JPH0351801A - 低反射膜及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はブラウン管パネル等に適用される低反射膜の製
造方法に関するものである。

［従来の技術］ 低反射膜のコーティング法は従来より光学的機器におい
てはいうまでもなく、民生用機器特にＴＶ、コンピュー
タ端末の陰極線管（ＣＲＴ）に関し多く検討がなされて
きた。

従来の方法は例えば特開昭６１−１１８９３１号記載の
如くブラウン管表面に防眩効果をもたせる為に微細なＳ
ｉＯ□層を付着させたり、弗酸により表面をエツチング
して凹凸を設ける等の方法が取られてきた。しかし、こ
れらの方法は外部光を拡散反射させるノングレア−処理
と呼ばれ、本質的に低反射膜を設ける手法でない為、反
射率の低減には限界があった。

また安定な低屈折率物質であるＭｇＦｉを真空蒸着等物
理的な手段によってレンズ、ガラス表面に付着させる試
みも成されているが、この方法では装置費が高く、或い
はＣＲＴ完成完成様な大きな被付着物を真空チャンバー
内に収納するのが困難であるという欠点があった。

［発明の解決しようとする課題］ 本発明の目的は従来技術が有していた前述の欠点を解消
し、化学的手法により簡便で安定且つ優れた低反射膜の
製造方法を新たに提供することである。

［課題を解決するための手段］ すなわち本発明は一般式Ｒｎ５１（ＯＨ）４−ｎ　　（
ｎ　＝０〜４、ｎ≠０の場合Ｒは水素、アルキル基、ア
ルコキシ基の少な（とも１種、但しＲが水素の場合はｎ
＝２）で示されるシラノール化合物を含む液を基体上に
塗布した後加熱することを特徴とする低反射膜の製造方
法を提供するものである。

本発明において用いられるシラノール化合物は、Ｓｔ　
（０）１）　４．　ＨｎＳｔ　（ＯＨ）　４−ｎ　（ｎ
＝２）　、　（ＯＲ′）ＩＩＳＬ　（ＯＨ）　４−ｎ　
（ＯＲ’　：アルコキシ基、ｎ＝１〜４）。

Ｒ’ｌｌ５１（ＯＨ）４−ｎ（Ｒ’　：アルキル基、ｎ
＝１〜４）で示される。

上式に於けるアルコキシ基としては種々の基が使用可能
であるが好ましくは−ＯＣＨ，、−０Ｃ２Ｈ，。

−ＯＣ，Ｈ，、−ＯＣ，Ｈ，が挙げられる。アルキル基
としては種々の基が使用可能であるが好ましくは−ＣＨ
５，−ＣＪｓ、　−ＣＪｖ、−Ｃ４Ｈ１１が挙げられる
。

溶媒としては特に限定されないが、水、水溶液、アルコ
ール、エステル、ケトン、エーテル等が挙げられる。特
にはアルコールが好ましく、更に好ましくはメタノール
、エタノール、プロパツール、ブタノール等が好ましい
。

また液中のシラノール化合物含量は０．１〜３０重量％
程度が好ましい。

又、本発明において用いるシラノール化合物を含む液体
には、膜の付着強度及び硬度を向上させるためにバイン
ダーとして５Ｌ（ＯＲ）、（Ｒ：アルキル基）等を添加
して５ｉＯｉを同時に析出させたり、基体とのぬれ性を
上げる為に界面活性剤として種々のものが使用し得るが
、例えば直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、
アルキルエーテル硫酸エステル等を添加してもよい。

又、導電性付与を目的として、導電性を有する金属酸化
物（例えばＳｎＯ□、Ｓｎを含むＩｎａＯｉ（ＩＴＯ）
等）および／または金属（例えば、　Ｓｎ、　Ｉｎ等）
のアセチルアセトネート、アルコキシド等の有機金属塩
、ハロゲン化物、酢酸塩、硝酸塩あるいはキレート化合
物などの金属塩を添加し、５ｎＯｉ、　Ｓｎを含むＩｎ
５Ｏｓ　（ＩＴＯ）等を同時に析出させることも可能で
ある。

