JPH02278201A - MgF↓2膜の製造方法及び低反射膜の製造方法 - Google Patents
MgF↓2膜の製造方法及び低反射膜の製造方法Info
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- JPH02278201A JPH02278201A JP1098764A JP9876489A JPH02278201A JP H02278201 A JPH02278201 A JP H02278201A JP 1098764 A JP1098764 A JP 1098764A JP 9876489 A JP9876489 A JP 9876489A JP H02278201 A JPH02278201 A JP H02278201A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
本発明はブラウン管等に適用されるMgFgJlの製造
方法及び低反射膜の製造方法に関するものである。
方法及び低反射膜の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
低反射コーティング法は従来より光学的機器においては
いうまでもなく、民生用機器特にTV、コンピュータ端
末の陰極線管(CRT)に関し多(検討がなされてきた
。
いうまでもなく、民生用機器特にTV、コンピュータ端
末の陰極線管(CRT)に関し多(検討がなされてきた
。
従来の方法は例えば特開昭61.一層18931号記載
の如くブラウン管表面に防眩効果をもたらす為に微細な
SiO□層を付着させたり、弗酸により表面をエツチン
グして凹凸を設ける等の方法が取られてきた。しかし、
これらの方法は外部光を拡故反射させるノングレア−処
理と呼ばれ、本質的に低反射層を設ける手法でない為、
反射率の低減には限界があった。
の如くブラウン管表面に防眩効果をもたらす為に微細な
SiO□層を付着させたり、弗酸により表面をエツチン
グして凹凸を設ける等の方法が取られてきた。しかし、
これらの方法は外部光を拡故反射させるノングレア−処
理と呼ばれ、本質的に低反射層を設ける手法でない為、
反射率の低減には限界があった。
また、安定な低屈折率物質であるMgFzを真空蒸着等
物理的な手段によってレンズ、ガラス表面に付着させる
試みも成されているが、この方法では装置費が高く、或
はCRT完成球のような大きな被付着物を真空チャンバ
ー内に収納するのが困難であるという欠点があった。
物理的な手段によってレンズ、ガラス表面に付着させる
試みも成されているが、この方法では装置費が高く、或
はCRT完成球のような大きな被付着物を真空チャンバ
ー内に収納するのが困難であるという欠点があった。
[発明の解決しようとする課題]
本発明の目的は従来技術が有していた前述の欠点を解消
し、化学的手法により簡便で安定且優れた低反射特性を
有するMgFg膜の製造方法を新たに提供することにあ
る。
し、化学的手法により簡便で安定且優れた低反射特性を
有するMgFg膜の製造方法を新たに提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段]
即ち、本発明はxgL(X:フッ素を除くハロゲン元素
)とZF (Z :NH,,4級アンモニウム、アルカ
リ金属)を含む含MgFa溶液、或は該含MgF2溶液
より得られるMgFgを含む溶液を基体上に塗布、加熱
することを特徴とするMgFg膜の製造方法、及び基体
上に単層又は多層膜からなり、そのうち少なくとも一層
がMgFg膜である低反射膜を形成する方法において、
該MgF *膜を、MgX2(X:フッ素を除くハロゲ
ン元素)とZF(Z:NH4,4級アンモニウム、アル
カリ金属)を含む含MgFz溶液、或は該含MgFz溶
液より得られるNl g F 2を含む溶液を基体上に
塗布、加熱することにより、形成することを特徴とする
低反射膜の製造方法を提供するものである。
)とZF (Z :NH,,4級アンモニウム、アルカ
リ金属)を含む含MgFa溶液、或は該含MgF2溶液
より得られるMgFgを含む溶液を基体上に塗布、加熱
することを特徴とするMgFg膜の製造方法、及び基体
