JPH0221044B2

JPH0221044B2 -

Info

Publication number: JPH0221044B2
Application number: JP57176426A
Authority: JP
Inventors: Neitaa Chaaruzu
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1981-10-22
Filing date: 1982-10-08
Publication date: 1990-05-11
Also published as: JPS5870417A; US4439793A

Description

【発明の詳細な説明】この発明は磁気記録の分野に関する。特に、レ
コーダのヘツドおよび多トラツクのヘツドにおけ
る構造的配置に関する。

磁気記録の分野においては、薄フイルムヘツド
は周知である。一般に符号１０で表わされる薄フ
イルムヘツドが第１図および第２図に示され、そ
して基材３０の上に形成された底パーマロイ２０
を具備し、該パーマロイ上にコイル４０が設けら
れている。上パーマロイの極片５０が設けられて
おり、この極片５０は底パーマロイ２０層と、設
定ギヤツプ５２によつて分離されている。コイル
４０には、電流ドライバ４４が付設されたパツド
４２が接続されている。絶縁層６０は、隣接する
パーマロイ２０および５０よりコイル４０を絶縁
するように設けられている。動作中において、電
流ドライバからコイル４０を通つた電流が、磁気
テープあるいは他の記録媒体に磁気スポツトを記
録させるようにギヤツプ５２上における磁場を形
成する。

薄フイルムヘツドの形成について簡単に説明す
ると、次の通りである。シリコンあるいはセラミ
ツクの基材３０は、パーマロイ［NiFe］磁性材
料２０でもつて被覆される。その後、望ましくは
シリコン二酸化物の絶縁層６０がパーマロイ上に
形成される。次いで、アルミニウムあるいは他の
導体が載置され、コイル４０がパターン化され
る。それに続いて、別の絶縁体６０が載置され
る。任意に、別のパターン化されたコイルを設け
ても差支えない。例えば、IBMは一層当たり４
巻である２つの層を用いた記録ヘツドを製造し、
そしてDESTEKは、１つの層においては５巻で
ある一方、他の層においては４巻であるコイルを
有する、改良された記録ヘツドを生産した。コイ
ル４０を形成した後、パーマロイの極片５０が形
成され、底パーマロイ２０に、一端部において接
続配置される一方、他端部において底パーマロイ
から分離されて、技術分野において周知である記
録ギヤツプ５２を設けている。

そのような薄フイルムヘツド配列が最大利用さ
れるのは、デイスクドライブに対してである。デ
イスクドライブは、典型的には、単一のヘツドを
用い、それをデイスクについて横断させる。いく
つかのデイスクについての応用には、固定された
ヘツド配列が用いられている。また、テープレコ
ーダにおける薄フイルムヘツドに対しても応用さ
れるが、それらに用いられているものは、たいて
い、２〜４個のヘツドを有している。

小型化の傾向でもつて、磁化可能なテープのよ
うな記録媒体上の最小可能スペースに多くのデー
タを記録する必要がある。このことは、特に、記
録装置が非常に幅の狭いテープを用いることが望
ましい場合、例えば1/4インチ以下の幅のテープ
である小型カセツトを用いる携帯用の手持ちのビ
デオカメラの場合にあてはまる。

非常に高速でテープを走行させて、小さな幅の
テープに多量のデータを記録することは可能では
あるが、これには過剰長さのテープが必要とな
る。付加的に、その高速において過電流とヒステ
リシス損失によつて、記録される情報の有用性、
およびそのような条件下で用いられ得る特別な材
料から製造しなければならないヘツドの有用性が
縮減され始める。また、ずつと少数のヘツドを用
いて、非常に速い速度でテープ上の１つのトラツ
クに沿つてヘツドを動かし、それからテープを停
止して該テープの動きを反転させ、第２のトラツ
ク上にヘツドを位置せしめることで、多量のデー
タを記憶することも可能である。これには、非常
に素速い動き、ならびにテープの停止および作動
についての高精度を必要とするので、記録される
情報の完全性の保証に関してより大きな問題を招
来する。

