JPS63306507A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPS63306507A JPS63306507A JP14189387A JP14189387A JPS63306507A JP S63306507 A JPS63306507 A JP S63306507A JP 14189387 A JP14189387 A JP 14189387A JP 14189387 A JP14189387 A JP 14189387A JP S63306507 A JPS63306507 A JP S63306507A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/245—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for controlling the reluctance of the magnetic circuit in a head with single gap, for co-operation with one track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド
において、下部磁極先端部における透磁率の大きい第二
磁性膜の幅を透磁率の小さい第一磁性膜の幅と同等、或
いは小さい幅とし、その下部磁極先端部上にギャップ層
を介して設けた上部磁極先端部におけるｉ３磁率の大き
い第三磁性膜の幅を前記透磁率の大きい第二磁性膜の幅
よりも小さい幅とし、かつ透磁率の小さい第四磁性膜の
幅を前記第三磁性膜の幅よりも大きい幅で配設した磁極
構造とすることにより、上部及び下部の各磁極先端部で
の透磁率の小さい角部分に対する媒体からの磁束の集中
が緩和され、ネガティブエツジの発生が防止されると共
に、媒体のトラックに対する情報のワイドライト／ナロ
ウリードが実現でき、記録再生時のオフトランクにｊる
オーバライドノイズを低減し得るようにしたものである
。
において、下部磁極先端部における透磁率の大きい第二
磁性膜の幅を透磁率の小さい第一磁性膜の幅と同等、或
いは小さい幅とし、その下部磁極先端部上にギャップ層
を介して設けた上部磁極先端部におけるｉ３磁率の大き
い第三磁性膜の幅を前記透磁率の大きい第二磁性膜の幅
よりも小さい幅とし、かつ透磁率の小さい第四磁性膜の
幅を前記第三磁性膜の幅よりも大きい幅で配設した磁極
構造とすることにより、上部及び下部の各磁極先端部で
の透磁率の小さい角部分に対する媒体からの磁束の集中
が緩和され、ネガティブエツジの発生が防止されると共
に、媒体のトラックに対する情報のワイドライト／ナロ
ウリードが実現でき、記録再生時のオフトランクにｊる
オーバライドノイズを低減し得るようにしたものである
。
本発明は磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド
の改良に係り、特に再生信号波形にネガティブエツジの
発生がなく、シかもオフトラックによるオーバーライド
ノイズの低減を図った磁極構造に関するものである。
の改良に係り、特に再生信号波形にネガティブエツジの
発生がなく、シかもオフトラックによるオーバーライド
ノイズの低減を図った磁極構造に関するものである。
近年磁気ディスク装置においては、高記録密度化及び高
効率化が進められ、このような高記録密度化に有利な薄
膜磁気ヘッドも益々小型化されると共に、高精度化が要
求されている。
効率化が進められ、このような高記録密度化に有利な薄
膜磁気ヘッドも益々小型化されると共に、高精度化が要
求されている。
特に高記録密度化に伴いトラック密度を向上させるため
には、再生信号波形に生じるネガティブエツジの解消と
、オフトラックによるオーバーライドノイズが低減され
たヘッド構造が必要とされている。
には、再生信号波形に生じるネガティブエツジの解消と
、オフトラックによるオーバーライドノイズが低減され
たヘッド構造が必要とされている。
従来の再生信号波形にネガティブエツジが発生する問題
を解決した薄膜磁気ヘッドとして、本出願人は例えば特
開昭５６−１０７３２３号公報によって既に提案してい
る。
を解決した薄膜磁気ヘッドとして、本出願人は例えば特
開昭５６−１０７３２３号公報によって既に提案してい
る。
このような薄膜磁気ヘッドは第３図（ａ）の要部平面図
、第３図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図及び第３図（Ｃ１のＢ
−Ｂ、’磁極断面図に示すように、例えばスライダとな
る基板１１上に透磁率μ（または保磁力Ｈｅ）の小さい
第一磁性膜１３と透磁率μ（または保磁力Ｈｅ）の大き
い第二磁性膜１４とからなる下部磁極１２が設けられ、
