KR920700408A - MgF₂박막 및 저반사막의 형성 방법 - Google Patents

MgF₂박막 및 저반사막의 형성 방법

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Abstract

내용 없음

Description

MgF2박막 및 저반사막의 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (19)

  1. Mg염 및 BF3착염을 함유하는 액체를 기재상에 도포한 후, 가열하여, MgF2박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 MgF2의 박막형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, MgX2(X=불소를 제외한 할로겐 원소) 및 BF3착염을 함유하는 액체를 기재상에 도포한 후, 가열함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 MgF2박막의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, BF3착염이, BF3알킬에테르 착염, BF3페놀착염, BF3알콜착염, BF3수용액 착염 중에서 선택되는 1종 이상임을 특징으로 하는 MgF2의 박막의 형성 방법.
  4. Mg염과 BF3착염과의 반응에 의해서 생성된 MgF2졸을 함유하는 액체를 기재 상에 도포한 후 가열하는 것을 특징으로 하는 MgF2의 박막의 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, Mg 염과 BF3착염과의 반응에 의하여 생성된 MgF2졸을 함유하는 용액에 규소화합물을 혼입한 액체를 기재 위에 도포한 후, 가열하는 것을 특징으로 하는 MgF2의 박막의 형성 방법.
  6. 제4항 내지 제5항 중 어느 한항에 있어서, Mg 염과 BF3착염과의 반응에 의하여 생성된 MgF2졸을 함유하는 용액에 전도성 산화물 미세분말 또는 전도성 산화물 미세분말을 형성할 수 있는 금속염을 첨가한 액체를 기재상에 도포한 후, 가열하는 것을 특징으로 하는 MgF2박막의 형성 방법.
  7. 제4항 내지 제6항중 어느 한항에 있어서, Mg염이 일반식 MgX2(X=불소를 제외한 할로겐 원소)로 표시되는 할로겐화물에서 선택되는 1종 이상의 염으로 이루어짐을 특징으로 하는 MgF2박막의 형성 방법.
  8. 제4항에 있어서, Mg 염과 BF3착염과의 반응에 의하여 생성된 MgF2졸을 함유하는 액체와, 규소화합물, 지르코늄 화합물, 티타늄 화합물, 알루미늄 화합물 및 주석 화합물 중에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 액체를 혼합한 액체를 기재상에 도포한 후 가열하는 것을 특징으로 하는 MgF2박막의 형성 방법.
  9. 기재상에 단층 또는 다층막을 이루며, 그중 1층 이상이 MgF2박막인 저반사막을 형성하는 방법에 있어서, 이 MgF2박막을, Mg염과 BF3착염을 함유하는 기재상에 도포한후, 가열함으로서 형성하는 것을 특징으로 하는 저반사막의 형성방법.
  10. 기재상에 단층, 또는 다층막을 이루고, 그중 1층 이상이 MgF2막인 저반사막을 형성하는 방법에서, 이 Mg 염과 BF3착염과의 반응에 의하여 생성된 MgF2졸을 함유하는 액체를 기재상에 도포한후 가열하여 형성하는 것을 특징으로 하는 저반사막의 형성 방법.
  11. 제9항에 내지 제10항중 어느 한항에 있어서, BF3착염이, BF3알킬에테르 착염, BF3페놀착염, BF3알콜착염, BF3수용액 착염 중에서 선택되는 1종 이상임을 특징으로 하는 저반사막의 형성 방법.
  12. 제9항에 있어서, 기재상에 단층 또는 다층막을 이루고, 그중 적어도 1층이 MgF2박막인 저반사막을 형성하는 방법에 있어서, 이 MgF2박막을 MgX2(X=불소를 제외한 할로겐 원소) 염 및 BF3착염을 함유하는 액체를 기재상에 도포한 후, 가열하여 형성하는 것을 특징으로 하는 저반사막의 형성방법.
  13. 제10항에 있어서, 기재상에 단층 또는 다층막을 이루고, 그중 적어도 1층이 MgF2박막인 저반사막을 형성하는 방법에 있어서, 이 MgF2박막을, MgX(X=불소를 제외한 할로겐 원소) 염 및 BF3착염과의 반응에 의하여 생성된 MgF2졸을 함유하는 액체를 기재상에 도포한 후 가열하는 것을 특징으로 하는 저반사막의 형성 방법.
  14. 제9항에 있어서, 기재상에 단층 또는 다층막을 이루고, 그중 1층 이상이 MgF2를 함유하는 막인 저반사막을 형성하는 방법에서, 이 MgF2를 함유하는 막이 Mg 염과 BF3착염을 함유하는 액체와, 규소 화합물, 지르코늄 화합물, 티타늄 화합물, 알루미늄 화합물 및 주석 화합물 중에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 액체를 혼합한 액체를 기재상에 도포한 후, 가열함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 저반사막의 형성방법.
  15. 제10항에 있어서, 기재상에 단층, 또는 다층막을 이루고, 그중 1층 이상이 MgF2를 함유하는 막인 저반사막을 형성하는 방법에서, 이 MgF2를 함유하는 막이 Mg 염과 BF3착염과의 반응에 의하여 생성된 MgF2졸을 함유하는 액체와, 규소화합물 지르코늄 화합물, 티타늄 화합물, 알루미늄 화합물 및 주석 화합물중에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 액체를 혼합한 액체를 기재 위에 도포한 후, 가열함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 저반사막의 형성방법.
  16. 제9항에 있어서, 기재상에 투명전도막을 형성하고, 이어서 그위에 MgX2(X=불소를 제외한 할로겐 원소) 염 및 BF3착염을 함유하는 액체를 기재위에 도포하고, 가열하여 MgF2박막을 형성함으로써 2층 이상을 이루고 전도성을 갖는 저반사막을 형성하는 것을 특징으로 하는 저반사막의 형성방법.
  17. 제10항에 있어서, 기재상에 투명 전도막을 형성하고, 이어서, 그위에 Mg 염과 BF3착염과의 반응에 의하여 새성된 MgF2졸을 함유하는 액체를 기재상에 도포하고, 가열하여 MgF2박막을 형성함으로써 2층 이상을 이루고 전도성을 갖는 저반사막을 형성하는 것을 특징으로 하는 저반사막의 형성방법.
  18. 제1항 내지 제8항중 어느 한항에 있어서, MgF2박막을 형성한 유리물품.
  19. 제9항 내지 제17항 중 어느한항에 있어서, 저반사막을 형성한 유리물품.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900702317A 1989-02-23 1990-02-23 MgF₂박막 및 저반사막의 형성 방법 KR920700408A (ko)

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JP1-85740 1989-04-06
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