上に単層又は多層膜からなり、そのうち少なくとも一層
がMgFg膜である低反射膜を形成する方法において、
該MgF *膜を、MgX2(X:フッ素を除くハロゲ
ン元素)とZF(Z:NH4,4級アンモニウム、アル
カリ金属)を含む含MgFz溶液、或は該含MgFz溶
液より得られるNl g F 2を含む溶液を基体上に
塗布、加熱することにより、形成することを特徴とする
低反射膜の製造方法を提供するものである。
本発明の特徴はMgX2(X+フッ素を除くハロゲン元
素)とZF CZ、 :NH4、4級アンモニウム、ア
ルカリ金属)(以下MgX zとZFをまとめて出発物
質と呼5)を含む含MgFa溶液、或は該含MgFi溶
液より得られるMgF2を含む溶液を用いてMgF *
膜を形成する点にある。本発明においては下式の反応に
基づいてMgFiが生成すると考えられる。
素)とZF CZ、 :NH4、4級アンモニウム、ア
ルカリ金属)(以下MgX zとZFをまとめて出発物
質と呼5)を含む含MgFa溶液、或は該含MgFi溶
液より得られるMgF2を含む溶液を用いてMgF *
膜を形成する点にある。本発明においては下式の反応に
基づいてMgFiが生成すると考えられる。
MgL+ 22F−MgF2+ 2 ZX ・・・・(
1)上記反応は出発物質を各々溶媒に溶解し一方を他方
に添加することで容易に進行する。出発物質のMgX1
としては、MgC1z、MgBra、MgIzなどが使
用可能であるが、MgC1□が上記(11式の反応が最
も容易に進行するので特に好ましい。又、ZFとしては
LiF、NaF、KF、NH,F、R,NF (R:ア
ルキル基)等が使用可能であるが、中でもNH,Fが上
記(1)式の反応が進行し易いので好ましい。
1)上記反応は出発物質を各々溶媒に溶解し一方を他方
に添加することで容易に進行する。出発物質のMgX1
としては、MgC1z、MgBra、MgIzなどが使
用可能であるが、MgC1□が上記(11式の反応が最
も容易に進行するので特に好ましい。又、ZFとしては
LiF、NaF、KF、NH,F、R,NF (R:ア
ルキル基)等が使用可能であるが、中でもNH,Fが上
記(1)式の反応が進行し易いので好ましい。
溶媒としては特に限定されないが、水、アルコール、エ
ステル、エーテルあるいはプロピレンカーボネート、γ
−ブチロラクトン等有機高誘電率溶媒が使用可能である
。
ステル、エーテルあるいはプロピレンカーボネート、γ
−ブチロラクトン等有機高誘電率溶媒が使用可能である
。
(1)式の反応は、固相でも進行するので、出発物質が
溶媒中に溶解せずに固まりとなって分散した状態でも、
加熱することによって進行するが、均一な膜ができに(
いこと、又、膜の基体に対する十分な付着強度が得にく
いことから、出発物質が溶解した溶液を用いるほうが好
ましい。又、出発物資の溶媒中での安定性も考慮すると
、溶媒としては、水、アルコール、特にメタノール、エ
タノール、プロパツール、ブタノール等が好ましい。
溶媒中に溶解せずに固まりとなって分散した状態でも、
加熱することによって進行するが、均一な膜ができに(
いこと、又、膜の基体に対する十分な付着強度が得にく
いことから、出発物質が溶解した溶液を用いるほうが好
ましい。又、出発物資の溶媒中での安定性も考慮すると
、溶媒としては、水、アルコール、特にメタノール、エ
タノール、プロパツール、ブタノール等が好ましい。
出発物質はMgLとZFをモル比”C2:1〜1:5、
特に好ましくはl:1〜1:4の割合で使用すると上記
(1)式の反応が最も効率よく進行するので好ましい。
特に好ましくはl:1〜1:4の割合で使用すると上記
(1)式の反応が最も効率よく進行するので好ましい。
又、出発物質は、MgLとZFと合せて溶媒に対して1
〜30wt%含まれていることが好ましい。又、出発物
質の溶解度が低い場合または他の物質と適量混合する際
は(1)式の反応液を濾過し、得られたMgF、ゾルを
適当な溶媒中でボールミル、サンドミル、ホモミキサー
等によって再び解膠させて使用することも可能である。
〜30wt%含まれていることが好ましい。又、出発物
質の溶解度が低い場合または他の物質と適量混合する際
