JPH0862404A - 積層体の製造方法 - Google Patents
積層体の製造方法Info
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- JPH0862404A JPH0862404A JP7114651A JP11465195A JPH0862404A JP H0862404 A JPH0862404 A JP H0862404A JP 7114651 A JP7114651 A JP 7114651A JP 11465195 A JP11465195 A JP 11465195A JP H0862404 A JPH0862404 A JP H0862404A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基材上に反射防止効果および帯電防止効果の
高い透明な被膜が形成された光透過率４０％以上の積層
体を容易に製造し得る方法を提供する。 【構成】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率層
と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるように、
複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈折率
層が、（ａ）特定のアミノアルキルアルコキシシラン化
合物、（ｂ）特定のエポキシアルキルアルコキシシラン
化合物、（ｃ）特定のジルコニウムテトラアルコキシ
ド、（ｄ）ヘテロポリ酸化合物、（ｅ）有機溶媒および
（ｆ）水よりなり、（ａ）と（ｂ）と（ｃ）のモル比が
特定範囲とされ、かつ（ａ）と（ｄ）と（ｅ）と（ｆ）
のモル比が、特定範囲とされた帯電防止被覆用組成物を
塗布することにより得られる層からなることを特徴とす
る。
高い透明な被膜が形成された光透過率４０％以上の積層
体を容易に製造し得る方法を提供する。 【構成】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率層
と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるように、
複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈折率
層が、（ａ）特定のアミノアルキルアルコキシシラン化
合物、（ｂ）特定のエポキシアルキルアルコキシシラン
化合物、（ｃ）特定のジルコニウムテトラアルコキシ
ド、（ｄ）ヘテロポリ酸化合物、（ｅ）有機溶媒および
（ｆ）水よりなり、（ａ）と（ｂ）と（ｃ）のモル比が
特定範囲とされ、かつ（ａ）と（ｄ）と（ｅ）と（ｆ）
のモル比が、特定範囲とされた帯電防止被覆用組成物を
塗布することにより得られる層からなることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層体の製造方法に関
する。特に、基材上に反射防止効果および帯電防止効果
の高い被膜が形成された光透過率４０％以上の積層体の
製造方法に関する。
する。特に、基材上に反射防止効果および帯電防止効果
の高い被膜が形成された光透過率４０％以上の積層体の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ガラスや透明プラスチックス材料が外部
光線を反射する原因は、光が媒体から別の物質に入射さ
れる際、その屈折率の差により界面で反射するからであ
る。上記の場合では、媒体となる空気の屈折率と基材で
あるガラスや透明プラスチックス材料の屈折率が異なる
ため、その界面で光の反射および損失が起こる。
光線を反射する原因は、光が媒体から別の物質に入射さ
れる際、その屈折率の差により界面で反射するからであ
る。上記の場合では、媒体となる空気の屈折率と基材で
あるガラスや透明プラスチックス材料の屈折率が異なる
ため、その界面で光の反射および損失が起こる。
【０００３】上記の光の反射および損失を軽減させるた
めに、フッ素樹脂系の材料を基材に塗布することにより
低屈折率の被膜を基材上に施す方法があった（特開平２
−１２３７７１号公報）。また、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法などを用いて屈折率
の異なる薄膜を多層積層させる方法もあった。この方法
は膜厚制御や、広い波長範囲で反射防止効果が得られる
等の利点があるが、ある限られた空間で薄膜を製造する
ため大面積の基材には適さず、コストの点で工業的に不
向きであり、また、複雑な形状の基材には適用できない
という問題点があった。
めに、フッ素樹脂系の材料を基材に塗布することにより
低屈折率の被膜を基材上に施す方法があった（特開平２
−１２３７７１号公報）。また、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、スパッタリング法などを用いて屈折率
の異なる薄膜を多層積層させる方法もあった。この方法
は膜厚制御や、広い波長範囲で反射防止効果が得られる
等の利点があるが、ある限られた空間で薄膜を製造する
ため大面積の基材には適さず、コストの点で工業的に不
向きであり、また、複雑な形状の基材には適用できない
という問題点があった。
【０００４】ある基材の反射率を０にするための薄膜の
積層条件は、（１）、（２）式で表現される。 ｎ1 ＝（ｎo ｎs ）0.5 ・・・（１） ｎ1 ｔ1 ＝（λ／４），（３λ／４），（５λ／４）・・・（２） ｎo ：空気の屈折率（ｎo ＝１である）、ｎs ：基材の
屈折率、ｎ1 ：薄膜の屈折率、ｔ1 ：薄膜の膜厚、λ：
入射光波長 このように、基材の屈折率に応じて、積層する薄膜の屈
折率と膜厚を制御する必要がある。
積層条件は、（１）、（２）式で表現される。 ｎ1 ＝（ｎo ｎs ）0.5 ・・・（１） ｎ1 ｔ1 ＝（λ／４），（３λ／４），（５λ／４）・・・（２） ｎo ：空気の屈折率（ｎo ＝１である）、ｎs ：基材の
屈折率、ｎ1 ：薄膜の屈折率、ｔ1 ：薄膜の膜厚、λ：
入射光波長 このように、基材の屈折率に応じて、積層する薄膜の屈
折率と膜厚を制御する必要がある。
【０００５】薄膜の屈折率を制御する方法に関する従来
技術としては、シランカップリング剤、各種の酸化物
ゾル及びエポキシ樹脂からなる組成物を基材に塗布し、
硬化後、酸またはアルカリ水溶液に浸漬して酸化物ゾル
を選択的に溶出させ、薄膜を多孔質化する方法（特開平
１−３１２５０１号公報）、シリコンアルコキシドに
ＭｇＦ2 の微粒子を分散させたものを、基材に塗布し薄
膜化するもの（特開平２−２５６００１号公報）、シ
リコンアルコキシドとポリエーテルと有機溶媒とよりな
る組成物を基材に塗布し、次いで膜中のポリエーテルを
有機溶媒で溶出させ、薄膜を多孔質化する方法（特開平
３−１９９０４３号公報）等があった。
技術としては、シランカップリング剤、各種の酸化物
ゾル及びエポキシ樹脂からなる組成物を基材に塗布し、
硬化後、酸またはアルカリ水溶液に浸漬して酸化物ゾル
を選択的に溶出させ、薄膜を多孔質化する方法（特開平
１−３１２５０１号公報）、シリコンアルコキシドに
ＭｇＦ2 の微粒子を分散させたものを、基材に塗布し薄
膜化するもの（特開平２−２５６００１号公報）、シ
リコンアルコキシドとポリエーテルと有機溶媒とよりな
る組成物を基材に塗布し、次いで膜中のポリエーテルを
有機溶媒で溶出させ、薄膜を多孔質化する方法（特開平
３−１９９０４３号公報）等があった。
【０００６】上記の方法は、酸化物ゾルの溶解度が低
いため溶出に時間がかかること、組成物の濃度を上げる
と薄膜の強度が低下すること、膜厚方向に屈折率分布が
生じ易いこと等の問題点があった。上記の方法は、Ｍ
ｇＦ2 の微粒子を分散させる工程が必要なこと、分散を
よくするために高性能な装置を必要とすること、制御で
きる屈折率の範囲が１．３４〜１．４６の範囲であり狭
くまたその精度も悪いこと等の問題点があった。上記
の方法は、ポリエーテルの有機溶媒への溶解度が低いた
め溶出に時間がかかること、薄膜が有機溶媒により膨潤
し薄膜強度が低下すること、膜厚方向に屈折率分布が生
じ易いこと等の問題点があった。
いため溶出に時間がかかること、組成物の濃度を上げる
と薄膜の強度が低下すること、膜厚方向に屈折率分布が
生じ易いこと等の問題点があった。上記の方法は、Ｍ
ｇＦ2 の微粒子を分散させる工程が必要なこと、分散を
よくするために高性能な装置を必要とすること、制御で
きる屈折率の範囲が１．３４〜１．４６の範囲であり狭
くまたその精度も悪いこと等の問題点があった。上記
の方法は、ポリエーテルの有機溶媒への溶解度が低いた
め溶出に時間がかかること、薄膜が有機溶媒により膨潤
し薄膜強度が低下すること、膜厚方向に屈折率分布が生
じ易いこと等の問題点があった。
【０００７】一方で、帯電防止層の付与についても多く
の検討がなされており、基材の表面に導電性の被膜を形
成して帯電を防止することが行われている。多くの場
合、この被膜には、基材であるガラスおよびプラスチッ
クスの質感や色が消失しないように、透明性が要求され
ている。
の検討がなされており、基材の表面に導電性の被膜を形
成して帯電を防止することが行われている。多くの場
合、この被膜には、基材であるガラスおよびプラスチッ
クスの質感や色が消失しないように、透明性が要求され
ている。
【０００８】このような導電性と透明性を有する被膜と
しては、以下のようなものが知られている。（１）界面
活性剤系の塗料が塗布されたもの。（２）塩化リチウム
や塩化マグネシウムのような無機塩や、カルボン酸基や
スルホン酸基を含む高分子電解質のようなイオン伝導性
物質を、合成樹脂やシリケート等の造膜性物質に分散さ
せてなる組成物を成膜したもの。例えば、特公昭５８−
３５８６７号公報には、造膜性物質としてアクリル系重
合体を使用し、イオン伝導性物質として硝酸リチウムが
配合された帯電防止被覆用組成物で、ポリエステルフイ
ルムを被覆したものが開示されている。また、Journal
of the American Ceramic Society,484〜486,Vol.72, N
o.3，(1989)には、リンモリブデン酸（Ｈ3 ＰＭｏ12Ｏ
4o・29Ｈ 2 Ｏ）を、テトラエトキシシランの加水分解物
の溶液に溶解したものを、ガラス板またはステンレス板
上に成膜したものが開示されている。（３）銀、ニッケ
ル、銅、錫などの金属またはその酸化物の粉末などの導
電性の微粒子を、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹
脂、テトラエトキシシラン等の造膜性物質に分散させて
なる組成物を成膜したもの。例えば、特公昭６３−３３
７７８号公報には、アンチモン含有酸化錫からなり粒径
が０．２ミクロン以下の導電性微粉末を塗料中の固形分
中５０〜７０重量％の割合で含有してなる塗料から、プ
ラスチック製品の帯電防止被膜が得られることが開示さ
れている。
しては、以下のようなものが知られている。（１）界面
活性剤系の塗料が塗布されたもの。（２）塩化リチウム
や塩化マグネシウムのような無機塩や、カルボン酸基や
スルホン酸基を含む高分子電解質のようなイオン伝導性
物質を、合成樹脂やシリケート等の造膜性物質に分散さ
せてなる組成物を成膜したもの。例えば、特公昭５８−
３５８６７号公報には、造膜性物質としてアクリル系重
合体を使用し、イオン伝導性物質として硝酸リチウムが
配合された帯電防止被覆用組成物で、ポリエステルフイ
ルムを被覆したものが開示されている。また、Journal
of the American Ceramic Society,484〜486,Vol.72, N
o.3，(1989)には、リンモリブデン酸（Ｈ3 ＰＭｏ12Ｏ
4o・29Ｈ 2 Ｏ）を、テトラエトキシシランの加水分解物
の溶液に溶解したものを、ガラス板またはステンレス板
上に成膜したものが開示されている。（３）銀、ニッケ
ル、銅、錫などの金属またはその酸化物の粉末などの導
電性の微粒子を、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹
脂、テトラエトキシシラン等の造膜性物質に分散させて
なる組成物を成膜したもの。例えば、特公昭６３−３３
７７８号公報には、アンチモン含有酸化錫からなり粒径
が０．２ミクロン以下の導電性微粉末を塗料中の固形分
中５０〜７０重量％の割合で含有してなる塗料から、プ
ラスチック製品の帯電防止被膜が得られることが開示さ
れている。
【０００９】しかしながら、上記の（１）の被膜では、
表面抵抗が１０10Ω／□以上のように高いばかりでな
く、経時的に表面抵抗値が高くなるという欠点がある。
上記（２）の被膜では、従来使用されてきたイオン伝導
性物質では湿度が低くなると導電性が低下し、十分な帯
電防止性が得られないという欠点がある。例えば、上記
の特公昭５８−３５８６７号公報に記載のものでは、表
面抵抗は、５０％の相対湿度において、約１０10Ω／□
という高い値であり、帯電防止性能が不十分である。ま
た、リンモリブデン酸（Ｈ3 ＰＭｏ12Ｏ4o・29Ｈ2 Ｏ）
を、テトラエトキシシランの加水分解物の溶液に溶解し
たものは、プラスチック板上に塗布して成膜すると、被
膜にクラックが発生し、プラスチック製品には適用でき
ないという欠点がある。上記（３）の被膜では、十分な
帯電防止性を得るためには、膜中の導電性の微粒子の濃
度を高くする必要がある。その為、その微粒子による光
の散乱に基ずくヘイズが発生し、透明性を損なうという
欠点がある。
表面抵抗が１０10Ω／□以上のように高いばかりでな
く、経時的に表面抵抗値が高くなるという欠点がある。
上記（２）の被膜では、従来使用されてきたイオン伝導
性物質では湿度が低くなると導電性が低下し、十分な帯
電防止性が得られないという欠点がある。例えば、上記
の特公昭５８−３５８６７号公報に記載のものでは、表
面抵抗は、５０％の相対湿度において、約１０10Ω／□
という高い値であり、帯電防止性能が不十分である。ま
た、リンモリブデン酸（Ｈ3 ＰＭｏ12Ｏ4o・29Ｈ2 Ｏ）
を、テトラエトキシシランの加水分解物の溶液に溶解し
たものは、プラスチック板上に塗布して成膜すると、被
膜にクラックが発生し、プラスチック製品には適用でき
ないという欠点がある。上記（３）の被膜では、十分な
帯電防止性を得るためには、膜中の導電性の微粒子の濃
度を高くする必要がある。その為、その微粒子による光
の散乱に基ずくヘイズが発生し、透明性を損なうという
欠点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの問
題点を解決するものであり、その目的は、基材上に反射
防止効果および帯電防止効果の高い被膜が形成された光
透過率４０％以上の積層体を容易に製造し得る方法を提
供することにある。
題点を解決するものであり、その目的は、基材上に反射
防止効果および帯電防止効果の高い被膜が形成された光
透過率４０％以上の積層体を容易に製造し得る方法を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の積層体の製造方
法は、基材の表面上に導電性を有する高屈折率層と、低
屈折率層を、低屈折率層が最外層となるように、複層積
層した積層体の製造方法であって、上記高屈折率層が、
特定の組成からなる帯電防止被覆用組成物を塗布するこ
とにより得られる層であることを特徴とする。
法は、基材の表面上に導電性を有する高屈折率層と、低
屈折率層を、低屈折率層が最外層となるように、複層積
層した積層体の製造方法であって、上記高屈折率層が、
特定の組成からなる帯電防止被覆用組成物を塗布するこ
とにより得られる層であることを特徴とする。
【００１２】本発明（請求項１の発明を、本発明とい
う）で使用されるアミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）は、下記の一般式［Ｉ］で表される。
う）で使用されるアミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）は、下記の一般式［Ｉ］で表される。
【化４】
【００１３】式中、Ｙはアミノ基を有する有機基を示
し、例えば、アミノ基そのもの、アミノ基の水素原子が
アミノアルキル基で置換された置換アミノ基などが挙げ
られる。Ｙ1 は炭化水素基を示し、例えば、アルキル
基、置換アルキル基などが挙げられる。Ｒは炭素数１〜
５のアルキル基を示すが、炭素数が多くなると帯電防止
被覆用組成物の安定性が低下して長期保存性が悪くなる
ので、炭素数は１〜５に限定される。Ｒの例としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ネオ−
ペンチル基などが挙げられる。ｍは１〜５の整数、ｎは
０〜２の整数である。
し、例えば、アミノ基そのもの、アミノ基の水素原子が
アミノアルキル基で置換された置換アミノ基などが挙げ
られる。Ｙ1 は炭化水素基を示し、例えば、アルキル
基、置換アルキル基などが挙げられる。Ｒは炭素数１〜
５のアルキル基を示すが、炭素数が多くなると帯電防止
被覆用組成物の安定性が低下して長期保存性が悪くなる
ので、炭素数は１〜５に限定される。Ｒの例としては、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ネオ−
ペンチル基などが挙げられる。ｍは１〜５の整数、ｎは
０〜２の整数である。
【００１４】一般式［Ｉ］で表される化合物としては、
例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（β−
アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、Ｎ，Ｎ−ビス〔３−（トリメトキシシリル）プ
ロピル〕エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス〔３−（メチ
ルジメトキシシリル）プロピル〕エチレンジアミンなど
が挙げられる。これらのうち、Ｎ−（β−アミノエチ
ル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシランが特に好
ましい。アミノシラン化合物Ａ（ａ）としては、単独で
使用されてもよいし２種以上併用されてもよい。
例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（β−アミノエチル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（β−
アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、Ｎ，Ｎ−ビス〔３−（トリメトキシシリル）プ
ロピル〕エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス〔３−（メチ
ルジメトキシシリル）プロピル〕エチレンジアミンなど
が挙げられる。これらのうち、Ｎ−（β−アミノエチ
ル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシランが特に好
ましい。アミノシラン化合物Ａ（ａ）としては、単独で
使用されてもよいし２種以上併用されてもよい。
【００１５】本発明で使用されるエポキシアルキルアル
コキシシラン化合物Ｂ（ｂ）は、下記の一般式［II］で
表される。
コキシシラン化合物Ｂ（ｂ）は、下記の一般式［II］で
表される。
【化５】
【００１６】式中、Ｚはグリシドキシ基またはエポキシ
シクロヘキシル基を示し、Ｙ2 は炭化水素基を示し、例
えば、アルキル基、置換アルキル基などが挙げられる。
Ｒ1は炭素数１〜５のアルキル基を示すが、炭素数が多
くなると帯電防止被覆用組成物の安定性が低下して長期
保存性が悪くなるので、炭素数は１〜５に限定される。
Ｒの例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−
ペンチル基、ネオ−ペンチル基などが挙げられる。ｐは
１〜５の整数、ｔは０〜２の整数である。
シクロヘキシル基を示し、Ｙ2 は炭化水素基を示し、例
えば、アルキル基、置換アルキル基などが挙げられる。
Ｒ1は炭素数１〜５のアルキル基を示すが、炭素数が多
くなると帯電防止被覆用組成物の安定性が低下して長期
保存性が悪くなるので、炭素数は１〜５に限定される。
Ｒの例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−
ペンチル基、ネオ−ペンチル基などが挙げられる。ｐは
１〜５の整数、ｔは０〜２の整数である。
【００１７】一般式［II］で表される化合物としては、
例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルメチルジメトキシシランなどが挙げられ
る。これらの中、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシランが特に好ましい。また、エポキシアルキルアル
コキシシラン化合物Ｂ（ｂ）としては上記のように定義
された範囲内の化合物が単独で使用されてもよいし２種
以上併用されてもよい。
例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルメチルジメトキシシランなどが挙げられ
る。これらの中、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシランが特に好ましい。また、エポキシアルキルアル
コキシシラン化合物Ｂ（ｂ）としては上記のように定義
された範囲内の化合物が単独で使用されてもよいし２種
以上併用されてもよい。
【００１８】本発明で使用されるジルコニウムテトラア
ルコキシド（ｃ）は、一般式Ｚｒ（ＯＲ2 ）4 で表さ
れ、Ｒ2 は、炭素数１〜５のアルキル基を示すが、炭素
数が多くなると帯電防止被覆用組成物の安定性が低下し
て長期保存性が悪くなるので、炭素数は１〜５に限定さ
れる。Ｒ2 の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、ネオ−ペンチル基などが挙げられ
る。
ルコキシド（ｃ）は、一般式Ｚｒ（ＯＲ2 ）4 で表さ
れ、Ｒ2 は、炭素数１〜５のアルキル基を示すが、炭素
数が多くなると帯電防止被覆用組成物の安定性が低下し
て長期保存性が悪くなるので、炭素数は１〜５に限定さ
れる。Ｒ2 の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、ネオ−ペンチル基などが挙げられ
る。
【００１９】ジルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）と
しては、例えば、ジルコニウムテトラメトキシド、ジル
コニウムテトラエトキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−
プロポキシド、ジルコニウムテトラ−ｉｓｏ−プロポキ
シド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、ジルコニ
ウムテトラ−ｓｅｃ−ブトキシド、ジルコニウムテトラ
−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ペ
ントキシド、ジルコニウムテトラ−ｉｓｏ−ペントキシ
ドなどが挙げられ、特にジルコニウムテトラ−ｎ−ブト
キシド、ジルコニウムテトラ−ｉｓｏ−プロポキシドが
好ましい。本発明で使用されるジルコニウムテトラアル
コキシド（ｃ）としては、前記のように定義された範囲
内の化合物が単独で使用されてもよいし、２種以上併用
されてもよい。
しては、例えば、ジルコニウムテトラメトキシド、ジル
コニウムテトラエトキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−
プロポキシド、ジルコニウムテトラ−ｉｓｏ−プロポキ
シド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、ジルコニ
ウムテトラ−ｓｅｃ−ブトキシド、ジルコニウムテトラ
−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ペ
ントキシド、ジルコニウムテトラ−ｉｓｏ−ペントキシ
ドなどが挙げられ、特にジルコニウムテトラ−ｎ−ブト
キシド、ジルコニウムテトラ−ｉｓｏ−プロポキシドが
好ましい。本発明で使用されるジルコニウムテトラアル
コキシド（ｃ）としては、前記のように定義された範囲
内の化合物が単独で使用されてもよいし、２種以上併用
されてもよい。
【００２０】本発明で使用される帯電防止被覆用組成物
において、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）とエポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ
（ｂ）とジルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）のモル
比は、９３〜５３：３５〜５：１２〜２に限定される。
この範囲をはずれると、該組成物のゲル化がおこった
り、耐水性が得られなかったりする。
において、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）とエポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ
（ｂ）とジルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）のモル
比は、９３〜５３：３５〜５：１２〜２に限定される。
この範囲をはずれると、該組成物のゲル化がおこった
り、耐水性が得られなかったりする。
【００２１】また、本発明で使用されるヘテロポリ酸化