該下部磁極１２上にギャップ層１５、層間絶縁層１６で
挟まれた導体コイル層１７及び透磁率μの大きい（また
は保磁力Ｈｃの小さい）第三磁性膜１９と透磁率μの小
さい（または保磁力Ｈｃの大きい）第四磁性膜２０とか
らなる上部磁極１８が順に積層形成され、更にその上面
は保護層２１によって覆われた構造からなっている。
、第３図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図及び第３図（Ｃ１のＢ
−Ｂ、’磁極断面図に示すように、例えばスライダとな
る基板１１上に透磁率μ（または保磁力Ｈｅ）の小さい
第一磁性膜１３と透磁率μ（または保磁力Ｈｅ）の大き
い第二磁性膜１４とからなる下部磁極１２が設けられ、
該下部磁極１２上にギャップ層１５、層間絶縁層１６で
挟まれた導体コイル層１７及び透磁率μの大きい（また
は保磁力Ｈｃの小さい）第三磁性膜１９と透磁率μの小
さい（または保磁力Ｈｃの大きい）第四磁性膜２０とか
らなる上部磁極１８が順に積層形成され、更にその上面
は保護層２１によって覆われた構造からなっている。
そしてかかる構造の薄膜磁気ヘッドにあっては、第４図
に示すようにギャップ層１５を介して対向した下部磁極
１２と上部磁極１８の各磁極先端部における磁束の集中
し易い角部分を有する第一磁性膜１３と第四磁性膜２０
の透磁率μを小さく（または保磁力Ｈｃを大きく）シて
いることにより、再生信号波形に鎖線で示すようなネガ
ティブエツジの発生を防止している。
に示すようにギャップ層１５を介して対向した下部磁極
１２と上部磁極１８の各磁極先端部における磁束の集中
し易い角部分を有する第一磁性膜１３と第四磁性膜２０
の透磁率μを小さく（または保磁力Ｈｃを大きく）シて
いることにより、再生信号波形に鎖線で示すようなネガ
ティブエツジの発生を防止している。
ところでこのようにネガティブエツジの発生を防止した
従来のヘッド構造にあつては、磁気記録媒体の高記録密
度化による狭トラツクに対する記録再生時のヘッド位置
決め誤差によるＳ／Ｎ比への影響及びサイドクロストー
クの影響に対してはなんら改善の工夫が施されていない
、即ち、記録再生時におけるオフトラックによるオーバ
ライドノイズの発生と再生信号の出力が低下するといっ
た欠点があった。
従来のヘッド構造にあつては、磁気記録媒体の高記録密
度化による狭トラツクに対する記録再生時のヘッド位置
決め誤差によるＳ／Ｎ比への影響及びサイドクロストー
クの影響に対してはなんら改善の工夫が施されていない
、即ち、記録再生時におけるオフトラックによるオーバ
ライドノイズの発生と再生信号の出力が低下するといっ
た欠点があった。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、ネガティブエツジの発
生の防止は勿論のこと、媒体の書き込みトラック幅に対
してその情報を小さいトラック幅で再生する磁極構造に
より記録再生時におけるオフトラックによるオーバライ
ドノイズの発生を低減し得るようにした新規な薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的とするものである。
生の防止は勿論のこと、媒体の書き込みトラック幅に対
してその情報を小さいトラック幅で再生する磁極構造に
より記録再生時におけるオフトラックによるオーバライ
ドノイズの発生を低減し得るようにした新規な薄膜磁気
ヘッドを提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、透磁率の小さい第一
磁性膜上に透磁率の大きい第二磁性膜を設けて形成した
下部磁極と透磁率の大きい第三磁性股上に透磁率の小さ
い第四磁性膜を設けて形成した上部磁極との間に、ギャ
ップ層と層間絶縁層で挟まれた導体コイル層を備えたヘ
ッド構成において、前記下部磁極先端部における第二磁
性膜の幅を第一磁性膜の幅と同等、或いはそれよりも小
さい幅とし、上部磁極先端部における第三磁性膜の幅を
前記第二磁性膜の幅よりも小さい幅とし、かつ第四磁性
膜の幅を第三磁性膜の幅よりも大きく形成段した磁極構
造とする。
磁性膜上に透磁率の大きい第二磁性膜を設けて形成した
下部磁極と透磁率の大きい第三磁性股上に透磁率の小さ
い第四磁性膜を設けて形成した上部磁極との間に、ギャ
ップ層と層間絶縁層で挟まれた導体コイル層を備えたヘ
ッド構成において、前記下部磁極先端部における第二磁
性膜の幅を第一磁性膜の幅と同等、或いはそれよりも小
さい幅とし、上部磁極先端部における第三磁性膜の幅を
前記第二磁性膜の幅よりも小さい幅とし、かつ第四磁性
膜の幅を第三磁性膜の幅よりも大きく形成段した磁極構
造とする。
本発明の薄膜磁気ヘッドにおける下部磁極と上部磁極を
構成する第一、第二磁性膜及び第三、第四磁性膜のうち