別の選択は、テープを横切るように複数のヘツ
ドを設け、それによつてテープ上に記憶されるデ
ータのトラツクの数を増加させることである。し
かしながら、トラツクの分離は、第３図に示され
るように、ギヤツプ長さＰよりも若干大きいこと
を必要とするだけであるが、実際には、トラツク
の分離幅は、薄フイルムヘツドの幅によつて決定
される。第３図より明らかなるように、ホツトケ
ーキ状の薄フイルムヘツドがギヤツプ長さＰより
もずつと幅が大きく、その結果、トラツクの緊密
な充填は、これまで、得られなかつた。したがつ
て、従来技術では、比較的ゆつくりと動き、狭い
テープ上に十分な量のビデオ情報を記録（録画・
録音）できなかつた。

この発明の目的は、先行技術における不具合を
何ら具有しない薄フイルムヘツド配列を提供する
ことである。

この発明の他の目的は、より大きな充填密度を
許容する薄フイルムヘツドを提供することであ
る。

さらに、この発明の他の目的は、基材上に薄フ
イルムヘツド配列を形成する簡単な方法、特に薄
フイルムヘツドにおける複数のスタツクを合致さ
せる方法を提供することである。

この発明の他の目的は、各ヘツドユニツトの一
部として、電界効果トランジスタ（FET）ある
いはプリアンプを結合する完全な回路技術を用い
ることである。

この発明のさらに他の目的は、隣接するヘツド
間におけるノイズを大幅に低減でき、それによつ
てテープによりよく記録できるように、テープに
関してのヘツド配列の位置決めをすることであ
る。

第１と第２のスタツクを含む第１のアツセンブ
リおよび第３と第４のスタツクを含む第２のアツ
センブリを具備し、各スタツクにヘツドが緊密に
充填され、前記２つのアツセンブリがＶ形あるい
は台形のクサビで相互に鋭角をなすように配置さ
れると共に、前記第１のアツセンブリの第１又は
第２のスタツクにおける記録媒体のトラツクに関
連するヘツドのギヤツプが前記第２のアツセンブ
リの第３および第４のスタツクのヘツドのギヤツ
プの間に挟まれるように配置され、且つ前記第２
のアツセンブリの第３又は第４のスタツクにおけ
る記録媒体のトラツクに関連するヘツドのギヤツ
プが前記第１のアツセンブリの第１および第２の
スタツクのヘツドのギヤツプの間に挟まれるよう
に配置されている薄フイルムヘツド配列を提供す
ることによつて、上述した目的が達成されて先行
技術の不具合が克服される。この実施例において
は、記録ギヤツプは分離トラツクを占有し、そし
て、各トラツクが隣接するトラツクのものに関し
てほぼ10゜の角度をなすような磁化を有する。テ
ープはＶ字形状の配列を横切つて動かされ、そし
てテープに情報が記録される。この記録ギヤツプ
の配置でもつて、ノイズの大幅な低減と、隣接す
るギヤツプ間の連絡を断つことができる。

以下、添付図面を参照しつつ本発明を詳細に説
明する。

先ず、用語記録ギヤツプあるいは記録ヘツド
は、一般に記録および記録再生装置において用い
られていることに注目すべきである。その用語は
限定的ではないが、記録もしくは記録再生または
消去の目的で用いられるヘツドを含むように広く
解釈することができると、理解されるべきであ
る。