合物（ｄ）は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、ケイ
素、ゲルマニウム、セシウム、チタン、ジルコニウム、
アンチモン，ビスマス、ロジウム、銅、白金、リン、
鉄、コバルト、ニッケル、砒素、クロム、硫黄、セレ
ン、テルル、トリウムからなる群より選ばれる少なくと
も１種の元素と、ヘテロポリ酸をつくる隣接金属原子と
して、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオ
ブ、タンタルからなる群より選ばれる少なくとも１種の
元素からなる複合酸素酸であるヘテロポリ酸またはその
塩である。塩としては、例えば、ナトリウム塩、アンモ
ニウム塩が挙げられる。
合物（ｄ）は、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、ケイ
素、ゲルマニウム、セシウム、チタン、ジルコニウム、
アンチモン，ビスマス、ロジウム、銅、白金、リン、
鉄、コバルト、ニッケル、砒素、クロム、硫黄、セレ
ン、テルル、トリウムからなる群より選ばれる少なくと
も１種の元素と、ヘテロポリ酸をつくる隣接金属原子と
して、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオ
ブ、タンタルからなる群より選ばれる少なくとも１種の
元素からなる複合酸素酸であるヘテロポリ酸またはその
塩である。塩としては、例えば、ナトリウム塩、アンモ
ニウム塩が挙げられる。
【００２２】ヘテロポリ酸としては、例えば、リンタン
グステン酸（Ｈ3 ＰＷ12Ｏ40・ｎＨ 2 Ｏ）、リンモリブ
デン酸（Ｈ3 ＰＭｏ12Ｏ40・ｎＨ2 Ｏ）、ケイタングス
テン酸（Ｈ3 ＳｉＷ12Ｏ40・ｎＨ2 Ｏ）などが挙げられ
る。ヘテロポリ酸の塩としては、例えば、リンモリブデ
ン酸バナジン酸ナトリウム（Ｎａ3-X ＰＭｏ12-XＶXＯ
40・ｎＨ2 Ｏ）が挙げられる。これらのヘテロポリ酸化
合物は、単独で使用されてもよいし２種以上併用されて
もよい。
グステン酸（Ｈ3 ＰＷ12Ｏ40・ｎＨ 2 Ｏ）、リンモリブ
デン酸（Ｈ3 ＰＭｏ12Ｏ40・ｎＨ2 Ｏ）、ケイタングス
テン酸（Ｈ3 ＳｉＷ12Ｏ40・ｎＨ2 Ｏ）などが挙げられ
る。ヘテロポリ酸の塩としては、例えば、リンモリブデ
ン酸バナジン酸ナトリウム（Ｎａ3-X ＰＭｏ12-XＶXＯ
40・ｎＨ2 Ｏ）が挙げられる。これらのヘテロポリ酸化
合物は、単独で使用されてもよいし２種以上併用されて
もよい。
【００２３】本発明に使用されるヘテロポリ酸化合物
（ｄ）の量は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．３５モル
の割合に限定される。ヘテロポリ酸化合物（ｄ）は少な
くなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与され
ず、多くなると、被膜が白濁して不透明になる。
（ｄ）の量は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．３５モル
の割合に限定される。ヘテロポリ酸化合物（ｄ）は少な
くなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与され
ず、多くなると、被膜が白濁して不透明になる。
【００２４】本発明で使用される有機溶媒（ｅ）は、前
記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、エ
ポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジル
コニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と相
溶性があり、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）を溶解するもの
であれば特に限定されるものではなく、例えば、メチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフランな
どが挙げられ、特にメチルアルコール、エチルアルコー
ル、イソプロピルアルコールが好ましい。これらは単独
で使用されてもよいし２種以上併用されてもよい。
記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、エ
ポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジル
コニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と相
溶性があり、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）を溶解するもの
であれば特に限定されるものではなく、例えば、メチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフランな
どが挙げられ、特にメチルアルコール、エチルアルコー
ル、イソプロピルアルコールが好ましい。これらは単独
で使用されてもよいし２種以上併用されてもよい。
【００２５】上記有機溶媒（ｅ）の量は、前記アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対し
て、１５〜１００モルの割合に限定される。有機溶媒
（ｅ）は少なくなると、該被覆用組成物が均一に混合さ
れにくく、不均質な組成物となり、多くなると、該被覆
用組成物の固形分濃度が低くなりすぎ、被膜にしたとき
十分な帯電防止能を得られない。好ましい添加量は、ア
ミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに
対して２０〜５０モルの範囲である。
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対し
て、１５〜１００モルの割合に限定される。有機溶媒
（ｅ）は少なくなると、該被覆用組成物が均一に混合さ
れにくく、不均質な組成物となり、多くなると、該被覆
用組成物の固形分濃度が低くなりすぎ、被膜にしたとき
十分な帯電防止能を得られない。好ましい添加量は、ア
ミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに
対して２０〜５０モルの範囲である。
【００２６】本発明で使用される水（ｆ）は、前記アミ
ノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、エポキシ
アルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）およびジルコ
ニウムテトラアルコキシド（ｃ）の加水分解のために加
えられる。水（ｆ）の量は、アミノアルキルアルコキシ
シラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して０．１〜５モルの
割合に限定される。水（ｆ）は少なくなると、十分な加
水分解がおこりにくく、多くなると該被覆用組成物との
相溶性が悪い。
ノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、エポキシ
アルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）およびジルコ
ニウムテトラアルコキシド（ｃ）の加水分解のために加
えられる。水（ｆ）の量は、アミノアルキルアルコキシ
シラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して０．１〜５モルの
割合に限定される。水（ｆ）は少なくなると、十分な加
水分解がおこりにくく、多くなると該被覆用組成物との
相溶性が悪い。
【００２７】本発明で使用される水（ｆ）には、加水分
解のための触媒として酸を加えてもよい。この酸として
は、特に限定されるものではなく、無機酸、有機酸のい
ずれも使用可能であり、例えば、塩酸、硫酸、硝酸が挙
げられる。酸の添加量としては、上記の割合で該被覆用
組成物に添加される水（ｆ）に０．００１〜５重量％の
割合で含有されていればよい。酸の量が少なくなると、
触媒としての効果が望めず、多くなると、被膜が不均質
になる。
解のための触媒として酸を加えてもよい。この酸として
は、特に限定されるものではなく、無機酸、有機酸のい
ずれも使用可能であり、例えば、塩酸、硫酸、硝酸が挙
げられる。酸の添加量としては、上記の割合で該被覆用
組成物に添加される水（ｆ）に０．００１〜５重量％の
割合で含有されていればよい。酸の量が少なくなると、
触媒としての効果が望めず、多くなると、被膜が不均質
になる。
【００２８】本発明で使用される帯電防止被覆用組成物
の構成は上述した通りであるが、さらに導電性を向上さ
せるためにポリエチレングリコール等の親水性高分子を
添加してもよい。また、被膜形成性を向上させるため
に、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセル
ロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチ
ルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等のセル
ロース誘導体を含有させてもよい。また同様の目的で、
シリカゾル、アルミナゾル、ジルコニアゾル等の酸化物
コロイドを含有させてもよい。また、被膜の硬度を向上
させるなどのためにシリコン以外の金属のアルコキシド
を添加してもよい。また、前記のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ（ａ）、エポキシアルキルアルコキ
シシラン化合物Ｂ（ｂ）およびジルコニウムテトラアル
コキシド（ｃ）の硬化のために公知の硬化触媒を加えて
もよい。
の構成は上述した通りであるが、さらに導電性を向上さ
せるためにポリエチレングリコール等の親水性高分子を
添加してもよい。また、被膜形成性を向上させるため
に、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセル
ロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチ
ルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等のセル
ロース誘導体を含有させてもよい。また同様の目的で、
シリカゾル、アルミナゾル、ジルコニアゾル等の酸化物
コロイドを含有させてもよい。また、被膜の硬度を向上
させるなどのためにシリコン以外の金属のアルコキシド
を添加してもよい。また、前記のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ（ａ）、エポキシアルキルアルコキ
シシラン化合物Ｂ（ｂ）およびジルコニウムテトラアル
コキシド（ｃ）の硬化のために公知の硬化触媒を加えて
もよい。
【００２９】さらに、高屈折率の層を得るため、平均粒
径が 1000 Å以下の超微粒子酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）、超微粒子酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、超
微粒子酸化亜鉛（ＺｎＯ）、もしくは超微粒子酸化チタ
ン（ＴｉＯ2 ）等の超微粒子の１つまたはこれらの混合
物を帯電防止被覆用組成物中に分散混合してもよい。
径が 1000 Å以下の超微粒子酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）、超微粒子酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、超
微粒子酸化亜鉛（ＺｎＯ）、もしくは超微粒子酸化チタ
ン（ＴｉＯ2 ）等の超微粒子の１つまたはこれらの混合
物を帯電防止被覆用組成物中に分散混合してもよい。
【００３０】本発明で使用される帯電防止被覆用組成物
の作製方法としては特に限定されるものではなく、例え
ば、上述した構成材料を一括して混合する方法、特定の
構成材料を分割して混合した後、残りの構成材料を添加
して混合する方法などが挙げられる。分割して混合する
方法としては、例えば、アミノアルキルアルコキシシラ
ン化合物Ａ（ａ）を有機溶媒（ｅ）中で加水分解したも
のに、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）の一種または２種以上
を混合したものを添加し、攪拌混合を行って、アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）の加水分解溶液
を得る。一方、エポキシアルキルアルコキシシラン化合
物Ｂ（ｂ）とジルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）の
混合物を有機溶媒（ｅ）中で加水分解し、この溶液を上
記のアミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）の
加水分解溶液に添加し、混合物の加水分解物を作製し、
帯電防止被覆用組成物とする。
の作製方法としては特に限定されるものではなく、例え
ば、上述した構成材料を一括して混合する方法、特定の
構成材料を分割して混合した後、残りの構成材料を添加
して混合する方法などが挙げられる。分割して混合する
方法としては、例えば、アミノアルキルアルコキシシラ
ン化合物Ａ（ａ）を有機溶媒（ｅ）中で加水分解したも
のに、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）の一種または２種以上
を混合したものを添加し、攪拌混合を行って、アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）の加水分解溶液
を得る。一方、エポキシアルキルアルコキシシラン化合
物Ｂ（ｂ）とジルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）の
混合物を有機溶媒（ｅ）中で加水分解し、この溶液を上
記のアミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）の
加水分解溶液に添加し、混合物の加水分解物を作製し、
帯電防止被覆用組成物とする。
【００３１】本発明の積層体の製造方法では、更に、低
屈折率層が、上記高屈折率層と交互に基材上に積層され
る。この低屈折率層は、上記高屈折率層より低屈折率を
有する層であれば特に限定されるものではない。例え
ば、フッ素樹脂による被覆層や、多孔質シリカ層、フッ
素含有無機化合物からなる被覆層、さらにフッ素含有無
機化合物の微粒子をバインダ中に分散混合させた層等が
挙げられる。尚、このフッ素含有無機化合物の具体的な
代表例としては、ＭｇＦ2 、ＡｌＦ3 、ＢａＦ2 、Ｌａ
Ｆ2 、ＣａＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 などが挙げられる。
屈折率層が、上記高屈折率層と交互に基材上に積層され
る。この低屈折率層は、上記高屈折率層より低屈折率を
有する層であれば特に限定されるものではない。例え
ば、フッ素樹脂による被覆層や、多孔質シリカ層、フッ
素含有無機化合物からなる被覆層、さらにフッ素含有無
機化合物の微粒子をバインダ中に分散混合させた層等が
挙げられる。尚、このフッ素含有無機化合物の具体的な
代表例としては、ＭｇＦ2 、ＡｌＦ3 、ＢａＦ2 、Ｌａ
Ｆ2 、ＣａＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 などが挙げられる。
【００３２】本発明において、積層体を形成する基材と
しては、積層体の光透過率を４０％以上にするような基
材であれば、特に限定されるものではなく、目的に応じ
てケイ酸ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガ
ラス、カリ石灰ガラス、鉛石灰ガラス、バリウムガラ
ス、ホウケイ酸ガラス等のケイ酸塩ガラス、アルミノシ
リケートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、
石英ガラスなどのガラス、綱玉等の短結晶、マグネシ
ア、サイアロン等の透光性セラミックス、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステル、ポリウレ
タン、三酢酸セルロース等のプラスチックスが使用でき
る。特に、ケイ酸ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソー
ダ石灰ガラスが好ましい。また、基材の形状は、特に限
定されるものではない。
しては、積層体の光透過率を４０％以上にするような基
材であれば、特に限定されるものではなく、目的に応じ
てケイ酸ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガ
ラス、カリ石灰ガラス、鉛石灰ガラス、バリウムガラ
ス、ホウケイ酸ガラス等のケイ酸塩ガラス、アルミノシ
リケートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、
石英ガラスなどのガラス、綱玉等の短結晶、マグネシ
ア、サイアロン等の透光性セラミックス、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステル、ポリウレ
タン、三酢酸セルロース等のプラスチックスが使用でき
る。特に、ケイ酸ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソー
ダ石灰ガラスが好ましい。また、基材の形状は、特に限
定されるものではない。
【００３３】本発明の積層体の製造方法は、基材の表面
上に、上記高屈折率層と低屈折率層を、低屈折率層が最
外層となるように、交互に複層積層させる。積層数の最
も少ない積層体の製造方法は、基材の表面に、まず、高
屈折率層を積層させ、乾燥後、その上に低屈折率層を積
層させ乾燥後、硬化させることにより行う方法である。
上に、上記高屈折率層と低屈折率層を、低屈折率層が最
外層となるように、交互に複層積層させる。積層数の最
も少ない積層体の製造方法は、基材の表面に、まず、高
屈折率層を積層させ、乾燥後、その上に低屈折率層を積
層させ乾燥後、硬化させることにより行う方法である。
【００３４】本発明の積層体の製造方法では、最終的に
得られた積層体の光透過率が４０％以上のものに限定さ
れる。
得られた積層体の光透過率が４０％以上のものに限定さ
れる。
【００３５】それぞれの層の積層は、塗装によって行う
のが好ましい。基材への塗布方法はスピンコート法、デ
ィップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニスカス
コーター法等の種々な方法が用いられ得る。
のが好ましい。基材への塗布方法はスピンコート法、デ
ィップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニスカス
コーター法等の種々な方法が用いられ得る。
【００３６】本発明２（請求項２の発明を、本発明２と
いう）では、本発明の積層体の製造方法の高屈折率層を
得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）に代わり、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が使
用される。
いう）では、本発明の積層体の製造方法の高屈折率層を
得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）に代わり、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が使
用される。
【００３７】本発明２で使用される過塩素酸化合物（ｄ
1 ）は、一般式ＸＣｌＯ4 で表される化合物である。式
中、Ｘは水素原子、一価の金属原子、ＮＨ4 または下記
一般式[III] で表される第４アンモニウムである。
1 ）は、一般式ＸＣｌＯ4 で表される化合物である。式
中、Ｘは水素原子、一価の金属原子、ＮＨ4 または下記
一般式[III] で表される第４アンモニウムである。
【化６】 一価の金属原子としては、リチウム、ナトリウム、カリ
ウムなどが挙げられる。第４アンモニウムの置換基、Ｍ
1 、Ｍ2 、Ｍ3 およびＭ4 は炭素数１〜２０のアルキル
基である。過塩素酸化合物（ｄ1 ）の例としては、例え
ば、過塩素酸、過塩素酸リチウム、過塩素酸アンモニウ
ム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テト
ラエチルアンモニウムなどが挙げられる。これらの過塩
素酸化合物は、単独で使用されてもよいし２種以上併用
されてもよい。
ウムなどが挙げられる。第４アンモニウムの置換基、Ｍ
1 、Ｍ2 、Ｍ3 およびＭ4 は炭素数１〜２０のアルキル
基である。過塩素酸化合物（ｄ1 ）の例としては、例え
ば、過塩素酸、過塩素酸リチウム、過塩素酸アンモニウ
ム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テト
ラエチルアンモニウムなどが挙げられる。これらの過塩
素酸化合物は、単独で使用されてもよいし２種以上併用
されてもよい。
【００３８】本発明２で使用される過塩素酸化合物（ｄ
1 ）の量は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．５モルの割
合に限定される。過塩素酸化合物（ｄ1 ）は少なくなる
と、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与されず、多く
なると、被膜が白濁して不透明になる。
1 ）の量は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．５モルの割
合に限定される。過塩素酸化合物（ｄ1 ）は少なくなる
と、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与されず、多く
なると、被膜が白濁して不透明になる。
【００３９】本発明２で使用される有機溶媒（ｅ）は、
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジ
ルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と
相溶性があり、過塩素酸化合物（ｄ1 ）を溶解するもの
であれば特に限定されるものではなく、例えば、本発明
の高屈折率層を得るための帯電防止被覆用組成物で使用
されるものと同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使用量
も、本発明の帯電防止被覆用組成物で使用される量と同
様である。
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジ
ルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と
相溶性があり、過塩素酸化合物（ｄ1 ）を溶解するもの
であれば特に限定されるものではなく、例えば、本発明
の高屈折率層を得るための帯電防止被覆用組成物で使用
されるものと同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使用量
も、本発明の帯電防止被覆用組成物で使用される量と同
様である。
【００４０】本発明２の高屈折率層を得るための帯電防
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が使用される
こと以外は、本発明の作製方法と同様である。
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が使用される
こと以外は、本発明の作製方法と同様である。
【００４１】本発明２の積層体の製造方法は、高屈折率
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が含有され
た帯電防止被覆用組成物が使用されること以外は、本発
明の積層体の製造方法と同様である。
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が含有され
た帯電防止被覆用組成物が使用されること以外は、本発
明の積層体の製造方法と同様である。
【００４２】本発明３（請求項３の発明を、本発明３と
いう）では、本発明の積層体の製造方法の高屈折率層を
得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）に代わり、一般式ＣＦ3 ＳＯ3 Ｘ1 で表
されるトリフルオロメタンスルホン酸化合物（ｄ2 ）が
使用される。式中、Ｘ1 は水素原子または一価の金属原
子を示す。一価の金属原子としては、リチウム、ナトリ
ウム、カリウムなどが挙げられる。トリフルオロメタン
スルホン酸化合物（ｄ2 ）の例としては、例えば、トリ
フルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホ
ン酸リチウム、トリフルオロメタンスルホン酸ナトリウ
ムなどが挙げられる。これらは、単独で使用されてもよ
いし２種以上併用されてもよい。
いう）では、本発明の積層体の製造方法の高屈折率層を
得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）に代わり、一般式ＣＦ3 ＳＯ3 Ｘ1 で表