の第一、第四磁性膜の透磁率を、第二、第三磁性膜のそ
れよりも小さくしているため、下部磁極と上部磁極の各
磁極先端部での透磁率の小さい角部分に対する媒体から
の磁束の集中が緩和され、ネガティブエツジの発生が防
止される。
構成する第一、第二磁性膜及び第三、第四磁性膜のうち
の第一、第四磁性膜の透磁率を、第二、第三磁性膜のそ
れよりも小さくしているため、下部磁極と上部磁極の各
磁極先端部での透磁率の小さい角部分に対する媒体から
の磁束の集中が緩和され、ネガティブエツジの発生が防
止される。
また前記下部磁極と上部磁極の各磁極先端部での第一〜
第四の磁性膜の幅をそれぞれ−＋＋Ｌ＋Ｌ及び−４とす
ると、６≦ｌ’ｌ＋ｔ ’／Ｉｓ＜＆ｈ＊ かつ−、〉
−１となる関係を有する構成とすることにより、媒体の
トラックに対する情報のワイドライト／ナロウリードが
実現でき、記録再生時のオフトラックによるオーバライ
ドノイズが低減される。
第四の磁性膜の幅をそれぞれ−＋＋Ｌ＋Ｌ及び−４とす
ると、６≦ｌ’ｌ＋ｔ ’／Ｉｓ＜＆ｈ＊ かつ−、〉
−１となる関係を有する構成とすることにより、媒体の
トラックに対する情報のワイドライト／ナロウリードが
実現でき、記録再生時のオフトラックによるオーバライ
ドノイズが低減される。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおける磁極先端
部の一実施例を示す要部断面図である。
部の一実施例を示す要部断面図である。
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては磁極先端部分を除く
各構成部分は従来と同様であり、図において、１１はス
ライダとなる基板、３１は透磁率μの小さい（または保
磁力Ｈｃの大きい）第一磁性膜１３と透磁率μの大きい
（または保磁力Ｈｅの小さい）第二磁性膜１４とからな
る下部磁極の先端部であり、３２は該下部磁極先端部３
１上にギャップ層１５と図示しない層間絶縁層で挟まれ
た導体コイル層を介して透磁率μの大きい（または保磁
力Ｈｃの小さい）第三磁性［１９と透磁率μの小さい（
または保磁力Ｈｅの大きい）第四磁性膜２０が順に積層
状に設けられた上部磁極の先端部である。２１はその上
面に被覆された保護層２１である。
各構成部分は従来と同様であり、図において、１１はス
ライダとなる基板、３１は透磁率μの小さい（または保
磁力Ｈｃの大きい）第一磁性膜１３と透磁率μの大きい
（または保磁力Ｈｅの小さい）第二磁性膜１４とからな
る下部磁極の先端部であり、３２は該下部磁極先端部３
１上にギャップ層１５と図示しない層間絶縁層で挟まれ
た導体コイル層を介して透磁率μの大きい（または保磁
力Ｈｃの小さい）第三磁性［１９と透磁率μの小さい（
または保磁力Ｈｅの大きい）第四磁性膜２０が順に積層
状に設けられた上部磁極の先端部である。２１はその上
面に被覆された保護層２１である。
なお、透磁率μの大きい（または保磁力Ｈｅの小さい）
第二磁性膜１４及び第三磁性膜１９はパーマロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ）等により形成することができ、また透磁率μの
小さい（または保磁力Ｈｃの大きい）第一磁性膜１３及
び第四磁性膜２０はＣｒ等を混入して透磁率μを小さく
したパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等により形成することが
できる。
第二磁性膜１４及び第三磁性膜１９はパーマロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ）等により形成することができ、また透磁率μの
小さい（または保磁力Ｈｃの大きい）第一磁性膜１３及
び第四磁性膜２０はＣｒ等を混入して透磁率μを小さく
したパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）等により形成することが
できる。
そして上記した下部磁極先端部３１及び上部磁極先端部
３２を構成する第一〜第四の磁性膜１３．１４．１９゜
２０の幅Ｗ、、Ｗ、、Ｗ３及び−、は、本実施例では魁
＜−、。
３２を構成する第一〜第四の磁性膜１３．１４．１９゜
２０の幅Ｗ、、Ｗ、、Ｗ３及び−、は、本実施例では魁
＜−、。
Ｗ３＜Ｗ重＋かつ−ｓ＜Ｌとなる関係を有する構成とさ
れている。
れている。
従って、かかる薄膜磁気ヘッドにおいては、再生時に下
部磁極と上部磁極の各磁極先端部３１．３２の角部分に
対する媒体からの磁束の集中が従来と同様にその角部分
の透磁率を小さくしていることにより緩和され、ネガテ
ィブエツジの発生の抑制が効果的に行われる。
部磁極と上部磁極の各磁極先端部３１．３２の角部分に
対する媒体からの磁束の集中が従来と同様にその角部分
