JPH0221126B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0221126B2 JPH0221126B2 JP56207584A JP20758481A JPH0221126B2 JP H0221126 B2 JPH0221126 B2 JP H0221126B2 JP 56207584 A JP56207584 A JP 56207584A JP 20758481 A JP20758481 A JP 20758481A JP H0221126 B2 JPH0221126 B2 JP H0221126B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip capacitor
- electrodes
- chip
- external electrodes
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチツプコンデンサの改良に関するもの
である。
である。
従来のチツプコンデンサは第１図に示すよう
に、表面に電極２ａ，２ｂが形成された誘電体磁
器を、その電極２ａ，２ｂが交互になるように積
層して形成した誘電体基体１の両端部に各電極２
ａ，２ｂと接続され、且つ基体１の全幅に亘つて
主面から側面を通つて裏面に延長された銀
（Ag）、銀ーパラジウム（AgーPd）等の金属から
成る一対の外部電極３ａ，３ｂが夫々印刷により
形成された構造を有している。
に、表面に電極２ａ，２ｂが形成された誘電体磁
器を、その電極２ａ，２ｂが交互になるように積
層して形成した誘電体基体１の両端部に各電極２
ａ，２ｂと接続され、且つ基体１の全幅に亘つて
主面から側面を通つて裏面に延長された銀
（Ag）、銀ーパラジウム（AgーPd）等の金属から
成る一対の外部電極３ａ，３ｂが夫々印刷により
形成された構造を有している。
このチツプコンデンサは文字通り極めて小型で
あるため、大きな一枚の誘電体基体から多数個の
チツプコンデンサを一挙に製作するように工夫さ
れている。即ち、第２図に示すように所定の大き
さの内部に複数の電極を有する誘電体基体１ａを
準備し、この誘電体基体１ａの一主面の両端部、
該基体の両側面及び裏面の両端部に外部電極３
ａ，３ｂに該当する金属膜を印刷する。その後、
基体１ａに予め形成された分割用溝等から成るス
ナツプラインＡに沿つて切断分割し、これにより
基体１ａから複数個のチツプコンデンサを得る方
法が採られている。
あるため、大きな一枚の誘電体基体から多数個の
チツプコンデンサを一挙に製作するように工夫さ
れている。即ち、第２図に示すように所定の大き
さの内部に複数の電極を有する誘電体基体１ａを
準備し、この誘電体基体１ａの一主面の両端部、
該基体の両側面及び裏面の両端部に外部電極３
ａ，３ｂに該当する金属膜を印刷する。その後、
基体１ａに予め形成された分割用溝等から成るス
ナツプラインＡに沿つて切断分割し、これにより
基体１ａから複数個のチツプコンデンサを得る方
法が採られている。
しかし乍ら、この従来のチツプコンデンサは誘
電体基体に形成したチツプコンデンサの静電容量
値を測定する場合、複数個のチツプコンデンサを
形成した大きな基体１ａのままでは、各チツプコ
ンデンサの外部電極がすべて接続されており、各
チツプコンデンサの静電容量は両外部電極３ａ，
３ｂ間で並列接続状態になつているため、該基体
１ａを測定装置に挿入し、静電容量値の測定を行
なつても各チツプコンデンサ個々の静電容量値は
測定できない。従つて、各チツプコンデンサ個々
の静電容量値の測定は、基体１ａをあらかじめ分
割して個々のチツプコンデンサにし、これを整列
した上で測定装置に１個づつ挿入することにより
行なわなければならない。しかし乍ら、この作業
はチツプコンデンサが超小型であることに起因し
て極めて面倒で作業性が悪く製品のコスト高を招
く欠点を有していた。
電体基体に形成したチツプコンデンサの静電容量
値を測定する場合、複数個のチツプコンデンサを
形成した大きな基体１ａのままでは、各チツプコ
ンデンサの外部電極がすべて接続されており、各
チツプコンデンサの静電容量は両外部電極３ａ，
３ｂ間で並列接続状態になつているため、該基体
１ａを測定装置に挿入し、静電容量値の測定を行
なつても各チツプコンデンサ個々の静電容量値は
測定できない。従つて、各チツプコンデンサ個々
の静電容量値の測定は、基体１ａをあらかじめ分
割して個々のチツプコンデンサにし、これを整列
した上で測定装置に１個づつ挿入することにより
行なわなければならない。しかし乍ら、この作業
はチツプコンデンサが超小型であることに起因し
て極めて面倒で作業性が悪く製品のコスト高を招
く欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、そ
の目的は複数個のチツプコンデンサを一枚の大き
な誘電体基体に形成したままで測定装置により各
チツプコンデンサの静電容量値が測定でき、極め
て作業性がよく大量生産が可能で低コスト化が達
成されるチツプコンデンサを提供することにあ
る。
の目的は複数個のチツプコンデンサを一枚の大き
な誘電体基体に形成したままで測定装置により各
チツプコンデンサの静電容量値が測定でき、極め
て作業性がよく大量生産が可能で低コスト化が達