この発明に係わる原理を、第４図を参照して説
明すると、参照符号１００は、一般に、２つのス
タツク１１０および１２０を具備する薄フイルム
ヘツド配列を示している。第１のスタツク１１０
は４つの薄フイルムヘツド１１２，１１４，１１
６および１１８を具備し、そしてこの発明の背景
の説明において前述したように、それらは単一の
基材上に形成されている。第２のスタツク１２０
は４つの薄フイルムヘツド１１２，１２４，１２
６および１２８を具備する。２つのスタツクは、
第２のスタツクにおける各記録ギヤツプが前側の
スタツク上のヘツド従つて記録ギヤツプの間の中
間に本質的に配置されるように、設定量シフトさ
れた第２のスタツクとともに配設されている。２
つのスタツクは、エポキシのような接着剤によつ
て固定されている。勿論、第４図において示され
る距離“Ａ”は、配列を具備する２以上のスタツ
クがあるとき、変化することになるのは、理解さ
れるべきである。

このようにして形成された薄フイルムヘツド配
列でもつて、記録媒体、例えば配列における各記
録ギヤツプが磁気テープ上の分離トラツクを占有
するような前記磁気テープと操作的関係で配置さ
れている。第４図におけるように配置された２つ
のスタツクでもつて、利用可能なトラツクの数
が、単一の基材から得られるものの２倍になる。
かくして、テープにおける所定の領域に、多量の
データを充填することが可能である。

第４図の配列を形成する際、スタツクは、後側
対後側、あるいは前側対前側、あるいは前側対後
側と結合され得る。そのような目的のために、も
し必要であれば、絶縁層を隣接するスタツクの間
に（例えば、前側対前側の配置でもつて）設けて
もよい。配列が４つのスタツクを具備するとき、
２つは後側対後側の関係で、そして他の２つは前
側対前側あるいは前側対後側の関係で接合されて
いる。スタツクを接合する特定の方法は、用途設
計に依存し、そして製造考慮によつて定まること
になる。

前述したように、薄フイルムヘツドは基材上に
形成されている。ここでは、フエライトおよびシ
リコン／サフアイア（SOS）のような基材が用い
られる。上述したように異なるスタツクを合致さ
せる目的のために、基材が光学的に透明であれば
望ましい。これによつて、２つのスタツクを正し
く合致させることができる。そのように用いられ
る基材の１つは、サフアイアである。

第４図に示す充填率の一例として、16個の分離
トラツクが、各トラツクにおける技術サイズの状
態の４つのヘツドからなる２つのスタツク配列を
用いる0.5インチのテープ上に記録されることが
できる。８個のヘツドが、0.25インチのテープ幅
上に８つのトラツクを記録する。このようにし
て、テープが２方向において該テープを動かすこ
とによつて用いられたとき、従来のように、16個
のトラツクが記録され得る。

配列におけるスタツクの数が増加されると、記
録ギヤツプ間の距離が減少し、したがつて充填率
が増大する。しかしながら、トラツクが近接し過
ぎると、記録された情報の読取り時において、隣
接するトラツク間での“クロス・トーク”の問題
が生じるおそれがある。例えば、トラツク３にお
ける読取データである記録ギヤツプは、トラツク
２および４に磁気的に記録されたデータによつて
影響されることになる。このような問題は、この
発明の高充填密度とともに生ずるが、ヘツドのス
タツクが相互に角度をなして隣接するトラツクに
記録されるデータが相互にクロス分極されること
を保証する、この発明の実施例にて克服される。

第５図および第６図を参照すると、そこでは、
本発明に係わる薄フイルムヘツド配列が、第１の
アツセンブリ２００および第２のアツセンブリ２
５０を具備している。アツセンブリ２００は第１
のスタツク２１０および第２のスタツク２２０に
よつて形成されている。各スタツクは、その上に
形成された４つの薄フイルムヘツドを、この例に
おいて有している。第１のアツセンブリ２００の
第１および第２のスタツク２１０および２２０
は、第１図および第２図に示されるのと同様に形
成され、かつ第４図の原理に従つて形成されてい
る。同様に、第２のアツセンブリ２５０は第３の
スタツク２６０および第４のスタツク２７０から
形成され、そしてこれらは、第１のアツセンブリ
と同様に形成されている。第１のアツセンブリ２
００および第２のアツセンブリ２５０は、“Ｖ”
を形成するように鋭角に離隔して配置されてい
る。その角度は、3゜〜15゜との間である。しかし
ながら、第５図に示されている図は、図示のため
に、かなり誇張されている。このような“Ｖ”配
置は、アツセンブリ２００および２５０の間に配
置されるクサビ形状のスペーサ２８０を設けるこ
とによつて達成される。望ましくは、アツセンブ
リは、二等辺三角形の側辺を形成するように配置
され、テープの方向に直交するラインに関して対
称になるように配置されている。アツセンブリが
3゜以下の角度でもつて分離配置されるのであれ
ば、効果的に直線状であり、そして15゜以上の角
度であれば、隣接するギヤツプが平行の場合より
幾分歪められた際、戻りを減じる点が生ずるとい
うことが述べられる。