は(1)式の反応液を濾過し、得られたMgF、ゾルを
適当な溶媒中でボールミル、サンドミル、ホモミキサー
等によって再び解膠させて使用することも可能である。
又、(1)式の反応生成物にはZX例えばNH4Clが
残存するが、これ自体反射性に悪影響を及ぼさない為そ
のまま使用に供し得るが、除去する必要がある場合には
(11式反応液の濾過水洗、フラッシング法(溶媒抽出
法)、イオン交換樹脂による吸着分離、昇華性を有する
場合加熱除去更には電気透析等の手法により除去し得る
。
残存するが、これ自体反射性に悪影響を及ぼさない為そ
のまま使用に供し得るが、除去する必要がある場合には
(11式反応液の濾過水洗、フラッシング法(溶媒抽出
法)、イオン交換樹脂による吸着分離、昇華性を有する
場合加熱除去更には電気透析等の手法により除去し得る
。
又、本発明におけるMgF 2膜はそれ自体でも使用し
得るが、バインダーとしてSiO□を同時に析出させる
為に、Si(OR)4(R:アルキル基)等を添加する
と膜の付着強度及び硬度が向上し特に好ましい。
得るが、バインダーとしてSiO□を同時に析出させる
為に、Si(OR)4(R:アルキル基)等を添加する
と膜の付着強度及び硬度が向上し特に好ましい。
又、基体とのぬれ性を上げる為に添加する界面活性剤と
しては種々のものが使用可能であるが、例えば直鎖アル
キルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキルエーテル
硫酸エステル等が使用し得る。
しては種々のものが使用可能であるが、例えば直鎖アル
キルベンゼンスルホン酸ナトリウム、アルキルエーテル
硫酸エステル等が使用し得る。
又、導電性付与を目的として、導電性を有する金属酸化
物(例えば、SnO□、Sbをドープした、SnO2、
Snを含むIn、0− (ITO)等)を形成しつる金
属(例えばSn、 In、 Sb等)のアセチルアセト
ネート、アルコキシド等の有機金属塩、ハロゲン化物、
酢酸塩、硝酸塩あるいはキレート化合物等の金属塩を添
加し、、SnO2、Snを含むIn*Os (ITO)
。
物(例えば、SnO□、Sbをドープした、SnO2、
Snを含むIn、0− (ITO)等)を形成しつる金
属(例えばSn、 In、 Sb等)のアセチルアセト
ネート、アルコキシド等の有機金属塩、ハロゲン化物、
酢酸塩、硝酸塩あるいはキレート化合物等の金属塩を添
加し、、SnO2、Snを含むIn*Os (ITO)
。
SbをドープしたSnug等を同時に析出させることも
可能である。
可能である。
又、別途調製したSSb−3nu、5no2あるいはI
TOの微粉を分散させたコロイド液を調製して用いるこ
とも好ましく可能である。
TOの微粉を分散させたコロイド液を調製して用いるこ
とも好ましく可能である。
加熱温度は50℃以上が必要であるが、上限は通常は基
板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化点によっ
て決定される。この点も考慮すると、好ましい温度範囲
は100〜400℃である。
板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化点によっ
て決定される。この点も考慮すると、好ましい温度範囲
は100〜400℃である。
膜の基板上への付着法はスピンコード法、デイツプ法、
スプレー法、ロールコータ−法、メニスカスコーター法
等種々考えられるが、特にスピンコード法は量産性、再
現性に優れ好ましく採用可能である。かかる方法によっ
て100人〜1μm程度の膜厚MgF 2膜を形成可能
である。
スプレー法、ロールコータ−法、メニスカスコーター法
等種々考えられるが、特にスピンコード法は量産性、再
現性に優れ好ましく採用可能である。かかる方法によっ
て100人〜1μm程度の膜厚MgF 2膜を形成可能
である。
本発明におけるMgl”2膜及びMgF2を含む低反射
膜はブラウン管(CRT)、ブラウン管前面パネルに施
されるが基体材料としては、特に限定されるものではな
く、目的に応じてソーダライムシリケートガラス、アル
ミノシリケートガラス、硼珪酸塩ガラス、リチウムアル
ミノシリケートガラス、石英ガラスなどのガラス、鋼玉