成されるチツプコンデンサを提供することにあ
る。
本発明は内部に複数の電極を有する誘電体基体
の一主面から側面に延長された一対の外部電極を
有するチツプコンデンサに於いて、前記一主面並
びに側面の片側端部を除いて外部電極を形成した
ことを特徴とするものである。
の一主面から側面に延長された一対の外部電極を
有するチツプコンデンサに於いて、前記一主面並
びに側面の片側端部を除いて外部電極を形成した
ことを特徴とするものである。
以下、本発明を第３図乃至第４図に示す実施例
に基づき詳細に説明する。
に基づき詳細に説明する。
尚、図中、従来品と同一個所には同一符号が付
してある。
してある。
第３図は本発明のチツプコンデンサの一実施例
を示し、１は内部電極２ａ，２ｂを有するチタン
酸バリウム等の誘電体磁器から成る誘電体基体で
あり、その両端部の一主面から側面及び裏面に延
長された銀（Ag）、銀ーパラジウム（AgーPd）
等の金属から成る一対の外部電極３ａ，３ｂが形
成されている。
を示し、１は内部電極２ａ，２ｂを有するチタン
酸バリウム等の誘電体磁器から成る誘電体基体で
あり、その両端部の一主面から側面及び裏面に延
長された銀（Ag）、銀ーパラジウム（AgーPd）
等の金属から成る一対の外部電極３ａ，３ｂが形
成されている。
なお、外部電極３ａ，３ｂは必ずしも基体１の
裏面に延長させる必要はない。
裏面に延長させる必要はない。
前記誘電体基体１は表面に内部電極２ａ又は２
ｂを形成した誘電体磁器を、該電極２ａ，２ｂが
夫々、交互となるように積層することにより形成
されており、各電極２ａ，２ｂ間に導出される静
電容量の和がそのチツプコンデンサの静電容量値
となる。
ｂを形成した誘電体磁器を、該電極２ａ，２ｂが
夫々、交互となるように積層することにより形成
されており、各電極２ａ，２ｂ間に導出される静
電容量の和がそのチツプコンデンサの静電容量値
となる。
また前記外部電極３ａ，３ｂは従来周知の厚膜
手法、薄膜手法等により形成され、各外部電極３
ａ，３ｂは基体１の側面でそれぞれ内部電極２
ａ，２ｂと接続されている。
手法、薄膜手法等により形成され、各外部電極３
ａ，３ｂは基体１の側面でそれぞれ内部電極２
ａ，２ｂと接続されている。
本発明のチツプコンデンサにおいては、前記基
体１の一主面並びに側面の片側端部を除いて外部
電極３ａ，３ｂを形成したことが重要であり、該
電極３ａ，３ｂが基体１の裏面に延長されている
場合には、裏面においても片側端部は除外される
べきである。
体１の一主面並びに側面の片側端部を除いて外部
電極３ａ，３ｂを形成したことが重要であり、該
電極３ａ，３ｂが基体１の裏面に延長されている
場合には、裏面においても片側端部は除外される
べきである。
本発明のチツプコンデンサは前述した通り、基
体１の一主面並びに側面の片側端部を除いて外部
電極３ａ，３ｂが形成されるため、チツプコンデ
ンサの製作に必要な工程のすべてを取扱いの容易
な比較的大きい誘電体基体１ａにより処理するこ
とができ、特に各チツプコンデンサの静電容量値
の測定が極めて容易に行なわれる。
体１の一主面並びに側面の片側端部を除いて外部
電極３ａ，３ｂが形成されるため、チツプコンデ
ンサの製作に必要な工程のすべてを取扱いの容易
な比較的大きい誘電体基体１ａにより処理するこ
とができ、特に各チツプコンデンサの静電容量値
の測定が極めて容易に行なわれる。
即ち、第４図に示すように、大きな誘電体基体
１ａに多数の外部電極３ａ，３ｂを形成するに際
し、各チツプコンデンサの各外部電極をそれぞれ
互いちがいに二連接して形成することができ、そ
の結果、各チツプコンデンサの各外部電極は隣接
するチツプコンデンサの静電容量値の測定に何等
影響せず、実質上個々に独立して形成されている
ことになる。
１ａに多数の外部電極３ａ，３ｂを形成するに際
し、各チツプコンデンサの各外部電極をそれぞれ
互いちがいに二連接して形成することができ、そ
の結果、各チツプコンデンサの各外部電極は隣接
するチツプコンデンサの静電容量値の測定に何等
影響せず、実質上個々に独立して形成されている
ことになる。
従つて、この複数個のチツプコンデンサを形成
した大きな基体１ａを、各チツプコンデンサに分
割する必要はなく、そのまま測定装置に挿入し、
各チツプコンデンサ個々の静電容量値を測定する
ことができる。
した大きな基体１ａを、各チツプコンデンサに分
割する必要はなく、そのまま測定装置に挿入し、
各チツプコンデンサ個々の静電容量値を測定する
ことができる。
本発明においては測定装置により各チツプコン
デンサの静電容量値の測定を行なつた後に初めて
基体１ａをスナツプラインＡに沿つて切断分割す
ることにより最終製品となるチツプコンデンサが
得られる。
デンサの静電容量値の測定を行なつた後に初めて
基体１ａをスナツプラインＡに沿つて切断分割す
ることにより最終製品となるチツプコンデンサが
得られる。
以上のとおり、本発明によれば誘電体基体の一
主面並びに側面の片側端部を除いて外部電極が形
成されているため、大きな誘電体基体に複数個の
チツプコンデンサを形成しても、各外部電極は実
質的に独立して形成することができ、これにより
基体を各チツプコンデンサに分割することなく、
そのまま測定装置に挿入し、各チツプコンデンサ
の静電容量値の測定を行なうことが可能である。
主面並びに側面の片側端部を除いて外部電極が形