本実施例に係わるヘツド配列を、第６図により
更に詳述すると、このヘツド配列は、磁気テープ
のような、磁化可能な記録媒体に近接して配置さ
れ、Ｖ字形状に配置された前記２つのアツセンブ
リ２００および２５０のうち、前記第１のアツセ
ンブリ２００の第１のスタツク２１０又は第２の
スタツク２２０における記録媒体のトラツクに関
連するヘツドのギヤツプが前記第２のアツセンブ
リ２５０の第３のスタツク２６０および第４のス
タツク２７０のヘツドのギヤツプの間に挟まれる
ように配置され、且つ前記第２のアツセンブリ２
５０の第３のスタツク２６０又は第４のスタツク
２７０における記録媒体のトラツクに関連するヘ
ツドのギヤツプが前記第１のアツセンブリ２００
の第１のスタツク２１０および第２のスタツク２
２０のヘツドのギヤツプの間に挟まれるように配
置されている。すなわち、磁化可能な記録媒体上
のトラツク１が第１のアツセンブリ２００の第２
のスタツク２２０に形成された第１の記録ギヤツ
プによつて、トラツク２が第２のアツセンブリ２
５０の第３のスタツク２６０に形成された第１の
記録ギヤツプによつて、トラツク３が第１のアツ
センブリ２００の第１のスタツク２１０に形成さ
れた第１の記録ギヤツプによつて、トラツク４が
第２のアツセンブリ２５０の第４のスタツク２７
０に形成された第１の記録ギヤツプによつて、そ
してトラツク５が、第１のアツセンブリ２００の
第２のスタツク２２０に形成された第２の記録ギ
ヤツプによつて、以降上記の繰り返しによつて、
相互に互い違いの関係となるように配置されてい
る。

記録ヘツドにおける所定の１つトラツクに磁場
を生じさせる手段が作動されるとき、前記ヘツド
に近接する記録媒体上の領域が磁化される。第６
図における配列でもつて、磁化可能な媒体上のト
ラツクが分離しかつ独立するように、各アツセン
ブリが配置されていることが判る。

記録プロセスにおいて、極および記録ヘツドの
ギヤツプに関して特定の方向性を具備している、
前記磁化可能な媒体に含有されている磁化可能な
粒子が磁化されることは、周知である。アツセン
ブリ２００および２５０が相互に3゜〜15゜の鋭角
でもつて離設されていれば、アツセンブリ２００
における記録ギヤツプにて惹起される磁化粒子の
指向性は、アツセンブリ２５０における記録ギヤ
ツプにより生じる磁化粒子の指向性とは相違する
であろう。しかも、アツセンブリが互いに鋭角に
配設されていると、トラツク１における磁化可能
な粒子がトラツク２における磁化可能な粒子の方
向に関して異なるように指向されることが、容易
に判るであろう。このようにして、記録再生モー
ド時には、隣接するトラツクより生じるクロスト
ークの可能性はほとんどない。