等の単結晶、マグネシア、サイアロン等の透光性セラミ
ックス、ポリカーボネート等のプラスチック等が使用で
きる。
膜はブラウン管(CRT)、ブラウン管前面パネルに施
されるが基体材料としては、特に限定されるものではな
く、目的に応じてソーダライムシリケートガラス、アル
ミノシリケートガラス、硼珪酸塩ガラス、リチウムアル
ミノシリケートガラス、石英ガラスなどのガラス、鋼玉
等の単結晶、マグネシア、サイアロン等の透光性セラミ
ックス、ポリカーボネート等のプラスチック等が使用で
きる。
本発明のMgFa膜の製造方法は、MgFa膜を含む多
層の低反射膜の製造にも応用できる。反射防止性能を有
する多層の低反射膜の構成としては、反射防止したい波
長をλとして、基体側より、高屈折率層−低屈折率層を
光学厚みλ/2−λ/4或はλ/4−λ/4で形成した
2層の低反射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層一
低屈折率贋を光学厚みλ/4−λ/2−λ/4で形成し
た3層の低反射膜、基体より低屈折率層−中屈折率層一
高屈折率層一低屈折率層を光学厚みλ/4−λ/4−λ
/2−λ/4で形成した4層の低反射膜等が典型的な例
として知られており、本発明においては、低屈折率層と
してMgFa膜(n = 1.38)を用いた多層の低
反射膜を製造することも可能である。
層の低反射膜の製造にも応用できる。反射防止性能を有
する多層の低反射膜の構成としては、反射防止したい波
長をλとして、基体側より、高屈折率層−低屈折率層を
光学厚みλ/2−λ/4或はλ/4−λ/4で形成した
2層の低反射膜、基体側より中屈折率層−高屈折率層一
低屈折率贋を光学厚みλ/4−λ/2−λ/4で形成し
た3層の低反射膜、基体より低屈折率層−中屈折率層一
高屈折率層一低屈折率層を光学厚みλ/4−λ/4−λ
/2−λ/4で形成した4層の低反射膜等が典型的な例
として知られており、本発明においては、低屈折率層と
してMgFa膜(n = 1.38)を用いた多層の低
反射膜を製造することも可能である。
又、ブラウン管(C,RT)や前面パネル等において指
摘されている、CRT動作中に発生する静電気により表
面が帯電し、人体との間で放電を起こしたり、はこりが
吸着しやすいという問題の解決策として、低反射膜の7
層を透明で導電性を有する材料で構成したものが知られ
ているが、かかる導電性を有する材料で構成したものが
知られているが、かかる導電性を有する低反射膜の製造
にも適用できる。例えば、基体5io2./ MgFz
、基体/ ITO/ MgFt等の低反射膜喪形成でき
る。又、膜の強度、硬度を向上させる為に例えば基体/
SnO□/MgF*−3iO□等の膜構成も可能である
。又特に低い反射率が要求されない場合には基体/ M
gF2−3iO□、基体/ MgF2−3LO□−3n
O□系の膜構成が可能であり、この場合1層のみの塗布
で済む利点がある。
摘されている、CRT動作中に発生する静電気により表
面が帯電し、人体との間で放電を起こしたり、はこりが
吸着しやすいという問題の解決策として、低反射膜の7
層を透明で導電性を有する材料で構成したものが知られ
ているが、かかる導電性を有する材料で構成したものが
知られているが、かかる導電性を有する低反射膜の製造
にも適用できる。例えば、基体5io2./ MgFz
、基体/ ITO/ MgFt等の低反射膜喪形成でき
る。又、膜の強度、硬度を向上させる為に例えば基体/
SnO□/MgF*−3iO□等の膜構成も可能である
。又特に低い反射率が要求されない場合には基体/ M
gF2−3iO□、基体/ MgF2−3LO□−3n
O□系の膜構成が可能であり、この場合1層のみの塗布
で済む利点がある。
[作用]
本発明においては、記述の如(
MgL + 2 Z F −tAgF2 + 2 Z
Xという反応に基づきMgFaが生成する。
Xという反応に基づきMgFaが生成する。
〔実施例]
実施例1
水にMgC1,’6H,0及びNH,Fを各々0.5m
ol、 1mol溶解させMgC1*・6H20溶液を
撹拌し、NH4F溶液を徐々に滴下し含MgF2液を得
た。この液を濾過水洗後100℃で5時間真空乾燥し!