また導電性酸化物微粉を分散させたゾル液を混合するこ
とも可能である。

また低屈折率を有する物質を分散させたゾル液と混合し
更に低反射性を向上させることも可能である。例えばＭ
ｇＦ、ＣａＦｚ、Ｎａ５ＡＩＦ４の超微粉を分散させた
ゾル液との混合が可能である。

膜の基板上への付着法はスピンコード法、デイツプ法、
スプレー法、ロールコータ−法、メニスカスコーター法
等種々考えられるが、特にスピンコード法は量産性、再
現性に優れ好ましく採用可能である。かかる方法によっ
て０．０１〜１μｍ程度の膜厚のＭｇＦｉ膜を形成可能
である。

加熱温度は５０℃以上が必要であるが、上限は通常は基
板に用いられるガラス、プラスチック等の軟化点によっ
て決定される。この点も考慮すると、好ましい温度範囲
は１００〜４００℃である。

本発明において低反射膜を形成する基体としては、特に
限定されるものではな（、目的に応じてソーダライムシ
リケートガラス、アルミノシリケートガラス、硼珪酸塩
ガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラ
スなどのガラス、鋼玉等の単結晶、マグネシア、サイア
ロン等の透光性セラミックス、ポリカーボネート等のプ
ラスチックなどが使用できる。

本発明の低反射膜の製造方法は多層の低反射膜の製造に
も応用できる０反射防止性能を有する多層の低反射膜の
構成としては、反射防止したい波長をλとして、基体側
より、高屈折率層−低屈折率層を光学厚みえ／２−λ／
４で形成した２層の低反射膜、基体側より中屈折率層−
高屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ／４−λ／２−λ
／４で形成した３層の低反射膜、基体より低屈折率層−
中屈折率層一高屈折率層一低屈折率層を光学厚みλ／４
−λ／４−λ／２−λ／４で形成した４層の低反射膜等
が典型的な例として知られており、本発明においては低
屈折率層としてシラノール化合物を用いた多層の低反射
膜を製造することも可能である。

又、ブラウン管（ＣＲＴ）や前面パネル等において指摘
されている、ＣＲＴ動作中に発生する静電気により表面
が帯電し、人体との間で放電を起こしたり、はこりが吸
着しやすいという問題の解決策として、低反射膜の一層
を透明で導電性を有する材料で構成したものが知られて
いるが、かかる導電性を有する低反射膜の製造にも適用
できる０例えば基体上にＳｎＯ□、　ＩＴＯ等の導電層
を設け、その上に本発明による低反射膜を形成すること
も可能である。

［実施例］ 以下、実施例、比較例により本発明を説明する。

実施例１ エタノール中にシラノール化合物としてＳＬ　（ＯＨ）
、を３゜０重量％添加し、塗布液を得た。

この液をガラス基板上に滴下し、更にスピンコーターで
回転数３０００ｒｐ■でコーティングした。

このガラス基板を空気中２００℃で３０分間焼成して厚
さ１０００人（０，１μｍ）の膜を形成した後波長３６
０〜７００　（ｎｍ）に於ける片面反射率、表面抵抗及
び膜強度を評価した。

実施例２ 焼成温度を４００℃として９５０人（０，０９５μｍ）
の膜を形成した以外は実施例１と同様に行った。

実施例３ シラノール化合物としてＨＳｉ　（ＯＨ）　ｓを用いた
以外は実施例１と同様に行った。

実施例４ シラノール化合物としてＣＨｉＯＳｘ　（ＯＨ）−を用
いた以外は実施例１と同様に行った。

実施例５ シラノール化合物としてｃ、Ｈｓｓｉ　（ＯＨ）　ｌを
用いた以外は実施例１と同様に行った。

実施例６ 実施例３における塗布液１０ｇとＭｇＦｘゾル（ＭｇＦ
ｉ含量３重量％）を含む溶液ｌｏｇを混合した液を用い
た以外は実施例１と同様に行った。

実施例７ 実施例１における塗布液１０ｇと５ｔ（ｏｃａｕｓＬを
エタノールにＳｉＯ□換算で３重量％添加した溶液１０
ｇ及びエタノールにｓｂを１５　ｍｏ１％ドープしＳｎ
Ｏ２微粉を３重量％含む溶液１０ｇを混合した以外は実
施例１と同様に行った。