この発明に係る薄フイルムヘツド配列を製造す
るプロセスにおいて、例えば、単一の基材上に２
４のヘツドを形成し、それから基材を、各スタツ
クが６つのヘツドを有する４つのスタツクにカツ
トすることが可能である。それから、この発明に
係る薄フイルムヘツド配列が、第５図に従う様
に、記録ギヤツプを互い違い、あるいは挾むよう
にスタツクを配設することによつて形成される。
隣接するスタツクは、エポキシのような適当な材
料によつて接着される。また、多重層の薄フイル
ムヘツド配列を構成することも可能である。ここ
で、１つの基材に、所望数の、例えば６つの記録
ヘツドが形成される。これによつて、第１のスタ
ツクが構成されるであろう。それから、このスタ
ツクの頂部に、第２のスタツクが配置され該第２
のスタツクが、ヘツドおよびほぼ挾まれている各
スタツクにおける記録ギヤツプとともに、形成さ
れる。このプロセスは、付加的なスタツクが第２
のスタツクの頂部上に形成されるのであれば、反
復されるであろう。

増幅器および電界効果トランジスタをチツプあ
るいは薄フイルム上に形成することは、当業者に
は周知である。したがつて、考えてみると、しば
しば、対応する電界効果トランジスタおよびプリ
アンプあるいは増幅器回路がこの発明に係る記録
ヘツドとともに形成されるように、この発明に係
る薄フイルムヘツド配列を形成することが望まし
いであろう。

この発明は添付の図面に関連して特定のものに
ついて述べられているが、図面に示される特定の
実施例に制限されず、クレームおよび当然である
完全な均等の範囲によつてのみ制限されるべきで
あることは、明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄フイルムヘツドの平面図、第２図は
第１図における薄フイルムヘツドの断面図、第３
図はトラツク距離および極長さを示す２つの記録
ヘツドの図、第４図はこの発明の原理を説明する
２つのスタツクで形成される薄フイルムヘツド配
列の斜視図、第５図はこの発明の実施例の斜視
図、第６図は第５図の実施例に係るトラツク配置
を示す図である。１０……薄フイルムヘツド、２０……底パーマ
ロイ、３０……基材、４０……コイル、４２……
パツド、４４……電流ドライバ、５０……パーマ
ロイの極片、５２……ギヤツプ、５４……端部、
６０……絶縁層、７０……記録媒体、１００……
薄フイルムヘツド配列、１１０，１２０……スタ
ツク、１１２，１１４，１１６，１１８，１２
２，１２４，１２６，１２８……薄フイルムヘツ
ド、２００，２５０……アツセンブリ、２１０，
２２０，２６０，２７０……スタツク、２８０…
…スペーサ。

Claims

【特許請求の範囲】１第１と第２のスタツクを含む第１のアツセン
ブリおよび第３と第４のスタツクを含む第２のア
ツセンブリを具備し、各スタツクにヘツドが緊密
に充填され、前記２つのアツセンブリがＶ形ある
いは台形のクサビで相互に鋭角をなすように配置
されると共に、前記第１のアツセンブリの第１又
は第２のスタツクにおける記録媒体のトラツクに
関連するヘツドのギヤツプが前記第２のアツセン
ブリの第３および第４のスタツクのヘツドのギヤ
ツプの間に挟まれるように配置され、且つ前記第
２のアツセンブリの第３又は第４のスタツクにお
ける記録媒体のトラツクに関連するヘツドのギヤ
ツプが前記第１のアツセンブリの第１および第２
のスタツクのヘツドのギヤツプの間に挟まれるよ
うに配置され、それによつて磁気媒体にデータを
記録あるいは再生するのに用いられるとき、複数
の記録トラツクが形成されていることを特徴とす
る、磁気記録および再生を行う薄フイルムヘツド
配列。２各アツセンブリが多数のスタツクを具備し、
前記第１および第２のスタツクが互いに3゜〜15゜
の角度でもつて離設されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の薄フイルムヘツド
配列。３各前記スタツクが光学的に透明な基材上に形
成されている特許請求の範囲第１項に記載の薄フ
イルムヘツド配列。