成されているため、大きな誘電体基体に複数個の
チツプコンデンサを形成しても、各外部電極は実
質的に独立して形成することができ、これにより
基体を各チツプコンデンサに分割することなく、
そのまま測定装置に挿入し、各チツプコンデンサ
の静電容量値の測定を行なうことが可能である。
従つて、容量測定工程における作業性が顕著に
向上し、大量生産に最適であり、しかも製品の低
コスト化が達成される。
向上し、大量生産に最適であり、しかも製品の低
コスト化が達成される。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のでなく本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
のでなく本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
第１図は従来のチツプコンデンサを示す斜視
図、第２図イ，ロは第１図のチツプコンデンサの
製造方法を説明するための図、第３図は本発明の
チツプコンデンサを示す斜視図、第４図イ，ロは
第３図のチツプコンデンサの製造方法を説明する
ための図である。 １……誘電体基体、２ａ，２ｂ……内部電極、
３ａ，３ｂ……外部電極、Ａ……スナツプライ
ン。
図、第２図イ，ロは第１図のチツプコンデンサの
製造方法を説明するための図、第３図は本発明の
チツプコンデンサを示す斜視図、第４図イ，ロは
第３図のチツプコンデンサの製造方法を説明する
ための図である。 １……誘電体基体、２ａ，２ｂ……内部電極、
３ａ，３ｂ……外部電極、Ａ……スナツプライ
ン。
Claims (1)
- １ 内部に複数の電極を有する誘電体基体の一主
面から側面に延長された一対の外部電極を有する
チツプコンデンサに於いて、前記一主面並びに側
面の片側端部を除いて外部電極を形成したことを
特徴とするチツプコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758481A JPS58107620A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | チツプコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20758481A JPS58107620A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | チツプコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107620A JPS58107620A (ja) | 1983-06-27 |
| JPH0221126B2 true JPH0221126B2 (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=16542174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20758481A Granted JPS58107620A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | チツプコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107620A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5880648B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2016-03-09 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP5810706B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2015-11-11 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55153315A (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of fabricating laminated capacitor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214665Y2 (ja) * | 1979-02-28 | 1987-04-15 |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP20758481A patent/JPS58107620A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55153315A (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of fabricating laminated capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58107620A (ja) | 1983-06-27 |
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