されるトリフルオロメタンスルホン酸化合物（ｄ2 ）が
使用される。式中、Ｘ1 は水素原子または一価の金属原
子を示す。一価の金属原子としては、リチウム、ナトリ
ウム、カリウムなどが挙げられる。トリフルオロメタン
スルホン酸化合物（ｄ2 ）の例としては、例えば、トリ
フルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホ
ン酸リチウム、トリフルオロメタンスルホン酸ナトリウ
ムなどが挙げられる。これらは、単独で使用されてもよ
いし２種以上併用されてもよい。
【００４３】トリフルオロメタンスルホン酸化合物（ｄ
2 ）の量は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．５モルの割合に
限定される。トリフルオロメタンスルホン酸化合物（ｄ
2 ）は少なくなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に
付与されず、多くなると、被膜が白濁して不透明にな
る。
2 ）の量は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．５モルの割合に
限定される。トリフルオロメタンスルホン酸化合物（ｄ
2 ）は少なくなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に
付与されず、多くなると、被膜が白濁して不透明にな
る。
【００４４】本発明３で使用される有機溶媒（ｅ）は、
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジ
ルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と
相溶性があり、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）を溶解するものであれば特に限定されるもので
はなく、例えば、本発明の高屈折率層を得るための帯電
防止被覆用組成物で使用されるものと同様である。前記
有機溶媒（ｅ）の使用量も、本発明の帯電防止被覆用組
成物で使用される量と同様である。
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジ
ルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と
相溶性があり、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）を溶解するものであれば特に限定されるもので
はなく、例えば、本発明の高屈折率層を得るための帯電
防止被覆用組成物で使用されるものと同様である。前記
有機溶媒（ｅ）の使用量も、本発明の帯電防止被覆用組
成物で使用される量と同様である。
【００４５】本発明３の高屈折率層を得るための帯電防
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）が使用されること以外は、本発明の作製方法と
同様である。
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）が使用されること以外は、本発明の作製方法と
同様である。
【００４６】本発明３の積層体の製造方法は、高屈折率
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、トリフルオロメタンスルホン酸化合
物（ｄ2 ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使用さ
れること以外は、本発明の積層体の製造方法と同様であ
る。
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、トリフルオロメタンスルホン酸化合
物（ｄ2 ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使用さ
れること以外は、本発明の積層体の製造方法と同様であ
る。
【００４７】本発明４（請求項４の発明を、本発明４と
いう）では、本発明の積層体の製造方法の高屈折率層を
得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）に代わり、硫酸（ｄ3 ）が使用される。
いう）では、本発明の積層体の製造方法の高屈折率層を
得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）に代わり、硫酸（ｄ3 ）が使用される。
【００４８】硫酸（ｄ3 ）の量は、アミノアルキルアル
コキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１
〜０．５モルの割合に限定される。硫酸（ｂ3 ）は少な
くなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与され
ず、多くなると、被膜が白濁して不透明になる。好まし
い添加量は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）１モルに対して０．０５〜０．３モルの範囲であ
る。
コキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１
〜０．５モルの割合に限定される。硫酸（ｂ3 ）は少な
くなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与され
ず、多くなると、被膜が白濁して不透明になる。好まし
い添加量は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）１モルに対して０．０５〜０．３モルの範囲であ
る。
【００４９】本発明４で使用される有機溶媒（ｅ）は、
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジ
ルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と
相溶性があり、硫酸（ｄ3 ）を溶解するものであれば特
に限定されるものではなく、例えば、本発明の高屈折率
層を得るための帯電防止被覆用組成物で使用されるもの
と同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使用量も、本発明
の帯電防止被覆用組成物で使用される量と同様である。
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジ
ルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と
相溶性があり、硫酸（ｄ3 ）を溶解するものであれば特
に限定されるものではなく、例えば、本発明の高屈折率
層を得るための帯電防止被覆用組成物で使用されるもの
と同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使用量も、本発明
の帯電防止被覆用組成物で使用される量と同様である。
【００５０】本発明４の高屈折率層を得るための帯電防
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、硫酸（ｄ3 ）が使用されること以外
は、本発明の作製方法と同様である。
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、硫酸（ｄ3 ）が使用されること以外
は、本発明の作製方法と同様である。
【００５１】本発明４の積層体の製造方法は、高屈折率
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、硫酸（ｄ3 ）が含有された帯電防止
被覆用組成物が使用されること以外は、本発明の積層体
の製造方法と同様である。
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、硫酸（ｄ3 ）が含有された帯電防止
被覆用組成物が使用されること以外は、本発明の積層体
の製造方法と同様である。
【００５２】本発明５（請求項５の発明を、本発明５と
いう）では、本発明の積層体の製造方法の高屈折率層を
得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）に代わり、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）
（ＦＳＯ3 Ｈ）が使用される。
いう）では、本発明の積層体の製造方法の高屈折率層を
得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）に代わり、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）
（ＦＳＯ3 Ｈ）が使用される。
【００５３】フルオロスルホン酸（ｄ4 ）の量は、アミ
ノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対
して、０．００１〜０．１５モルの割合に限定される。
フルオロスルホン酸（ｂ4 ）は少なくなると、帯電防止
に十分な導電性が被膜に付与されず、多くなると、被膜
が白濁して不透明になる。好ましい添加量は、アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して
０．０５〜０．１モルの範囲である。
ノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対
して、０．００１〜０．１５モルの割合に限定される。
フルオロスルホン酸（ｂ4 ）は少なくなると、帯電防止
に十分な導電性が被膜に付与されず、多くなると、被膜
が白濁して不透明になる。好ましい添加量は、アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して
０．０５〜０．１モルの範囲である。
【００５４】本発明５で使用される有機溶媒（ｅ）は、
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジ
ルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と
相溶性があり、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）を溶解する
ものであれば特に限定されるものではなく、例えば、本
発明の高屈折率層を得るための帯電防止被覆用組成物で
使用されるものと同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使
用量も、本発明の帯電防止被覆用組成物で使用される量
と同様である。
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、ジ
ルコニウムテトラアルコキシド（ｃ）および水（ｆ）と
相溶性があり、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）を溶解する
ものであれば特に限定されるものではなく、例えば、本
発明の高屈折率層を得るための帯電防止被覆用組成物で
使用されるものと同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使
用量も、本発明の帯電防止被覆用組成物で使用される量
と同様である。
【００５５】本発明５の高屈折率層を得るための帯電防
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）が使用さ
れること以外は、本発明の作製方法と同様である。
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）が使用さ
れること以外は、本発明の作製方法と同様である。
【００５６】本発明５の積層体の製造方法は、高屈折率
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）が含有
された帯電防止被覆用組成物が使用されること以外は、
本発明の積層体の製造方法と同様である。
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）が含有
された帯電防止被覆用組成物が使用されること以外は、
本発明の積層体の製造方法と同様である。
【００５７】本発明６（請求項６の発明を、本発明６と
いう）で使用されるアミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）およびエポキシアルキルアルコキシシラン
化合物Ｂ（ｂ）は、本発明のものと、同様である。
いう）で使用されるアミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）およびエポキシアルキルアルコキシシラン
化合物Ｂ（ｂ）は、本発明のものと、同様である。
【００５８】本発明６で使用されるチタニウムテトラア
ルコキシド（ｃ1 ）は、一般式Ｔｉ（ＯＲ3 ）4 で表さ
れ、Ｒ3 は、炭素数１〜５のアルキル基を示すが、炭素
数が多くなると帯電防止被覆用組成物の安定性が低下し
て長期保存性が悪くなるので、炭素数は１〜５に限定さ
れる。Ｒ3 の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、ネオ−ペンチル基などが挙げられ
る。
ルコキシド（ｃ1 ）は、一般式Ｔｉ（ＯＲ3 ）4 で表さ
れ、Ｒ3 は、炭素数１〜５のアルキル基を示すが、炭素
数が多くなると帯電防止被覆用組成物の安定性が低下し
て長期保存性が悪くなるので、炭素数は１〜５に限定さ
れる。Ｒ3 の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ
ｓｏ−ペンチル基、ネオ−ペンチル基などが挙げられ
る。
【００５９】チタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）と
しては、例えば、チタニウムテトラメトキシド、チタニ
ウムテトラエトキシド、チタニウムテトラ−ｎ−プロポ
キシド、チタニウムテトラ−ｉｓｏ−プロポキシド、チ
タニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、チタニウムテトラ−
ｓｅｃ−ブトキシド、チタニウムテトラ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシド、チタニウムテトラ−ｎ−ペントキシド、チタ
ニウムテトラ−ｉｓｏ−ペントキシドなどが挙げられ、
特にチタニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、チタニウムテ
トラ−ｉｓｏ−プロポキシドが好ましい。本発明で使用
されるチタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）として
は、前記のように定義された範囲内の化合物が単独で使
用されてもよいし、２種以上併用されてもよい。
しては、例えば、チタニウムテトラメトキシド、チタニ
ウムテトラエトキシド、チタニウムテトラ−ｎ−プロポ
キシド、チタニウムテトラ−ｉｓｏ−プロポキシド、チ
タニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、チタニウムテトラ−
ｓｅｃ−ブトキシド、チタニウムテトラ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシド、チタニウムテトラ−ｎ−ペントキシド、チタ
ニウムテトラ−ｉｓｏ−ペントキシドなどが挙げられ、
特にチタニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、チタニウムテ
トラ−ｉｓｏ−プロポキシドが好ましい。本発明で使用
されるチタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）として
は、前記のように定義された範囲内の化合物が単独で使
用されてもよいし、２種以上併用されてもよい。
【００６０】本発明６で使用される帯電防止被覆用組成
物において、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）とエポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ
（ｂ）とチタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）のモル
比は、９３〜５５：３５〜５：１０〜２に限定される。
この範囲をはずれると、該組成物のゲル化がおこった
り、耐水性が得られなかったりする。
物において、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）とエポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ
（ｂ）とチタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）のモル
比は、９３〜５５：３５〜５：１０〜２に限定される。
この範囲をはずれると、該組成物のゲル化がおこった
り、耐水性が得られなかったりする。
【００６１】本発明６に使用されるヘテロポリ酸化合物
（ｄ）の量は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．３５モル
の割合に限定される。ヘテロポリ酸化合物（ｄ）は少な
くなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与され
ず、多くなると、被膜が白濁して不透明になる。
（ｄ）の量は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．３５モル
の割合に限定される。ヘテロポリ酸化合物（ｄ）は少な
くなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与され
ず、多くなると、被膜が白濁して不透明になる。
【００６２】本発明６で使用される有機溶媒（ｅ）は、
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、チ
タニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および水（ｆ）と
相溶性があり、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）を溶解するも
のであれば特に限定されるものではなく、例えば、メチ
ルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコ
ール、ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン
などが挙げられ、特にメチルアルコール、エチルアルコ
ール、イソプロピルアルコールが好ましい。これらは単
独で使用されてもよいし２種以上併用されてもよい。
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、チ
タニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および水（ｆ）と
相溶性があり、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）を溶解するも
のであれば特に限定されるものではなく、例えば、メチ
ルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコ
ール、ブチルアルコール等のアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン
などが挙げられ、特にメチルアルコール、エチルアルコ
ール、イソプロピルアルコールが好ましい。これらは単
独で使用されてもよいし２種以上併用されてもよい。
【００６３】上記有機溶媒（ｅ）の量は、前記アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対し
て、１５〜１００モルの割合に限定される。有機溶媒
（ｅ）は少なくなると、該被覆用組成物が均一に混合さ
れにくく、不均質な組成物となり、多くなると、該被覆
用組成物の固形分濃度が低くなりすぎ、被膜にしたとき
十分な帯電防止能を得られない。好ましい添加量は、ア
ミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに
対して２０〜５０モルの範囲である。
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対し
て、１５〜１００モルの割合に限定される。有機溶媒
（ｅ）は少なくなると、該被覆用組成物が均一に混合さ
れにくく、不均質な組成物となり、多くなると、該被覆
用組成物の固形分濃度が低くなりすぎ、被膜にしたとき
十分な帯電防止能を得られない。好ましい添加量は、ア
ミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに
対して２０〜５０モルの範囲である。
【００６４】本発明６で使用される水（ｆ）は、前記ア
ミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、エポキ
シアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）およびチタ
ニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）の加水分解のために
加えられる。水（ｆ）の量は、アミノアルキルアルコキ
シシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して０．１〜５モル
の割合に限定される。水（ｆ）は少なくなると、十分な
加水分解がおこりにくく、多くなると該被覆用組成物と
の相溶性が悪い。
ミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、エポキ
シアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）およびチタ
ニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）の加水分解のために
加えられる。水（ｆ）の量は、アミノアルキルアルコキ
シシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して０．１〜５モル
の割合に限定される。水（ｆ）は少なくなると、十分な
加水分解がおこりにくく、多くなると該被覆用組成物と
の相溶性が悪い。
【００６５】本発明６で使用される水（ｆ）には、加水
分解のための触媒として酸を加えてもよい。この酸とし
ては、特に限定されるものではなく、無機酸、有機酸の
いずれも使用可能であり、例えば、塩酸、硫酸、硝酸が
挙げられる。酸の添加量としては、上記の割合で該被覆
用組成物に添加される水（ｆ）に０．００１〜５重量％
の割合で含有されていればよい。酸の量が少なくなる
と、触媒としての効果が望めず、多くなると、被膜が不
均質になる。
分解のための触媒として酸を加えてもよい。この酸とし
ては、特に限定されるものではなく、無機酸、有機酸の
いずれも使用可能であり、例えば、塩酸、硫酸、硝酸が
挙げられる。酸の添加量としては、上記の割合で該被覆
用組成物に添加される水（ｆ）に０．００１〜５重量％
の割合で含有されていればよい。酸の量が少なくなる
と、触媒としての効果が望めず、多くなると、被膜が不
均質になる。
【００６６】本発明６で使用される帯電防止被覆用組成
物の構成は上述した通りであるが、さらに導電性を向上
させるためにポリエチレングリコール等の親水性高分子
を添加してもよい。また、被膜形成性を向上させるため
に、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセル
ロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチ
ルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等のセル
ロース誘導体を含有させてもよい。また同様の目的で、
シリカゾル、アルミナゾル、ジルコニアゾル等の酸化物
コロイドを含有させてもよい。また、被膜の硬度を向上
させるなどのためにシリコン以外の金属のアルコキシド
を添加してもよい。また、前記のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ（ａ）、エポキシアルキルアルコキ
シシラン化合物Ｂ（ｂ）およびチタニウムテトラアルコ
キシド（ｃ1 ）の硬化のために公知の硬化触媒を加えて
もよい。
物の構成は上述した通りであるが、さらに導電性を向上
させるためにポリエチレングリコール等の親水性高分子
を添加してもよい。また、被膜形成性を向上させるため
に、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセル
ロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチ
ルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース等のセル
ロース誘導体を含有させてもよい。また同様の目的で、
シリカゾル、アルミナゾル、ジルコニアゾル等の酸化物
コロイドを含有させてもよい。また、被膜の硬度を向上
