JP3129765B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気ディスク装置には、磁気
記録媒体の走行によって生じる動圧を利用して、磁気記
録媒体との間に微小な空気ベアリングによる間隙を保っ
て浮上する薄膜磁気ヘッドが用いられている。その基本
的な構成は、磁気記録媒体と対向する面側に空気ベアリ
ング面を有するスライダの媒体流出端部側に薄膜磁気変
換素子を備える構造となっている。図１１は米国特許第
4,856,181号明細書等で知られたこの種の薄膜磁気ヘッ
ドの基本的な構造を示し、セラミック構造体でなるスラ
イダ１の媒体対向面側に、間隔をおいて２本のレール部
１０１、１０２を突設し、レール部１０１、１０２の表
面を高度の平面度を有する空気ベアリング面１０３、１
０４とすると共に、レール部１０１、１０２の媒体流出
方向ａの端部のそれぞれに薄膜磁気変換素子２を設けて
ある。

【０００３】図１２を参照すると、スライダ１は、Al₂O
₃ −TiC (以下アルティックと称する）等で構成される
基体部分１１０に、アルミナ等でなる絶縁膜１２０をス
パッタ等の手段によって付着させた構造となっていて、
絶縁膜１２０の上に薄膜磁気変換素子２を設けてある。
薄膜磁気変換素子２はＩＣ製造テクノロジと同様のプロ
セスにしたがって形成された薄膜素子である。２１はパ
ーマロイ等でなる下部磁性膜、２２はアルミナ等で形成
されたギャップ膜、２３はパーマロイ等でなる上部磁性
膜、２４はコイル、２５１〜２５３はフォトレジスト等
で形成された膜間絶縁膜、２６はアルミナ等の保護膜、
２７、２８はリード導体である。

【０００４】下部磁性膜２１及び上部磁性膜２３は、先
端部がギャップ膜２２を介して対向する下部ポール部２
１１及び上部ポール部２３１となっていて、下部ポール
部２１１、ギャップ膜２２及び上部ポール部２３１によ
り、変換ギャップを構成している。下部ポール部２１１
及び上部ポール部２３１にはヨーク部２１２、２３２が
連続しており、ヨーク部２１２、２３２は後方の結合部
２３３において磁気回路を完成するように互いに結合さ
れている。コイル２４は結合部２３３のまわりを渦巻状
にまわるように形成されている。コイル２４の両端はリ
ード導体２７、２８に接続されている。リード導体２
７、２８は取出電極４１、４２を形成する領域まで導出
され、その端部に取出電極４１、４２が形成されてい
る。取出電極４１、４２の周りは薄膜磁気変換素子２の
全体を保護する保護膜２６によって覆われている。

【０００５】図１３は従来の薄膜磁気ヘッドの書き込み
時の磁界分布を示す図である。ａは媒体走行方向、Ｍは
磁気ディスク等の磁気記録媒体を示している。Ｌ２は書
き込み時の磁界分布、Ｍ０は磁化反転部、ｍ１、ｍ２は
磁化方向、Ｘ１は磁化反転領域をそれぞれ示している。
磁化反転領域Ｘ１は、主として、媒体流出側のポール
部、即ち、媒体走行方向ａで見て後方に位置するポール
部（図示の場合上部ポール部２３１）側の磁界によって
決まる。