の透磁率を小さくしていることにより緩和され、ネガテ
ィブエツジの発生の抑制が効果的に行われる。
また前記下部磁極と上部磁極の各磁極先端部３１．３２
を構成する第一〜第四の磁性膜１３．１４．１９．２０
の幅ＷＩＪ！Ｊ３及び−、をｈく１．賀、＜−２，かつ
６＜−４となる構成としているため、ワイドライト／ナ
ロウリードが実現できるので記録再生時のオフトラック
によるオーバライドノイズの低減を図ることができる。
を構成する第一〜第四の磁性膜１３．１４．１９．２０
の幅ＷＩＪ！Ｊ３及び−、をｈく１．賀、＜−２，かつ
６＜−４となる構成としているため、ワイドライト／ナ
ロウリードが実現できるので記録再生時のオフトラック
によるオーバライドノイズの低減を図ることができる。
即ち、第２図（ａ）に示すように媒体上の既に情報記録
がなされたトラック４１に対して本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドが紙面に向かって左へある寸法だけオフトラックし
て新しい情報を矢印の方向に記録する場合、該新しい情
報は該薄膜磁気ヘッドの磁極部分を媒体面側から見た下
部磁極先端部３１の第一磁性膜１３の幅Ｌ（Ｌ＜Ｌの時
）、または上部磁極先端部３２の第四磁性膜２０の幅−
＊（Ｈａ ＜ｉｎ、の時）で記録され、前記既情報トラ
ンク４１の一部を残して新情報トラック４２が形成され
る。
がなされたトラック４１に対して本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドが紙面に向かって左へある寸法だけオフトラックし
て新しい情報を矢印の方向に記録する場合、該新しい情
報は該薄膜磁気ヘッドの磁極部分を媒体面側から見た下
部磁極先端部３１の第一磁性膜１３の幅Ｌ（Ｌ＜Ｌの時
）、または上部磁極先端部３２の第四磁性膜２０の幅−
＊（Ｈａ ＜ｉｎ、の時）で記録され、前記既情報トラ
ンク４１の一部を残して新情報トラック４２が形成され
る。
次に第２図〜）に示すようにこのような媒体上の新情報
トラック４２の情報を残存する既情報トラック４１の一
部に跨がって再生する場合、下部磁極先端部３１の第二
磁性膜１４と上部磁極先端部３２の第三磁性膜１９が関
与し、該第三磁性膜１９の幅−１で新情報信号が再生さ
れる。
トラック４２の情報を残存する既情報トラック４１の一
部に跨がって再生する場合、下部磁極先端部３１の第二
磁性膜１４と上部磁極先端部３２の第三磁性膜１９が関
与し、該第三磁性膜１９の幅−１で新情報信号が再生さ
れる。
この際、残存する既情報トラック４１上で対応する第二
磁性膜１４に対向する第四磁性膜２０は透磁率が小さく
既情報信号を検知する能力が極めて微弱となっている。
磁性膜１４に対向する第四磁性膜２０は透磁率が小さく
既情報信号を検知する能力が極めて微弱となっている。
従って、下部磁極先端部３１の第一磁性膜１３の広い幅
−いまたは上部磁極先端部３２の第四磁性膜２０広い幅
−９で情報が記録され、上部磁極先端部３２の第三磁性
膜１９の狭い幅６で、残存する既情報信号を読み出すこ
となく新情報信号を再生する、所謂ワイドライト／ナロ
ウリードによりオフトラックによるオーバライドノイズ
を低下することができる。
−いまたは上部磁極先端部３２の第四磁性膜２０広い幅
−９で情報が記録され、上部磁極先端部３２の第三磁性
膜１９の狭い幅６で、残存する既情報信号を読み出すこ
となく新情報信号を再生する、所謂ワイドライト／ナロ
ウリードによりオフトラックによるオーバライドノイズ
を低下することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドによれば、ネガティブエツジの発生を効果的に抑
制することができると共に、オフトラックによるオーバ
ライドノイズを低減することが可能となり、ひいては再
生信号の出力低下の少ない薄膜磁気ヘッドを容易に実現
することができる優れた利点を有する。
ヘッドによれば、ネガティブエツジの発生を効果的に抑
制することができると共に、オフトラックによるオーバ
ライドノイズを低減することが可能となり、ひいては再
生信号の出力低下の少ない薄膜磁気ヘッドを容易に実現
することができる優れた利点を有する。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおける磁極先端
部の一実施例を示す要部断面 図、 第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
による記録・再生を説明するための図、 第３図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は従来の薄膜磁気ヘ
ッドを説するための図であり、図（ａ）は要部平面図、
回申）は図（ａ）に示すＡ−Ａ’切断線に沿った要部断