させるなどのためにシリコン以外の金属のアルコキシド
を添加してもよい。また、前記のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ（ａ）、エポキシアルキルアルコキ
シシラン化合物Ｂ（ｂ）およびチタニウムテトラアルコ
キシド（ｃ1 ）の硬化のために公知の硬化触媒を加えて
もよい。
【００６７】さらに、高屈折率の層を得るため、平均粒
径が 1000 Å以下の超微粒子酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）、超微粒子酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、超
微粒子酸化亜鉛（ＺｎＯ）、もしくは超微粒子酸化チタ
ン（ＴｉＯ2 ）等の超微粒子の１つまたはこれらの混合
物を帯電防止被覆用組成物中に分散混合してもよい。
径が 1000 Å以下の超微粒子酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）、超微粒子酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、超
微粒子酸化亜鉛（ＺｎＯ）、もしくは超微粒子酸化チタ
ン（ＴｉＯ2 ）等の超微粒子の１つまたはこれらの混合
物を帯電防止被覆用組成物中に分散混合してもよい。
【００６８】本発明６で使用される帯電防止被覆用組成
物の作製方法としては特に限定されるものではなく、例
えば、上述した構成材料を一括して混合する方法、特定
の構成材料を分割して混合した後、残りの構成材料を添
加して混合する方法などが挙げられる。分割して混合す
る方法としては、例えば、アミノアルキルアルコキシシ
ラン化合物Ａ（ａ）を有機溶媒（ｅ）中で加水分解した
ものに、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）の一種または２種以
上を混合したものを添加し、攪拌混合を行って、アミノ
アルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）の加水分解溶
液を得る。一方、エポキシアルキルアルコキシシラン化
合物Ｂ（ｂ）とチタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）
の混合物を有機溶媒（ｅ）中で加水分解し、この溶液を
上記のアミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）
の加水分解溶液に添加し、混合物の加水分解物を作製
し、帯電防止被覆用組成物とする。
物の作製方法としては特に限定されるものではなく、例
えば、上述した構成材料を一括して混合する方法、特定
の構成材料を分割して混合した後、残りの構成材料を添
加して混合する方法などが挙げられる。分割して混合す
る方法としては、例えば、アミノアルキルアルコキシシ
ラン化合物Ａ（ａ）を有機溶媒（ｅ）中で加水分解した
ものに、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）の一種または２種以
上を混合したものを添加し、攪拌混合を行って、アミノ
アルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）の加水分解溶
液を得る。一方、エポキシアルキルアルコキシシラン化
合物Ｂ（ｂ）とチタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）
の混合物を有機溶媒（ｅ）中で加水分解し、この溶液を
上記のアミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）
の加水分解溶液に添加し、混合物の加水分解物を作製
し、帯電防止被覆用組成物とする。
【００６９】本発明６の積層体の製造方法では、更に、
低屈折率層が、上記高屈折率層と交互に基材上に積層さ
れる。この低屈折率層は、上記高屈折率層より低屈折率
を有する層であれば特に限定されるものではない。例え
ば、フッ素樹脂による被覆層や、多孔質シリカ層、フッ
素含有無機化合物からなる被覆層、さらにフッ素含有無
機化合物の微粒子をバインダ中に分散混合させた層等が
挙げられる。尚、このフッ素含有無機化合物の具体的な
代表例としては、ＭｇＦ2 、ＡｌＦ3 、ＢａＦ2 、Ｌａ
Ｆ2 、ＣａＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 などが挙げられる。
低屈折率層が、上記高屈折率層と交互に基材上に積層さ
れる。この低屈折率層は、上記高屈折率層より低屈折率
を有する層であれば特に限定されるものではない。例え
ば、フッ素樹脂による被覆層や、多孔質シリカ層、フッ
素含有無機化合物からなる被覆層、さらにフッ素含有無
機化合物の微粒子をバインダ中に分散混合させた層等が
挙げられる。尚、このフッ素含有無機化合物の具体的な
代表例としては、ＭｇＦ2 、ＡｌＦ3 、ＢａＦ2 、Ｌａ
Ｆ2 、ＣａＦ2 、Ｎａ3 ＡｌＦ6 などが挙げられる。
【００７０】本発明６において、積層体を形成する基材
としては、積層体の光透過率を４０％以上にするような
基材であれば、特に限定されるものではなく、目的に応
じてケイ酸ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰
ガラス、カリ石灰ガラス、鉛石灰ガラス、バリウムガラ
ス、ホウケイ酸ガラス等のケイ酸塩ガラス、アルミノシ
リケートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、
石英ガラスなどのガラス、綱玉等の短結晶、マグネシ
ア、サイアロン等の透光性セラミックス、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステル、ポリウレ
タン、三酢酸セルロース等のプラスチックスが使用でき
る。特に、ケイ酸ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソー
ダ石灰ガラスが好ましい。また、基材の形状は、特に限
定されるものではない。
としては、積層体の光透過率を４０％以上にするような
基材であれば、特に限定されるものではなく、目的に応
じてケイ酸ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰
ガラス、カリ石灰ガラス、鉛石灰ガラス、バリウムガラ
ス、ホウケイ酸ガラス等のケイ酸塩ガラス、アルミノシ
リケートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、
石英ガラスなどのガラス、綱玉等の短結晶、マグネシ
ア、サイアロン等の透光性セラミックス、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステル、ポリウレ
タン、三酢酸セルロース等のプラスチックスが使用でき
る。特に、ケイ酸ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソー
ダ石灰ガラスが好ましい。また、基材の形状は、特に限
定されるものではない。
【００７１】本発明６の積層体の製造方法は、基材の表
面上に、上記高屈折率層と低屈折率層を、低屈折率層が
最外層となるように、交互に複層積層させる。積層数の
最も少ない積層体の製造方法は、基材の表面に、まず、
高屈折率層を積層させ、乾燥後、その上に低屈折率層を
積層させ乾燥後、硬化させることにより行う方法であ
る。
面上に、上記高屈折率層と低屈折率層を、低屈折率層が
最外層となるように、交互に複層積層させる。積層数の
最も少ない積層体の製造方法は、基材の表面に、まず、
高屈折率層を積層させ、乾燥後、その上に低屈折率層を
積層させ乾燥後、硬化させることにより行う方法であ
る。
【００７２】本発明の積層体の製造方法では、最終的に
得られた積層体の光透過率が４０％以上のものに限定さ
れる。
得られた積層体の光透過率が４０％以上のものに限定さ
れる。
【００７３】それぞれの層の積層は、塗装によって行う
のが好ましい。基材への塗布方法はスピンコート法、デ
ィップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニスカス
コーター法等の種々な方法が用いられ得る。
のが好ましい。基材への塗布方法はスピンコート法、デ
ィップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニスカス
コーター法等の種々な方法が用いられ得る。
【００７４】本発明７（請求項７の発明を、本発明７と
いう）では、本発明６の積層体の製造方法の高屈折率層
を得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポ
リ酸化合物（ｄ）に代わり、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が
使用される。
いう）では、本発明６の積層体の製造方法の高屈折率層
を得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポ
リ酸化合物（ｄ）に代わり、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が
使用される。
【００７５】本発明７で使用される過塩素酸化合物（ｄ
1 ）の量は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．５モルの割
合に限定される。過塩素酸化合物（ｄ1 ）は少なくなる
と、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与されず、多く
なると、被膜が白濁して不透明になる。
1 ）の量は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．５モルの割
合に限定される。過塩素酸化合物（ｄ1 ）は少なくなる
と、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与されず、多く
なると、被膜が白濁して不透明になる。
【００７６】本発明７で使用される有機溶媒（ｅ）は、
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、チ
タニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および水（ｆ）と
相溶性があり、過塩素酸化合物（ｄ1 ）を溶解するもの
であれば特に限定されるものではなく、例えば、本発明
の高屈折率層を得るための帯電防止被覆用組成物で使用
されるものと同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使用量
も、本発明の帯電防止被覆用組成物で使用される量と同
様である。
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、チ
タニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および水（ｆ）と
相溶性があり、過塩素酸化合物（ｄ1 ）を溶解するもの
であれば特に限定されるものではなく、例えば、本発明
の高屈折率層を得るための帯電防止被覆用組成物で使用
されるものと同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使用量
も、本発明の帯電防止被覆用組成物で使用される量と同
様である。
【００７７】本発明７の高屈折率層を得るための帯電防
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が使用される
こと以外は、本発明６の作製方法と同様である。
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が使用される
こと以外は、本発明６の作製方法と同様である。
【００７８】本発明７の積層体の製造方法は、高屈折率
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が含有され
た帯電防止被覆用組成物が使用されること以外は、本発
明６の積層体の製造方法と同様である。
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、過塩素酸化合物（ｄ1 ）が含有され
た帯電防止被覆用組成物が使用されること以外は、本発
明６の積層体の製造方法と同様である。
【００７９】本発明８（請求項８の発明を、本発明８と
いう）では、本発明６の積層体の製造方法の高屈折率層
を得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポ
リ酸化合物（ｄ）に代わり、トリフルオロメタンスルホ
ン酸化合物（ｄ2 ）が使用される。
いう）では、本発明６の積層体の製造方法の高屈折率層
を得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポ
リ酸化合物（ｄ）に代わり、トリフルオロメタンスルホ
ン酸化合物（ｄ2 ）が使用される。
【００８０】トリフルオロメタンスルホン酸化合物（ｄ
2 ）の量は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．５モルの割合に
限定される。トリフルオロメタンスルホン酸化合物（ｄ
2 ）は少なくなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に
付与されず、多くなると、被膜が白濁して不透明にな
る。
2 ）の量は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）１モルに対して、０．０１〜０．５モルの割合に
限定される。トリフルオロメタンスルホン酸化合物（ｄ
2 ）は少なくなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に
付与されず、多くなると、被膜が白濁して不透明にな
る。
【００８１】本発明８で使用される有機溶媒（ｅ）は、
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、チ
タニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および水（ｆ）と
相溶性があり、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）を溶解するものであれば特に限定されるもので
はなく、例えば、本発明の高屈折率層を得るための帯電
防止被覆用組成物で使用されるものと同様である。前記
有機溶媒（ｅ）の使用量も、本発明の帯電防止被覆用組
成物で使用される量と同様である。
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、チ
タニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および水（ｆ）と
相溶性があり、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）を溶解するものであれば特に限定されるもので
はなく、例えば、本発明の高屈折率層を得るための帯電
防止被覆用組成物で使用されるものと同様である。前記
有機溶媒（ｅ）の使用量も、本発明の帯電防止被覆用組
成物で使用される量と同様である。
【００８２】本発明８の高屈折率層を得るための帯電防
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）が使用されること以外は、本発明６の作製方法
と同様である。
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）が使用されること以外は、本発明６の作製方法
と同様である。
【００８３】本発明８の積層体の製造方法は、高屈折率
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、トリフルオロメタンスルホン酸化合
物（ｄ2 ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使用さ
れること以外は、本発明６の積層体の製造方法と同様で
ある。
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、トリフルオロメタンスルホン酸化合
物（ｄ2 ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使用さ
れること以外は、本発明６の積層体の製造方法と同様で
ある。
【００８４】本発明９（請求項９の発明を、本発明９と
いう）では、本発明６の積層体の製造方法の高屈折率層
を得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポ
リ酸化合物（ｄ）に代わり、硫酸（ｄ3 ）が使用され
る。
いう）では、本発明６の積層体の製造方法の高屈折率層
を得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘテロポ
リ酸化合物（ｄ）に代わり、硫酸（ｄ3 ）が使用され
る。
【００８５】硫酸（ｄ3 ）の量は、アミノアルキルアル
コキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１
〜０．５モルの割合に限定される。硫酸（ｂ3 ）は少な
くなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与され
ず、多くなると、被膜が白濁して不透明になる。好まし
い添加量は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）１モルに対して０．０５〜０．３モルの範囲であ
る。
コキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して、０．０１
〜０．５モルの割合に限定される。硫酸（ｂ3 ）は少な
くなると、帯電防止に十分な導電性が被膜に付与され
ず、多くなると、被膜が白濁して不透明になる。好まし
い添加量は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）１モルに対して０．０５〜０．３モルの範囲であ
る。
【００８６】本発明９で使用される有機溶媒（ｅ）は、
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、チ
タニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および水（ｆ）と
相溶性があり、硫酸（ｄ3 ）を溶解するものであれば特
に限定されるものではなく、例えば、本発明の高屈折率
層を得るための帯電防止被覆用組成物で使用されるもの
と同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使用量も、本発明
の帯電防止被覆用組成物で使用される量と同様である。
前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）、
エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）、チ
タニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および水（ｆ）と
相溶性があり、硫酸（ｄ3 ）を溶解するものであれば特
に限定されるものではなく、例えば、本発明の高屈折率
層を得るための帯電防止被覆用組成物で使用されるもの
と同様である。前記有機溶媒（ｅ）の使用量も、本発明
の帯電防止被覆用組成物で使用される量と同様である。
【００８７】本発明９の高屈折率層を得るための帯電防
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、硫酸（ｄ3 ）が使用されること以外
は、本発明６の作製方法と同様である。
止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、硫酸（ｄ3 ）が使用されること以外
は、本発明６の作製方法と同様である。
【００８８】本発明９の積層体の製造方法は、高屈折率
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、硫酸（ｄ3 ）が含有された帯電防止
被覆用組成物が使用されること以外は、本発明６の積層
体の製造方法と同様である。
層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポリ
酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が使
用される代わりに、硫酸（ｄ3 ）が含有された帯電防止
被覆用組成物が使用されること以外は、本発明６の積層
体の製造方法と同様である。
【００８９】本発明１０（請求項１０の発明を、本発明
１０という）では、本発明６の積層体の製造方法の高屈
折率層を得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘ
テロポリ酸化合物（ｄ）に代わり、フルオロスルホン酸
（ｄ4 ）が使用される。
１０という）では、本発明６の積層体の製造方法の高屈
折率層を得るための帯電防止被覆用組成物において、ヘ
テロポリ酸化合物（ｄ）に代わり、フルオロスルホン酸
（ｄ4 ）が使用される。
【００９０】フルオロスルホン酸（ｄ4 ）の量は、アミ
ノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対
して、０．００１〜０．１５モルの割合に限定される。
フルオロスルホン酸（ｂ4 ）は少なくなると、帯電防止
に十分な導電性が被膜に付与されず、多くなると、被膜
が白濁して不透明になる。好ましい添加量は、アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して
０．０５〜０．１モルの範囲である。
ノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対
して、０．００１〜０．１５モルの割合に限定される。
フルオロスルホン酸（ｂ4 ）は少なくなると、帯電防止
に十分な導電性が被膜に付与されず、多くなると、被膜
が白濁して不透明になる。好ましい添加量は、アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対して
０．０５〜０．１モルの範囲である。
【００９１】本発明１０で使用される有機溶媒（ｅ）
は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）、エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ
（ｂ）、チタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および
水（ｆ）と相溶性があり、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）
を溶解するものであれば特に限定されるものではなく、
例えば、本発明の高屈折率層を得るための帯電防止被覆
用組成物で使用されるものと同様である。前記有機溶媒
（ｅ）の使用量も、本発明の帯電防止被覆用組成物で使
用される量と同様である。
は、前記アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）、エポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ
（ｂ）、チタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）および
水（ｆ）と相溶性があり、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）
を溶解するものであれば特に限定されるものではなく、
例えば、本発明の高屈折率層を得るための帯電防止被覆
用組成物で使用されるものと同様である。前記有機溶媒
（ｅ）の使用量も、本発明の帯電防止被覆用組成物で使
用される量と同様である。
【００９２】本発明１０の高屈折率層を得るための帯電
防止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）が使用さ
れること以外は、本発明６の作製方法と同様である。
防止被覆用組成物の作製方法は、ヘテロポリ酸化合物
（ｄ）に代えて、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）が使用さ
れること以外は、本発明６の作製方法と同様である。
【００９３】本発明１０の積層体の製造方法は、高屈折
率層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポ
リ酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が
使用される代わりに、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）が含
有された帯電防止被覆用組成物が使用されること以外
は、本発明６の積層体の製造方法と同様である。
率層を形成する帯電防止被覆用組成物として、ヘテロポ
リ酸化合物（ｄ）が含有された帯電防止被覆用組成物が
使用される代わりに、フルオロスルホン酸（ｄ4 ）が含
有された帯電防止被覆用組成物が使用されること以外
は、本発明６の積層体の製造方法と同様である。