【０００６】図１４は従来の薄膜磁気ヘッドの再生波形
Ｌ１を示す図である。再生波形Ｌ１は図１３に示した磁
界分布を有する薄膜磁気ヘッドを使用して磁気記録媒体
に記録した信号を、同じ薄膜磁気ヘッドで再生した場合
の波形であり、横軸に時間軸をとり、縦軸に瞬時値ｅと
最大値Ｅｍとの比（ｅ/Ｅｍ）を百分率で表示してあ
る。Ｌ１１、Ｌ１２はアンダーシュートを示している。
ＰＷ５０は（ｅ/Ｅｍ）が５０％になるパルス幅を示し
ている。ＰＷ５０値は再生波形Ｌ１の鋭化の程度を示
し、ＰＷ５０値が小さければ再生波形Ｌ１は鋭くなり、
大きくなれば鈍化する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の薄膜磁気ヘッドには次のような問題がある。（Ａ）下部ポール部２１１及び上部ポール部２３１のト
ラック方向幅は、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２３を
フォトリソグラフィによって形成する時のパターンニン
グによって決定されてしまい、後で変更することができ
ない。このため、トラック方向幅が所定の値に入ってい
ない場合は、不良品となる等、歩留の低下 を招く。 （Ｂ）高密度記録に対応するためには、下部磁性膜２１
の下部ポール部２１１及び上部磁性膜の上部ポール部２
３１のトラック方向幅を狭小化しなければならない。と
ころが、下部ポール部２１１及び上部ポール部２３１の
トラック方向幅は、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２３
をフォトリソグラフィによって形成する時のパターンニ
ングによって決定されてしまい、後で変更することがで
きない。このため、高密度記録に対応することができな
い。 スライダを磁性基板によって構成するこの種の薄膜
磁気ヘッドにおいて、トラック幅の狭小化のために転用
できる先行技術としては、例えば、特開昭５９ー１６１
１５号公報に開示された技術を挙げることができる。こ
の先行技術では、スライダとなる磁性基板の磁気記録媒
体摺動面において、記録トラック部以外の部分の少なく
とも一部を除去する。記録トラック部以外の部分の少な
くとも一部を除去する手段としては、ダイシングソー、
ワイヤーソー、イオンミリング、ドライエッチング等が
用いられ、所定の溝を設ける。 しかしながら、磁気記録
媒体摺動面に溝を設ける構造では、加工時のみならず、
読み書き動作時において溝内にダストが入り、このダス
トが読み書き動作時に、磁気記録媒体摺動面と、媒体と
の間に生じる浮上隙間に流出し、ヘッドクラッシュ等、
致命的な障害を及ぼす危険性がある。 特開昭５９ー１６
１１５号公報は、そのような問題点を解決する手段とし
て、溝内に非磁性材料を充填する技術を開示している。
しかしながら、この場合には、溝内に非磁性材料を充填
する工程が必要であるため、工程数が増える。 （Ｃ）高密度記録に対応するためには、再生波形Ｌ１を
鋭化し、隣接パルスの相互干渉を防止する必要がある。
再生波形Ｌ１の鋭化の程度は、前述したようにＰＷ５０
値によって評価する。薄膜磁気ヘッドの磁界分布Ｌ２
は、主として、ポール部上部ポール部２３１及び下部ポ
ール部２１１の端面形状によって定まる。従来の薄膜磁
気ヘッドでは、上部ポール部２３１及び下部ポール部２
１１の端面の厚みＴＡ、ＴＢによって定まる以上には、
磁界分布Ｌ２を鋭化することができない。また、再生波
形Ｌ１は、磁界分布Ｌ２の他に、磁気記録媒体の磁性膜
に不可避的に生じる保磁力Ｈｃの差（保磁力分布）によ
っても鈍化する。このため、再生波形Ｌ２をより一層鋭
化することが困難で、高密度記録を達成する上の一つの
大きな障害になっていた。 （Ｄ）上部ポール部２３１及び下部ポール部２１１の厚
みＴＡ、ＴＢ（図１４参照）を小さくすれば、再生波形
を鋭化できる。しかしながら、上部ポール部２３１及び
下部ポール部２１１の厚みＴＡ、ＴＢを小さくすると磁
気飽和が起こり、書き込み能力が低下し、オーバライト
特性が劣化する。 （Ｅ）図１４に示すように、再生波形は上部ポール部２
３１及び下部ポール部２１１の端縁に対応する位置でア
ンダーシュートＬ１１、Ｌ１２を生じる。アンダーシュ
ートＬ１１、Ｌ１２は、特にポール部厚みの薄い薄膜磁
気ヘッドにおいて、顕著に現われる。薄膜磁気ヘッドに
おいては、バルク型磁気ヘッドと異なって、磁気記録媒
体Ｍの走行方向ａで見た上部ポール部２３１及び下部ポ
ール部２１１の端部の厚みが薄く、有限であるため、パ
ルスの他に、上部ポール部２３１及び下部ポール部２１
１の各端部による疑似パルスが発生するためである。