面図、図（Ｃ）は図（ａ）に示すＢ−Ｂ’切断線に沿っ
た要部断面図、第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの問題点
を説明するための図である。 第１図及び第２図（ａ）、 （ｂ）において、１１は基
板、１３は第一磁性層、１４は第二磁性層、１５はギャ
ップ層、１９は第三磁性層２０は第四磁性層、３１は下
部磁極先端部、３２は上部磁極先端部、４１は既情報ト
ラック、４２は新情報トラックをそれぞれ示す。 第１図 （Ｑ）轟！！鋒通裡て （ｂ）典を通社口才
−４１”６４ｎｌｌｉＡへｙＦｒ−ｚｓ ９Ｊ添−１ｔ
ｓＴＩＱＪＩ了丑第２図
部の一実施例を示す要部断面 図、 第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
による記録・再生を説明するための図、 第３図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は従来の薄膜磁気ヘ
ッドを説するための図であり、図（ａ）は要部平面図、
回申）は図（ａ）に示すＡ−Ａ’切断線に沿った要部断
面図、図（Ｃ）は図（ａ）に示すＢ−Ｂ’切断線に沿っ
た要部断面図、第４図は従来の薄膜磁気ヘッドの問題点
を説明するための図である。 第１図及び第２図（ａ）、 （ｂ）において、１１は基
板、１３は第一磁性層、１４は第二磁性層、１５はギャ
ップ層、１９は第三磁性層２０は第四磁性層、３１は下
部磁極先端部、３２は上部磁極先端部、４１は既情報ト
ラック、４２は新情報トラックをそれぞれ示す。 第１図 （Ｑ）轟！！鋒通裡て （ｂ）典を通社口才
−４１”６４ｎｌｌｉＡへｙＦｒ−ｚｓ ９Ｊ添−１ｔ
ｓＴＩＱＪＩ了丑第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透磁率の小さい第一磁性膜（１３）上に透磁率の大きい
第二磁性膜（１４）を設けて形成した下部磁極と、透磁
率の大きい第三磁性膜（１９）上に透磁率の小さい第四
磁性膜（２０）を設けて形成した上部磁極との間に、ギ
ャップ層（１５）と層間絶縁層で挟まれた導体コイル層
を備えたヘッド構成において、 上記下部磁極の先端部（３１）における第二磁性膜（１
４）の幅を第一磁性膜（１３）の幅と同等、若しくはそ
れより小さく、上部磁極の先端部（３２）における第三
磁性膜（１９）の幅を前記第二磁性膜（１４）の幅より
も小さく、第四磁性膜（２０）の幅を第三磁性膜（１９
）の幅よりも大きく形成したことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14189387A JPS63306507A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14189387A JPS63306507A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63306507A true JPS63306507A (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=15302617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14189387A Pending JPS63306507A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63306507A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383213A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH03100910A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-25 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP14189387A patent/JPS63306507A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383213A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH03100910A (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-25 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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