AgFg結晶を得た。この結晶をエタノール中に濃度が
3重量%となるように添加し、ホモミキサーで10分間
(回転数600Orpm )分散させた。
ol、 1mol溶解させMgC1*・6H20溶液を
撹拌し、NH4F溶液を徐々に滴下し含MgF2液を得
た。この液を濾過水洗後100℃で5時間真空乾燥し!
AgFg結晶を得た。この結晶をエタノール中に濃度が
3重量%となるように添加し、ホモミキサーで10分間
(回転数600Orpm )分散させた。
ガラス基板をこの溶液中に浸漬塗布し、更にスピンコー
ターで回転数300Orpmでコーティングした。この
ガラス基板を空気中200℃で30分間焼成して950
人のMgFa膜を形成した後、波長360〜700nm
における片面反射率、表面抵抗、及び膜強度を評価した
。
ターで回転数300Orpmでコーティングした。この
ガラス基板を空気中200℃で30分間焼成して950
人のMgFa膜を形成した後、波長360〜700nm
における片面反射率、表面抵抗、及び膜強度を評価した
。
実施例2
ガラス基板の焼成温度を150℃として1150人のM
gF2膜を得た以外は実施例1と同様に行なった。
gF2膜を得た以外は実施例1と同様に行なった。
実施例3
実施例1におけるMgF2結晶をエタノール中に1.5
重量%分散させ、更に5L(OCaHa)4を5ift
換算で1.5重量%添加して1000人厚のMgFt
Si0g膜を形成した以外は実施例1と同様に行なっ
た。
重量%分散させ、更に5L(OCaHa)4を5ift
換算で1.5重量%添加して1000人厚のMgFt
Si0g膜を形成した以外は実施例1と同様に行なっ
た。
実施例4
実施例1におけるMgFz結晶をエタノール中に1重量
%分散させ、更に5L(OCJs)4をSiO*換算で
1重量%添加、5b(OC2H8) 3−3n(OC2
Hfi)4 (SbのSnに対する比15mo1%)を
5b−SnOz換算で1重量%添加して1000人厚の
MgFz−5iOz−Sb−3nOz膜を形成した以外
は実施例1と同様に行なった。
%分散させ、更に5L(OCJs)4をSiO*換算で
1重量%添加、5b(OC2H8) 3−3n(OC2
Hfi)4 (SbのSnに対する比15mo1%)を
5b−SnOz換算で1重量%添加して1000人厚の
MgFz−5iOz−Sb−3nOz膜を形成した以外
は実施例1と同様に行なった。
実施例5
メタノール、水からなる溶媒(体積比1:1)に対しS
n(:14,5bCL、をSbのSnに対する比15m
o1%)をSSb−3no換算で3重量%となるように
添加し溶解した溶液に、ガラス基板を浸漬塗布し、更に
スピンコーターで回転数30Orpmでコーティングし
た後、空気中400℃で30分間焼成して1100人の
5b−SnO□膜を形成した。次に実施例1と全く同様
な方法で950人厚人厚gFi膜を形成し、ガラス/
5b−3nO−/MgFzの膜構成とした以外は実施例
1と同様に行なった。
n(:14,5bCL、をSbのSnに対する比15m
o1%)をSSb−3no換算で3重量%となるように
添加し溶解した溶液に、ガラス基板を浸漬塗布し、更に
スピンコーターで回転数30Orpmでコーティングし
た後、空気中400℃で30分間焼成して1100人の
5b−SnO□膜を形成した。次に実施例1と全く同様
な方法で950人厚人厚gFi膜を形成し、ガラス/
5b−3nO−/MgFzの膜構成とした以外は実施例
1と同様に行なった。
実施例6
実施例5と全く同様な方法で1100人の5b−SnO
2膜を形成、更に実施例3と全(同様な方法で1000
人厚のMgFi−3iO□膜を形成し、ガラス/Sb−
Snow/ MgF、−5iOzの膜構成とした以外は
実施例1と同様に行なった。
2膜を形成、更に実施例3と全(同様な方法で1000
人厚のMgFi−3iO□膜を形成し、ガラス/Sb−
Snow/ MgF、−5iOzの膜構成とした以外は
実施例1と同様に行なった。
実施例7
出発物質として、MgC1□・6H20及びNH,Fを
各々0.5mol、 (1,5mol用いた以外は実施