【０００８】アンダーシュートＬ１１、Ｌ１２の存在
は、高密度記録の場合、ピークシフトを大きくするた
め、読み出しのエラーマージンもしくは位相マージンに
限界を生じ、高密度記録の大きな障害となる。 （Ｆ）スライダ１がアルティック等の硬度の高い材料を
用いて構成されているため、磁気記録媒体に対するダメ
ージが大きくなること、スライダ１の加工に多大の労
力、時間を必要とし、コスト高になること等の難点があ
る。 （Ｇ）アルティック等で構成されたスライダ１の基体部
分１１０に、アルミナ等でなる絶縁膜１２０を付着させ
た後、絶縁膜１２０の上に、ＩＣ製造テクノロジーと同
様のプロセスによって、下部ポール部２１１を有する下
部磁性膜２１を形成しなければならない。このため、工
程数が多くなる。 （Ｈ）下部磁性膜２１の下部ポール部２１１及び上部磁
性膜の上部ポール部２３１のトラック方向幅は、下部磁
性膜２１及び上部磁性膜２３をフォトリソグラフィによ
って形成する時のパターンニングによって決定されてし
まい、後で変更することができない。このため、トラッ
ク方向幅が所定の値に入っていない場合は、不良品とな
る等、歩留の低下を招く。

【０００９】本発明の課題は、高密度記録対応を図ると
共に、加工性、耐久性及び摺動性を向上させた低コスト
のスライダを有する薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。本発明のもう一つの課題は、磁界分布及び再生波形
を鋭化して高密度記録対応を図ると共に、書き込み能力
を向上させ、しかも加工性、耐久性及び摺動性を向上さ
せた低コストのスライダを有する薄膜磁気ヘッドを提供
することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、前記
スライダの一端側に備えられた薄膜磁気変換素子とを有
する。前記スライダは、磁性体で構成され、２つの非磁
性領域を有する。前記２つの非磁性領域は、前記薄膜磁
気変換素子を設けた一端側において、空気ベアリング面
の媒体流出方向と交叉するトラック幅方向に、間隔を隔
てて設けられている。前記薄膜磁気変換素子は、前記２
つの非磁性領域によって挟まれた領域に、下部ポール部
及び上部ポール部を有する。前記下部ポール部は、前記
２つの非磁性領域によって挟まれた前記スライダの一部
を含み、前記トラック幅方向の幅が前記２つの非磁性領
域の間の前記間隔によって画定されている。前記上部ポ
ール部は、前記下部ポール部と変換ギャップを介して向
き合っている。前記下部ポール部は、更に、前記変換ギ
ャップとの間に、前記スライダを構成する前記磁性体よ
りも飽和磁束密度の大きい磁性膜を有する。前記下部ポ
ール部の両側に位置する前記非磁性領域は、前記スライ
ダを変質させて得られた磁性劣化層である。前記スライ
ダを構成する前記磁性体よりも飽和磁束密度の大きい磁
性膜は、前記上部ポール部と前記変換ギャップとの間に
設けてもよい。

【００１１】スライダは、例えばフェライト等の磁性体
で構成されているから、摺動性が向上すると共に、磁気
記録媒体に与えるダメージが小さくなり、耐久性が上が
る。しかも、アルティック等に比べて加工の容易なフェ
ライトを使用できるので、加工コストが安価になる。下
部ポール部は、磁性体でなるスライダ部分によって構成
されているから、従来と異なって、下部ポール部を得る
ための下部磁性膜形成工程が不要である。このため、工
程数が減少する。