実施例８ メタノール、水から成る溶媒（体積比１：１）に対し５
ｎＣ１４，５ｂＣ１ｓをｓｂのＳｎに対する比１５ｏ＋
ｏ１％且つ５ｂ−３ｎＯ□換算で３重量％となる様に添
加し、溶解した溶液をガラス基板上に滴下し、スピンコ
ーターで回転数３０００ｒｐＩ１１でコーティングした
後、空気中４００℃で３０分間焼成して１１００人（０
，１１μｍ）の５ｂ−ＳｎＯｉ膜を形成した。

次にその上に実施例３と同様な方法で膜を構成した以外
は実施例１と同様に行った。

実施例９ 実施例８と同様な方法で１１００人　（０，１１ｇｍ）
厚の５ｂ−ＳｎＯ＝膜を形成し、更に実施例６と同様な
方法で膜を構成した以外は実施例１と同様に行った。

た場合×、５０〜１００往復で生じた場合Δ、１００往
復で生じなかった場合な○で表示した。

結果を第１表に示した。

第１表 比較例 未処理のガラス基板の片面反射率、表面抵抗を実施例１
と同様に評価した。

具体的な試験方法は以下の通りである。

反射率：島津製作所製自動分光光度計を用いて波長５５
０（ｎｍ）に於ける片面反射率を測定した。

表面抵抗：三菱油化製表面抵抗計を用いて測定した。

強　度ニライオン事務器製Ｎｏ、　５０−５０消しゴム
を用い１ｋｇ荷重で膜表面を最高１００往復擦り膜はが
れ（ガラス面に目視で確認 できる傷の発生）が５０往復以下で生じ［発明の効果］ 本発明によればスプレー又はスピンコード、或いは溶液
中に基体を浸漬するなどの簡便な方法により効率良（優
れた低反射膜を提供することが可能となる。

本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要としないので装
置も比較的簡単なもので良い。

特にＣＲＴのパネルフェイス面等の大面積の基体にも十
分適用でき、量産も可能であり、工業的価値は非常に高
い。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式Ｒ＿ｎＳｉ（ＯＨ）＿４＿−＿ｎ（ｎ＝０〜
   ４、ｎ≠０の場合Ｒは水素、アルキル基、アルコキシ基
   の１種、但しＲが水素の場合はｎ≦２）で示されるシラ
   ノール化合物を含む液を基体上に塗布した後加熱焼成し
   て形成することを特徴とする低反射膜。 ２、基体上に形成された単層又は多層の干渉膜からなり
   、そのうち少くとも一層が一般式 Ｒ＿ｎＳｉ（ＯＨ）＿４＿−＿ｎ（ｎ＝０〜４、ｎ≠０
   の場合Ｒは水素、アルキル基、アルコキシ基の１種、但
   しＲが水素の場合はｎ≦２）で示されるシラノール化合
   物を含む液を基体上に塗布した後加熱焼成して形成され
   る膜であることを特徴とする低反射膜。 ３、一般式Ｒ＿ｎＳｉ（ＯＨ）＿４＿−＿ｎ（ｎ＝０〜
   ４、ｎ≠０の場合Ｒは水素、アルキル基、アルコキシ基
   の１種、但しＲが水素の場合はｎ≦２）で示されるシラ
   ノール化合物とＭｇＦ＿２ゾルを含む溶液に、導電性酸
   化物微粉を添加した溶液または導電性酸化物微粉を形成
   し得る金属塩を添加した溶液の少くとも１種を混合した
   液を、基体上に塗布した後加熱焼成して形成することを
   特徴とする低反射膜。 ４、請求項１または２記載の低反射膜と請求項３記載の
   導電性を有する低反射膜を積層してなることを特徴とす
   る低反射膜。 ５、請求項１〜４のいずれか１項記載の低反射膜を形成
   したガラス物品。 ６、請求項１〜４のいずれか１項記載の低反射膜を形成
   した陰極線管。