例1と同様にしてMgFi膜を形成した。
各々0.5mol、 (1,5mol用いた以外は実施
例1と同様にしてMgFi膜を形成した。
実施例8
出発物質として、MgC1z・6H80及びNH,Fを
各々0.5mol、 2 mol用いた以外は実施例
1と同様にしてMgF2膜を形成した。
各々0.5mol、 2 mol用いた以外は実施例
1と同様にしてMgF2膜を形成した。
比較例
未処理のガラス基板の反射率、表面抵抗、及び強度を実
施例1と同様に評価した。
施例1と同様に評価した。
具体的な試験方法は以下の通りである。
反射率:島津製作所製自動分光光度計を用いて測定した
波長550nmにおける 片面反射率 表面抵抗:三菱油化製表面抵抗計を用いて測定した。
波長550nmにおける 片面反射率 表面抵抗:三菱油化製表面抵抗計を用いて測定した。
強 度ニライオン事務器製No、 50−50消しゴム
を用い1kg荷重で膜表面を最高 100往復擦り膜ハガレの発生)が 50往復以下で生じた場合X、50〜 100往復で生じた場合Δ、 100往復で生じなかっ
た場合Oで表示し た。
を用い1kg荷重で膜表面を最高 100往復擦り膜ハガレの発生)が 50往復以下で生じた場合X、50〜 100往復で生じた場合Δ、 100往復で生じなかっ
た場合Oで表示し た。
結果を第1表に示した。
第1表
[発明の効果]
本発明によれば、MgL(x:フッ素を除く)\ログ2
元素)を含む液体にZF(Z:NH,,4級アンモニウ
ム、アルカリ金属)を含む液体を添加してなる含MgF
x溶液あるいは該MgF*溶液より得られるMgFx
を含む溶液を基体上にスプレー又はスピンコード、或は
液体中に基体を浸漬するなどの簡便な方法により、効率
良く、優れたMgFx膜及びMgF2膜を含む低反射膜
を提供することが可能となる。
元素)を含む液体にZF(Z:NH,,4級アンモニウ
ム、アルカリ金属)を含む液体を添加してなる含MgF
x溶液あるいは該MgF*溶液より得られるMgFx
を含む溶液を基体上にスプレー又はスピンコード、或は
液体中に基体を浸漬するなどの簡便な方法により、効率
良く、優れたMgFx膜及びMgF2膜を含む低反射膜
を提供することが可能となる。
本発明は、生産性に優れ、かつ真空を必要としないので
装置も比較的簡便なもので良い。特にCRTのフェース
面等の大面積の基体にも十分適用でき、量産も可能であ
り、工業的価値は非常に高い。
装置も比較的簡便なもので良い。特にCRTのフェース
面等の大面積の基体にも十分適用でき、量産も可能であ
り、工業的価値は非常に高い。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、MgX_2(X:フッ素を除くハロゲン元素)とZ
F(:NH_4、4級アンモニウム、アルカリ金属)を
含む含MgF_2溶液、あるいは該含MgF_2溶液よ
り得られるMgF_2を含む溶液を基体上に塗布、加熱
することを特徴とするMgF_2膜の製造方法。 2、基体上に単層又は多層膜からなり、そのうち少なく
とも一層がMgF_2膜である低反射膜を形成する方法
において、該MgF_2膜を、MgX_2(X:フッ素
を除くハロゲン元素)とZF(Z:NH_4、4級アン
モニウム、アルカリ金属)を含む含MgF_2溶液、あ
るいは該含MgF_2溶液より得られるMgF_2を含
む溶液を基体上に塗布、加熱することにより、形成する
ことを特徴とする低反射膜の製造方法。 3、基体上に透明導電膜を形成し、次いで、その上に、
MgX_2(X:フッ素を除くハロゲン元素)とZF(
Z:NH_4、4級アンモニウム、アルカリ金属)を含
む含MgF_2溶液、あるいは該含MgF_2溶液より
得られるMgF_2を含む溶液を基体上に塗布、加熱す
ることにより、2層からなり導電性を有する低反射膜を
形成することを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の
低反射膜の製造方法。 4、MgX_2(X:フッ素を除くハロゲン元素)とZ
F(Z:NH_4、4級アンモニウム、アルカリ金属)