【００１２】スライダは、薄膜磁気変換素子を設けた一
端側に空気ベアリング面の媒体流出方向と交叉する幅方
向に間隔を隔てて設けられた非磁性領域を有している。
非磁性領域によってはさまれた部分は、ポール部の一
つ、具体的には下部ポール部を構成する。従って、下部
ポール部は、非磁性領域によって挟まれた磁性体でなる
スライダ部分によって構成される。このため、トラック
幅が狭小化され、高密度記録に対応できるようになる。
しかも、従来と異なって、下部ポール部を得るための下
部磁性膜形成工程が不要である。このため、工程数が減
少する。 非磁性領域は、スライダを変質させて得られた
磁性劣化層である。このような磁性劣化層による非磁性
領域は、溝等による非磁性領域と異なって、ダストが集
積することがない。このため、読み取り動作時にダスト
が薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面と、媒体との間の
微小浮上隙間に入り込む余地がないので、ダストによる
障害、例えば、ヘッドクラッシュ等を生じる余地がな
い。 以上を要するに、本発明によれば、高密度記録対応
を図ると共に、加工性、耐久性及び摺動性を向上させた
低コストのスライダを有する薄膜磁気ヘッドが得られ
る。

【００１３】好ましくは、変換ギャップを間に挟んで向
き合う一対のポール部のうち、少なくとも一方は、変換
ギャップに隣接する面側に、他の部分よりも飽和磁束密
度が大きい磁性膜を有するから、変換ギャップに向う
程、磁束が集中し易くなる。このため、磁界分布及び再
生波形が鋭化される。従って、高密度記録再生が可能に
なる。特に媒体流出端のポール部において、変換ギャッ
プに隣接する面側に、他の部分よりも飽和磁束密度が大
きい磁性膜を有する構造の場合、媒体上の磁化分布を決
定する媒体流出端における磁界強度の傾斜が急峻にな
り、好ましい磁気記録が得られる。

【００１４】磁束の集中の程度は、変換ギャップ膜に隣
接する磁性膜または積層される他の磁性膜の磁気特性、
厚みを選択することによって制御できる。これにより、
使用周波数に合わせて、磁界分布及び再生波形を鋭化で
きる。ポール部端面としての全体の先端厚みは、ポール
部を構成する磁性膜の積層構造全体の厚みであるから、
優れた書き込み能力を確保できる。

【００１５】関連する先行技術文献との関係について
は、上掲の特開昭５９ー１６１１５号公報は、スライダ
となる磁性基板に溝を設ける構造を開示しているが、溝
を、ス ライダを変質させて得られた磁性劣化層によって
構成する点については示唆する記載がない。 また、特開
平１ー１５９８１６号は上部磁性体磁極のトラック幅方
向の端部が低透磁率化されている磁気ヘッドを開示して
いるが、スライダとなる基板は非磁性基板７であり、ス
ライダを磁性体で構成する意図はない。 更に、特開昭６
０ー３５３１５号公報は、上部磁極及び下部磁極を複数
の軟磁性膜を積層して構成し、非磁性膜（ギャップ）に
近いほど飽和磁化の大きい材料で構成する点が記載され
ているが、本発明と異なって、スライダを磁性体で構成
する意図はない。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は参考例となる薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気変換素子
部分の拡大斜視図、図３は同じくその拡大断面図であ
る。図において、図１１〜図１４と同一の参照符号は同
一性ある構成部分を示している。５はスライダである。
スライダ５は、その全体が例えばフェライト等の磁性体
で構成されている。このため、摺動性が向上すると共
に、磁気記録媒体に与えるダメージが小さくなり、耐久
性が上がる。しかも、アルティック等に比べて加工の容
易なフェライトを使用できるので、加工コストが安価に
なる。図示のスライダ５は、媒体対向面側に、間隔をお
いて２本のレール部５１、５２を突設し、レール部５
１、５２の表面を高度の平面度を有する空気ベアリング
面５３、５４とすると共に、レール部５１、５２の媒体
流出方向ａの端部のそれぞれに薄膜磁気変換素子２を設
けてある。