【００９４】本発明１１（請求項１１の発明を、本発明
１１という）は、基材の表面上に導電性を有する高屈折
率層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記低屈
折率層が、一般式Ｓｉ（ＯＲ4 ）4 （式中、Ｒ4 は炭素
数１〜５のアルキル基）で表されるテトラアルコキシシ
ラン１モル、ｐＨが１０．０〜１２．０の塩基性水２〜
８モルおよび有機溶媒１０〜３０モルを混合して得られ
る縮合組成物（Ｃ）と、一般式（Ｒ6 ）s Ｓｉ（Ｏ
Ｒ5 ）4-s （式中、Ｒ5 およびＲ6 は炭素数１〜５のア
ルキル基、ｓは０〜３の整数）で表されるアルコキシシ
ラン１モル、ｐＨが０〜２．６の酸性水溶液３〜８モル
および有機溶媒１０〜３０モルを混合して得られる縮合
組成物（Ｄ）とを、重量比（Ｃ）／（Ｄ）＝０．４〜
２．４で混合し、得られた組成物を塗布することにより
得られる層からなることを特徴とする光透過率４０％以
上の積層体の製造方法である。
１１という）は、基材の表面上に導電性を有する高屈折
率層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記低屈
折率層が、一般式Ｓｉ（ＯＲ4 ）4 （式中、Ｒ4 は炭素
数１〜５のアルキル基）で表されるテトラアルコキシシ
ラン１モル、ｐＨが１０．０〜１２．０の塩基性水２〜
８モルおよび有機溶媒１０〜３０モルを混合して得られ
る縮合組成物（Ｃ）と、一般式（Ｒ6 ）s Ｓｉ（Ｏ
Ｒ5 ）4-s （式中、Ｒ5 およびＲ6 は炭素数１〜５のア
ルキル基、ｓは０〜３の整数）で表されるアルコキシシ
ラン１モル、ｐＨが０〜２．６の酸性水溶液３〜８モル
および有機溶媒１０〜３０モルを混合して得られる縮合
組成物（Ｄ）とを、重量比（Ｃ）／（Ｄ）＝０．４〜
２．４で混合し、得られた組成物を塗布することにより
得られる層からなることを特徴とする光透過率４０％以
上の積層体の製造方法である。
【００９５】本発明１１の積層体の製造方法で用いられ
る縮合組成物（Ｃ）は、Ｓｉ（ＯＲ 4 ）4 （式中、Ｒ4
は炭素数１〜５のアルキル基）で表されるテトラアルコ
キシシラン、塩基性水及び有機溶媒を混合し、アルコキ
シシランを部分加水分解、重縮合させて得られる。
る縮合組成物（Ｃ）は、Ｓｉ（ＯＲ 4 ）4 （式中、Ｒ4
は炭素数１〜５のアルキル基）で表されるテトラアルコ
キシシラン、塩基性水及び有機溶媒を混合し、アルコキ
シシランを部分加水分解、重縮合させて得られる。
【００９６】上記のＳｉ（ＯＲ4 ）4 で表されるテトラ
アルコキシシランにおいて、Ｒ4 は、炭素数が多くなる
と、組成物の安定性が低下して長期保存性が悪くなるの
で、炭素数１〜５のアルキル基に限定され、例えば、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ネオ−ペ
ンチル基などが挙げられる。
アルコキシシランにおいて、Ｒ4 は、炭素数が多くなる
と、組成物の安定性が低下して長期保存性が悪くなるの
で、炭素数１〜５のアルキル基に限定され、例えば、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ネオ−ペ
ンチル基などが挙げられる。
【００９７】Ｓｉ（ＯＲ4 ）4 で表されるテトラアルコ
キシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラ
ン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−
ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テ
トラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラ−ｎ−ペント
キシシラン、テトラ−ｉｓｏ−ペントキシシラン、テト
ラネオペントキシシランなどが挙げられ、加水分解、重
縮合における反応性の点から、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシランが好ましく、テトラエトキシシラ
ンが特に好ましい。
キシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラ
ン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−
ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テ
トラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラ−ｎ−ペント
キシシラン、テトラ−ｉｓｏ−ペントキシシラン、テト
ラネオペントキシシランなどが挙げられ、加水分解、重
縮合における反応性の点から、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシランが好ましく、テトラエトキシシラ
ンが特に好ましい。
【００９８】上記塩基性水とは、塩基種によりｐＨが１
０．０〜１２．０に調整された水をいう。塩基種は、水
のｐＨを１０．０〜１２．０に調整できるものであれ
ば、特に限定されず、例えば、アンモニア、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等が挙げられ、ｐＨ調整の容易
さ、及び不純物が混入しにくいこと等からアンモニアが
特に好ましい。
０．０〜１２．０に調整された水をいう。塩基種は、水
のｐＨを１０．０〜１２．０に調整できるものであれ
ば、特に限定されず、例えば、アンモニア、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等が挙げられ、ｐＨ調整の容易
さ、及び不純物が混入しにくいこと等からアンモニアが
特に好ましい。
【００９９】塩基性水のｐＨは、低くなると、得られる
コロイダルシリカの分子量が低下し、反射防止被膜の形
成が困難となり、高くなると、得られる縮合組成物
（Ｃ）の安定性が低下するので、１０．０〜１２．０に
限定され、１０．３〜１１．５が好ましく、１０．８〜
１１．４が特に好ましい。
コロイダルシリカの分子量が低下し、反射防止被膜の形
成が困難となり、高くなると、得られる縮合組成物
（Ｃ）の安定性が低下するので、１０．０〜１２．０に
限定され、１０．３〜１１．５が好ましく、１０．８〜
１１．４が特に好ましい。
【０１００】塩基性水は、少なくなると、得られるコロ
イダルシリカの分子量が低下し、反射防止層の形成が困
難となり、多くなると、縮合組成物（Ｃ）の安定性が低
下するので、上記のテトラアルコキシシラン１モルに対
して、２〜８モル添加され、３〜４モル添加するのが好
ましい。
イダルシリカの分子量が低下し、反射防止層の形成が困
難となり、多くなると、縮合組成物（Ｃ）の安定性が低
下するので、上記のテトラアルコキシシラン１モルに対
して、２〜８モル添加され、３〜４モル添加するのが好
ましい。
【０１０１】有機溶媒は、上記のテトラアルコキシシラ
ンおよび塩基性水と相溶性のあるものであれば特に限定
されるものではなく、例えば、メチルアルコール、エチ
ルアルコール、イソプロピルアルコール、エトキシエチ
ルアルコール、アリルアルコール等が挙げられるが、特
にイソプロピルアルコールが好ましい。
ンおよび塩基性水と相溶性のあるものであれば特に限定
されるものではなく、例えば、メチルアルコール、エチ
ルアルコール、イソプロピルアルコール、エトキシエチ
ルアルコール、アリルアルコール等が挙げられるが、特
にイソプロピルアルコールが好ましい。
【０１０２】有機溶媒の添加量は、少なくなると、縮合
組成物（Ｃ）の安定性が低下し、多くなると、得られる
コロイダルシリカの分子量が低下し、反射防止被膜の形
成が困難となるので、上記のテトラアルコキシシラン１
モルに対して１０〜３０モルに限定され、組成物の安定
性の点から、テトラアルコキシシラン１モルに対して１
３〜１８モルが好ましい。
組成物（Ｃ）の安定性が低下し、多くなると、得られる
コロイダルシリカの分子量が低下し、反射防止被膜の形
成が困難となるので、上記のテトラアルコキシシラン１
モルに対して１０〜３０モルに限定され、組成物の安定
性の点から、テトラアルコキシシラン１モルに対して１
３〜１８モルが好ましい。
【０１０３】縮合組成物（Ｃ）の調製方法は、特に限定
されず、例えば、上記のテトラアルコキシシラン、塩基
性水及び有機溶媒を、攪拌機に供給し混合し製造する方
法が挙げられる。攪拌機としては、特に限定されるわけ
ではなく、マグネチックスターラーのような簡便な攪拌
機で十分である。
されず、例えば、上記のテトラアルコキシシラン、塩基
性水及び有機溶媒を、攪拌機に供給し混合し製造する方
法が挙げられる。攪拌機としては、特に限定されるわけ
ではなく、マグネチックスターラーのような簡便な攪拌
機で十分である。
【０１０４】縮合組成物（Ｃ）を調製する際の温度は、
低くなると、重縮合反応が不充分となり、高くなると、
縮合組成物（Ｃ）の安定性が低下するので、１０〜３０
℃で行うのが好ましく、２０〜２５℃が特に好ましい。
低くなると、重縮合反応が不充分となり、高くなると、
縮合組成物（Ｃ）の安定性が低下するので、１０〜３０
℃で行うのが好ましく、２０〜２５℃が特に好ましい。
【０１０５】縮合組成物（Ｃ）を調製する際の時間は、
短くなると、重縮合反応の反応速度が低下し、長くなる
と、縮合組成物（Ｃ）の安定性が低下するので、１〜１
０時間が好ましく、２〜４時間が特に好ましい。従っ
て、縮合組成物（Ｃ）の調製は、１０〜３０℃で、１〜
１０時間行うのが好ましく、２０〜２５℃で、２〜４時
間行うのが特に好ましい。
短くなると、重縮合反応の反応速度が低下し、長くなる
と、縮合組成物（Ｃ）の安定性が低下するので、１〜１
０時間が好ましく、２〜４時間が特に好ましい。従っ
て、縮合組成物（Ｃ）の調製は、１０〜３０℃で、１〜
１０時間行うのが好ましく、２０〜２５℃で、２〜４時
間行うのが特に好ましい。
【０１０６】本発明１１の積層体の製造方法で用いられ
る縮合組成物（Ｄ）は、一般式（Ｒ 6 ）s Ｓｉ（Ｏ
Ｒ5 ）4-s （式中、Ｒ5 およびＲ6 は炭素数１〜５のア
ルキル基、ｓは０〜３の整数）で表されるアルコキシシ
ラン、酸性水及び有機溶媒を混合し、アルコキシシラン
を部分加水分解、重縮合させて得られる。
る縮合組成物（Ｄ）は、一般式（Ｒ 6 ）s Ｓｉ（Ｏ
Ｒ5 ）4-s （式中、Ｒ5 およびＲ6 は炭素数１〜５のア
ルキル基、ｓは０〜３の整数）で表されるアルコキシシ
ラン、酸性水及び有機溶媒を混合し、アルコキシシラン
を部分加水分解、重縮合させて得られる。
【０１０７】上記の一般式（Ｒ6 ）s Ｓｉ（ＯＲ5 ）
4-s で表されるアルコキシシランにおいて、Ｒ5 および
Ｒ6 は、炭素数が多くなると、縮合組成物の安定性が低
下して長期安定性が悪くなるので、炭素数１〜５のアル
キル基に限定され、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｉｓｏ−ペンチル基、ネオ−ペンチル基などが挙げられ
る。なお、ｓは０〜３の整数を示す。
4-s で表されるアルコキシシランにおいて、Ｒ5 および
Ｒ6 は、炭素数が多くなると、縮合組成物の安定性が低
下して長期安定性が悪くなるので、炭素数１〜５のアル
キル基に限定され、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅ
ｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｉｓｏ−ペンチル基、ネオ−ペンチル基などが挙げられ
る。なお、ｓは０〜３の整数を示す。
【０１０８】（Ｒ6 ）s Ｓｉ（ＯＲ5 ）4-s で表される
アルコキシシランは、特に限定されず、例えば、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−
プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テ
トラ−ｎ−ペントキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−ペント
キシシラン、テトラ−ネオペントキシシラン、モノメチ
ルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラ
ン、モノメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、モノメチ
ルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、モノメチルトリ−
ｎ−ブトキシシラン、モノメチルトリ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、モノメチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、モノメチルトリ−ｎ−ペントキシシラン、モノメチ
ルトリ−ｉｓｏ−ペントキシシラン、モノメチルトリ−
ネオペントキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、
ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジ
−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ペント
キシシラン、ジメチルジ−ｉｓｏ−ペントキシシラン、
ジメチルジ−ネオペントキシシラン、ジエチルジエトキ
シシラン、トリメチルモノメトキシシラン、トリメチル
モノエトキシシラン、トリメチルモノ−ｎ−プロポキシ
シラン、トリメチルモノ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
トリメチルモノ−ｎ−ブトキシシラン、トリメチルモノ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリメチルモノ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、トリメチルモノ−ｎ−ペントキシシ
ラン、トリメチルモノ−ｉｓｏ−ペントキシシラン、ト
リメチルモノ−ネオペントキシシラン、トリエチルエト
キシシランなどが挙げられ、反応性の点からテトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、モノメチルトリエ
トキシシランが好ましく、特に、テトラエトキシシラン
が好ましい。
アルコキシシランは、特に限定されず、例えば、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−
プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テ
トラ−ｎ−ペントキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−ペント
キシシラン、テトラ−ネオペントキシシラン、モノメチ
ルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラ
ン、モノメチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、モノメチ
ルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、モノメチルトリ−
ｎ−ブトキシシラン、モノメチルトリ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、モノメチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、モノメチルトリ−ｎ−ペントキシシラン、モノメチ
ルトリ−ｉｓｏ−ペントキシシラン、モノメチルトリ−
ネオペントキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、
ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉｓ
ｏ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジ
−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ペント
キシシラン、ジメチルジ−ｉｓｏ−ペントキシシラン、
ジメチルジ−ネオペントキシシラン、ジエチルジエトキ
シシラン、トリメチルモノメトキシシラン、トリメチル
モノエトキシシラン、トリメチルモノ−ｎ−プロポキシ
シラン、トリメチルモノ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
トリメチルモノ−ｎ−ブトキシシラン、トリメチルモノ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリメチルモノ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、トリメチルモノ−ｎ−ペントキシシ
ラン、トリメチルモノ−ｉｓｏ−ペントキシシラン、ト
リメチルモノ−ネオペントキシシラン、トリエチルエト
キシシランなどが挙げられ、反応性の点からテトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、モノメチルトリエ
トキシシランが好ましく、特に、テトラエトキシシラン
が好ましい。
【０１０９】上記酸性水とは、酸性種によりｐＨが０〜
２．６に調整された水をいう。酸性種は、水のｐＨを、
０〜２．６に調整できるものであれば、特に限定され
ず、例えば、塩酸、硝酸、硫酸等が挙げられ、塩酸、硝
酸が好ましく、塩酸が特に好ましい。
２．６に調整された水をいう。酸性種は、水のｐＨを、
０〜２．６に調整できるものであれば、特に限定され
ず、例えば、塩酸、硝酸、硫酸等が挙げられ、塩酸、硝
酸が好ましく、塩酸が特に好ましい。
【０１１０】酸性水のｐＨは、高くなると、アルコキシ
シランの加水分解が不十分となるので、０〜２．６に限
定され、又、低すぎると、縮合組成物（Ｄ）の安定性が
低下することがあり、又、高すぎると、アルコキシシラ
ンの加水分解が不充分となることがあるので、１．０〜
１．７が好ましく、１．１〜１．２が、特に好ましい。
シランの加水分解が不十分となるので、０〜２．６に限
定され、又、低すぎると、縮合組成物（Ｄ）の安定性が
低下することがあり、又、高すぎると、アルコキシシラ
ンの加水分解が不充分となることがあるので、１．０〜
１．７が好ましく、１．１〜１．２が、特に好ましい。
【０１１１】酸性水の添加量は、少なくなると、アルコ
キシシランの加水分解が不十分となり、更に、得られる
組成物の基材への塗布が困難となり、多くなると、縮合
組成物（Ｄ）の安定性が低下するので、（Ｒ6 ）s Ｓｉ
（ＯＲ5 ）4-s で表されるアルコキシシラン１モルに対
して３〜８モルに限定され、４〜７モルが好ましい。
キシシランの加水分解が不十分となり、更に、得られる
組成物の基材への塗布が困難となり、多くなると、縮合
組成物（Ｄ）の安定性が低下するので、（Ｒ6 ）s Ｓｉ
（ＯＲ5 ）4-s で表されるアルコキシシラン１モルに対
して３〜８モルに限定され、４〜７モルが好ましい。
【０１１２】上記有機溶媒は、（Ｒ6 ）s Ｓｉ（Ｏ
Ｒ5 ）4-s で表されるアルコキシシラン及び酸性水に相
溶するものであれば、特に限定されず、例えば、縮合組
成物（Ｃ）の製造に用いられるものと同様のものが用い
られ、有機溶媒の添加量は、少なくなると、縮合組成物
（Ｄ）の安定性が低下し、多くなると、アルコキシシラ
ンが十分に加水分解されないので、（Ｒ6 ）s Ｓｉ（Ｏ
Ｒ5 ）4-s で表されるアルコキシシラン１モルに対し
て、１０〜３０モルに限定され、１３〜１８モルが好ま
しい。
Ｒ5 ）4-s で表されるアルコキシシラン及び酸性水に相
溶するものであれば、特に限定されず、例えば、縮合組
成物（Ｃ）の製造に用いられるものと同様のものが用い
られ、有機溶媒の添加量は、少なくなると、縮合組成物
（Ｄ）の安定性が低下し、多くなると、アルコキシシラ
ンが十分に加水分解されないので、（Ｒ6 ）s Ｓｉ（Ｏ
Ｒ5 ）4-s で表されるアルコキシシラン１モルに対し
て、１０〜３０モルに限定され、１３〜１８モルが好ま
しい。
【０１１３】縮合組成物（Ｄ）の調製方法は、特に限定
されず、例えば、（Ｒ6 ）s Ｓｉ（ＯＲ5 ）4-s で表さ
れるアルコキシシラン、酸性水及び有機溶媒を、攪拌機
に供給し混合し調製する方法が挙げられる。攪拌機とし
ては、特に限定されるわけではなく、マグネチックスタ
ーラーのような簡便な攪拌機で十分である。
されず、例えば、（Ｒ6 ）s Ｓｉ（ＯＲ5 ）4-s で表さ
れるアルコキシシラン、酸性水及び有機溶媒を、攪拌機
に供給し混合し調製する方法が挙げられる。攪拌機とし
ては、特に限定されるわけではなく、マグネチックスタ
ーラーのような簡便な攪拌機で十分である。
【０１１４】縮合組成物（Ｄ）を調製する際の温度は、
低くなると、重縮合反応が不充分となり、高くなると、
縮合組成物（Ｄ）の安定性が低下するので、１０〜３０
℃で行うのが好ましく、２０〜２５℃が特に好ましい。
低くなると、重縮合反応が不充分となり、高くなると、
縮合組成物（Ｄ）の安定性が低下するので、１０〜３０
℃で行うのが好ましく、２０〜２５℃が特に好ましい。
【０１１５】縮合組成物（Ｄ）を製造する際の時間は、
短くなると、十分な分子量が得られなくなり、長くなる
と、縮合組成物（Ｄ）の安定性が低下するので、１〜１
０時間が好ましく、２〜４時間が特に好ましい。従っ
て、縮合組成物（Ｄ）の製造は、１０〜３０℃で、１〜
１０時間行うのが好ましく、２０〜２５℃で、２〜４時
間行うのが特に好ましい。
短くなると、十分な分子量が得られなくなり、長くなる
と、縮合組成物（Ｄ）の安定性が低下するので、１〜１
０時間が好ましく、２〜４時間が特に好ましい。従っ
て、縮合組成物（Ｄ）の製造は、１０〜３０℃で、１〜
１０時間行うのが好ましく、２０〜２５℃で、２〜４時
間行うのが特に好ましい。
【０１１６】本発明１１で使用される組成物の製造方法
は、上記縮合組成物（Ｃ）及び縮合組成物（Ｄ）を、重
量比（Ｃ）／（Ｄ）＝０．４〜２．４で混合する。
は、上記縮合組成物（Ｃ）及び縮合組成物（Ｄ）を、重
量比（Ｃ）／（Ｄ）＝０．４〜２．４で混合する。
【０１１７】縮合組成物（Ｃ）が、少なくなると、得ら
れる被膜の多孔率が低下し、得られる積層体の反射防止
効果が低下し、多くなると、得られる被膜と基材との密
着性が低下するので、縮合組成物（Ｃ）と縮合組成物
（Ｄ）の重量比は、０．４〜２．４に限定され、組成物
の安定性及び被膜と基材の密着性の向上のため、１．５
〜２．３が好ましい。
れる被膜の多孔率が低下し、得られる積層体の反射防止
効果が低下し、多くなると、得られる被膜と基材との密
着性が低下するので、縮合組成物（Ｃ）と縮合組成物
（Ｄ）の重量比は、０．４〜２．４に限定され、組成物
の安定性及び被膜と基材の密着性の向上のため、１．５
〜２．３が好ましい。
【０１１８】縮合組成物（Ｃ）と縮合組成物（Ｄ）を混
合する際の温度は、低くなると、コロイダルシリカとシ
リカゾルの重縮合が困難となり、得られる被膜の反射防
止効果が低下し、高くなると、得られる組成物の安定性
が低下するので、−１０〜３０℃で行うのが好ましく、
−８〜２５℃が特に好ましい。
合する際の温度は、低くなると、コロイダルシリカとシ
リカゾルの重縮合が困難となり、得られる被膜の反射防
止効果が低下し、高くなると、得られる組成物の安定性
が低下するので、−１０〜３０℃で行うのが好ましく、
−８〜２５℃が特に好ましい。
【０１１９】縮合組成物（Ｃ）と縮合組成物（Ｄ）を混
合する時間は、短くなると、コロイダルシリカとシリカ
ゾルの重縮合が不十分となり、得られる被膜の反射防止
効果が低下し、長くなると、ゾルの安定性が低下するの
で、０．５〜４時間が好ましく、特に２〜３時間が好ま
しい。従って、縮合組成物（Ｃ）と縮合組成物（Ｄ）の
混合は、−１０〜３０℃で、０．５〜４時間行うのが好
ましく、−８〜２５℃で、２〜３時間行うのが特に好ま
しい。
合する時間は、短くなると、コロイダルシリカとシリカ
ゾルの重縮合が不十分となり、得られる被膜の反射防止
効果が低下し、長くなると、ゾルの安定性が低下するの
で、０．５〜４時間が好ましく、特に２〜３時間が好ま
しい。従って、縮合組成物（Ｃ）と縮合組成物（Ｄ）の
混合は、−１０〜３０℃で、０．５〜４時間行うのが好
ましく、−８〜２５℃で、２〜３時間行うのが特に好ま
しい。
【０１２０】縮合組成物（Ｃ）と縮合組成物（Ｄ）を混
合する方法は、特に限定されず、例えば、縮合組成物
（Ｃ）及び縮合組成物（Ｄ）を、攪拌機に供給し攪拌混
合し製造する方法が挙げられる。攪拌機としては、特に
限定されるわけではなく、マグネチックスターラーのよ
うな簡便な攪拌機で十分である。
合する方法は、特に限定されず、例えば、縮合組成物
（Ｃ）及び縮合組成物（Ｄ）を、攪拌機に供給し攪拌混
合し製造する方法が挙げられる。攪拌機としては、特に
限定されるわけではなく、マグネチックスターラーのよ
うな簡便な攪拌機で十分である。
【０１２１】本発明１１の積層体の製造方法は、基材の
表面上に導電性を有する高屈折率層と、低屈折率層を、
低屈折率層が最外層となるように、複層積層した積層体
の製造方法であって、上記低屈折率層が、上記の組成物
より得られる層からなる。上記の低屈折率層を積層する
方法は、上記の組成物を塗布し、硬化させることにより
行う。
表面上に導電性を有する高屈折率層と、低屈折率層を、
低屈折率層が最外層となるように、複層積層した積層体
の製造方法であって、上記低屈折率層が、上記の組成物
より得られる層からなる。上記の低屈折率層を積層する