を含む含MgF_2溶液にSi(OR)_4(R:アル
キル基)を添加してなる溶液、あるいは上記含MgF_
2溶液より得られるMgF_2とSi(OR)_4(R
:アルキル基)を含む溶液を基体上に塗布、加熱するこ
とを特徴とするSiO_2を含むMgF_2膜の製造方
法。 5、基体上に単層又は多層膜からなり、そのうち少なく
とも一層がSiO_2を含むMgF_2膜である低反射
膜を形成する方法において、該SiO_2を含むMgF
_2膜を、MgX_2(X:フッ素を除くハロゲン元素
)とZF(Z:NH_4、4級アンモニウム、アルカリ
金属)を含む含MgF_2溶液にSi(OR)_4(R
:アルキル基)を添加してなる溶液、あるいは上記含M
gF_2溶液より得られるMgF_2とSi(OR)_
4(R:アルキル基)を含む溶液を基体上に塗布、加熱
することにより、形成することを特徴とする低反射膜の
製造方法。 6、(a)MgX_2(X:フッ素を除くハロゲン元素
)とZF(Z:NH_4、4級アンモニウム、アルカリ
金属)を含む含MgF_2溶液に、Sn、In、Sbの
うち少なくとも1種の金属塩または有機金属塩を添加し
てなる溶液、または (b)MgX_2(X:フッ素を除くハロゲン元素)と
ZF(Z:NH_4、4級アンモニウム、アルカリ金属
)を含む含MgF_2溶液に、SnO_2、Sbをドー
プしたSnO_2、Snを含むIn_2O_3のうち少
なくとも1種のコロイド液を添加してなる溶液、又は、 (c)上記含MgF_2溶液より得られるMgF_2と
、Sn、In、Sbのうち少なくとも1種の金属塩また
は有機金属塩を含む溶液、または (d)上記含MgF_2溶液より得られるMgF_2と
、SnO_2、SbをドープしたSnO_2、Snを含
むIn_2O_3のうち少なくとも1種のコロイド液を
含む溶液、 のうちいずれか1種の溶液を基体上に塗布、加熱するこ
とを特徴とする導電性を有する MgF_2膜の製造方法。 7、基体上に単層又は多層膜からなり、そのうち少なく
とも一層が導電性を有するMgF_2膜である低反射膜
を形成する方法において、該導電性を有するMgF_2
膜を、 (a)MgX_2(X:フッ素を除くハロゲン元素)と
ZF(Z:NH_4、4級アンモニウム、アルカリ金属
)を含む含MgF_2溶液に、Sn、In、Sbのうち
少なくとも1種の金属塩または有機金属塩を添加してな
る溶液、または (b)MgX_2(X:フッ素を除くハロゲン元素)と
ZF(Z:NH_4、4級アンモニウム、アルカリ金属
)を含む含MgF_2溶液に、SnO_2、Sbをドー
プしたSnO_2、Snを含むIn_2O_3のうち少
なくとも1種のコロイド液を添加してなる溶液、又は、 (c)上記含MgF_2溶液より得られるMgF_2と
、Sn、In、Sbのうち少なくとも1種の金属塩また
は有機金属塩を含む溶液、または (d)上記含MgF_2溶液より得られるMgF_2と
、SnO_2、SbをドープしたSnO_2、Snを含
むIn_2O_3のうち少なくとも1種のコロイド液を
含む溶液、 のうちいずれか1種の溶液を基体上に塗布、加熱するこ
とにより、形成することを特徴とする低反射膜の製造方
法。 8、基体がブラウン管或はブラウン管前面パネルである
請求項1から7いずれか1項記載の MgF_2膜の製造方法又は低反射膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1098764A JPH02278201A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | MgF↓2膜の製造方法及び低反射膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1098764A JPH02278201A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | MgF↓2膜の製造方法及び低反射膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02278201A true JPH02278201A (ja) | 1990-11-14 |