【００１７】薄膜磁気変換素子２は、スライダ５による
下部磁性体と、下部磁性体と共に磁気回路を構成する上
部磁性膜２３と、下部磁性体及び上部磁性膜２３の一部
として、先端面が空気ベアリング面５３、５４に現われ
るように形成された下部ポール部５５及び上部ポール部
２３１と、下部ポール部５５及び上部ポール部２３１の
間に設けられたギャップ膜２２と、後方においてスライ
ダ５で構成された下部磁性体及び上部磁性膜２３を結合
する結合部２３３と、結合部２３３の周りに渦巻状に形
成されたコイル２４とを有している。

【００１８】図２を参照すると、スライダ５は、薄膜磁
気変換素子２を設けた一端側に、空気ベアリング面５
３、５４の媒体流出方向ａと交叉する方向に間隔Ｗ２を
隔てて設けられた２つの凹部による非磁性領域６１、６
２を有している。図示の非磁性領域６１、６２は、幅Ｗ
１を有して媒体流出方向ａにほぼ平行に延びる凹溝とな
っている。下部ポール部５５はこの非磁性領域６１−６
２間のスライダ部分によって形成されている。

【００１９】しかも、下部ポール部５５は、空気ベアリ
ング面５３、５４の媒体流出方向ａと交叉する方向に間
隔Ｗ２を隔てて形成された２つの非磁性領域６１ー６２
間のスライダ部分によって構成されているから、非磁性
領域６１、６２の位置、幅等によって、下部ポール部５
５のトラック方向幅Ｗ２を調整し、高密度記録に対応す
るためのトラック方向幅の狭幅化等を容易に実現でき
る。

【００２０】非磁性領域６１、６２の深さｄ１は０．０
２〜３μｍ以上であって、上部ポール部２３１のスロー
トハイトとほぼ同じか、または、それよりも少し大きく
なるように設定する。このような非磁性領域６１、６２
は、マスク及びイオンミリングの併用またはフォーカス
ド・イオン・ビーム・ミリング等の手段によって形成で
きる。

【００２１】図示の非磁性領域６１、６２は、媒体流出
方向ａの外端面を構成する保護膜２６の表面２６１に達
している。

【００２２】図４は別の参考例に属する薄膜磁気ヘッド
の部分拡大斜視図である。この例では、非磁性領域６
１、６２が上部ポール２３１のトラック幅方向の端部に
かかるように形成されている。このような構造である
と、非磁性領域６１、６２の位置、幅等によって、下部
ポール部５５及び上部ポール部２３１のトラック方向幅
を調整し、高密度記録に対応するためのトラック方向幅
の狭幅化等を容易に実現できる。

【００２３】図５は更に別の参考例に属する薄膜磁気ヘ
ッドの部分拡大斜視図である。この例では、非磁性領域
６１、６２は三方を開口させた段状に形成されている。

【００２４】図６は更に別の参考例に属する薄膜磁気ヘ
ッドを示す斜視図である。磁性体で構成されたスライダ
５は、媒体対向面側の空気ベアリング面５６がレール部
のない平面となっている。薄膜磁気変換素子２は１個だ
けであり、この１個の薄膜磁気変換素子２に対して、非
磁性領域６１、６２による下部ポール部５５が形成され
ている。

