇＸ　＊とＢＦ、
錯塩を含む液体に添加し、ＳｎｏｗやＳｎを含むＩｎＪ
−（ＴＴＯ）等を同時に析出させることも可能である。

加熱温度は５０℃以上が必要であるが、上限は通常は基
板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化点によっ
て決定される。この点も考慮すると、好ましい温度範囲
は１００〜４００℃である。

膜の基板上への付着法はスピンコード法、デイツプ法、
スプレー法、ロールコータ−法、メニスカスコーター法
等種々考えられるが、特にスピンコード法は量産性、再
現性に優れ好ましく採用可能である。かかる方法によっ
て１００人〜１μｍ程度の膜厚のＭｇＦ　２膜を形成可
能である。

本発明においてｙｇＦ２膜及びＭｇＦｚを含む低反射膜
を形成する基体としては、特に限定されるものではなく
、目的に応じてソーダライムシリケートガラス、アルミ
ノシリケートガラス、硼珪酸塩ガラス、リチウムアルミ
ノシリケートガラス、石英ガラスなどのガラス、鋼玉等
の単結晶、マグネシア、サイアロン等の透光性セラミッ
クス、ポリカーボネート等のプラスチックなどが使用で
きる。

本発明のＭｇＦ２膜の製造方法は、ＭｇＦ　２膜を含む
多層の低反射膜の製造にも応用できる。反射防止性能を
有する多層の低反射膜の構成としては、反射防止したい
波長をλとして、基体側より、高屈折率層−低屈折率層
を光学厚みλ７２〜λ／４で形成した２層の低反射膜、
基体側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学
厚みχ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低反射膜
、基体より低屈折率層−中屈折率層一高屈折率層一低屈
折率層を光学厚みλ／４−λ／４−え／２−λ／４で形
成した４層の低反射膜等が典型的な例として知られてお
り、本発明においては、低屈折率層としてＭｇＦ　＊膜
（ｎ　＝　１．３８）を用いた多層の低反射膜を製造す
ることも可能である。

又、ブラウン管（ＣＲＴ）や前面パネル等において指摘
されている、ＣＲＴ動作中に発生する静電気により表面
が帯電し、人体との間で放電を起こしたり、はこりが吸
着しやすいという問題の解決策として、低反射膜の一層
を透明で導電性を有する材料で構成したものが知られて
いるが、かかる導電性を有する低反射膜の製造にも適用
できる０例えば、基体／ＳｎＯ□／ＭｇＦｚ、基体／　
ＩＴＯ／　ＭｇＦｚ等の低反射膜も形成できる。

［実施例］実施例１ＭｇＣ１ｔとＢＦ、・ＭｅＯ）Ｉ錯塩をモル比で３：２
且つ、総量が、前記溶媒に対し濃度が５重量％となる様
に添加し、溶解させた。

ガラス基板をこの溶液中に浸漬塗布し、更にスピンコー
ターで回転数３０００ｒｐｍでコーティングした。この
ガラス基板を空気中２５０℃で３０分間焼成して９６０
人のＭｇＦｚ膜を形成した後、波長３６０〜７００　（
ｎｍ）に於ける片面反射率を測定した。

実施例２焼成（温度を１５０℃とした以外は実施例１と同様の方
法で、ＭｇＦ２膜（１１５０人）を形成した。

実施例３溶媒にメタノール−ブタノール（体積比１：１）溶媒を
用いた以外は実施例１と同様の方法で、ＭｇＦ２膜（膜
厚１０００人）を形成した。

実施例４スピンコーターの回転数を３００ｒｐＩＩ＋とした以外
は実施例１と同様にして、　Ｍｇｌ”２膜（膜厚１２　
ｆｌ　０人）を形成した。

実施例５メタノール、水からなる溶媒（体積比ｌ：１）に対し、
５ｎＣ１４，５ｂＣ１ｓを溶媒に対し、各々２．０．２
ｗｔ％になるように添加し溶解した溶液に、ガラス基板
を浸漬塗布し、更にスピンコーターで３０００ｒｐｍで
コーティングした後、空気中４００℃で３０分間焼成し
て１１００人の５ｎＯ−膜を形成した０次に実施例１と
同様の方法でコーティングし　９６０人のＭｇＦ　＊膜
を形成した。

比較例未処理のガラス基板の反射率を実施例１と同様に測定し
た。

実施例１〜５及び比較例の測定結果として波長５２０　
（ｎｍ）に於ける反射率を表１に示す。

表　　１手続補正書［発明の効果］本発明によれば、ＭｇＸ１とＢＰ−ｔａ塩を含む液体を
基体上にスプレー又はスピンコード、あるいは液体中に
基体を浸漬するなどの簡便な方法により、効率良（、優
れたＭｇＦ　ｚ膜及びＭｇＦｔ膜を含む低反射膜を提供
することが可能となる。

本発明は、生産性に優れ、かつ、真空を必要としないの
で装置も比較的簡単なもので良い。

特にＣＲＴのフェイス面等の大面積の基体にも十分適用
でき、量産も可能であり、工業的価値は非常に高い。

１、事件の表示平成１年特許願第４１８６２号２、発明の名称Ｍ　ｇ　Ｆ　２膜の製造方法及び低反射膜の製造方法３
、補正をする者事件との関係　　特許出願人住　所　　東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称　
（００４）旭硝子株式会社自発補正ｒ　３　Ｍ　ｇ　Ｘ　ｚを挿入する。

＋　２８　Ｆ　ａ→３ＭｇＦｇ　＋２ＢＸ３Ｔ・・（１）」

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＭｇＸ＿２（Ｘ＝フッ素を除くハロゲン元素）及
びＢＦ＿３錯塩を含む液体を基体上に塗布した後、加熱
して、ＭｇＦ＿２膜を製造することを特徴とするＭｇＦ
＿２膜の製造方法。
（２）基体上に単層又は多層膜からなり、そのうち少な
くとも一層がＭｇＦ＿２膜である低反射膜を形成する方
法において、該ＭｇＦ＿２膜を、ＭｇＸ＿２（Ｘ＝フッ
素を除くハロゲン元素）及びＢＦ＿３錯塩を含む液体を
基体上に塗布した後、加熱することによって形成するこ
とを特徴とする低反射膜の製造方法。
（３）基体上に透明導電膜を形成し、次いで、その上に
ＭｇＸ＿２（Ｘ＝フッ素を除くハロゲン元素）及びＢＦ
＿３錯塩を含む液体を基体上に塗布し、加熱してＭｇＦ
＿２膜を形成することにより、２層からなり等電性を有
する低反射膜を形成することを特徴とする請求項２記載
の低反射膜の製造方法。
（４）ＢＦ＿３錯塩が、ＢＦ＿、アルキルエーテル錯塩
、ＢＦ＿３フェノール錯塩、ＢＦ＿２アルコール錯塩、
ＢＦ＿３水溶液錯塩のうちから選ばれる少なくとも１種
であることを特徴とする請求項１記載のＭｇＦ＿２膜の
製造方法又は請求項２又は３記載の低反射膜の製造方法
。