方法は、上記の組成物を塗布し、硬化させることにより
行う。
【０１２２】上記の積層に使用される基材および塗布方
法としては、特に限定されるものではなく、本発明記載
の基材および塗布方法と同様である。なお、塗布は、大
気中の湿度が高いと、得られる被膜が白濁するので、大
気中の相対湿度５０％以下で行うのが好ましい。
法としては、特に限定されるものではなく、本発明記載
の基材および塗布方法と同様である。なお、塗布は、大
気中の湿度が高いと、得られる被膜が白濁するので、大
気中の相対湿度５０％以下で行うのが好ましい。
【０１２３】組成物を塗布する際、膜厚は、特に限定さ
れないが、反射防止効果を得たい波長と、以下の関係と
なる被膜が得られる様に組成物を塗布することは、反射
防止効果の向上を図ることができ、好適である。
れないが、反射防止効果を得たい波長と、以下の関係と
なる被膜が得られる様に組成物を塗布することは、反射
防止効果の向上を図ることができ、好適である。
【０１２４】ｄ＝（１／４＋ｍ／２）×λ／ｎ ｄ：被膜の膜厚 λ：反射防止効果を得たい波長 ｎ：被膜の屈折率 ｍ：０又は自然数
【０１２５】なお、上記の組成物を塗布する際、必要に
応じて、溶媒により希釈し、組成物の粘度を調整するこ
とは、組成物の基材上への塗布効率が向上し好適であ
る。
応じて、溶媒により希釈し、組成物の粘度を調整するこ
とは、組成物の基材上への塗布効率が向上し好適であ
る。
【０１２６】かかる場合、用いられる溶媒は、上記の組
成物と相溶性を有するものであれば、特に限定されず、
例えば、イソプロピルアルコール、エトキシエタノー
ル、アリルアルコール等が挙げられ、得られる被膜の多
孔性の向上の点から、イソプロピルアルコール、エトキ
シエタノールが好ましい。
成物と相溶性を有するものであれば、特に限定されず、
例えば、イソプロピルアルコール、エトキシエタノー
ル、アリルアルコール等が挙げられ、得られる被膜の多
孔性の向上の点から、イソプロピルアルコール、エトキ
シエタノールが好ましい。
【０１２７】上記硬化方法としては、特に限定されるも
のではなく、室温にて自然乾燥して硬化させてもよい
し、加熱乾燥して硬化させてもよい。例えば、基材とし
てケイ酸ガラスを使用し、その表面に高屈折率層が積層
された材料の表面に、上記の低屈折率層被覆用組成物を
前記の方法で、積層し、室温で自然乾燥を行った後、６
０〜３００℃の温度で硬化させると、組成物中のシリカ
ゾルが硬化したシリコンマトリックスとコロイダルシリ
カの収縮率の差異により多孔質化された、反射防止性の
被膜が形成された積層体が得られる。また、例えば、基
材としてプラスチックス製品を使用し、その表面に高屈
折率層が積層された材料の表面に、上記の低屈折率層被
覆用組成物を前記の方法で、積層し、室温で自然乾燥を
行った後、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１００
℃の温度で硬化させると、同様に多孔質化された、反射
防止性の被膜が形成された積層体が得られる。
のではなく、室温にて自然乾燥して硬化させてもよい
し、加熱乾燥して硬化させてもよい。例えば、基材とし
てケイ酸ガラスを使用し、その表面に高屈折率層が積層
された材料の表面に、上記の低屈折率層被覆用組成物を
前記の方法で、積層し、室温で自然乾燥を行った後、６
０〜３００℃の温度で硬化させると、組成物中のシリカ
ゾルが硬化したシリコンマトリックスとコロイダルシリ
カの収縮率の差異により多孔質化された、反射防止性の
被膜が形成された積層体が得られる。また、例えば、基
材としてプラスチックス製品を使用し、その表面に高屈
折率層が積層された材料の表面に、上記の低屈折率層被
覆用組成物を前記の方法で、積層し、室温で自然乾燥を
行った後、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１００
℃の温度で硬化させると、同様に多孔質化された、反射
防止性の被膜が形成された積層体が得られる。
【０１２８】本発明１１の積層体の製造方法に使用され
る高屈折率層は、上記低屈折率層よりも高屈折率を有
し、且つ導電性を有する層であれば、特に限定されるも
のではない。上記高屈折率層としては、例えば、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｔａ2 Ｏ 5 等の高屈折率を有
する金属酸化物層やセラミックス層に導電性をもつ微粒
子を混合した高屈折率層；平均粒径が 1000 Å以下の超
微粒子導電性酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、超微粒子導電性
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、超微粒子導電性酸化錫（Ｓｎ
Ｏ 2 ）、超微粒子導電性酸化インジウム（Ｉｎ
2 Ｏ5 ）、超微粒子導電性酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）、超微粒子導電性酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2 ）等の導電性を有する超微粒子の１つまたはこれら
の混合物を有機及び無機のバインダー中に分散混合させ
たもの；シリコン、チタン、ジルコニウム等の金属アル
コキシドを加水分解、重縮合させた溶液にイオン導電性
を有する物質を添加してなる組成物を塗布して得られる
高屈折率層；ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化錫等の導電性を有
する金属酸化物層等が挙げられる。
る高屈折率層は、上記低屈折率層よりも高屈折率を有
し、且つ導電性を有する層であれば、特に限定されるも
のではない。上記高屈折率層としては、例えば、ＳｉＯ
2 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｔａ2 Ｏ 5 等の高屈折率を有
する金属酸化物層やセラミックス層に導電性をもつ微粒
子を混合した高屈折率層；平均粒径が 1000 Å以下の超
微粒子導電性酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、超微粒子導電性
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、超微粒子導電性酸化錫（Ｓｎ
Ｏ 2 ）、超微粒子導電性酸化インジウム（Ｉｎ
2 Ｏ5 ）、超微粒子導電性酸化タンタル（Ｔａ
2 Ｏ5 ）、超微粒子導電性酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2 ）等の導電性を有する超微粒子の１つまたはこれら
の混合物を有機及び無機のバインダー中に分散混合させ
たもの；シリコン、チタン、ジルコニウム等の金属アル
コキシドを加水分解、重縮合させた溶液にイオン導電性
を有する物質を添加してなる組成物を塗布して得られる
高屈折率層；ＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化錫等の導電性を有
する金属酸化物層等が挙げられる。
【０１２９】本発明１２（請求項１２の発明を、本発明
１２という）は、基材の表面上に導電性を有する高屈折
率層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、請求項１〜１０記載の高屈折率層であり、さ
らに上記低屈折率層が、請求項１１記載の低屈折率層で
あることを特徴とする光透過率４０％以上の積層体の製
造方法である。
１２という）は、基材の表面上に導電性を有する高屈折
率層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、請求項１〜１０記載の高屈折率層であり、さ
らに上記低屈折率層が、請求項１１記載の低屈折率層で
あることを特徴とする光透過率４０％以上の積層体の製
造方法である。
【０１３０】上記の高屈折率層を積層する方法は、前記
の請求項１〜１０記載の組成物を塗布し、硬化させるこ
とにより行う。上記の低屈折率層を積層する方法は、前
記の請求項１１記載の組成物を塗布し、硬化させること
により行う。
の請求項１〜１０記載の組成物を塗布し、硬化させるこ
とにより行う。上記の低屈折率層を積層する方法は、前
記の請求項１１記載の組成物を塗布し、硬化させること
により行う。
【０１３１】上記の積層に使用される基材、塗布方法お
よび硬化方法としては、特に限定されるものではなく、
本発明および本発明２〜１１の発明の基材、塗布方法お
よび硬化方法と同様である。
よび硬化方法としては、特に限定されるものではなく、
本発明および本発明２〜１１の発明の基材、塗布方法お
よび硬化方法と同様である。
【０１３２】本発明１３（請求項１３記載の発明を、本
発明１３という）では、基材の表面上に、本発明および
本発明２〜１２記載の、高屈折率層および低屈折率層
を、低屈折率層が最外層になるように、交互に積層する
積層体の製造方法であって、それぞれの層の積層に際し
て、既に積層させた層を硬化させておくことを特徴とす
る。本発明１３の積層体の製造方法によれば、高屈折率
層および低屈折率層を形成するために塗液を塗布しても
下地の層からの溶出現象が起こらないという長所があ
る。
発明１３という）では、基材の表面上に、本発明および
本発明２〜１２記載の、高屈折率層および低屈折率層
を、低屈折率層が最外層になるように、交互に積層する
積層体の製造方法であって、それぞれの層の積層に際し
て、既に積層させた層を硬化させておくことを特徴とす
る。本発明１３の積層体の製造方法によれば、高屈折率
層および低屈折率層を形成するために塗液を塗布しても
下地の層からの溶出現象が起こらないという長所があ
る。
【０１３３】
【作用】本発明および本発明２〜５で使用される帯電防
止被覆用組成物から上記のようにして作製された高屈折
率層は、ヘテロポリ酸化合物、過塩素酸化合物、トリフ
ルオロメタンスルホン酸化合物、硫酸またはフルオロス
ルホン酸が均一にイオンの状態で存在しているので、透
明性が高く、導電性も高い。また、アミノアルキルアル
コキシシラン化合物、エポキシアルキルアルコキシシラ
ン化合物およびジルコニウムテトラアルコキシドが、特
定量配合された組成物から得られた被膜であるので、耐
水性が特に向上している。また、金属酸化物系被膜が形
成されているので、硬い材料で強く摩擦しても傷が付き
にくく、引っ掻き傷による外観低下をおこしにくく、長
期に渡って性能を維持できる。従って、本発明および本
発明２〜５の製造方法によると、被膜形成前の基材の光
学特性を保持したまま、十分な帯電防止性能を有する耐
水性高屈折率層を得ることができる。本発明および本発
明２〜５の積層体の製造方法によれば、さらに、上記高
屈折率層の表面に、低屈折率層が積層されているので、
基材上に反射防止効果および帯電防止効果の高い被膜が
形成された光透過率４０％以上の積層体を容易に製造し
得る。
止被覆用組成物から上記のようにして作製された高屈折
率層は、ヘテロポリ酸化合物、過塩素酸化合物、トリフ
ルオロメタンスルホン酸化合物、硫酸またはフルオロス
ルホン酸が均一にイオンの状態で存在しているので、透
明性が高く、導電性も高い。また、アミノアルキルアル
コキシシラン化合物、エポキシアルキルアルコキシシラ
ン化合物およびジルコニウムテトラアルコキシドが、特
定量配合された組成物から得られた被膜であるので、耐
水性が特に向上している。また、金属酸化物系被膜が形
成されているので、硬い材料で強く摩擦しても傷が付き
にくく、引っ掻き傷による外観低下をおこしにくく、長
期に渡って性能を維持できる。従って、本発明および本
発明２〜５の製造方法によると、被膜形成前の基材の光
学特性を保持したまま、十分な帯電防止性能を有する耐
水性高屈折率層を得ることができる。本発明および本発
明２〜５の積層体の製造方法によれば、さらに、上記高
屈折率層の表面に、低屈折率層が積層されているので、
基材上に反射防止効果および帯電防止効果の高い被膜が
形成された光透過率４０％以上の積層体を容易に製造し
得る。
【０１３４】本発明６〜１０で使用される帯電防止被覆
用組成物から上記のようにして作製された高屈折率層
は、ヘテロポリ酸化合物、過塩素酸化合物、トリフルオ
ロメタンスルホン酸化合物、硫酸またはフルオロスルホ
ン酸が均一にイオンの状態で存在しているので、透明性
が高く、導電性も高い。また、アミノアルキルアルコキ
シシラン化合物、エポキシアルキルアルコキシシラン化
合物およびチタニウムテトラアルコキシドが特定量配合
された組成物から得られた被膜であるので、耐水性が特
に向上している。また、金属酸化物系被膜が形成されて
いるので、硬い材料で強く摩擦しても傷が付きにくく、
引っ掻き傷による外観低下をおこしにくく、長期に渡っ
て性能を維持できる。従って、本発明６〜１０の製造方
法によると、被膜形成前の基材の光学特性を保持したま
ま、十分な帯電防止性能を有する耐水性高屈折率層を得
ることができる。本発明６〜１０の積層体の製造方法に
よれば、さらに、上記高屈折率層の表面に、低屈折率層
が積層されているので、基材上に反射防止効果および帯
電防止効果の高い被膜が形成された光透過率４０％以上
の積層体を容易に製造し得る。
用組成物から上記のようにして作製された高屈折率層
は、ヘテロポリ酸化合物、過塩素酸化合物、トリフルオ
ロメタンスルホン酸化合物、硫酸またはフルオロスルホ
ン酸が均一にイオンの状態で存在しているので、透明性
が高く、導電性も高い。また、アミノアルキルアルコキ
シシラン化合物、エポキシアルキルアルコキシシラン化
合物およびチタニウムテトラアルコキシドが特定量配合
された組成物から得られた被膜であるので、耐水性が特
に向上している。また、金属酸化物系被膜が形成されて
いるので、硬い材料で強く摩擦しても傷が付きにくく、
引っ掻き傷による外観低下をおこしにくく、長期に渡っ
て性能を維持できる。従って、本発明６〜１０の製造方
法によると、被膜形成前の基材の光学特性を保持したま
ま、十分な帯電防止性能を有する耐水性高屈折率層を得
ることができる。本発明６〜１０の積層体の製造方法に
よれば、さらに、上記高屈折率層の表面に、低屈折率層
が積層されているので、基材上に反射防止効果および帯
電防止効果の高い被膜が形成された光透過率４０％以上
の積層体を容易に製造し得る。
【０１３５】本発明１１で使用される低屈折率層被覆用
組成物は、縮合組成物（Ｃ）では、アルコシシランの重
縮合がかなり進みコロイダルシリカが形成されており、
縮合組成物（Ｄ）では、アルコキシシランの重縮合が比
較的進まず、シリカゾルの段階で抑えられており、この
両者の混合物である上記組成物は、コロイダルシリカと
シリカゾルの混合物となっている。この組成物を高屈折
率層が積層された基材上に塗布、硬化させることによ
り、シリカゾルとコロイダルシリカの重縮合反応を進行
させ、シリカゾルとコロイダルシリカの収縮率の差異に
より多孔化された被膜を得ることができる。また、この
被膜は、無機質であるので、スチールウールなどの硬い
材料で摩擦しても傷が付き難く、引っ掻き傷による外観
低下をおこし難い。従って、本発明１１によると、基材
上に反射防止効果および帯電防止効果が高く、透明であ
り、また、耐擦傷性に優れた被膜が形成された光透過率
４０％以上の積層体を容易に製造し得る。
組成物は、縮合組成物（Ｃ）では、アルコシシランの重
縮合がかなり進みコロイダルシリカが形成されており、
縮合組成物（Ｄ）では、アルコキシシランの重縮合が比
較的進まず、シリカゾルの段階で抑えられており、この
両者の混合物である上記組成物は、コロイダルシリカと
シリカゾルの混合物となっている。この組成物を高屈折
率層が積層された基材上に塗布、硬化させることによ
り、シリカゾルとコロイダルシリカの重縮合反応を進行
させ、シリカゾルとコロイダルシリカの収縮率の差異に
より多孔化された被膜を得ることができる。また、この
被膜は、無機質であるので、スチールウールなどの硬い
材料で摩擦しても傷が付き難く、引っ掻き傷による外観
低下をおこし難い。従って、本発明１１によると、基材
上に反射防止効果および帯電防止効果が高く、透明であ
り、また、耐擦傷性に優れた被膜が形成された光透過率
４０％以上の積層体を容易に製造し得る。
【０１３６】本発明１２で使用される低屈折率層被覆用
組成物は、縮合組成物（Ｃ）では、アルコシシランの重
縮合がかなり進みコロイダルシリカが形成されており、
縮合組成物（Ｄ）では、アルコキシシランの重縮合が比
較的進まず、シリカゾルの段階で抑えられており、この
両者の混合物である上記組成物は、コロイダルシリカと
シリカゾルの混合物となっている。この組成物を前記本
発明１〜１０の高屈折率層が積層された基材上に塗布、
硬化させることにより、シリカゾルとコロイダルシリカ
の重縮合反応を進行させ、シリカゾルとコロイダルシリ
カの収縮率の差異により多孔化された被膜を得ることが
できる。また、この被膜は、無機質であるので、スチー
ルウールなどの硬い材料で摩擦しても傷が付き難く、引
っ掻き傷による外観低下をおこし難い。従って、本発明
１２によると、基材上に反射防止効果および帯電防止効
果が高く、透明であり、また、耐擦傷性に優れた被膜が
形成された光透過率４０％以上の積層体を容易に製造し
得る。
組成物は、縮合組成物（Ｃ）では、アルコシシランの重
縮合がかなり進みコロイダルシリカが形成されており、
縮合組成物（Ｄ）では、アルコキシシランの重縮合が比
較的進まず、シリカゾルの段階で抑えられており、この
両者の混合物である上記組成物は、コロイダルシリカと
シリカゾルの混合物となっている。この組成物を前記本
発明１〜１０の高屈折率層が積層された基材上に塗布、
硬化させることにより、シリカゾルとコロイダルシリカ
の重縮合反応を進行させ、シリカゾルとコロイダルシリ
カの収縮率の差異により多孔化された被膜を得ることが
できる。また、この被膜は、無機質であるので、スチー
ルウールなどの硬い材料で摩擦しても傷が付き難く、引
っ掻き傷による外観低下をおこし難い。従って、本発明
１２によると、基材上に反射防止効果および帯電防止効
果が高く、透明であり、また、耐擦傷性に優れた被膜が
形成された光透過率４０％以上の積層体を容易に製造し
得る。
【０１３７】本発明１３の積層体の製造方法によれば、
高屈折率層および低屈折率層を形成するために塗液を塗
布しても下地の層からの溶出現象が起こらないので、基
材上に反射防止効果および帯電防止効果の高い透明な被
膜が形成された積層体を容易且つ常に安定に製造し得
る。
高屈折率層および低屈折率層を形成するために塗液を塗
布しても下地の層からの溶出現象が起こらないので、基
材上に反射防止効果および帯電防止効果の高い透明な被
膜が形成された積層体を容易且つ常に安定に製造し得
る。
【０１３８】
【実施例】以下、本発明および本発明２〜１３の実施例
を説明する。なお、結果に示した積層体に関する各物性
の評価方法は次の通りであった。
を説明する。なお、結果に示した積層体に関する各物性
の評価方法は次の通りであった。
【０１３９】(1) 静電電位測定 評価試料を布で摩擦し、その後の静電電位を静電電位測
定器ＫＳＤ−０１０２（春日電気社製）で測定した。 (2) 反射率 分光光度計（島津製作所社製、商品名「ＵＶ−３１０１
ＰＣ」）を用いて、被膜が積層されていない基材のみの
光線透過率を４００〜８００ｎｍの範囲で測定し、その
最大透過率（ＴB ）と、基材の屈折率より算出した両面
最小反射率（Ｒ E ）とから、次式により基材の吸収率
（α）を算出する。 α＝１００−（ＴB ＋ＲE ） 次に、低屈折率層および高屈折率層が積層された積層体
の光線透過率を４００〜８００ｎｍの範囲で測定し、そ
の最大透過率（ＴS ）と、上式で得られた基材の吸収率
（α）とから、次式により片面最小反射率（Ｒ）を算出
する。 Ｒ＝〔１００−（ＴS ＋α）〕／２
定器ＫＳＤ−０１０２（春日電気社製）で測定した。 (2) 反射率 分光光度計（島津製作所社製、商品名「ＵＶ−３１０１
ＰＣ」）を用いて、被膜が積層されていない基材のみの
光線透過率を４００〜８００ｎｍの範囲で測定し、その
最大透過率（ＴB ）と、基材の屈折率より算出した両面
最小反射率（Ｒ E ）とから、次式により基材の吸収率
（α）を算出する。 α＝１００−（ＴB ＋ＲE ） 次に、低屈折率層および高屈折率層が積層された積層体
の光線透過率を４００〜８００ｎｍの範囲で測定し、そ
の最大透過率（ＴS ）と、上式で得られた基材の吸収率
（α）とから、次式により片面最小反射率（Ｒ）を算出
する。 Ｒ＝〔１００−（ＴS ＋α）〕／２
【０１４０】(3) 鉛筆硬度 得られた積層体の被膜層を、ＪＩＳ Ｋ ５４００に準
じて測定して評価した。 (4) 耐水性試験 得られた積層体を、蒸留水中に３０分間浸漬した後、乾
燥し、上記(1) と同様にして静電電位測定を行った。 (5) 光透過性 得られた積層体を、ＡＳＴＭ Ｄ−１００３によって、
光透過率を測定し以下のようにして判定した。 ○ 光透過率が４０％以上であった。 × 光透過率が４０％未満であった。
じて測定して評価した。 (4) 耐水性試験 得られた積層体を、蒸留水中に３０分間浸漬した後、乾
燥し、上記(1) と同様にして静電電位測定を行った。 (5) 光透過性 得られた積層体を、ＡＳＴＭ Ｄ−１００３によって、
光透過率を測定し以下のようにして判定した。 ○ 光透過率が４０％以上であった。 × 光透過率が４０％未満であった。
【０１４１】実施例１〜１２、比較例１〜２０ （１）高屈折率層被覆用組成物（帯電防止被覆用組成
物）の調製 以下の実施例１〜１２および比較例１〜２０において、
導電性を有する高屈折率層を得るための被覆用組成物の
配合は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）としてＮ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランを用い、エポキシアルキルア
ルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）としてγ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランを用い、ジルコニウムテト
ラアルコキシド（ｃ）として、ジルコニウムテトラ−ｎ
−ブトキシドを用いた。配合量は、モル比でＮ−（β−
アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：ジ
ルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド＝９０：５：５（配
合比イとする）、７５：１３：１２（配合比ロとす
る）、６０：２５：１５（配合比ハとする）、９５：
４：１（配合比ニとする）とした。これらの配合比は表
２〜４に示した。
物）の調製 以下の実施例１〜１２および比較例１〜２０において、
導電性を有する高屈折率層を得るための被覆用組成物の
配合は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）としてＮ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランを用い、エポキシアルキルア
ルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）としてγ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランを用い、ジルコニウムテト
ラアルコキシド（ｃ）として、ジルコニウムテトラ−ｎ
−ブトキシドを用いた。配合量は、モル比でＮ−（β−
アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：ジ
ルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド＝９０：５：５（配
合比イとする）、７５：１３：１２（配合比ロとす
る）、６０：２５：１５（配合比ハとする）、９５：
４：１（配合比ニとする）とした。これらの配合比は表
２〜４に示した。
【０１４２】有機溶媒（ｅ）としては、メチルアルコー
ルを使用し、配合量はアミノアルキルアルコキシシラン
化合物Ａ（ａ）１モルに対して、２０モルとした。水
（ｆ）としては、蒸留水を使用し、その配合量はアミノ
アルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対し
て、３モルとした。実施例１〜１２および比較例１〜２
０を通じて、以上の配合量を固定しておき、これに配合
するヘテロポリ酸化合物（ｄ）、過塩素酸化合物
（ｄ1 ）、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2）、硫酸（ｄ3 ）またはフルオロスルホン酸（ｄ
4 ）の種類および、アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）１モルに対する配合量を表２〜４に示した
ように変えた。なお、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）につい
ては、水和水を含むので、この水和水も含めた水の配合
量が所定の配合量となるようにした。
ルを使用し、配合量はアミノアルキルアルコキシシラン
化合物Ａ（ａ）１モルに対して、２０モルとした。水
（ｆ）としては、蒸留水を使用し、その配合量はアミノ
アルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対し
て、３モルとした。実施例１〜１２および比較例１〜２
０を通じて、以上の配合量を固定しておき、これに配合
するヘテロポリ酸化合物（ｄ）、過塩素酸化合物
（ｄ1 ）、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2）、硫酸（ｄ3 ）またはフルオロスルホン酸（ｄ