【００２５】図７は更に別の参考例に属する薄膜磁気ヘ
ッドの斜視図を示している。薄膜磁気変換素子２は磁性
体でなるスライダ５の幅方向のほぼ中間部に配置されて
いる。また、取出電極２７、２８はスライダ５の幅方向
に横並びに配置されている。スライダ５は薄膜磁気変換
素子２を設けた一端側に、空気ベアリング面５６の媒体
流出方向ａと交叉する方向に間隔を隔てて設けられた２
つの非磁性領域６１、６２を有しており、下部ポール部
５５は非磁性領域６１ー６２間のスライダ部分によって
形成されている。

【００２６】図１〜図７に参考例として示した薄膜磁気
ヘッドは、凹部による非磁性領域６１、６２を有してお
り、非磁性領域６１、６２を凹部によって形成する限り
においては、特開昭５９ー１６１１５号公報に開示され
た技術の範疇に属する。しかしながら、磁気記録媒体摺
動面に、凹部による非磁性領域６１、６２を設ける構造
では、加工時のみならず、読み書き動作時において凹部
内にダストが入り、このダストが、読み書き動作時に、
磁気記録媒体摺動面と、媒体との間に生じる浮上隙間に
流出し、ヘッドクラッシュ等、致命的な障害を及ぼす危
険性がある。 特開昭５９ー１６１１５号公報は、そのよ
うな問題点を解決する手段として、凹部内に非磁性材料
を充填する技術を開示している。しかしながら、この場
合には、凹部内に非磁性材料を充填する工程が必要であ
るため、工程数が増える。 図８は本発明に係る薄膜磁気
ヘッド部分拡大斜視図を示している。図示するように、
スライダ５は、薄膜磁気変換素子２を設けた一端側に、
空気ベアリング面５３（５４）の媒体流出方向ａと交叉
する方向に間隔を隔てて設けらた磁性劣化部による非磁
性領域６１、６２を有している。非磁性領域６１、６２
は機械加工による加工変質または熱変質として形成でき
る。熱変質を生じさせる手段としては、イオン・フォー
カス・ビーム照射、エッチングまたはイオン打込み等の
手段がある。上述したように、非磁性領域６１、６２
は、スライダ５を変質させて得られた磁性劣化層であ
る。このような磁性劣化層による非磁性領域６１、６２
は、溝等による非磁性領域６１、６２と異なって、ダス
トが集積することがない。このため、読み取り動作時
に、ダストが、薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面と、
媒体との間の微小浮上隙間に入り込む余地がないので、
ダストによる障害、例えば、ヘッドクラッシュ等を生じ
る余地がない。 しかも、凹部内に非磁性材料を充填する
等の工程が不要であるため、工程数が増えることもな
い。

【００２７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドも、図３に示
した構造の薄膜磁気変換素子２を有する。次に、図３を
参照して薄膜磁気変換素子２の好ましい態様について説
明する。まず、下部ポール部５５は、好ましくは、ギャ
ップ膜２２に隣接するスライダ５の一面上に、スライダ
５を構成するフェライト等の磁性体よりも飽和磁束密度
Ｂｓが大きい磁性膜Ｐ２１を有する。磁性膜Ｐ２１はＣ
ｏ−Ｎｂ−Ｚｒ、アモルファス磁性体、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆ
ｅ−Ｃｏ等で構成する。磁性膜Ｐ２１は単層であっても
よいし、異なる飽和磁束密度Ｂｓ、透磁率μを有する複
数の磁性膜を積層した構成してもよい。複数の磁性膜を
積層した場合、少なくとも１個所の磁性膜間に非磁性膜
を介在させることも可能である。

【００２８】上部磁性膜２３のポール部２３１は磁性膜
Ｐ１１及び磁性膜Ｐ１２を積層した構造となっている。
ギャップ膜２２に隣接する磁性膜Ｐ１１はＣｏ−Ｎｂ−
Ｚｒ、アモルファス磁性体、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｏ等
で構成され、磁性膜Ｐ１２はＮｉ−Ｆｅで構成されてい
る。磁性膜Ｐ１１は単層であってもよいし、異なる飽和
磁束密度Ｂｓ及び透磁率μを有する複数の磁性膜を積層
した構成してもよい。複数の磁性積層膜の場合、磁性膜
間に非磁性膜を介在させることも可能である。