Family
ID=14228469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1098764A Pending JPH02278201A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | MgF↓2膜の製造方法及び低反射膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02278201A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05113505A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 低反射膜付陰極線管およびその製造方法 |
JP2008081380A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Hitachi Chem Co Ltd | フッ化物コート膜形成処理液およびフッ化物コート膜形成方法 |
WO2013180062A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | ステラケミファ株式会社 | フッ化マグネシウム粒子、フッ化マグネシウム粒子の製造方法、フッ化マグネシウム粒子分散液、フッ化マグネシウム粒子分散液の製造方法、低屈折率層形成用組成物、低屈折率層形成用組成物の製造方法、低屈折率層付基材及び低屈折率層付基材の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP1098764A patent/JPH02278201A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05113505A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | 低反射膜付陰極線管およびその製造方法 |
JP2008081380A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Hitachi Chem Co Ltd | フッ化物コート膜形成処理液およびフッ化物コート膜形成方法 |
JP4508175B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2010-07-21 | 日立化成工業株式会社 | フッ化物コート膜形成処理液およびフッ化物コート膜形成方法 |
WO2013180062A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | ステラケミファ株式会社 | フッ化マグネシウム粒子、フッ化マグネシウム粒子の製造方法、フッ化マグネシウム粒子分散液、フッ化マグネシウム粒子分散液の製造方法、低屈折率層形成用組成物、低屈折率層形成用組成物の製造方法、低屈折率層付基材及び低屈折率層付基材の製造方法 |
JP2013245154A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | Stella Chemifa Corp | フッ化マグネシウム粒子、フッ化マグネシウム粒子の製造方法、フッ化マグネシウム粒子分散液、フッ化マグネシウム粒子分散液の製造方法、低屈折率層形成用組成物、低屈折率層形成用組成物の製造方法、低屈折率層付基材及び低屈折率層付基材の製造方法 |
CN104271509A (zh) * | 2012-05-29 | 2015-01-07 | 斯泰拉化工公司 | 氟化镁颗粒、氟化镁颗粒的制造方法、氟化镁颗粒分散液、氟化镁颗粒分散液的制造方法、低折射率层形成用组合物、低折射率层形成用组合物的制造方法、附有低折射率层的基材以及附有低折射率层的基材的制造方法 |
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