4 ）の種類および、アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）１モルに対する配合量を表２〜４に示した
ように変えた。なお、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）につい
ては、水和水を含むので、この水和水も含めた水の配合
量が所定の配合量となるようにした。
【０１４３】実施例１〜１２および比較例１〜２０の具
体的な操作手順は以下の通りに行った。上述の所定量の
メチルアルコールの半量をガラスビーカーに供給し、上
述の所定量のＮ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランを加え、Ｎ−（β−アミノエ
チル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシランのアル
コール溶液を得る。このアルコール溶液に、上述の所定
量の水の３／４量に、表２〜４に示したヘテロポリ酸化
合物、過塩素酸化合物、トリフルオロメタンスルホン酸
化合物、硫酸またはフルオロスルホン酸の所定量を混合
した溶液を添加して、室温で３時間、攪拌速度８００ｒ
ｐｍで攪拌して、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシランの加水分解物のアルコー
ル溶液を得た。
体的な操作手順は以下の通りに行った。上述の所定量の
メチルアルコールの半量をガラスビーカーに供給し、上
述の所定量のＮ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランを加え、Ｎ−（β−アミノエ
チル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシランのアル
コール溶液を得る。このアルコール溶液に、上述の所定
量の水の３／４量に、表２〜４に示したヘテロポリ酸化
合物、過塩素酸化合物、トリフルオロメタンスルホン酸
化合物、硫酸またはフルオロスルホン酸の所定量を混合
した溶液を添加して、室温で３時間、攪拌速度８００ｒ
ｐｍで攪拌して、Ｎ−（β−アミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシランの加水分解物のアルコー
ル溶液を得た。
【０１４４】一方、上述の所定量のメチルアルコールの
半量をガラスビーカーに供給し、上述の所定量のγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランとジルコニウム
テトラ−ｎ−ブトキシドを加えて、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシランとジルコニウムテトラ−ｎ−
ブトキシドのアルコール溶液を得た。
半量をガラスビーカーに供給し、上述の所定量のγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランとジルコニウム
テトラ−ｎ−ブトキシドを加えて、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシランとジルコニウムテトラ−ｎ−
ブトキシドのアルコール溶液を得た。
【０１４５】得られたアルコール溶液に、上述の所定量
の水の１／４量を添加し、室温で３時間、攪拌速度８０
０ｒｐｍで攪拌して、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシランとジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシドの
加水分解物のアルコール溶液を得た。
の水の１／４量を添加し、室温で３時間、攪拌速度８０
０ｒｐｍで攪拌して、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシランとジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシドの
加水分解物のアルコール溶液を得た。
【０１４６】上記のＮ−（β−アミノエチル）−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシランの加水分解物と、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシランとジルコニウ
ムテトラ−ｎ−ブトキシドの加水分解物のそれぞれのア
ルコール溶液を混合し、室温で３時間、攪拌速度８００
ｒｐｍで攪拌して、高屈折率層被覆用組成物を得た。
ミノプロピルトリメトキシシランの加水分解物と、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシランとジルコニウ
ムテトラ−ｎ−ブトキシドの加水分解物のそれぞれのア
ルコール溶液を混合し、室温で３時間、攪拌速度８００
ｒｐｍで攪拌して、高屈折率層被覆用組成物を得た。
【０１４７】（２）低屈折率層被覆用組成物の調製 次に、表１にモル比で示したそれぞれ所定量のテトラエ
トキシシラン、アンモニアによりｐＨが調整された塩基
性水およびイソプロピルアルコールを、マグネチックス
ターラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２０℃で混合
し、縮合組成物（Ｃ）を得た。さらに、表１にモル比で
示したそれぞれ所定量のテトラエトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、塩酸によりｐＨが調整された酸性
水およびイソプロピルアルコールを、マグネチックスタ
ーラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２０℃で混合
し、縮合組成物（Ｄ）を得た。
トキシシラン、アンモニアによりｐＨが調整された塩基
性水およびイソプロピルアルコールを、マグネチックス
ターラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２０℃で混合
し、縮合組成物（Ｃ）を得た。さらに、表１にモル比で
示したそれぞれ所定量のテトラエトキシシラン、メチル
トリエトキシシラン、塩酸によりｐＨが調整された酸性
水およびイソプロピルアルコールを、マグネチックスタ
ーラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２０℃で混合
し、縮合組成物（Ｄ）を得た。
【０１４８】さらに、上記で得られた縮合組成物（Ｃ）
および縮合組成物（Ｄ）を、表１に示した重量比（縮合
組成物（Ｃ）／縮合組成物（Ｄ））で、マグネチックス
ターラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２０℃で混合
し、低屈折率層被覆用組成物を調製した。得られた低屈
折率層被覆用組成物を、表１に示すように、それぞれ
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）とする。また、市販の低屈折率
層被覆用組成物として、フッ素系樹脂（旭硝子社製、商
品名「サイトップ ＣＴＬ−１０２Ａ」）も使用した。
この「サイトップ ＣＴＬ−１０２Ａ」を低屈折率層被
覆用組成物（ａ）とする。
および縮合組成物（Ｄ）を、表１に示した重量比（縮合
組成物（Ｃ）／縮合組成物（Ｄ））で、マグネチックス
ターラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２０℃で混合
し、低屈折率層被覆用組成物を調製した。得られた低屈
折率層被覆用組成物を、表１に示すように、それぞれ
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）とする。また、市販の低屈折率
層被覆用組成物として、フッ素系樹脂（旭硝子社製、商
品名「サイトップ ＣＴＬ−１０２Ａ」）も使用した。
この「サイトップ ＣＴＬ−１０２Ａ」を低屈折率層被
覆用組成物（ａ）とする。
【０１４９】（３）積層体の製造 （実施例１〜１０、比較例１〜２０の積層体の製造）上
記のように調製した高屈折率層被覆用組成物に、ポリカ
ーボネート板（帝人社製、商品名「パンライト」、４０
×１０×１ｍｍ）を浸漬し、１００ｍｍ／分の速度で引
き上げた後、室温で１０分間乾燥させ高屈折率層が積層
されたポリカーボネート板を得た。次に、得られた高屈
折率層被覆積層体を、表２〜４に示した低屈折率層被覆
用組成物（ａ）、（ｂ）、（ｃ）または（ｄ）に浸漬
し、１００ｍｍ／分の速度で引き上げた後、室温で１０
分間乾燥させて、得られた積層体を１１０℃で６０分硬
化させて目的とする積層体を得た。上記のようにして得
られた積層体を、前記測定法に基づき、各物性を評価
し、結果を表２〜４に示した。尚、比較例３，４，７，
８，１１，１２，１５，１６，１９，２０は、溶液がゲ
ル化してしまい、高屈折率層被覆用組成物として使用で
きなかった。
記のように調製した高屈折率層被覆用組成物に、ポリカ
ーボネート板（帝人社製、商品名「パンライト」、４０
×１０×１ｍｍ）を浸漬し、１００ｍｍ／分の速度で引
き上げた後、室温で１０分間乾燥させ高屈折率層が積層
されたポリカーボネート板を得た。次に、得られた高屈
折率層被覆積層体を、表２〜４に示した低屈折率層被覆
用組成物（ａ）、（ｂ）、（ｃ）または（ｄ）に浸漬
し、１００ｍｍ／分の速度で引き上げた後、室温で１０
分間乾燥させて、得られた積層体を１１０℃で６０分硬
化させて目的とする積層体を得た。上記のようにして得
られた積層体を、前記測定法に基づき、各物性を評価
し、結果を表２〜４に示した。尚、比較例３，４，７，
８，１１，１２，１５，１６，１９，２０は、溶液がゲ
ル化してしまい、高屈折率層被覆用組成物として使用で
きなかった。
【０１５０】（実施例１１、１２の積層体の製造）表２
に示した高屈折率層被覆用組成物を、上記と同様にポリ
カーボネート板（帝人社製、商品名「パンライト」、４
０×１０×１ｍｍ）に被覆し乾燥後、１１０℃で６０分
硬化させた後、上記低屈折率層被覆用組成物（ｂ）（実
施例１１）または（ｄ）（実施例１２）を前記と同様に
被覆し乾燥後、１１０℃で６０分硬化させて目的とする
積層体を得た。得られた積層体を、前記測定法に基づ
き、各物性を評価し、結果を表２に示した。
に示した高屈折率層被覆用組成物を、上記と同様にポリ
カーボネート板（帝人社製、商品名「パンライト」、４
０×１０×１ｍｍ）に被覆し乾燥後、１１０℃で６０分
硬化させた後、上記低屈折率層被覆用組成物（ｂ）（実
施例１１）または（ｄ）（実施例１２）を前記と同様に
被覆し乾燥後、１１０℃で６０分硬化させて目的とする
積層体を得た。得られた積層体を、前記測定法に基づ
き、各物性を評価し、結果を表２に示した。
【０１５１】
【表１】
【０１５２】
【表２】
【０１５３】
【表３】
【０１５４】
【表４】
【０１５５】実施例１３〜２４、比較例２１〜４０ （１）高屈折率層被覆用組成物（帯電防止被覆用組成
物）の調製 以下の実施例１３〜２４および比較例２１〜４０におい
て、導電性を有する高屈折率層を得るための被覆用組成
物の配合は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）としてＮ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランを用い、エポキシアルキルア
ルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）としてγ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランを用い、チタニウムテトラ
アルコキシド（ｃ1 ）として、チタニウムテトラ−ｎ−
ブトキシドを用いた。配合量は、モル比でＮ−（β−ア
ミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：チ
タニウムテトラ−ｎ−ブトキシド＝９０：５：５（配合
比ホとする）、７７：１３：１０（配合比へとする）、
６０：２５：１５（配合比トとする）、９５：４：１
（配合比チとする）とした。これらの配合比は表５〜７
に示した。
物）の調製 以下の実施例１３〜２４および比較例２１〜４０におい
て、導電性を有する高屈折率層を得るための被覆用組成
物の配合は、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）としてＮ−（β−アミノエチル）−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランを用い、エポキシアルキルア
ルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）としてγ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランを用い、チタニウムテトラ
アルコキシド（ｃ1 ）として、チタニウムテトラ−ｎ−
ブトキシドを用いた。配合量は、モル比でＮ−（β−ア
ミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：チ
タニウムテトラ−ｎ−ブトキシド＝９０：５：５（配合
比ホとする）、７７：１３：１０（配合比へとする）、
６０：２５：１５（配合比トとする）、９５：４：１
（配合比チとする）とした。これらの配合比は表５〜７
に示した。
【０１５６】有機溶媒（ｅ）としては、メチルアルコー
ルを使用し、配合量はアミノアルキルアルコキシシラン
化合物Ａ（ａ）１モルに対して、２０モルとした。水
（ｆ）としては、蒸留水を使用し、その配合量はアミノ
アルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対し
て、３モルとした。実施例１３〜２４および比較例２１
〜４０を通じて、以上の配合量を固定しておき、これに
配合するヘテロポリ酸化合物（ｄ）、過塩素酸化合物
（ｄ1 ）、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）、硫酸（ｄ3 ）またはフルオロスルホン酸（ｄ
4 ）の種類および、アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）１モルに対する配合量を表５〜７に示した
ように変えた。なお、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）につい
ては、水和水を含むので、この水和水も含めた水の配合
量が所定の配合量となるようにした。
ルを使用し、配合量はアミノアルキルアルコキシシラン
化合物Ａ（ａ）１モルに対して、２０モルとした。水
（ｆ）としては、蒸留水を使用し、その配合量はアミノ
アルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）１モルに対し
て、３モルとした。実施例１３〜２４および比較例２１
〜４０を通じて、以上の配合量を固定しておき、これに
配合するヘテロポリ酸化合物（ｄ）、過塩素酸化合物
（ｄ1 ）、トリフルオロメタンスルホン酸化合物
（ｄ2 ）、硫酸（ｄ3 ）またはフルオロスルホン酸（ｄ
4 ）の種類および、アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）１モルに対する配合量を表５〜７に示した
ように変えた。なお、ヘテロポリ酸化合物（ｄ）につい
ては、水和水を含むので、この水和水も含めた水の配合
量が所定の配合量となるようにした。
【０１５７】実施例１３〜２４および比較例２１〜４０
の具体的な操作手順は、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブト
キシドに代えてチタニウムテトラ−ｎ−ブトキシドを使
用したことの他は、実施例１〜１２および比較例１〜２
０の操作手順と同様である。
の具体的な操作手順は、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブト
キシドに代えてチタニウムテトラ−ｎ−ブトキシドを使
用したことの他は、実施例１〜１２および比較例１〜２
０の操作手順と同様である。
【０１５８】（２）低屈折率層被覆用組成物の調製 前述の、実施例１〜１２および比較例１〜２０と全く同
様にして低屈折率層被覆用組成物を調製した。
様にして低屈折率層被覆用組成物を調製した。
【０１５９】（３）積層体の製造 （実施例１３〜２２、比較例２１〜４０の積層体の製
造）上記のように調製した高屈折率層被覆用組成物に、
ポリカーボネート板（帝人社製、商品名「パンライ
ト」、４０×１０×１ｍｍ）を浸漬し、１００ｍｍ／分
の速度で引き上げた後、室温で１０分間乾燥させ高屈折
率層が積層されたポリカーボネート板を得た。次に、得
られた高屈折率層被覆積層体を、表５〜７に示した低屈
折率層被覆用組成物（ａ）、（ｂ）、（ｃ）または
（ｄ）に浸漬し、１００ｍｍ／分の速度で引き上げた
後、室温で１０分間乾燥させて、得られた積層体を１１
０℃で６０分硬化させて目的とする積層体を得た。上記
のようにして得られた積層体を、前記測定法に基づき、
各物性を評価し、結果を表５〜７に示した。尚、比較例
２３，２４，２７，２８，３１，３２，３５，３６，３
９，４０は、溶液がゲル化してしまい、高屈折率層被覆
用組成物として使用できなかった。
造）上記のように調製した高屈折率層被覆用組成物に、
ポリカーボネート板（帝人社製、商品名「パンライ
ト」、４０×１０×１ｍｍ）を浸漬し、１００ｍｍ／分
の速度で引き上げた後、室温で１０分間乾燥させ高屈折
率層が積層されたポリカーボネート板を得た。次に、得
られた高屈折率層被覆積層体を、表５〜７に示した低屈
折率層被覆用組成物（ａ）、（ｂ）、（ｃ）または
（ｄ）に浸漬し、１００ｍｍ／分の速度で引き上げた
後、室温で１０分間乾燥させて、得られた積層体を１１
０℃で６０分硬化させて目的とする積層体を得た。上記
のようにして得られた積層体を、前記測定法に基づき、
各物性を評価し、結果を表５〜７に示した。尚、比較例
２３，２４，２７，２８，３１，３２，３５，３６，３
９，４０は、溶液がゲル化してしまい、高屈折率層被覆
用組成物として使用できなかった。
【０１６０】（実施例２３、２４の積層体の製造）表５
に示した高屈折率層被覆用組成物を、上記と同様にポリ
カーボネート板（帝人社製、商品名「パンライト」、４
０×１０×１ｍｍ）に被覆し乾燥後、１１０℃で６０分
硬化させた後、上記低屈折率層被覆用組成物（ｂ）（実
施例２３）または（ｄ）（実施例２４）を前記と同様に
被覆し乾燥後、１１０℃で６０分硬化させて目的とする
積層体を得た。得られた積層体を、前記測定法に基づ
き、各物性を評価し、結果を表５に示した。
に示した高屈折率層被覆用組成物を、上記と同様にポリ
カーボネート板（帝人社製、商品名「パンライト」、４
０×１０×１ｍｍ）に被覆し乾燥後、１１０℃で６０分
硬化させた後、上記低屈折率層被覆用組成物（ｂ）（実
施例２３）または（ｄ）（実施例２４）を前記と同様に
被覆し乾燥後、１１０℃で６０分硬化させて目的とする
積層体を得た。得られた積層体を、前記測定法に基づ
き、各物性を評価し、結果を表５に示した。
【０１６１】
【表５】
【０１６２】
【表６】
【０１６３】
【表７】
【０１６４】実施例２５〜２７、比較例４１〜５３ （１）高屈折率層被覆用組成物（帯電防止被覆用組成
物）の調製および高屈折率層被覆積層体の作製 以下の実施例２５〜２７および比較例４１〜５３におい
て、導電性を有する高屈折率層を得るための被覆用組成
物の調製および高屈折率層被覆積層体の作製は以下のよ
うにして行った。 （高屈折率層１）ＲＦスパッター装置を用い、直径１０
ｃｍのＩｎ2 Ｏ3 ターゲットを使用し、ソーダライムガ
ラス上に８００ÅのＳｉＯ2 膜をコートした基板に、Ｒ
Ｆ出力２００Ｗ、圧力０．５Ｐａ、ガス組成アルゴン：
酸素＝９８：２、基板温度３００度、成膜時間４分の条
件でＩＴＯ膜成膜を行った。得られた膜厚は２１０Åで
あった。
物）の調製および高屈折率層被覆積層体の作製 以下の実施例２５〜２７および比較例４１〜５３におい
て、導電性を有する高屈折率層を得るための被覆用組成
物の調製および高屈折率層被覆積層体の作製は以下のよ
うにして行った。 （高屈折率層１）ＲＦスパッター装置を用い、直径１０
ｃｍのＩｎ2 Ｏ3 ターゲットを使用し、ソーダライムガ
ラス上に８００ÅのＳｉＯ2 膜をコートした基板に、Ｒ
Ｆ出力２００Ｗ、圧力０．５Ｐａ、ガス組成アルゴン：
酸素＝９８：２、基板温度３００度、成膜時間４分の条
件でＩＴＯ膜成膜を行った。得られた膜厚は２１０Åで
あった。
【０１６５】（高屈折率層２）テトラエトキシシラン、
メチルトリメトキシシランをそれぞれ０．５モルずつ、
シラン化合物全量１モルに対して２５モルのエタノール
に混合した溶液に、０．０３６重量％の塩酸を含有する
水を５モル添加した組成物に、Ｓｂを１６モル％ドープ
したＳｎＯ2 超微粒子（平均粒径６ｎｍ）を６０重量％
分散させた被覆用組成物をポリカーボネート板（帝人社
製、パンライト、４０×１０×１ｍｍ）に塗布し、１２
０℃で６０分硬化させた。得られた膜厚は８００Åであ
った。
メチルトリメトキシシランをそれぞれ０．５モルずつ、
シラン化合物全量１モルに対して２５モルのエタノール
に混合した溶液に、０．０３６重量％の塩酸を含有する
水を５モル添加した組成物に、Ｓｂを１６モル％ドープ
したＳｎＯ2 超微粒子（平均粒径６ｎｍ）を６０重量％
分散させた被覆用組成物をポリカーボネート板（帝人社
製、パンライト、４０×１０×１ｍｍ）に塗布し、１２
０℃で６０分硬化させた。得られた膜厚は８００Åであ
った。
【０１６６】（高屈折率層３）メタノール４３５重量部
に、酸化物基準で９％のアンチモンを含有するｎ−ブト
キシスズブタノール溶液（ＳｎＯ2 固形分３０％）を７
６重量部、エチルシリケート３９重量部添加し、攪拌混
合し、この溶液を水蒸気存在下で１時間混合を行い、さ
らに、硝酸水（ＨＮＯ3 ：水＝１：１５）を５０重量部
添加して、ついで、イソプロピルアルコール５００重量
部加えて、高屈折率層被覆用組成物を得た。この組成物
を、ポリカーボネート板（帝人社製、パンライト、４０
×１０×１ｍｍ）に塗布し、乾燥後、１１０℃で６０分
硬化させた。得られた膜厚は９００Åであった。
に、酸化物基準で９％のアンチモンを含有するｎ−ブト
キシスズブタノール溶液（ＳｎＯ2 固形分３０％）を７
６重量部、エチルシリケート３９重量部添加し、攪拌混
合し、この溶液を水蒸気存在下で１時間混合を行い、さ
らに、硝酸水（ＨＮＯ3 ：水＝１：１５）を５０重量部
添加して、ついで、イソプロピルアルコール５００重量
部加えて、高屈折率層被覆用組成物を得た。この組成物
を、ポリカーボネート板（帝人社製、パンライト、４０
×１０×１ｍｍ）に塗布し、乾燥後、１１０℃で６０分
硬化させた。得られた膜厚は９００Åであった。
【０１６７】（２）低屈折率層被覆用組成物の調製 次に、表８および表９にモル比で示したそれぞれ所定量
のテトラエトキシシラン、アンモニアによりｐＨが調整
された塩基性水およびイソプロピルアルコールを、マグ
ネチックスターラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２
０℃で混合し、縮合組成物（Ｃ）を得た。さらに、表８
および表９にモル比で示したそれぞれ所定量のテトラエ
トキシシラン、塩酸によりｐＨが調整された酸性水およ
びイソプロピルアルコールを、マグネチックスターラー
に供給、８００ｒｐｍで２時間、２０℃で混合し、縮合
組成物（Ｄ）を得た。
のテトラエトキシシラン、アンモニアによりｐＨが調整
された塩基性水およびイソプロピルアルコールを、マグ
ネチックスターラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２
０℃で混合し、縮合組成物（Ｃ）を得た。さらに、表８
および表９にモル比で示したそれぞれ所定量のテトラエ
トキシシラン、塩酸によりｐＨが調整された酸性水およ
びイソプロピルアルコールを、マグネチックスターラー
に供給、８００ｒｐｍで２時間、２０℃で混合し、縮合
組成物（Ｄ）を得た。
【０１６８】さらに、上記で得られた縮合組成物（Ｃ）
および縮合組成物（Ｄ）を、表８および表９に示した重
量比（縮合組成物（Ｃ）／縮合組成物（Ｄ））で、マグ
ネチックスターラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２
０℃で混合し、低屈折率層被覆用組成物を調製した。得
られた低屈折率層被覆用組成物を、表８および表９に示
すように、それぞれ（ｅ）〜（ｔ）とする。
および縮合組成物（Ｄ）を、表８および表９に示した重
量比（縮合組成物（Ｃ）／縮合組成物（Ｄ））で、マグ
ネチックスターラーに供給、８００ｒｐｍで２時間、２
０℃で混合し、低屈折率層被覆用組成物を調製した。得
られた低屈折率層被覆用組成物を、表８および表９に示
すように、それぞれ（ｅ）〜（ｔ）とする。
【０１６９】（３）積層体の製造 （実施例２５〜２７、比較例４１〜５３の積層体の製
造）上記のように調製した高屈折率層被覆積層体を、表
１０に示した上記低屈折率層被覆用組成物（ｅ）〜
（ｔ）に浸漬し、１００ｍｍ／分の速度で引き上げた
後、室温で１０分間乾燥させ、得られた積層体を１１０
℃で６０分硬化させて目的とする積層体を得た。上記の
ようにして得られた積層体を、前記測定法に基づき、各
物性を評価し、結果を表１０に示した。尚、比較例４７
は、低屈折率層被覆時に膜が白濁して、透明な積層体が
得られなかった。比較例４６、５２は、低屈折率層の積
層をすることができなかった。また、比較例４１、４
５、４８、４９は低屈折率層被覆用組成物がゲル化して
しまい、目的とする積層体を得ることができなかった。