【００２９】図１０を参照すると、ギャップ膜２２に隣
接する磁性膜Ｐ１１は、厚みが磁性膜Ｐ１２よりも薄く
なっている。具体例として、磁性膜Ｐ１２をＮｉ−Ｆｅ
で構成し、磁性膜Ｐ１１をＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒで構成した
場合、厚みＴ１１、Ｔ１２の比（Ｔ１２／Ｔ１１）は、 １＜Ｔ１２／Ｔ１１≦２５ の範囲が適当である。

【００３０】実施例では、ポール部５５、２３１の両者
に高飽和磁束密度の磁性膜Ｐ２１、Ｐ１１を設けた例を
示したが、何れか一方、好ましくは少なくとも媒体流出
端のポール部２３１に磁性膜Ｐ１１を設けることもでき
る。磁性膜Ｐ２１、Ｐ１１は上部磁性膜２３及びスライ
ダ５の一面の全体にわたって設けてもよいし、ポール部
５５、２３１の領域に限って設けてもよい。また、薄膜
磁気ヘッドを例にとって説明したが、例えばモノリシッ
ク型磁気ヘッドやコンポジット型磁気ヘッド等にも本発
明は同様に適用できる。

【００３１】上述のように、ギャップ膜２２を間に挟ん
で向き合う一対のポール部５５、２３１のうち、少なく
ともポール部２３１は、複数の磁性膜Ｐ１１、Ｐ１２を
積層して構成されており、複数の磁性膜Ｐ１１、Ｐ１２
のうち、ギャップ膜２２に隣接する磁性膜Ｐ１１は、他
の磁性膜Ｐ１２よりも飽和磁束密度が大きいから、ギャ
ップ膜２２に向う程、磁束が集中し易くなる。このた
め、磁界分布Ｌ２が鋭化されると共に、再生波形Ｌ１が
図１０に示すように鋭化され、ＰＷ５０値が小さくな
る。従って、高密度記録再生が可能になる。特に、媒体
流出端のポール部２３１を複数の磁性膜Ｐ１１、Ｐ１２
を積層して構成し、ギャップ膜２２に隣接する磁性膜Ｐ
１１を、磁性膜Ｐ１２よりも飽和磁束密度が大きく、か
つ、厚みが薄い構造とした場合、媒体Ｍ上の磁化分布を
決定する媒体流出端における磁界強度の傾斜が急峻にな
り、好ましい磁気記録が得られる。

【００３２】しかも、ギャップ膜２２に隣接する磁性膜
Ｐ１１は、磁性膜Ｐ１２よりも厚みが薄いから、磁束の
集中が一層促進され、磁界分布Ｌ２及び再生波形Ｌ１が
一層鋭化される。

【００３３】ポール部２３１としての全体の先端厚み
は、ポール部Ｐ１１、Ｐ１２を構成する磁性膜Ｐ１１、
Ｐ１２の積層構造全体の厚み（Ｔ１１＋Ｔ１２）である
から、優れた書き込み能力を確保できる。

【００３４】図９は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に
別の実施例における部分拡大斜視図であり、空気ベアリ
ング面５３、５４の媒体流出方向ａと交叉する方向に間
隔を隔てて設けられた磁性劣化部による非磁性領域６
１、６２を有している。非磁性領域６１、６２はレール
部５１、５２の両端側に位置するように設けられてい
る。

【００３５】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）高密度記録対応を図ると共に、加工性、耐久性及
び摺動性を向上させた低コストのスライダを有する薄膜
磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）好ましい態様によれば、磁界分布及び再生波形を
鋭化して高密度記録対応を図ると共に、書き込み能力を
向上させ、しかも加工性、耐久性及び摺動性を向上させ
た低コストのスライダを有する薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】参考例となる薄膜磁気ヘッドの斜視図である。

【図２】図１に図示された薄膜磁気変換素子部分の拡大
斜視図である。

【図３】図１、２に図示された薄膜磁気変換素子部分の
拡大断面図である。

【図４】別の参考例に属する薄膜磁気ヘッドの部分拡大
斜視図である。

【図５】更に別の参考例に属する薄膜磁気ヘッドの部分
拡大斜視図である。

【図６】更に別の参考例に属する薄膜磁気ヘッドを示す
斜視図である。

【図７】更に別の参考例に属する薄膜磁気ヘッドを示す
斜視図である。

【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例を示す部
分拡大斜視図である。

【図９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を示
す部分拡大斜視図である。

【図１０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの再生特性を説
明する図である。

【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図である。

【図１２】従来の薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素子部
分の拡大断面図である。

【図１３】従来の薄膜磁気ヘッドの書き込み特性を示す
図である。

【図１４】従来の薄膜磁気ヘッドの再生特性を示す図で
ある。

【符号の説明】

２ 薄膜磁気変換素子 ２２ ギャップ膜 ２３ 上部磁性膜 ２３１ 上部ポール部 ２４ コイル ５ スライダ １０３、１０４、５６ 空気ベアリング面 ５５ 下部ポール部 Ｐ１１、Ｐ２１ 磁性膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 善映 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−16115（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−107717（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−35315（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−191934（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−20017（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スライダと、前記スライダの一端側に備
   えられた薄膜磁気変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドで
   あって、 前記スライダは、磁性体で構成され、２つの非磁性領域
   を有しており、 前記２つの非磁性領域は、前記薄膜磁気変換素子を設け
   た一端側において、空気ベアリング面の媒体流出方向と
   交叉するトラック幅方向に、間隔を隔てて設けられてお
   り、 前記薄膜磁気変換素子は、下部ポール部及び上部ポール
   部を有しており、 前記下部ポール部は、前記２つの非磁性領域によって挟
   まれた前記スライダの一部を含み、前記トラック幅方向
   の幅が前記２つの非磁性領域の間の前記間隔によって画
   定されており、 前記上部ポール部は、前記下部ポール部と変換ギャップ
   を介して向き合っており、 前記下部ポール部は、更に、前記変換ギャップとの間
   に、前記スライダを構成する前記磁性体よりも飽和磁束
   密度の大きい磁性膜を有しており、 前記下部ポール部の両側に位置する前記非磁性領域は、
   前記スライダを変質させて得られた磁性劣化層である薄
   膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 スライダと、前記スライダの一端側に備
   えられた薄膜磁気変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドで
   あって、 前記スライダは、磁性体で構成され、２つの非磁性領域
   を有しており、 前記２つの非磁性領域は、前記薄膜磁気変換素子を設け
   た一端側において、空気ベアリング面の媒体流出方向と
   交叉するトラック幅方向に、間隔を隔てて設けられてお
   り、 前記薄膜磁気変換素子は、下部ポール部及び上部ポール
   部を有しており、 前記下部ポール部は、前記２つの非磁性領域によって挟
   まれた前記スライダの一部を含み、前記トラック幅方向
   の幅が前記２つの非磁性領域の間の前記間隔によって画
   定されており、 前記上部ポール部は、前記下部ポール部と変換ギャップ
   を介して向き合っており、 前記上部ポール部は、更に、前記変換ギャップとの間
   に、前記スライダを構成する前記磁性体よりも飽和磁束
   密度の大きい磁性膜を有しており、 前記下部ポール部の両側に位置する前記非磁性領域は、
   前記スライダを変質させて得られた磁性劣化層である薄
   膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 請求項２に記載された薄膜磁気ヘッドで
   あって、 前記下部ポール部は、前記変換ギャップとの間に、前記
   スライダを構成する前記磁性体よりも飽和磁束密度の大
   きい磁性膜を有する薄膜磁気ヘッド。