造）上記のように調製した高屈折率層被覆積層体を、表
１０に示した上記低屈折率層被覆用組成物（ｅ）〜
（ｔ）に浸漬し、１００ｍｍ／分の速度で引き上げた
後、室温で１０分間乾燥させ、得られた積層体を１１０
℃で６０分硬化させて目的とする積層体を得た。上記の
ようにして得られた積層体を、前記測定法に基づき、各
物性を評価し、結果を表１０に示した。尚、比較例４７
は、低屈折率層被覆時に膜が白濁して、透明な積層体が
得られなかった。比較例４６、５２は、低屈折率層の積
層をすることができなかった。また、比較例４１、４
５、４８、４９は低屈折率層被覆用組成物がゲル化して
しまい、目的とする積層体を得ることができなかった。
【０１７０】
【表８】
【０１７１】
【表９】
【０１７２】
【表１０】
【０１７３】
【発明の効果】本発明および本発明２〜５の積層体の製
造方法は、前記した通りであり、この製造方法による
と、被膜形成前の基材の光学特性を保持したまま、十分
な帯電防止性能と耐水性を有すると共に、得られた被膜
中にジルコニウムの酸化物が含まれるので、硬い材料で
強く摩擦しても傷がつきにくく、引っ掻き傷による外観
低下を起こしにくく、長期に渡って性能を維持できる高
屈折率層を得ることができる。さらに、上記高屈折率層
の表面に、低屈折率層が積層されているので、基材上に
反射防止効果および帯電防止効果の高い被膜が形成され
た光透過率４０％以上の積層体を容易に製造し得る。さ
らに、本発明および本発明２〜５で使用される帯電防止
被覆用組成物は、通常の簡単な方法で作製可能で、従来
のシリコン系コーティング溶液と同様の方法で使用する
ことが出来るので、本発明および本発明２〜５による
と、基材上に反射防止効果および帯電防止効果の高い被
膜が形成された積層体を容易に製造し得る。
造方法は、前記した通りであり、この製造方法による
と、被膜形成前の基材の光学特性を保持したまま、十分
な帯電防止性能と耐水性を有すると共に、得られた被膜
中にジルコニウムの酸化物が含まれるので、硬い材料で
強く摩擦しても傷がつきにくく、引っ掻き傷による外観
低下を起こしにくく、長期に渡って性能を維持できる高
屈折率層を得ることができる。さらに、上記高屈折率層
の表面に、低屈折率層が積層されているので、基材上に
反射防止効果および帯電防止効果の高い被膜が形成され
た光透過率４０％以上の積層体を容易に製造し得る。さ
らに、本発明および本発明２〜５で使用される帯電防止
被覆用組成物は、通常の簡単な方法で作製可能で、従来
のシリコン系コーティング溶液と同様の方法で使用する
ことが出来るので、本発明および本発明２〜５による
と、基材上に反射防止効果および帯電防止効果の高い被
膜が形成された積層体を容易に製造し得る。
【０１７４】本発明６〜１０の積層体の製造方法は、前
記した通りであり、この製造方法によると、被膜形成前
の基材の光学特性を保持したまま、十分な帯電防止性能
と耐水性を有すると共に、得られた被膜中にチタニウム
の酸化物が含まれるので、硬い材料で強く摩擦しても傷
がつきにくく、引っ掻き傷による外観低下を起こしにく
く、長期に渡って性能を維持できる高屈折率層を得るこ
とができる。さらに、上記高屈折率層の表面に、低屈折
率層が積層されているので、基材上に反射防止効果およ
び帯電防止効果の高い被膜が形成された光透過率４０％
以上の積層体を容易に製造し得る。さらに、本発明６〜
１０で使用される帯電防止被覆用組成物は、通常の簡単
な方法で作製可能で、従来のシリコン系コーティング溶
液と同様の方法で使用することが出来るので、本発明６
〜１０によると、基材上に反射防止効果および帯電防止
効果の高い被膜が形成された積層体を容易に製造し得
る。
記した通りであり、この製造方法によると、被膜形成前
の基材の光学特性を保持したまま、十分な帯電防止性能
と耐水性を有すると共に、得られた被膜中にチタニウム
の酸化物が含まれるので、硬い材料で強く摩擦しても傷
がつきにくく、引っ掻き傷による外観低下を起こしにく
く、長期に渡って性能を維持できる高屈折率層を得るこ
とができる。さらに、上記高屈折率層の表面に、低屈折
率層が積層されているので、基材上に反射防止効果およ
び帯電防止効果の高い被膜が形成された光透過率４０％
以上の積層体を容易に製造し得る。さらに、本発明６〜
１０で使用される帯電防止被覆用組成物は、通常の簡単
な方法で作製可能で、従来のシリコン系コーティング溶
液と同様の方法で使用することが出来るので、本発明６
〜１０によると、基材上に反射防止効果および帯電防止
効果の高い被膜が形成された積層体を容易に製造し得
る。
【０１７５】本発明１１の積層体の製造方法は、前記し
た通りであり、導電性を有する高屈折率層が積層された
基材上に、コロイダルシリカとシリカゾルの混合物とか
らなる低屈折率層被覆用組成物が塗布、硬化されている
ので、表面が多孔化されていると共に、スチールウール
などの硬い材料で摩擦しても傷が付き難く、引っ掻き傷
による外観低下を特に起こし難い。従って、本発明１１
によると、基材上に反射防止効果および帯電防止効果が
高く、透明であり、また、耐擦傷性、耐水性に優れた被
膜が形成された光透過率４０％以上の積層体を容易に製
造し得る。
た通りであり、導電性を有する高屈折率層が積層された
基材上に、コロイダルシリカとシリカゾルの混合物とか
らなる低屈折率層被覆用組成物が塗布、硬化されている
ので、表面が多孔化されていると共に、スチールウール
などの硬い材料で摩擦しても傷が付き難く、引っ掻き傷
による外観低下を特に起こし難い。従って、本発明１１
によると、基材上に反射防止効果および帯電防止効果が
高く、透明であり、また、耐擦傷性、耐水性に優れた被
膜が形成された光透過率４０％以上の積層体を容易に製
造し得る。
【０１７６】本発明１２の積層体の製造方法は、前記し
た通りであり、本発明１〜１０の導電性を有する高屈折
率層が積層された基材上に、コロイダルシリカとシリカ
ゾルの混合物とからなる低屈折率層被覆用組成物が塗
布、硬化されているので、表面が多孔化されていると共
に、スチールウールなどの硬い材料で摩擦しても傷が付
き難く、引っ掻き傷による外観低下を特に起こし難い。
従って、本発明１１によると、基材上に反射防止効果お
よび帯電防止効果が高く、透明であり、また、耐擦傷
性、耐水性に優れた被膜が形成された光透過率４０％以
上の積層体を容易に製造し得る。
た通りであり、本発明１〜１０の導電性を有する高屈折
率層が積層された基材上に、コロイダルシリカとシリカ
ゾルの混合物とからなる低屈折率層被覆用組成物が塗
布、硬化されているので、表面が多孔化されていると共
に、スチールウールなどの硬い材料で摩擦しても傷が付
き難く、引っ掻き傷による外観低下を特に起こし難い。
従って、本発明１１によると、基材上に反射防止効果お
よび帯電防止効果が高く、透明であり、また、耐擦傷
性、耐水性に優れた被膜が形成された光透過率４０％以
上の積層体を容易に製造し得る。
【０１７７】本発明１３の積層体の製造方法は、前記し
た通りであり、本発明１３によれば、高屈折率層および
低屈折率層を形成するために塗液を塗布しても下地の層
からの溶出現象が起こらないので、基材上に反射防止効
果および帯電防止効果の高い透明な被膜が形成された光
透過率４０％以上の積層体を容易且つ常に安定に製造し
得る。
た通りであり、本発明１３によれば、高屈折率層および
低屈折率層を形成するために塗液を塗布しても下地の層
からの溶出現象が起こらないので、基材上に反射防止効
果および帯電防止効果の高い透明な被膜が形成された光
透過率４０％以上の積層体を容易且つ常に安定に製造し
得る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０５Ｄ 7/02 7415−4Ｆ 7/24 ３０２ Ｙ 7415−4Ｆ Ａ 7415−4Ｆ ３０３ Ｅ 7415−4Ｆ Ｃ０８Ｊ 7/04 Ｚ (72)発明者 宮本 和明 京都市南区上鳥羽上調子町２−２ 積水化 学工業株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）下記の一般式［Ｉ］で表されるアミノ
アルキルアルコキシシラン化合物Ａ、 【化１】 （式中、Ｙはアミノ基を有する有機基、Ｙ1 は炭化水素
基、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基、ｍは１〜５の整
数、ｎは０〜２の整数） （ｂ）下記の一般式［II］で表されるエポキシアルキル
アルコキシシラン化合物Ｂ、 【化２】 （式中、Ｚはグリシドキシ基またはエポキシシクロヘキ
シル基、Ｙ2 は炭化水素基、Ｒ1 は炭素数１〜５のアル
キル基、ｐは１〜５の整数、ｔは０〜２の整数） （ｃ）一般式Ｚｒ（ＯＲ2 ）4 （式中、Ｒ2 は炭素数１
〜５ のアルキル基）で表されるジルコニウムテトラア
ルコキシド、（ｄ）ヘテロポリ酸化合物、（ｅ）有機溶
媒および（ｆ）水よりなり、アミノアルキルアルコキシ
シラン化合物Ａ（ａ）とエポキシアルキルアルコキシシ
ラン化合物Ｂ（ｂ）とジルコニウムテトラアルコキシド
（ｃ）のモル比が９３〜５３：３５〜５：１２〜２であ
り、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）と
（ｄ）と（ｅ）と（ｆ）のモル比が、１：０．０１〜
０．３５：１５〜１００：０．１〜５である帯電防止被
覆用組成物を塗布することにより得られる層からなるこ
とを特徴とする光透過率４０％以上の積層体の製造方
法。 - 【請求項２】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ）請求項１記載
のジルコニウムテトラアルコキシド、（ｄ1 ）一般式Ｘ
ＣｌＯ4 で表される過塩素酸化合物（式中、Ｘは水素原
子、一価の金属原子、ＮＨ4 または下記一般式[III] で
表される第４アンモニウム） 【化３】 （式中、Ｍ1 、Ｍ2 、Ｍ3 およびＭ4 は炭素数１〜２０
のアルキル基） （ｅ）有機溶媒および（ｆ）水よりなり、アミノアルキ
ルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）とエポキシアルキル
アルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）とジルコニウムテトラ
アルコキシド（ｃ）のモル比が９３〜５３：３５〜５：
１２〜２であり、アミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）と（ｄ1 ）と（ｅ）と（ｆ）のモル比が、
１：０．０１〜０．５：１５〜１００：０．１〜５であ
る帯電防止被覆用組成物を塗布することにより得られる
層からなることを特徴とする光透過率４０％以上の積層
体の製造方法。 - 【請求項３】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ）請求項１記載
のジルコニウムテトラアルコキシド、（ｄ2 ）一般式Ｃ
Ｆ3 ＳＯ3 Ｘ1 で表されるトリフルオロメタンスルホン
酸化合物（式中、Ｘ1 は水素原子または一価の金属原
子）、（ｅ）有機溶媒および（ｆ）水よりなり、アミノ
アルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）とエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）とジルコニウム
テトラアルコキシド（ｃ）のモル比が９３〜５３：３５
〜５：１２〜２であり、アミノアルキルアルコキシシラ
ン化合物Ａ（ａ）と（ｄ2 ）と（ｅ）と（ｆ）のモル比
が、１：０．０１〜０．５：１５〜１００：０．１〜５
である帯電防止被覆用組成物を塗布することにより得ら
れる層からなることを特徴とする光透過率４０％以上の
積層体の製造方法。 - 【請求項４】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ）請求項１記載
のジルコニウムテトラアルコキシド、（ｄ3 ）硫酸、
（ｅ）有機溶媒および（ｆ）水よりなり、アミノアルキ
ルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）とエポキシアルキル
アルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）とジルコニウムテトラ
アルコキシド（ｃ）のモル比が９３〜５３：３５〜５：
１２〜２であり、アミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）と（ｄ3 ）と（ｅ）と（ｆ）のモル比が、
１：０．０１〜０．５：１５〜１００：０．１〜５であ
る帯電防止被覆用組成物を塗布することにより得られる
層からなることを特徴とする光透過率４０％以上の積層
体の製造方法。 - 【請求項５】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ）請求項１記載
のジルコニウムテトラアルコキシド、（ｄ4 ）フルオロ
スルホン酸、（ｅ）有機溶媒および（ｆ）水よりなり、
アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）とエポ
キシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）とジルコ
ニウムテトラアルコキシド（ｃ）のモル比が９３〜５
３：３５〜５：１２〜２であり、アミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ（ａ）と（ｄ4 ）と（ｅ）と（ｆ）
のモル比が、１：０．００１〜０．１５：１５〜１０
０：０．１〜５である帯電防止被覆用組成物を塗布する
ことにより得られる層からなることを特徴とする光透過
率４０％以上の積層体の製造方法。 - 【請求項６】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ1 ）一般式Ｔｉ
（ＯＲ3 ）4 （式中、Ｒ3 は炭素数１〜５のアルキル
基）で表されるチタニウムテトラアルコキシド、（ｄ）
ヘテロポリ酸化合物、（ｅ）有機溶媒および（ｆ）水よ
りなり、アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ
（ａ）とエポキシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ
（ｂ）とチタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）のモル
比が９３〜５５：３５〜５：１０〜２であり、アミノア
ルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）と（ｄ）と
（ｅ）と（ｆ）のモル比が、１：０．０１〜０．３５：
１５〜１００：０．１〜５である帯電防止被覆用組成物
を塗布することにより得られる層からなることを特徴と
する光透過率４０％以上の積層体の製造方法。 - 【請求項７】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ1 ）請求項６記
載のチタニウムテトラアルコキシド、（ｄ1 ）過塩素酸
化合物、（ｅ）有機溶媒および（ｆ）水よりなり、アミ
ノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）とエポキシ
アルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）とチタニウム
テトラアルコキシド（ｃ1 ）のモル比が９３〜５５：３
５〜５：１０〜２であり、アミノアルキルアルコキシシ
ラン化合物Ａ（ａ）と（ｄ1 ）と（ｅ）と（ｆ）のモル
比が、１：０．０１〜０．５：１５〜１００：０．１〜
５である帯電防止被覆用組成物を塗布することにより得
られる層からなることを特徴とする光透過率４０％以上
の積層体の製造方法。 - 【請求項８】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ1 ）請求項６記
載のチタニウムテトラアルコキシド、（ｄ2 ）トリフル
オロメタンスルホン酸化合物、（ｅ）有機溶媒および
（ｆ）水よりなり、アミノアルキルアルコキシシラン化
合物Ａ（ａ）とエポキシアルキルアルコキシシラン化合
物Ｂ（ｂ）とチタニウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）の
モル比が９３〜５５：３５〜５：１０〜２であり、アミ
ノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）と（ｄ2 ）
と（ｅ）と（ｆ）のモル比が、１：０．０１〜０．５：
１５〜１００：０．１〜５である帯電防止被覆用組成物
を塗布することにより得られる層からなることを特徴と
する光透過率４０％以上の積層体の製造方法。 - 【請求項９】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率
層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ1 ）請求項６記
載のチタニウムテトラアルコキシド、（ｄ3 ）硫酸、
（ｅ）有機溶媒および（ｆ）水よりなり、アミノアルキ
ルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）とエポキシアルキル
アルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）とチタニウムテトラア
ルコキシド（ｃ1 ）のモル比が９３〜５５：３５〜５：
１０〜２であり、アミノアルキルアルコキシシラン化合
物Ａ（ａ）と（ｄ3 ）と（ｅ）と（ｆ）のモル比が、
１：０．０１〜０．５：１５〜１００：０．１〜５であ
る帯電防止被覆用組成物を塗布することにより得られる
層からなることを特徴とする光透過率４０％以上の積層
体の製造方法。 - 【請求項１０】 基材の表面上に導電性を有する高屈折
率層と、低屈折率を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、（ａ）請求項１記載のアミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ、（ｂ）請求項１記載のエポキシア
ルキルアルコキシシラン化合物Ｂ、（ｃ1 ）請求項６記
載のチタニウムテトラアルコキシド、（ｄ4 ）フルオロ
スルホン酸、（ｅ）有機溶媒および（ｆ）水よりなり、
アミノアルキルアルコキシシラン化合物Ａ（ａ）とエポ
キシアルキルアルコキシシラン化合物Ｂ（ｂ）とチタニ
ウムテトラアルコキシド（ｃ1 ）のモル比が９３〜５
５：３５〜５：１０〜２であり、アミノアルキルアルコ
キシシラン化合物Ａ（ａ）と（ｄ4 ）と（ｅ）と（ｆ）
のモル比が、１：０．００１〜０．１５：１５〜１０
０：０．１〜５である帯電防止被覆用組成物を塗布する
ことにより得られる層からなることを特徴とする光透過
率４０％以上の積層体の製造方法。 - 【請求項１１】 基材の表面上に導電性を有する高屈折
率層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記低屈
折率層が、 一般式Ｓｉ（ＯＲ4 ）4 （式中、Ｒ4 は炭素数１〜５の
アルキル基）で表されるテトラアルコキシシラン１モ
ル、ｐＨが１０．０〜１２．０の塩基性水２〜８モルお
よび有機溶媒１０〜３０モルを混合して得られる縮合組
成物（Ｃ）と、 一般式（Ｒ6 ）s Ｓｉ（ＯＲ5 ）4-s （式中、Ｒ5 およ
びＲ6 は炭素数１〜５のアルキル基、ｓは０〜３の整
数）で表されるアルコキシシラン１モル、ｐＨが０〜
２．６の酸性水３〜８モルおよび有機溶媒１０〜３０モ
ルを混合して得られる縮合組成物（Ｄ）とを、 重量比（Ｃ）／（Ｄ）＝０．４〜２．４で混合し、得ら
れた組成物を塗布することにより得られる層からなるこ
とを特徴とする光透過率４０％以上の積層体の製造方
法。 - 【請求項１２】 基材の表面上に導電性を有する高屈折
率層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるよう
に、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈
折率層が、請求項１〜１０記載の高屈折率層であり、さ
らに上記低屈折率層が、請求項１１記載の低屈折率層で
あることを特徴とする光透過率４０％以上の積層体の製
造方法。 - 【請求項１３】 基材の表面上に、請求項１〜１２記載
の、高屈折率層および低屈折率層を、低屈折率層が最外
層になるように、交互に積層する積層体の製造方法であ
って、それぞれの層の積層に際して、既に積層させた層
を硬化させておくことを特徴とする積層体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7114651A JPH0862404A (ja) | 1994-06-17 | 1995-05-12 | 積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13550594 | 1994-06-17 | ||
| JP6-135505 | 1994-06-17 | ||
| JP7114651A JPH0862404A (ja) | 1994-06-17 | 1995-05-12 | 積層体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0862404A true JPH0862404A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=26453361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7114651A Pending JPH0862404A (ja) | 1994-06-17 | 1995-05-12 | 積層体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0862404A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002341104A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
| JP2017536978A (ja) * | 2014-11-12 | 2017-12-14 | ユニバーシティー オブ ヒューストン システム | 耐候性、真菌耐性および耐染色性のコーティング、ならびに木材、レンガまたは他の多孔質材料に適用する方法 |
| US10704191B2 (en) | 2014-11-12 | 2020-07-07 | University Of Houston System | Soil-resistant, stain-resistant coatings and methods of applying on textile or other flexible materials |
| US11142867B2 (en) | 2014-11-12 | 2021-10-12 | University Of Houston System | Soil-resistant, stain-resistant fluorine-free coatings and methods of applying on materials |
-
1995
- 1995-05-12 JP JP7114651A patent/JPH0862404A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002341104A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
| JP2017536978A (ja) * | 2014-11-12 | 2017-12-14 | ユニバーシティー オブ ヒューストン システム | 耐候性、真菌耐性および耐染色性のコーティング、ならびに木材、レンガまたは他の多孔質材料に適用する方法 |
| JP2020078798A (ja) * | 2014-11-12 | 2020-05-28 | ユニバーシティー オブ ヒューストン システム | 耐候性、真菌耐性および耐染色性のコーティング、ならびに木材、レンガまたは他の多孔質材料に適用する方法 |
| US10704191B2 (en) | 2014-11-12 | 2020-07-07 | University Of Houston System | Soil-resistant, stain-resistant coatings and methods of applying on textile or other flexible materials |
| US11142867B2 (en) | 2014-11-12 | 2021-10-12 | University Of Houston System | Soil-resistant, stain-resistant fluorine-free coatings and methods of applying on materials |
| US11345821B2 (en) | 2014-11-12 | 2022-05-31 | University Of Houston System | Weather-resistant, fungal-resistant, and stain-resistant coatings and methods of applying on wood, masonry, or other porous materials |
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